SA04250147B1 - طريقة لإنتاج حمض أكريليك acrylic acid - Google Patents
طريقة لإنتاج حمض أكريليك acrylic acid Download PDFInfo
- Publication number
- SA04250147B1 SA04250147B1 SA4250147A SA04250147A SA04250147B1 SA 04250147 B1 SA04250147 B1 SA 04250147B1 SA 4250147 A SA4250147 A SA 4250147A SA 04250147 A SA04250147 A SA 04250147A SA 04250147 B1 SA04250147 B1 SA 04250147B1
- Authority
- SA
- Saudi Arabia
- Prior art keywords
- acrylic acid
- column
- weight
- gas
- acid
- Prior art date
Links
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 324
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 315
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 110
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims abstract description 103
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims abstract description 102
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 99
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 91
- 238000004821 distillation Methods 0.000 claims abstract description 57
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 31
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 claims abstract description 23
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 153
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 83
- HGINCPLSRVDWNT-UHFFFAOYSA-N Acrolein Chemical compound C=CC=O HGINCPLSRVDWNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 65
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 44
- CYUZOYPRAQASLN-UHFFFAOYSA-N 3-prop-2-enoyloxypropanoic acid Chemical compound OC(=O)CCOC(=O)C=C CYUZOYPRAQASLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 28
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 23
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 claims description 20
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 claims description 20
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 16
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 14
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 12
- 238000010533 azeotropic distillation Methods 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 132
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 60
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 54
- 230000008569 process Effects 0.000 description 47
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 44
- HYBBIBNJHNGZAN-UHFFFAOYSA-N furfural Chemical compound O=CC1=CC=CO1 HYBBIBNJHNGZAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 42
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 33
- HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N benzaldehyde Chemical compound O=CC1=CC=CC=C1 HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 30
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 28
- 239000000047 product Substances 0.000 description 27
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 25
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 25
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 23
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 22
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 22
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 21
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 21
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 17
- QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N para-ethylbenzaldehyde Natural products CCC1=CC=C(C=O)C=C1 QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 14
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 13
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 12
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 10
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 9
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 9
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 9
- 239000002585 base Substances 0.000 description 8
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 8
- 230000035900 sweating Effects 0.000 description 8
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 6
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 6
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 6
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 5
- -1 oxygen or air Chemical compound 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 4
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 4
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 4
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 4
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 3
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 3
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003723 Smelting Methods 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000007859 condensation product Substances 0.000 description 2
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 2
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 2
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 2
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 2
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 150000002696 manganese Chemical class 0.000 description 2
- WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N methanone Chemical compound O=[14CH2] WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 2
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 2
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000004173 sunset yellow FCF Substances 0.000 description 2
- 239000002912 waste gas Substances 0.000 description 2
- 241001136792 Alle Species 0.000 description 1
- AENGQXRFFFCWFF-UHFFFAOYSA-N C(C1=CC=CC=C1)=O.C(C=C/C(=O)O)(=O)O Chemical compound C(C1=CC=CC=C1)=O.C(C=C/C(=O)O)(=O)O AENGQXRFFFCWFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOVMBDZGOAKNSN-UHFFFAOYSA-N C(C=C/C(=O)O)(=O)O.C(C1=CC=CO1)=O Chemical compound C(C=C/C(=O)O)(=O)O.C(C1=CC=CO1)=O WOVMBDZGOAKNSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100102516 Clonostachys rogersoniana vern gene Proteins 0.000 description 1
- 241000252067 Megalops atlanticus Species 0.000 description 1
- 239000004365 Protease Substances 0.000 description 1
- BYUANIDVEAKBHT-UHFFFAOYSA-N [Mo].[Bi] Chemical compound [Mo].[Bi] BYUANIDVEAKBHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UTKBLLDLHPDWDU-ODZAUARKSA-N acetic acid;(z)-but-2-enedioic acid Chemical compound CC(O)=O.OC(=O)\C=C/C(O)=O UTKBLLDLHPDWDU-ODZAUARKSA-N 0.000 description 1
- PQLVXDKIJBQVDF-UHFFFAOYSA-N acetic acid;hydrate Chemical compound O.CC(O)=O PQLVXDKIJBQVDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004480 active ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- HCTYEJBRDPGMGY-UHFFFAOYSA-N benzaldehyde;furan-2-carbaldehyde Chemical compound O=CC1=CC=CO1.O=CC1=CC=CC=C1 HCTYEJBRDPGMGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IYNWNKYVHCVUCJ-UHFFFAOYSA-N bismuth Chemical compound [Bi].[Bi] IYNWNKYVHCVUCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005352 clarification Methods 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000021615 conjugation Effects 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- UBONKQIVJMCFNM-UHFFFAOYSA-L copper;n,n-dibutylcarbamothioate Chemical compound [Cu+2].CCCCN(C([O-])=S)CCCC.CCCCN(C([O-])=S)CCCC UBONKQIVJMCFNM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 210000003746 feather Anatomy 0.000 description 1
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 238000001640 fractional crystallisation Methods 0.000 description 1
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 description 1
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229940071125 manganese acetate Drugs 0.000 description 1
- UOGMEBQRZBEZQT-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);diacetate Chemical compound [Mn+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O UOGMEBQRZBEZQT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000012054 meals Nutrition 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000010309 melting process Methods 0.000 description 1
- GDOPTJXRTPNYNR-UHFFFAOYSA-N methyl-cyclopentane Natural products CC1CCCC1 GDOPTJXRTPNYNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 150000002832 nitroso derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 230000004083 survival effect Effects 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 239000002351 wastewater Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C51/00—Preparation of carboxylic acids or their salts, halides or anhydrides
- C07C51/16—Preparation of carboxylic acids or their salts, halides or anhydrides by oxidation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C51/00—Preparation of carboxylic acids or their salts, halides or anhydrides
- C07C51/42—Separation; Purification; Stabilisation; Use of additives
- C07C51/43—Separation; Purification; Stabilisation; Use of additives by change of the physical state, e.g. crystallisation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C51/00—Preparation of carboxylic acids or their salts, halides or anhydrides
- C07C51/42—Separation; Purification; Stabilisation; Use of additives
- C07C51/43—Separation; Purification; Stabilisation; Use of additives by change of the physical state, e.g. crystallisation
- C07C51/44—Separation; Purification; Stabilisation; Use of additives by change of the physical state, e.g. crystallisation by distillation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
الملخص: يتعلق الاختراع بطريقة لإنتاج حمض الأكريليك acrylic acid باستخدام محلول يحتوى على حمض الأكريليك acrylic acid بتركيز مرتفع دون تقطير أزيوتروبى azeotropic distillation. وتشتمل هذه الطريقة على إدخال الغاز المحتوى على - الأكريليك acrylic acid ، والذي تم الحصول عليه بتفاعل أكسدة ذي طور غازي حفزي catalytic gas phase oxidation، وذلك في عمود للامتصاص absorption column ، مع إمداد المحلول المحتوى على حمض الأكريليك acrylic acid إلى خطوة التبلر crystallization، حيث يتم فصل المحلول إلى حمض أكريليك acrylic acid وسائل أساسي متبقي. ويتم تقطير جزء على الأقل من هذا السائل المتبقي وتدوير ناتج التقطير الذي تم الحصول عليه بالتقطير إلى عمود الامتصاص absorption column .
Description
Y —_ _ طريقة لإنتاج حمض أكريليك acrylic acid Cha ol) الكامل خلفية الاختراع
يتعلق هذا الاختراع بطريقة لإنتاج حمض الأكريليك acrylic acid بكمية كبيرة عن طريق تعريض محلول يحتوى على حمض الأكريليك acrylic acid يتم الحصول عليه بواسطة الامتصاص بالماء لخطوة تبلر يتم فيها الحصول على بللورات حمض الأكريليك acrylic acid ٠ مع سائل بللوري أصلي crystal mother liquid ؛ ثم يجرى بعد ذلك تدوير هذا السائل البللوري لأصلي crystal mother liquid إلى عمود للامتصاص absorption column حيث يتم هنا تعزيز
نسبة امتصاص حمض الأكريليك acrylic acid . يعتمد الإنتاج التجاري لحمض الأكريليك acrylic acid بصفة عامة على طريقة لتأكسد البروبيلين propylene oxidation تشتمل على تعريض البروبيلين propylene و/أو الأكرولين ٠ صتعاضصعة acrolein لأكسدة حفزية في shall الغازي catalytic gas phase oxidation . وعندما يتم إنتاج حمض الأكريليك acrylic acid بهذه الطريقة التي تقوم على تأكسد البروبيلين propylene oxidation « فإن خطوة تأكسد البروبيلين propylene oxidation تؤدي هنا إلى تكون شوائب Jie الماء؛ وأحماض مثل حمض البروبيوتيك ٠ propionic acid و حمض الأسيتيك acetic acid ¢ و حمض المالييك maleic acid ؛ و الدهيدات Jie aldehydes الأسيتون cacetone و الأكرولين acrolein ؛ و الفورفورال furfural ؛ و الفورمالدهيد formaldehyde في شكل منتجات ثانوية. ويتم امتصاص الغاز المحتوى على تلك المنتجات A lll وذلك في صورة محا
دس محلول يحتوى على حمض الأكريليك acrylic acid عن طريق التلامس مع مادة ماصة؛ وبعد ذلك؛ يتم فصل المحلول الناتج عن طريق التقطير» الخ. وهناك طريقة معروفة -على سبيل المثال - لإنتاج حمض أكريليك acrylic acid ذي درجة نقاء عالية بامتصاص غاز يحتوي على حمض الأكريليك acrylic acid والناتج عن أكسدة حفزية في ٠ الطور الغازي catalytic gas phase oxidation بواسطة مذيب ذى درجة غليان عالية؛ ثم تقطير المحلول المحتوى على حمض الأكريليك acrylic acid _لفصله إلى مذيب وحمض ALS acrylic acid خام؛ وبعد ذلك يخضع حمض الأكريليك acid منا0ع_الخام لعملية تبلر (البراءة اليابانية رقم 99897-77974585 ١-أ). وبهذه الطريقة يتم تبريد الغاز المتبقي المحتوى على حمض الأكريليك acrylic acid والذي لم يخضع لعملية امتصاص بواسطة المذيب ذي درجة الغليان dled ys ويتحول بذلك إلى ناتج تكثيف يحتوى على الماءء والفورمالدهيد formaldehyde وحمض الأسيتيك acetic acid ويتم التخلص من هذا المنتج خارج الجهاز. فضلاً عن ذلك فإنه عند تدوير السائل البللوري الأصلي crystal mother liquid إلى عمود الامتقصاص absorption column يحدث هنا تعزيز لعملية فصل المكونات de goal المشتركة عن طريق كشط وانتزاع المادة التي لها درجة الغليان المنخفضة.
١ وهناك طرق معينة يتم بها إنتاج حمض الأكريليك acrylic acid عن طريق التبلر المباشر للمادة المتكثفة الناتجة عن تكثيف الغاز المحتوى على حمض الأكريليك acrylic acid (راجع الجريدة الرسمية لمنشورات براءات الاختراع الدولية التي لم يتم فحصهاء؛ وبراءة الاختراع اليابانية رقم ٠٠٠١-١٠59 ؛ وبراءة الاختراع اليابانية رقم ٠0١-2137756 ؛ وبراءة الاختراع اليابانية رقم 7-7178 .)٠٠١ وعند تبريد المحلول في خطوة التبلر في غياب المذيب
© العضوي أو مادة الاستخلاصء تتصلد البللورات بدلاً من أن تترسب؛ ومن هنا يتم استخدام
١٠١ه
المذيب العضوي لمنع هذا التصلد. وقد وجد أنه يمكن بشكل مباشر تبلر حمض الأكريليك
acid 20511 _من ناتج تكثيف الغاز المحتوى على هذا الحمض؛ وهى طرق مفضلة تتميز بعدم
حتمية إضافة مادة تكميلية. وفي الطريقة التي جاء وصفها في براءة الاختراع اليابانية رقم
Yer n=O EVV يتم تدوير جزء من السائل البللوري الأمسلي crystal mother liquid إلى
٠ خطوة للتبلرء وفي الطريقة التي جاء وصفها في البراءة اليابانية رقم Yo =o IVY وفي
البراءة اليابانية رقم 007-28717258 تعتمد الإجراءات هنا على التكثيف التجزيئي للمكونات
ذات العلاقة على العكس من عملية التكثيف المعتادة.وبشكل محدد يتم هنا فصل حمض الأكريليك
acrylic acid في شكل جزء ذي درجة غليان متوسطة؛ واستبعاد الجزء ذى درجة الغليان
المنخفضة والذي يحتوى على حمض الأكريليك Jie acrylic acid مياه المخلفات». مع sale)
٠ تدوير جزء من المادة التي لها درجة الغليان العالية والمحتوية على حمض الأكريليك acrylic acid والتخلص مما تبقي منها.
وهناك طريقة معروفة يتم بها إنتاج حمض الأكريليك acrylic acid عن طريق التبريد المفاجئ
لغاز يحتوى على حمض الأكريليك acrylic acid باستخدام جهاز تبريد يعمل بالرش؛ وإجراء
تكثيف إضافي للغاز المخمد ومن ثم يتكون حمض أكريليك acrylic acid خام؛ مع تبلر هذا
ve الحمض (راجع الجريدة الرسمية لمنشورات براءة الاختراع الدولية التي لم يتم فحصها رقم
4؛-”١١). وقد تم تقويم هذه الطريقة بحيث يمكن بشكل فعال الاستفادة من أوليجومر
oligomer حمض الأكريليك acrylic acid الذي يتكون أثناء خطوة إنتاج حمض الأكريليك
acrylic acid . ويستخدم هنا السائل القاعدي المحتوى على أوليجومر oligomer حمض
الأكريليك acrylic acid ليعمل بمثابة سائل لتخميد الغاز المحتوى على حمض الأكريليك
acrylic acid ٠ ¢ كما يتم سحب جزء من سائل التخميد في شكل سائل متدفق؛ وتحليل
ave
IP
¢ acrylic acid إلى حمض الأكريليك acrylic acid حمض الأكريليك oligomer أوليجومر وتكثيف الحمض الناتج باستخدام ناتج التكثيف كسائل للإخماد. هناك طريقة لإنتاج حمض الأكريليك acrylic acid تشتمل على تقطير السائل الأصلي الذي تم الحصول عليه أثناء تبلر خليط يحتوى على حمض الأكريليك Cua «acrylic acid يتم الحصول ٠ على مادة متبقية في عملية التقطير distillation ومنتج موجود أعلى قمة العمود column top ؛ مع إعادة تبلر recrystallizing جزء من المنتج الموجود أعلى قمة العمود؛ وهذا ما تم الكشف عنه في الجريدة الرسمية لمنشورات براءات الاختراع اليابانية التّي لم يتم فحصها برقم Yea Y—0) 40 £Y وتهدف هذه الطريقة إلى زيادة درجة نقاء حمض الأكريليك acrylic acid عن طريق تقطير جزء على الأقل من السائل الأصلي الحادث أثناء التقطير الأول؛ وتبلر المنتج ٠ الموجود أعلى قمة العمود والمتكون أثناء Adee التقطيرء وإعادة تدوير البللورات الناتجة إلى عملية التبلر الأوّلي؛ ثم التخلص من بقايا التبلر واستبعادها خارج الجهاز. وعندما يمكن استخدام محلول ماثي كمادة ماصة لحمض الأكريليك Ya acrylic acid من استخدام المذيبات المكلفة ذات درجة الغليان المرتفعة؛ فإن استخدام هذا المحلول المائي يكون (Lala وبخاصة عندما تكون له القدرة على امتصاص المحلول المحتوى على حمض 1s الأكريليك acrylic acid بتركيز مرتفع. كما يعد استخدام المحلول المائي فعالاً من حيث قدرته على تقليل حجم المعالجات في خطوات التنقية التالية. وهكذاء فإنه عند امتصاص غاز يحتوى على حمض الأكريليك acrylic acid الناتج عن أكسدة حفزية في الطور الغازي catalytic gas phase oxidation في محلول Sle تم اقتراح الطريقة التي تؤدي إلى توفير ماء مستخلص ناتج عن خطوة للنزع الأزيوتروبي azeotropic dehydration للماء لعمود ٠ الامتصاص absorption column « كما تؤدي أيضاً إلى توفير محلول يحتوى على حمض ض م٠
- a في عمود الكشطء مع الحصول على محلول حمض أكريليك acrylic acid الأكريليك مع نسبة وزنية من JY, يحتوى على الحمض المذكور بنسبة وزنية قدرها acrylic acid قدرها 77 من أسفل عمود acetic acid الماء قدرها 778,7 ونسبة وزنية من حمض الأسيتيك وقد أدت هذه الطريقة إلى .)٠٠١١1-144497١ براءة الاختراع اليابانية رقم pal) النسزع منقى عن طريق إخضاع المحلول المحتوى على acrylic acid الحصول على حمض أكريليك © للماء؛ تليها azeotropic dehydration نزع أزيوتروبي Adexl acrylic acid حمض الأكريليك .crystallization خطوة التبلر ومع ذلك؛ فإن الطرق التي تم الكشف عنها في براءات الاختراع المذكورة عاليه تحتاج إلى إعادة تنقية المذيب العضوي Jie مذيب عضوي مكلف؛ ويتبع ذلك ضرورة إجراء عملية إضافية
SY = 44471 المستخدم (براءة الاختراع اليابانية رقم 14847-77974546 ورقم ٠ إجراء عملية تكثيف تجزيئي معقدة تختلف عن عمليات التكثيف العادية مما يزيد من تكاليف المعدات. وفضلاً عن ذلك؛ وحيث يتم التخلص من الأجزاء المفصولة التي تختلف عن المكونات ومن acrylic acid المستهدفة فإن تلك الأجزاء تحتوى على كميات هائلة من حمض الأكريليك ثم فإنه تقل هنا نواتج التقطير وتحتاج الأجزاء المذكورة عاليه إلى التخلص من الفضلات (راجع الجريدة الرسمية لمنشورات براءات الاختراع التي لم يتم فخصها؛ وبراءات الاختراع اليابانية ١
AY 7-7414 رقم 701-0159777 ورقم 107-2717287 ورقم acrylic acid وفي مثل هذه الظروف الحالية كان البحث هنا عن طريقة لإنتاج حمض أكريليك بدرجة نقاء عالية وبكمية كبيرة باستخدام جهاز مبسط.
EV
وصف عام للاختراع ض والذي تم الحصول acrylic acid وجد المخترع أن المحلول المحتوى على حمض الأكريليك يمكن أن يخضع في acrylic acid عليه بواسطة محلول مائي ماص أثناء إنتاج حمض الأكريليك صورته غير المعدلة إلى معالجة للتبلر؛ بحيث تكون للسائل الأصلي المتبقي أثناء خطوة التبلر عن طريق تدويره إلى acrylic acid القدرة على تعزيز نسبة الامتصاص لحماض الأكريليك 0 ؛ وبحيث يمكن بالتالي تقليل كمية الفقد الحادث في absorption column عمود الامتصاص وقد تم توجيه هذا الاختراع على أساس تلك المعرفة. . acrylic acid حمض الأكريليك والذي acrylic acid ووفقاً لهذا الاختراع يمكن معالجة المحلول المحتوى على حمض الأكريليك acrylic acid ell SY) (aes تم امتصاصه بالماء؛ وذلك من خلال علمية تبلر تهدف إلى إنتاج للماء في نفس الوقت. azeotropic dehydration دون إجراء عملية نزع أزيوتروبي ٠ بتركيز acrylic acid ويعتبر هذا الاختراع مناسباً لتنقية محلول يحتوى على حمض الأكريليك acrylic acid عال بوجه خاص. ويمكن الحصول على مثل هذا التركيز العالي لحمض الأكريليك وذلك عن طريق تقطير السائل الأصل المتبقي والذي تم الحصول عليه بعملية التبلر وتدوير ناتج ويقدم هذا الاختراع طريقة لإنتاج . absorption column إلى عمود الامتصاص alll التبلر بسرعة وبكفاءة إنتاجية عالية مع تقليل الفقد الحادث في حمض acrylic acid حمض الأكريليك ve ؛ وسيتم فيما يلي وصف هذه الطريقة بالتفصيل. acrylic acid الأكريليك
A _ — شرح مختصر للرسومات شكل :)١( عبارة عن رسم تخطيطي للعملية يوضح أحد أمثلة الطريقة المفضلة لنموذج هذا الاختراع. شكل (؟): عبارة عن رسم تخطيطي لعملية إنتاج حمض الأكريليك acrylic acid والمستخدم في مثال Y= في هذا الاختراع. الوصف التفصيلي : يتجه الجانب الأول من هذا الاختراع نحو طريقة لإنتاج حمض الأكريليك acrylic acid ؛ وتشتمل الطريقة على:
0 إدخال غاز يحتوى على حمض الأكريليك acrylic acid والذي تم الحصول عليه بتفاعل أكسدة حفزية في الطور الغازي catalytic gas phase oxidation _لمادة خام من حمض الأكريليك acrylic acid إلى عمود امتصاص absorption column ؛ والسماح للغاز بأن
١ بتلامس مع محلول مائي؛ ومن ثم يتم الحصول على محلول يحتوى على حمض الأكريليك acrylic acid .
(ب) إمداد المحلول المحتوى على حمض الأكريليك acrylic acid إلى خطوة لتبلر وفصل المحلول إلى حمض أكريليك acrylic acid وسائل أصلي متبقي.
(ج) إخضاع جزء على الأقل من السائل الأصلي المتبقي لعملية تقطير مع تدوير ناتج
Vo التقطير الذي تم الحصول عليه إلى عمود الامتصاص absorption column في الخطوة (i) أعلاه. ave
و - وتكمن السمة المميزة لهذا الاختراع في معالجة تتم بها تبلر المحلول المحتوى على حمض الأكريليك plainly acrylic acid محلول مائي؛ وتقطير المحلول الأصلي المتبقي والذي تم الحصول عليه أثناء المعالجة بالتبلر crystallizing treatment ؛ تم تدوير ناتج التقطير إلى عمود الامتصاص absorption: column . وقد سادت حتى الوقت الحاضر العملية التي تتمثل في إضافة ٠ ملح إلى المحلول المحتوى على حمض الأكريليك acrylic acid بغرض عمل تحلل لنظام تصلدى للماء المحتوى على حمض الأكريليك acrylic acid / حمض الأكريليك acrylic acid ؛ ومعالجة المحلول قبل خطوة التبلر بغرض استبعاد تأثير المحتوى المائي على معالجة التبلر crystallizing treatment ؛ وإجراء معالجة التبلر crystallizing treatment بعد إزالة المادة التي لها درجة الغليان المنخفضة والمادة التي لها درجة الغليان المرتفعة. ومع ذلك فإن هذا الاختراع ٠ يمكنّ من إنتاج حمض أكريليك acrylic acid ذي درجة نقاء عالية وذلك بعملية بسيطة يستخدم Led محلول يحتوى على حمض الأكريليك acrylic acid ويتم الحصول عليه عن طريق امتصاص غاز يحتوى على حمض الأكريليك acrylic acid بواسطة محلول مائي قبل إزالة الماء والمادة التي لها درجة الغليان العالية؛ ثم يخضع المحلول في صورته غير المعدلة لمعالجة تبلرء ويتم تقطير Shad) الأصلي المتبقي والمتكون أثناء المعالجة بالتبلر crystallizing treatment No ء مع تدوير ناتج التقطير إلى عمود الامتصاضص absorption column . وفضلاً عن ذلك يمكن الحصول على ناتج التقطير المحتوى على الماء وحمض الأسيتيك acetic acid وذلسك بتقطير السائل الأصلي المتبقي والذي تم الحصول عليه crystallizing treatment Lill dallas oli « وهنا يمكن زيادة كفاءة الامتصاص لحمض الأكريليك acrylic acid عن طريق تدوير ناتج التقطير إلى عمود الامتصاص absorption column . ويمكن كذلك منع تراكم المادة التي لها ye درجة الغليان العالية في عمود الامتصاص absorption column ؛ وذلك من أجل زيادة تركيز حمض الأكريليك acrylic acid في السائل القاعدي لعمود الامت5قصاص absorption column . ه١١٠
- ١١ بالإضافة إلى ذلك؛ يمكن تحلل تلك المكونات الفعالة Jie حمض الأكريليك Si acrylic acid الصيغة الجزيئية والتي توجد في السائل الأصلي المتبقي إلى حمض أكريليك acrylic acid عن طريق خطوة يتم فيها تحلل المركب ثنائي الصيغة الجزيئية لحمض الأكريليك decomposing acrylic acid dimer . وعند تدوير منتج التحلل إلى عمود التقطير distillation column © فإنه يتم تدويره بشكل تلقائي نحو عمود الامتصاص absorption column « ومن ثم يتبلر هذا المنتج ويتم استخلاصه في شكل منتج نهائي لحمض الأكريليك acrylic acid وهناك مثال للطريقة المفضلة لتجسيد هذا الاختراع؛ وسوف يتم وصفه لاحقاً استناداً إلى الشكل .)١( الهواء (7)؛ ومادة خام Jia molecular oxygen يتم أولاً خلط غاز يحتوى على أكسجين جزيئي ¢ acrolein و/أو الأكرولين propylene مثل البروبيلين )١( acrylic acid من حمض الأكريليك ٠ الذي (YE) recycle gas ومع غاز مخفف )0( وفي هذه الخطوة يتم خلط غاز إعادة التدوير ثم يصرّف لاحقاً خلال قمة عمود acrylic acid يخضع لخطوة امتصاص حمض الأكريليك و/أو « propylene و/أو البروبيلين cel sell ؛ وذلك مع absorption column الامتصاص ؛ و/أو مع غاز التخفيف وفي هذه الحالة يمكن استخدام غاز إعادة التدوير acrolein الأكرولين كغاز للتخفيف. ويتم إمداد هذا الغاز المخلوط (يشار إليه فيما بعد وبشكل (YE) recycle gas vo المعباً (Y+) reactor ")ء وذلك إلى المفاعل raw material gas عارض ب 'غاز المادة الخام
Cua ¢ catalytic gas phase oxidation لأكسدة حفزية في الطور الغازي (V+) catalytic بمحفز للحصول catalytic gas phase oxidation يتعرض فيه لتفاعل أكسدة حفزية في الطور الغازي إلى )7٠١( ويتم إمداد هذا الغاز .)7©( acrylic acid يحتوى على حمض الأكريليك Sle على عن طريق قاعدة هذا العمود؛ مع إمداد المحلول )٠١( absorption column عمود للامتصاص ٠ absorption column إلى عمود الامتصاص (YY) absorbing aqueous solution المائي الماص ه احا
- ١١ -
Ad 3k ce (7) ا aes le os nal Ja الأكريليك (YO) acrylic acid وبين الغاز المائي الماص (YY) absorbing aqueous gas وإلى عمود الامتصاص )٠١( absorption column يتم إمداد ناتج التقطير (VV) distillate من عمود التقطير (V+) distillation column وهو ما سيم وصفه بشكل محدد فيما بعد؛ مع السائل ° الأصلي المتبقي من جهاز crystallizing device crystallizing device all )+0( المذكور أدناه. ومن الغاز (YY) المنصرف من قمة عمود الامتصاص )7١( absorption column يتم فقط إدخال غاز sale] التدوير recycle gas (؛7) إلى عمود التبريد cooling column )¥1( حيث يحدث هنا التبريد من خلال تلامس الغاز -السائل gas-liquid contact مع الماء الماص (YY) absorbing water المزود إلى الجهاز بغرض حث عملية تكثف المادة القابلة للتكثيف ٠ الموجودة في غاز sale) التدوير (VE) recycle gas ومن ثم يتم تدويرها إلى التفقاعل reactor .)7١( وقد يخلط ناتج التكثف مع الماء الماص (TF) الذي يتم إمداده في صورة محلول مائي ماص (YY) إلى عمود الامتصاص (V+) absorption column وفي هذه المواصفة هناك جزء من غاز التصريف (YY) الناتج من قمة عمود الامتصاص absorption column )+¥(« وتحديداً غاز العادم الذي يتم إعادة تدويره إلى المفاعل؛ يشار إليه ب "غاز التدوير recycle gas ويشار ve إلى جزء آخر منه؛ وتحديداً الغاز الذي يتم التخلص منه خارج الجهازء ب Sle’ النفاية waste gas ". وعند تدوير ناتج التقطير (VV) لعمود التقطير distillation column بالطريقة التي جاء وصفها cade مع تبريد غاز إعادة التدوير recycle gas أيضاً (34) فإنه يمكن هنا الحصول على محلول يحتوى على حمض الأكريليك (Yo) acrylic acid بتركيزات عالية عن
طريق قاعدة عمود الامتصاص absorption column . © ويثم إمداد المحلول المحتوى على حمض الأكريليك (Yo) acrylic acid عمود فصل الأكرولين (YY) acrolein ومعالجته عندئذ لفصل الأكرولين acrolein الموجود فيه؛ وينتج عن ه٠١
yy - - ذلك محلول )79( يحتوى على حمض أكريليك acrylic acid مع كمية قليلة من الأكرولين acrolein ؛ وهذا المحلول يتم الحصول عليه عن طريق قاعدة العمود. وعندئذ يتم تدوير ناتج التقطير عند قمة عمود الفصل (YY) separation column قاعدة عمود الامتقصاص )٠١( absorption column وهنا يمكن وبشكل فعال استخلاص حمض الأكريليك acrylic acid ٠ الذي تم تقطيره بالترافق مع الأكرولين acrolein .
ويتم بعد ذلك الحصول على حمض الأكريليك acrylic acid في صورة منتج نهائي )٠١0١( وذلك
عند إمداد المحلول المحتوى على حمض الأكريليك (Yo) acrylic acid إلى جهاز lil ٠ (e+) crystallizing device وفي الوقت نفسه يتم Jad جزء على الأقل من السائل الأصسلي المتبقي من جهاز التبلر crystallizing device )00( إلى مرحلة وسطى لعمود التقطير (V+) distillation column) وذلك لحث تقطير المادة التي لها درجة الغليان المنخفضة وحمض الأكريليك 5a) acrylic acid 3352 بها خلال قمة العمود؛ ويتم هنا تدوير ناتج التقطير )7١( إلى
J sac الامتصاص (Y+) absorption column المذكور أعلاه. وبشكل مباشر يتم تدوير الجزء
الباقي من السائل الأصلي المتبقي إلى عمود الامتصاص ٠ 0 ٠ absorption column وحيث أن
المادة التي لها درجة الغليان المرتفعة الموجودة في سائل القاع في عمود التقطير
(V4) distillation column ٠ تحتوى على مركب ثنائي الصيغة الجزيئية لحمض الأكريليك decomposing acrylic acid dimer ؛ فإنه يتم دفع سائل القاع إلى الأمام خلال مبخر ذي طبقة رقيقة (VY) layer evaporator ويتم احتجازه في خزان لتحلل المركب ثنائي الصيغة الجزيئية (Vo) distillation حيث يتحلل هنا بالحرارة إلى حمض أكريليك acrylic acid . وعند عودة هذا الحمض إلى المبخر ذي الطبقة الدقيقة (VT) فإنه يتحول هنا إلى ناتج تقطير )"٠( عند قمة
٠ عمود التقطير (Ve) distillation column وعند تدوير ناتج التقطير (VY) عمود Vave
س١ - الامتصاص absorption column (١7)؛ يمكن أخيراً استخلاصه في شكل mite نهائي لحمض الأكريليك acrylic acid )+1(
وتقوم السمة المميزة لهذا الاختراع على إخضاع المحلول المحتوى على حمض الأكريليك sls acrylic acid الحصول عليه عن طريق الامتصاص بالمحلول المائي المذكور عاليه م وذلك لمعالجة للتبلر crystallizing treatment ؛ سواء كان هذا المحلول في شكله المعدل أو بعد التخلص من محتواه من الأكرولين acrolein عن طريق معالجة تجرى لفصل الأكرولين acrolein لذلك؛ فإنه من المتوقع أل يقل محتوى حمض acrylic acid SLL SY في المحلول عن 780 بالوزن؛ والأفضل ألا يقل عن 785 بالوزن؛ والأكثر تفضيلاً ألا يقل عن TAY بالوزن. وإذا قل محتوى حمض الأكريليك acrylic acid عن 780 بالوزن؛ فإن هذا النقص ٠ سوف يؤدي إلى زيادة عدد دورات التبلر اللازم عملها للحصول عل بللورات من حمض الأكريليك acrylic acid عن طريق المعالجة بالتبلر crystallizing treatment ؛ كما يتعقد أيضاً إجراء العملية. ويقدم هذا الاختراع طريقة حمض الأكريليك acrylic acid بكمية كبيرة؛ مع تجنب الخطوة التي يتم فيها النزع الأزيوتروبى azeotropically dehydrating للماء من مواد ذات درجة غليان منخفضة مثل الماء؛ وأيضاً تجنب إجراء الخطوة التي يتم فيها استخلاص acrylic acid المذيب» مع تقليل الفقد الحادث في حمض الأكريليك ٠١ يشير " low boiling substance وفي هذا الصدد؛ فإن المصطلح 'مادة ذات درجة غليان منخفضة في حالته العادية؛ بينما acrylic acid هنا إلى مادة ذات درجة غليان أقل منها في حمض أكريليك إلى مادة ذات درجة high boiling substance يشير المصطلح 'مادة ذات درجة غليان مرتفعة في حالته العادية. ويشير المصطلح 'مادة acrylic acid غليان أعلى منها في حمض الأكريليك إلى مادة تكون سائلة تحت الضغط الجوي. ويشير condensable substance قابلة للتكثيف vy. ٠م
- ١
المصطلح 'تقطير distillation " إلى عملية لتسخين محلول إلى درجة غليانه بحيث يتم فصل المكون المتطاير الموجود فيه. ويشير المصطلح "iS إلى عملية يتم فيها إمداد غاز للكشط إلى محلول بحيث ترتحل فيه المادة المستهدفة إلى الطور الغازي. ويشير المصطلح تبلر crystallization " إلى عملية لإنتاج بللورات من الطور السائل liquid phase والطور الغازي .gas phase ٠ ويشير المصطلح "خطوة التبلر الديناميكي dynamic crystallization " إلى طريقة للتبلر يتم بها إزالة الطور السائل liquid phase بواسطة حمل جبري ناتج عن مضخة أو ما شابه ذلك أثناء عملية التبلر. ويشير المصطلح "خطوة التبلر الإستاتيكي "static crystallization إلى طريقة للتبلر يتم بها إزاحة الطور السائل liquid phase بمفرده عن طريق حمل ذاتي دون
استخدام مضخة -مثلاً.
: acrylic acid خطوة امتصاص حمض الأكريليك )١( ٠ من ald Je بتركيز acrylic acid للحصول على محلول يحتوى على حمض الأكريليك ؛» أو زيادة eal المدخل إلى water component الضروري هنا إما حقن كمية المكون المائي الذي يتم التخلص منه خارج الجهاز. ولتقليل الفقد water component كمية المكون المائي المنصرف خارج الجهاز وللوصول بهذه الفقد إلى acrylic acid الحادث في حمض الأكريليك الحد الأدنىء؛ فإنه من المناسب هنا إعادة تدوير الغاز المنصرف الناتج عند قمة عمود _ ١ recycle gas التدوير sale) إلى المفاعل. ومن خلال تبريد غاز absorption column الامتصاص الموجود ودفعه بعد ذلك إلى الأمام تحو water component (Ald) ومن ثم تقليل كمية المكون water component المفاعل؛ فإنه يمكن من خلال هذا الاختراع تقليل كمية المكون المائي ؛ وتقليل كمية الفقد الحادث في حمض absorption column المدخل إلى عمود الامتصاص acrylic acid ell ؛ والحصول بالتالي على محلول به حمض acrylic acid الأكريليك 7 ها
- ١و
بتركيزات عالية. die تبريد جميع كمية غاز عنود الامتقصاضص absorption column المنصرف بغرض تقليل كمية المكون المائي water component وكمية المواد ذات درجة الغليان المنخفضة والتي يتم التخلص منها في صورة غاز إلى خارج «Sled تقل كمية المكون المائع في غاز إعادة التدوير recycle gas ؛ ولكن لا تزيد كفاءة امتصاص حمض الأكريليك acrylic acid ٠ بل يحدث لها التحلل بدرجة أكبر منها في حالة استبعاد عملية capil فضلاً عن تراكم المادة التي لها درجة الغليان المنخفضة في الجهاز. وعند سحب ناتج التكثيف المتكون بواسطة التبريد إلى خارج الجهاز يكون من الضروري هنا التخلص من كمية كبيرة من سائل النفاية. وعلى ذلك ينصح هنا بتبريد جزء فقط من الغاز المنصرف من عمود امتقصاص absorption column حمض الأكريليك acrylic acid ؛ والذي يعاد تدويره إلى المفاعل؛ وتحديداً ٠ ذلك الجزء من الغاز المسمي ب Sle” إعادة التدوير recycle gas وفضلاً عن ذلك فإنه عند تبريد غاز التدوير يمكن تكثيف ليس فقط المكون water component (Shall وإنما أيضاً المكون الحمض؛ كما يمكن تقليل كمية المكون الحمض التي يتم إمدادها إلى المفاعل؛ مع تفادي حدوث تلف في المحفز بتأثير الحمض. وقد تعاد نواتج التكثيف المتكونة عن طريق التبريد إلى عمود الامتصاص absorption column » أو يتم سحبها من الجهاز Ya من إعادتها إلى عمود ١٠ الامتصاص absorption column . ورغم أن نسبة فقد حمض الأكريليك acrylic acid لا تختلف is | بين هذين الخيارين؛ إلا أن كمية سائل النفاية تكون صغيرة للغاية؛ كما تقل الحاجة إلى التخلص من سائل النفاية عند عودة الكمية بأكملها إلى عمود الامتصاص absorption column . وبشكل عارض فإن انخفاض كمية المكون المائي water component المدخل إلى الجهاز قد يتحقق هنا عن طريق منع إمداد الغاز المحتوى على الأكسجين الجزيئني molecular oxygen
ve إلى مفاعل المكون المائي water component قبل دفعه إلى المفاعل.
- ١١ -
في هذا الاختراع؛ (Say استخدام البروبيلين propylene و/أو الأكرولين 863201810 كغاز مادة خام لحمض الأكريليك acrylic acid . ورغم أن المفاعل (Ye) لا يحتاج إلى أن يكون مقيداًء إلا أنه يجب أن تكون له فقط القدرة على أداء تفاعل أكسدة حفزية في الطور الغازي catalytic gas phase oxidation . ويفضل هنا استخدام المفاعلات من نوع الغلاف والأنبوب ٠ نظراً لتميزها من حيث كفاءة التفاعل. وعند تعبئة المفاعل )٠١( بمحفّز معروف جيداً )٠١( لأداء أكسدة حفزية في الطور الغازي catalytic gas phase oxidation ؛ ومع إحدات تلامس بين غاز المادة الخام وغاز يحتوى على أكسجين جزيئي molecular oxygen مثل الأكسجين oxygen أو الهواء فإنه يمكن في هذه الحالة تفعيل عملية أكسدة غاز المادة الخام. وعند استخدام البروبيلين propylene كغاز للمادة الخام يكون تركيز البروبيلين propylene في حدود تتراوح من ٠ ا- 215 (حجم)؛ ويكون تركيز الماء في حدود تتراوح ما بين صفر- 7٠١ (حجم)؛ ويكون تركيز الأكسجين الجزيئي molecular oxygen في الحدود التي تجعل النسبة الحجمية بين الأكسجين الجزيئي molecular oxygen _ضمن حدود تتراوح ما بين ١ :١ و١: 7. وقد يستخدم الهواء كمصدر لإمداد الأكسجين الجزيئي molecular oxygen - وفي حالة أن يحتوى الهواء على مكون مائي فيفضل إزالة الرطوبة منه قبل إمداده إلى المفاعل؛ حيث أن ذلك يقلل من كمية الماء ١ المدخلة إلى المفاعل ويقلل بالتالي من كمية الماء المدخلة إلى عمود الامقصاص absorption column . وقد يسمح باستخدام هواء مشبع بالأكسجين oxygen أو استخدام أكسجين Ya oxygen من الهواء. وكأمثلة قوية على غاز الخفيف ) ( ٠ يمكن أن ندرج هنا النتروجين nitrogen ¢ و ثاني أكسيد الكربون carbon dioxide وغير ذلك من الغازات الأخرى الخاملة
. other inert gases إلى المفاعل وذلك بعد تبريد recycle gas التدوير sale) وفي هذا الاختراع؛ قد يتم إدخال غاز وعند استخدام غاز . condensable substance الغاز بغرض حث تكثيف المادة القابلة للتكثف
ها
- ١١ -
sale] التدوير recycle gas بهذه الكيفية؛ فإنه يكون خالياً بشكل مسبق من الماء بحيث يتراوح تركيز الماء في غاز المادة الخام الذي يتم إمداده إلى المفاعل ما بين صفر- (aan) 7٠١ والأفضل ما بين صفر- 7 (حجم)؛ الأكثر تفضيلاً ما بين صفر- 77 (حجم). وفي Alla زيادة التركيز عن 7٠١ (حجم) فإن تلك الزيادة يمكن أن تتسبب في ارتفاع نسبة الفقد في حمض
oo الأكريليك (a acrylic acid خلال المكون الماني water component الذي يتم إمداده بواسطة المفاعل إلى عمود الامتصاص absorption column . ويتم ضبط التركيز الكلي للحمض بحيث
يقع ضمن حدود تتراوح ما بين صفر- ١,7 (حجم)؛ والأفضل ما بين صفر- 70.1 (حجم).
وفي حالة أن يزيد هذا التركيز عن 70.7 (حجم) فإن تلك الزيادة قد تؤدي إلى الإسراع من تلف المحفز catalyst بواسطة عمليات الأكسدة «01020. ويحتوى غاز sale] التدوير recycle gas
٠ على بروبيلين propylene ؛ و أكرولين acrolien ؛ وأكسجين oxygen وغاز «aida الخ في صورة غير متحولة؛ إضافة إلى المكون المائي water component والمكون الحمضي acid component . ويمكن بسهولة ضبط تركيز كل من البروبيلين propylene « والأكسجين oxygen
deel المذكور acid component ؛ والمكون الحمضي water component والمكون المائي ٠ الموجود في غاز إعادة التدوير water component وذلك بحساب كمية المكون المائي
hell والكمية المراد دمجها في غاز المادة الخام ؛ بحيث يقع تركيز كل من المكون recycle gas ١ المذكور أعلاه ضمن الحدود المثلي acid component والمكون الحمضي water component في غاز إعادة oxygen والأكسجين propylene المذكورة عاليه؛ وحساب تركيز البروبيلين والهواء اللازم إمدادها إلى propylene حتى يتسنى حساب كمية البروبيلين recycle gas التدوير تلك المركبات التي تحتوى على مجموعة total acid الكلي meal! المفاعل. ويعني المصطلح
٠٠ كربوكسيل carboxyl group يحتوي غاز إعادة التدوير recycle gas على حمض أكريليك
- ١ ما دامت المركبات acetic acid وحمض أسيتيك + formic acid وحمض فورميك ¢ acrylic acid ial 13a Le uh catalytic gas phase oxidation وعادة ما يجرى تفاعل أكسدة حفزية في الطور الغازي كمادة خام وذلك على مرحلتين تستخدم فيهما نوعين من المحفز propylene باستخدام البروبيلين ويكون المحفز . catalytic gas phase oxidation أكسدة حفزية في الطور الغازي Jeli )٠١( ٠ ؛ ويتم ذلك acrolein المستخدم في المرحلة الأولى من هذا التفاعل قادراً على تكوين الأكرولين لغاز gas phase oxidation oxidation بصفة أساسية عن طريق الأكسدة في الطور الغازي كما تكون gas phase في الطور الغازي propylene يحتوى على البروبيلين catalyst gas Shae المستخدمة في المرحلة الثانية من التفاعل القدرة على تكوين حمض material gas للمادة المحفزة gas phase ويتم ذلك أساساً عن طريق الأكسدة في الطور الغازي « acrylic acid الأكريليك ٠ (Jeli) وكمحفز للمرحلة الأولى من . acrolein تحتوى على الأكرولين ala all oxidation يحتوى على الحديد 00 والمولييبدنوم complex oxide يمكن أن ندرج هنا أكسيد معقد وكمحقز للمرحلة الثانية من التفاعل؛ يمكن أن ندرج هنا . bismuth البزموث 5 molybdenum كمكون أساسي. vanadium يحتوى على الفانديوم Fan كيفية أداء التفاعل ذي المرحلتين المذكورتين أعلاه وذلك في مفاعل واحد. )١( يوضح شكل vo وبصفة اختيارية يمكن أداء تلك التفاعلات في نظام ترادفي يحتوى على مفاعلين مختلفين يتصل الذي تم الحصول عليه عن (Ye) acrylic acid كل منها بالآخر. ويحتوى غاز حمض الأكريليك على نسبة حجمية catalytic gas phase oxidation طريق تفاعل أكسدة حفزية في الطور الغازي ونسبة حجمية من حمض JE -8 عنانوعه_تتراوح ما بين acid من حمض الأكريليك ونسبة حجمية من الأكسجين الجزيئي AY,0 -٠١,١ تتراوح ما بين acetic acid الأسيتيك ٠ ٠١ه
١ - - molecular oxygen 5 #4 ما بين ٠,8 - 77؛ ونسبة حجمية من الماء والمكونات الأأخرى تتراوح ما بين ©- 777 وهى تمثل منتجات ثانوية للتفاعل مثل المكون غير المتحول لغاز المادة الخام raw material gas ؛ وحمض البربيونيك propionic acid « وحمض المالييك maleic acid ¢ والأسيتون acetone ؛ والأكرولين acrolein ¢ والفورفورال furfural « والفورمالدهيد formaldehyde © ؛ وثاني أكسيد الكربون carbon dioxide .
وفي ses 3 امتصاص absorption column حمض الأكريليك )٠١( acrylic acid يمكن استخدام أي من طرق التلامس المعروفة لعمل تلامس بين Sal المحتوى على حمض الأكريليك 209116 48 والمحلول المائي الماص absorbing aqueous solution . وكمثال قوي على هذه الطرق؛ يمكن استخدام أجهزة تلامس بالتدفق المتقاطع وتستخدم فيها صينية أكواب الفقاقيع bubble-cap tray ٠ أو صينية أحادية التسطح uniflat tray » أو صينية نافورية «jet tray أو صينية مزودة بصمام valve tray « أو صينية فنتورية tray 020071©”. وقد تستخدم هنا أيضاً أجهزة تلامس تعمل ض بتيار عكسي وتستخدم led صينية مزودة بشبكة تربينية turbo-grid tray ؛ أو صينية تعمل بتيار ثنائي dual flow tray « أو صينية مموجة «ripple tray صينية صندوقية kittel tray ؛ أو صينية شبكية شفافة gauze type « أو هياكل تعبئة sheet type من النوع الورقي أو الشبكي أو
ve العشوائي. وفي هذا الاختراع» ينصح بأن يتم إمداد ناتج التقطير (VY) من عمود التقطير (V+) distillation column الذي سيأتي وصفه بشكل محدد فيما any والسائل الأصلي المتبقي من جهاز التبلر crystallizing device )+6( الذي سبأتي وصفه بشكل محدد فيما بعد (وبشار إليه فيما بعد ب "سائل التدوير") إلى مرحلة وسطية لعمود امتصاص absorption column )٠١( © حمض الأكريليك acrylic acid عن طريق تلامس الغاز المحتوى على حمض الأكريليك ما
ا
(YO) acrylic acid مع محلول مائي ماص (YY) ويحتوى غاز التدوير على حمض أسيتبك
acetic acid ؛ وقد يستخدم هنا كمحلول يحتوى على حمض الأسيتيك acetic acid . وفي هذا الاختراع؛ Gl المصطلح "مختلف عن قمة العمود" يشير إلى عدد من اللوحات النظرية يتراوح ما
بين ٠٠١ oY على افتراض أن رقم اللوحة النظرية )١( يشير إلى قمة عمود التقطير
column bottom يشير إلى قاع العمود )٠ ( رقم اللوحة النظرية os distillation column ٠ بواسطة محلول مائي ماص acrylic acid ويتم امتصاص حمض الأكريليك column bottom
(TY) يتدفق من أعلى قمة العمود. وقد وجد أنه عند إدخال حمض الأسيتيك acetic acid من موضع يختلف عن dad عمود الامتصاص absorption column أثناء عملية الامتصاص هذه تتحسن هنا نسبة امتصاص حمض الأكريليك acrylic acid . ورغم أن الآلية التي تتحسن بها هذه
٠ النسبة ما زالت تحتاج إلى توضيح إلا أنه يمكن تفسير ذلك منطقياً على أساس الافتراض بان Jad حمض الأسيتيك acetic acid عند موضع معين من عمود الامتصاص )٠١( absorption column يؤدي إلى تكون طبقة من غاز الأسيتيك acetic gas بالقرب من موضع إمداد حمض الأسيتيك acetic acid ؛ مما يغير من توزيع الغاز في عمود الامتصاص absorption column بحيث تتكون عن ذلك طبقة غازية لمادة ذات درجة انصهار منخفضة فوق
vo طبقة غاز حمض الأسيتيك acetic acid ؛ مع طبقة غازية لمادة ذات درجة انصهار عالية اسفل طبقة غاز حمض الأسبتيك acetic acid ؛ وبالتالي يتحرك حمض الأكريليك acrylic acid نحو جاتب قاع العمود column bottom . وعلى وجه التحديد؛ ينصح بإدخال المحلول المحتوى على حمض الأسيتيك acetic acid عن طريق مرحلة وسطية لعمود الامتصاضص absorption column
أى Se في مدى لأرقام اللوحات النظرية يتراوح ما بين "- ٠٠١ والأفضل ما بين Xo
٠٠١ والأكثر تفضيلاً ما بين +*- .٠٠١ وعند قمة العمود فإن تكون طبقة غاز حمض الأسيتيك acetic acid لا ينتج عنه تأثير ملحوظ من حيث تحسين كفاءة امتصاص حمض
٠م
yy - - الأكريليك «acrylic acid مما يؤدي إلى انخفاض تركيز هذا الحمض عند قاع العمود column bottom ؛ وبالتالي لا يمكن هنا الحصول على المحلول المحتوى على حمض الأكريليك acrylic acid بتركيزات عالية. وينصح بالا يقل تركيز حمض الأسيتيك acetic acid في سائل التدوير المذكور عاليه عن IY ٠ بالوزن؛ ويفضل أن يتراوح هذا التركيز ما بين 7- 770 بالوزن؛ والأكثر تفضيلاً ما بين +- 9 بالوزن. وفي Alla أن يقل هذا التركيز عن 77 بالوزن فإن ذلك يؤدي إلى تقليل SN الناتج عن اختلاف توزيع الطور الغازي gas phase عمود الامتصاص absorption column المذكور عاليه.
ويتم ضبط كمية سائل التدوير بحيث تصل كمية حمض الأسيتيك acetic acid المراد إدخالها إلى ٠ معدل تدفق كتلة يتراوح ما بين 00 ١,7 mee مرة؛ والأفضل ما بين =o A 19 مرة والأكثر تفضيلاً ما بين 0,01 ١١ مرة قدر معدل تدفق AES حمض الأكريليك acrylic acid الموجود في الغاز المحتوى على هذا الحمض. ويمكن عند الضرورة إضافة كمية جديدة من حمض الأسيتيك acetic acid . وفي حالة أن تقل الكمية المذكورة أعلاه عن 0006 قدر معدل تدفق كتلة حمض الأكريليك of acrylic acid هذا التقص قد يقلل من التأثير الناتج عن تحسين ١ كفاءة امتصاص حمض الأكريليك acrylic acid . وعلى العكسء إذا زادت الكمية عن ١7 قدر معدل تدفق ALS حمض الأكريليك fd acrylic acid هذه الزيادة تودي إلى ارتفاع ملحوظ في تركيز حمض الأسيتيك acetic acid في السائل الماص؛ مما يجعل من الصعب الحصول هنا
على محلول يحتوى على حمض الأكريليك oS gn acrylic acid عالية. LS هو الحال بالنسبة للمحلول المائي الماص (TF) المستخدم في هذا الاختراع هناك أنواع ٠ شتى من المحاليل المائية المتاحة Alls يمكنها امتصاص حمض الأكريليك acrylic acid . وقد
vy — — يستخدم منتج التكثيف الناتج عن تبريد غاز إعادة التدوير recycle gas كمحلول مائي ماص. وحيث أنه غالبا ما يحتوى ناتج التكثيف على حمض أكريليك acrylic acid ؛ يفضل هنا إعادة استخدامه كمحلول مائي ماص. وتتراوح درجة المحلول المائي الماص absorbing aqueous Cd solution الإدخال ما بين صفر- ٠٠ درجة مئوية؛ ويفضل أن تتراوح تلك الدرجة ما بين SY 0 46 درجة مئوية.
يمكن وبشكل صحيح تحديد معدل التدفق إلى كتلة الماء الماص (والتي لا تشتمل على ناتج التكثيف من غاز إعادة التدوير recycle gas وتتناظر مع الماء الماص )77( كما هو موضح في شكل )١٠- إلى الغاز المحتوى على حمض الأكريليك acrylic acid بحيث تكون مناسبة لتركيز حمض الأكريليك acrylic acid المستهدف. ويحدث التلامس بالتيار العككسي باستخدام ٠ . معدل تدفق كتلة للماء الماص يتراوح ما بين ٠,١ - 0,0 والأفضل ما بين )= والأكثر تفضيلاً ما بين A ١,15 مرة قدر معدل تدفق كتلة حمض الأكريليك acrylic acid الموجود في الغاز المحتوى على هذا الحمض. وفي Alla أن تقل نسبة معدل تدفق الكتلة عن ١,١ مرة فإن ذلك يمكن أن يؤدي إلى انخفاض هائل في كفاءة عمود امتصاص absorption column حمض الأكريليك (ually . acrylic acid إذا زادت هذه النسبة عن 1,8 مرة فإن ذلك يجعل من ١ الصعب الحصول على محلول يحتوى على تركيزات Alle من حمض الأكريليك acid عتنوعة . وبشكل عارض قد يحتوى الماء الماص على واحد أو أكثر من مجموعة المركبات التي تمنع تعرض حمض الأكريليك geld) Apalad acrylic acid وتختار تلك المركبات من مجموعة تتكون من مركبات N-OXYL ؛ و مركبات الفينول phenol compounds « وأملاح المنجنيز Jie manganese salts أسيتات المنجنيز acetate 0030880656 وأملاح التحاس copper salts ٠ المركب dialkyl-dithiocarbamic acid مثل copper dibutylthiocarbamate ¢ ومركبات النتروز nitroso compounds © ومركبات الأمين amine compounds « ومركبات الفينو تيازين
١١١ه :
yy
Yoo) -*7 487560 وهى مركبات أدرجت في براءات الاختراع الياباتية رقم cphenothiazine .٠٠١١ SWEATER ورقم ١١ -74/70/ ورقم تحت dale بصفة acrylic acid حمض الأكريليك absorption column يعمل عمود امتصاص ضغط يزيد عن الضغط العادي. وفي هذا الاختراع؛ يتم ضبط الضغط عند قمة العمود بين قيمة م تتراوح ما بين صفر- + ميجا باسكال؛ والأفضل ما بين صفر- )+ ميجا باسكال؛ والأكثر ميجا باسكال. وعند انخفاض قيمة الضغط عن صفر ميجا باسكال +, 0 P= تفضيلاً ما بين صفر فإن ذلك يحتم وجود جهاز لتخفيض الضغط مما يزيد من تكاليف المعدات وتجهيزاتها. وعلى ميجا باسكال فإن ذلك يتطلب زيادة درجة الحرارة في ١,4 العكس» إذا زادت قيم الضغط عن بدرجة كبيرة لغرض تصريف المادة التي لها درجة absorption column عمود الامتصاص الغليان المنخفضة من قمة العمود؛ مما يقلل بالتالي من كفاءة عملية الامتصاص. وبصفة عامة 80 =f تتراوح درجة حرارة قمة العمود ما بين .*- 85 درجة مئوية؛ والأفضل ما بين acrylic acid درجة مئوية. وفي هذا الاختراع؛ يشتمل المحلول المحتوى على حمض الأكريليك ونسبة SAA 7850 تتراوح ما بين acrylic acid على نسبة وزئية من حمض الأكريليك (TO) 1710 -١ مع نسبة وزنية من الشوائب تتراوح ما بين 08 ١- وزئية من الماء تتراوح ما بين ؛ وحمض maleic acid وحمض المالييك ¢ acetic acid (أحماض مثل حمض الأسيتيك Vo مثل الفورمالدهيد aldehydes والدهيدات ¢ furfural والفورفورال ٠ propionic acid البروبيونيك وهذا المحلول يمكن الحصول عليه تحت ظروف الامتصاص السابق ذكرها «( formaldehyde عاليه. إلى أن تكون مقيدة بشكل خاص» recycle gas وقد لا تحتاج طريقة تبريد غاز إعادة التدوير إنما تحتاج إلى جهاز له القدرة على تكثيف المواد القابلة للتكثيف والموجودة في غاز إعادة © ٠١١ه
— كلا التدوير Jie recycle gas المبادل الحراري heat exchanger من نوع الغلاف والأنبوب؛ والمبادل الحراري heat exchanger من نوع الأنبوب الدقيق؛ والمبادل الحراري heat exchanger يعمل بالهواء المبرد؛ والمبادل الحراري heat exchanger ثتائي القصبات؛ والمبادل الحراري heat exchanger من نوع الملف؛ والمبادل الحراري heat exchanger © _من النوع الذي يعمل بالتلامس المباشر؛ والمبادل الحراري heat exchanger من نوع اللوحة. وحيث أنه We ما تحتوى نواتج التكثيف على مواد قابلة للبلمرة مثتل حمض الأكريليك acrylic acid فإنه يوصى هنا باستخدام طريقة التبريد التي تعتمد على تجميعة من عمود التبريد cooling column () مع جهاز التبريد (YA) الموضح في شكل ١ء وذلك لأنها تسمح بسهولة إمداد المواد المثبطة للبلمرة -polymerization inhibitor
٠ .وقد لا تحتاج درجة حرارة التبريد لغاز إعادة التدوير recycle gas إلى أن تكون مقيدة بشكل خاص. وعندما يتم تبريد غاز إعادة التدوير recycle gas بطريقة التكثيف فإن تركيز المكون water component al 8 هذا الغاز يتراوح هنا ما بين صفر- 7٠١ (حجم) ٠ والأفضل ما بين صفر- 797 (حجم)؛ والأكثر تفضيلاً ا بين صفر- 776 (حجم)؛ كما يتراوح تركيز الأحماض الكلية total acid ما بين صفر- 70,7 (حجم) ٠ والأفضل ما بين صفر- 70,١ (حجم) وذلك
على أساس مجموع كمية غاز المادة الخام التي يتم إمدادها إلى المفاعل. وعند استخدام الهواء كغاز يحتوى على الأكسجين الجزيئي molecular oxygen فإن الهواء يحتوى على المكون water component ll . ويتم حساب كمية المكون الماثي water component الموجودة بعد تبريد غاز Bale) التدوير recycle gas ؛ وذلك من كمية الهواء التي يتم إمدادها. وتجرى عملية تبريد غاز sale) التدوير recycle gas إلى أن يصل تركيز المكون المائي water component
© إلى القيمة التي تم الحصول عليها من الحساب. وفي هذا الاختراع؛ يتم تبريد غاز إعادة التدوير recycle gas إلى درجة حرارة تقل بمقدار ما بين -١ 00 درجة مئوية؛ والأفضل ما بين ; هه
دول ٠ درجة مثوية؛ والأكثر تفضيلاً ما بين *- Fe درجة مئوية مقارنة بدرجة حرارة غاز النفاية. وبالتالي ails يمكن الحصول على سائل لقاعدة عمود الامتصاص absorption column يحتوى على تركيز عال جداً من حمض الأكريليك acrylic acid لا يقل عن 780 بالوزن.
: acrolein فصل الأكر ولين )"( o cacrolein على أكرولين (Yo) acrylic acid من المحتمل أن يحتوى محلول حمض الأكريليك acrolein ويمكن إزالة الأكرولين . acrylic acid وهو عبارة عن مادة خام لحمض الأكريليك حيث يخضع المحلول (YY) acrolein عن طريق إمداد المحلول إلى عمود فصل الأكرولين لمعالجة يتم بها إزالة تلك المادة.
٠ وقد لا يحتاج عمود الفصل separation column إلى أن يكون مقيداً بشكل ala ولكن يجب أن تكون له فقط القدرة على فصل الأكرولين acrolein . وهناك أنواع متاحة من الأعمدة مثل العمود clad) وعمود اللوحة (الصينية column ئة”)؛ الخ. وفيما يتعلق بحالات عمود الفصل separation column فقد يتم بشكل pole اختيار طريقة الفصل من مجموعة طرق تتكون من التقطير؛ والكشط؛ وما شابه ذلك؛ حسب تركيز كل من حمض الأكريليك acrylic acid
١ والأكرولين acrolein الموجود. وفي حالة التقطير ينصح بأن يتم ضبط dad الضغط عند قمة العمود (الضغط المطلق (absolute pressure في حدود تتراوح ما بين Ye 8060 هكتو edly والأفضل ما بين ٠؟- ١ هكتو باسكال 1088 ؛ والأكثر تفضيلاً ما بين fee =e هكتو باسكال hPa . وفي Als أن تقل deg الضغط عن Ye هكتو باسكال hPa (الضغط المطلق) فإن ذلك قد يرتبط بأمور سلبية تتمثل في احتياج العمود والمكثف وجهاز الشفط إلى أن يكونوا بحجم oS)
\ vo Ave الضغط عن ded ويتبع ذلك زيادة في تكلفة المعدات. وعلى العكسء إذا زادت ٠
ES
(الضغط المطلق) فإن ذلك يؤدي إلى مساوئ تتعلق بزيادة درجة الحرارة في عمود hPa باسكال مما يزيد من احتمال حدوث البلمرة. وبصفة عامة تتراوح درجة separation column الفصل درجة مثوية؛ وتحديداً ما بين 0؛- 80 درجة ٠٠١ =F الحرارة عند قمة العمود ما بين da ١١١ = ما بين column bottom مئوية؛ بينما تتراوح درجة الحرارة عند قاع العمود وفي حالة الكشط؛ يمكن إجراء ale درجة مئوية. وبشكل 90 -*٠ مئوية؛ وتحديداً ما بين ٠م بأى من الطرق المعروفة. وعند إجراء عملية فصل تحت هذه acrolein عملية فصل الأكرولين والحصول على محلول يحتوى acrolein الطظروف يصبح من الممكن هنا خفض كمية الأكرولين بتركيز لا يقل عن 780 بالوزن. acrylic acid على حمض الأكريليك : acrylic acid المحلول المحتوى على حمض الأكريليك Crystallization خطوة تبلر (*) منقي؛ وذلك عن (14) acrylic acid يتم من خلال هذا الاختراع الحصول على حمض أكريليك ٠ إلى جهاز ( Yo ؟ أو ©) acrylic acid طريق إمداد المحلول المحتوى على حمض الأكريليك (e+) crystallizing device التبلر المستخدمة إلى أن تكون مقيدة بشكل خاص»؛ حيث crystallization وقد لا تحتاج طريقة التبلر يمكن أن تجرى هذه الطريقة بشكل متصل أو على دفعات في مرحلة واحدة أو مرحلتين أو أكثر. المتصل نذكر هنا جهاز التبلر crystallizing device Lol وكمثال على جهاز ve (المصنع من قبل شركة BMC المزود بعمود للخلط الرجعي crystallizing device من توع العمود crystallizing device التبلر leas المحدودة)؛ Nippon Steel Chemical co الذي يشتمل على جزء للتبلرء وجزء لفصل الجوامد عن السوائل ؛ وجزء لتقنية البللورات. (المصنع من قبل (CDC) المزود بقرص للتبريد crystallizing device ويستخدم جهاز التبلر وذلك بمثابة جزء للتبلرء ويستخدم السير المرشح أو (Gouda Company of Netherlands شركة vy. ave
دل”؟ - جهاز الفصل الذي يعمل بالطرد المركزي -مثلاً- بمثابة الجزء الخاص بفصل الجوامد عن السوائل؛ بينما يستخدم جهاز لتنقية البللورات من طراز (KCP) Kureha (المصنع من قبل شركة Kurehs Technoengineering المحدودة) وذلك بمثابة الجزء الخاص بتنقية البللورات على التوالي في جهاز التبلر crystallizing device المتصل.
٠ ومن AEN) على جهاز التبلر crystallizing device )04( ذلك الذي يتكون عن تجميع جهاز «lal وجهاز لفصل الجوامد عن السائل؛ وجهاز لتنقية البللورات. وهناك طريقة مفضلة لتجسيد هذا الاختراع؛ وهى تقوم على استخدام جهاز للتبلر المتصلة. وكجزء يختص بعملية التبلر يمكن هنا استخدام الجهاز المكون من وسيلة (CDC) crystallizers Lill والذي يأخذ التركيب الموضح في صفحات 7/ا- VA من عدد يوليو Yoo) من مجلة "Chemical Devices" ويتم
٠ تقسيم الجزء الداخلي من أجهزة ١ crystallizers tall ( و (Y ‘ وتحديداً خزانات التبلر crystallizing tanks الأفقية إلى عدة لوحات للتبريد تحتوى الأجزاء السفلي منها على فتحات للممرات. وتعمل تلك الأجزاء لتفعيل عمليات التبلر والتبريد من خلال تلك اللوحات المبردة. ويتم توفير قائمة تقليب عمودية عند مركز لوحات التبريدء وهذه تزود بمساحات لتجديد أسطح التبريد وريشات التقليب. ويتم إمداد السائل خلال منفذ لإمداد سائل المادة الخام؛ وهذا السائل يمكن إلى
5 حد كبير إزاحته بواسطة عمود التقليب من خلال الممرات الموجودة أسفل لوحات التبريد وصولاً إلى نهاية طرفية أخرى. وعند إمداد المحلول المحتوى على حمض الأكريليك acrylic acid إلى جهاز NE (V) crystallizing device lal يتبلور هذا السائل في جهاز التبلر crystallizing device ؛ ويتم فصل البللورات الناتجة بواسطة الجزء الخاص بفصل الجوامد عن
السوائل؛ وتحديداً السير المرشح؛ لتنقسم هنا إلى بللورات وسائل أصلي. وبعد ذلك يتم إمداد vy. السائل الأصلي البللورى إلى lea التبلر (Y) crystallizing device حيث تتم تبلر حمض الأكريليك acrylic acid 5 فصله بواسطة السير المرشح إلى بللورات وسائل أصلي. ويتم ب ',
YA - - ذلك إدخال البللورات الذي تم الحصول عليها بواسطة تلك الأجهزة (V) و(١) إلى الجزء الخاص بتنقية البللورات. كما يتم بشكل ملائم ضبط كمية حمض الأكريليك acrylic acid الذي تم الحصول عليه بشكل مترافق بواسطة أجهزة التبلر )١( و(7) بحيث لا تقل هذه الكمية عن 77١0 بالوززن؛ والأفضل أن تتراوح ما بين 790-7٠ بالوزن؛ وتحديداً في مدى يتراوح ما بين 560 - 790٠ بالوزن. ونتيجة cli يمكن أن يزيد تركيز حمض الأسيتيك acetic acid في السائل الأصلي المتبقي عن 77 بالوزن. وبالنسبة للجزء الخاص بتنقية البللورات يمكن هنا استخدم lea تنقية البللورات (KCP) الوارد في صفحة (AVY VT العدد الصادر في يوليو 5٠0١ من مجلة "Chemical Devices" والذي تم الكشف عنه في براءة الاختراع اليابانية رقم 1477-4071 - ب. وكمثال قوي على هذا الجهاز؛ تم توفير اسطوانة معدنية مزودة عند ٠ مركزها بناقل حلزوني؛ وفي الجزء الأعلى منها تزود الاسطوانة بجهاز للصهر يعمل على دمج البللورات؛ مع منفذ لخروج المنتج الناتج عن eal) وفي الجزء الأسفل تزود الاسطوانة بمنفذ لمخرجات السائل المتبقي؛ وعند الجزء الأسفل من العمود تزود الاسطوانة بمنفذ لإمداد البللورات. ويتم نقل البللورات بواسطة الناقل الحلزوني إلى الجزء الأعلى من عمود التنقية؛ ويتم صهرها بواسطة جهاز الصهر. ومن خلال فتحة مخرجات المنتج يتم سحب المحلول الناتج؛ مع eo إنزال جزء من هذا المحلول المنسحب من الجزء العلوي لعمود التنقية. وبسبب هبوط المحلول فإن البللورات التي يتم توصيلها بواسطة الناقل الحلزوني تكون نظيفة ويحدث لها تعرّق. ويتم بعد ذلك سحب المحلول الهابط من الجزء العلوي عن طريق فتحة المخرجات المتبقية الى سيتم وصفها فيما بعد. وقد يتم بشكل مناسب اختيار كمية المحلول الهابط بحيث تناسب درجة النقاء المستهدفة لحمض الأكريليك acrylic acid وهنا ينصح بأن تتراوح تلك الكمية ما بين )= 700 vs بالوزن؛ والأفضل ما بين 7- 740 بالوزن. والأكثر تفضيلاً ما بين - 7905 بالوزن نسبة إلى كمية محلول الصهر. وفي حالة أن تقل الكمية عن 7١ بالوزن فإن هذا النقص سوف يؤدي إلى
vq - - تقليل تأثير غسل البللورات وتعرقها. وعلى (ad) إذا زادت الكمية عن 7760 بالوزن تؤدي تلك الزيادة إلى تثبيط الزيادة التي تحدث في تأثير الغسل والتعرق مما يجعل تشغيل عمود تنقية البللورات من الأمور الصعبة. وقد يتم تدوير السائل المتبقي المسحوب إلى جهاز التبلر crystallizing device و/أو وحدة تبلر السائل الأصلي المتبقي المذكورة عاليه؛ أو يتم سحبه
oo جزئياً من الجهاز. وهناك طريقة مميزة أخرى لنموذج هذا الاختراع؛ وهى طريقة يستخدم فيها جهاز al crystallizing device على دفعات. ويوجد جهاز من هذا النوع؛ وهو جهاز تبلر ديناميكي dynamic crystallizing متاح لدى الشركة السويسرية «Sulzer Chemtech كما يوجد أيضاً جهاز تبلر إستاتيكي static crystallizing متاح لدى الشركة الفرنسية -BEFS Prokem
٠ وفي عملية التبلر على دفعات؛ يعتمد عدد الخطوات اللازمة للتبلر على درجة النقاء المستهدفة. وفي هذا الاختراع؛ فإنه لكى يتم إنتاج حمض الأكريليك acrylic acid بدرجة نقاء عالية ينصح بإجراء خطوة التنقية (خطوة التبلر الديناميكي dynamic crystallizing ) بعدد مرات يتراوح ما بين -١ + مرات؛ والأفضل ما بين ed pe © =F والأكثر تفضيلاً ما بين *- ؛ مرات.؛ وأن تجرى خطوة الكشط (خطوة التبلر الديناميكي dynamic crystallizing و/أو خطوة التبلر
م الإستاتيكي static crystallizing ) بعدد مرات يتراوح ما بين صفر- 0 مرات؛ والأفضل ما بين صفر- * مرات. وقد يتم التخلص جزئياً من المادة المتبقية واستبعادها إلى خارج الجهاز. وقد تكون هناك عملية تنقية أولية تسبق خطوة التنقية بالتبلرء وهى عملية تقوم على التبلرء cll يمكن أن يطلق على كل من عملية التنقية الأولية وما يليها من عمليات التنقية بأنها سلسلة من خطوات التبلر. وقد يستخدم في عملية التنقية الأولية جهاز للتنقية يتكون من تجميعة تحتوى
© على جهاز للتبلر مع جهاز لفصل الجوامد عن السوائل؛ مثلاً. ويمكن هنا استخدام جهازالتبلر
١٠١١ه
.سم - (CDC) أو جهاز التبلر crystallizing device 25340 بخزان لتعمل كأجهزة للتبلرء كما يمكن استخدام السير المرشح أو جهاز الفصل الذي يعمل بالطرد المركزي؛ الخ؛ وذلك كجهاز لفصل الجوامد عن السوائل. وهناك طريقة مميزة لنموذج هذا الاختراع ولأداء عملية التنقية الأولية؛ وتقوم هذه الطريقة على 6 استخدام جهاز يشتمل على جهاز تبلر مزود بخزان؛ وجهاز للفصل يعمل بالطرد المركزي. ويتكون جهاز التبلر crystallizing device المزود بخزان من عمودين متصلين ببعضهما ويزود كل منهما بأداة تقليب مع سطح يتكون من غلاف ثنائي الجدران ويتم ضبطه عند درجة حرارة ثابتة باستخدام oY thermostat يستقبل خزان التبلر الأول إمداداً من محلول حمض الأكريليك Sd acrylic acid ويقوم بتبلر محتوى حمض الأكريليك acrylic acid وفصل المحلول ٠ المعالج إلى بللورات وسائل أصلي بواسطة جهاز للفصل يعمل بالطرد المركزي؛ مع غسل البللورات باستخدام الصهارة. يتم بعد ذلك إمداد السائل الأصلي وسائل الغسيل الذي تم الحصول عليهما بشكل متتابع إلى خزان تبلر ثان؛ بحيث يتم بذلك تبلر محتوى حمض الأكريليك acrylic acid وفصله إلى بللورات وسائل أصلي بواسطة جهاز للفصل يعمل بالطرد المركزي. يتم غسل البللورات المنفصلة باستخدام الصهارة. وبالنسبة لإجمالي كمية تبلر حمض الأكريليك م acrylic acid الذي تم الحصول عليه من خزان التبلر الأول وخزان التبلر الثاني معاً فهى لا تقل عن 77٠0 بالوزن؛ ويفضل أن تتراوح هذه الكمية ما بين 77٠0 بالوزن؛ ويفضل أن تتراوح هذه الكمية ما بين +“*- 74560 بالوزن؛ وتحديداً ما بين ٠؛- 7950 بالوزن. ونتيجة لذلك؛ فإن تركيز حمض الأسيتيك acetic acid في السائل الأصلي المتبقي يمكن أن تزيد هنا عن AY بالوزن. ويتم دمج البللورات الذي تم الحصول عليها لاحقاً مع المحلول المحتوى على حمض الأكريليك acrylic acid ٠٠ والذي خضع لمعالجة أولية بالتنقية؛ وبعد ذلك تجرى عملية تتقية أخرى للبللورات.
اسم تتضمن عملية التنقية؛ على سبيل المثال؛ طريقة للتبلر التجزيئي ذات مراحل متعددة. ويمكن أداء عملية التبلر هذه بخطوة للتبلر الديناميكي dynamic crystallization يستخدم Led جهاز للتبلر الديناميكية dynamic crystallizing مزود بجهاز تبلر أنبوبي tubular crystallizing » وهذا يزود بدوره بوسيلة لضبط درجة الحرارة لأداء عمليات التبلرء والتعرق؛ والانصهارء مع خزان م الاستعادة السائل الأصلي المتكون بعد حدوث التعرق؛ ومع مضخة لإمداد حمض الأكريليك J acrylic acid جهاز التبلر crystallizing device وتقله بعد ذلك من وعاء التخزين الواقع في الجزء الأسفل من جهاز التبلر crystallizing device وصولاً إلى الجزء الأعلى من جهاز التبلر crystallizing device الأنبوبي ٠ وقد تجرى هذه العملية بتجميعة من خطوة تبلر ديناميكي dynamic crystallization وخطوة تبلر إستاتيكي static crystallization باستخدام جهاز تبلر Ve أنبوبي crystallizing #علدطيه_مزود بوسيلة لضبط درجة الحرارة لأداء عمليات التبلر والتعرق والانصهار؛ وهو الجهاز مزود عند الجزء الأسفل منه بصمام سحب خارجي؛ ويستخدم فيه خزان لاستقبال السائل LAY) المتكون بعد حدوث التعرق باتبلر الإستاتيكي -static crystallization ويتم إدخال المحلول الخام المحتوى على حمض الأكريليك acrylic acid شكل طور سائل ١٠ إلى الجهاز التبلر crystallizing device ¢ وبعد ذلك يتم في سطح التبريد تصلد طور صلب يختلف من حيث التركيب عن الطور السائل liquid phase المدخل إلى الجهاز. وعندما يتصلد جزء من حمض الأكريليك acrylic acid المستخدم يتراوح ما بين ٠؛- 790 بالوزن والأفضل ما بين =o 780 بالوزن فإنه يتم فوراً فصل وإزالة الجزء الباقي للطور السائل. وذلك عن طريق إزالة الطور المتبقي بواسطة مضخة (خطوة التبلر الديناميكي (dynamic crystallization 2 أو عن طريق دفق هذا الطور إلى الخارج (تبلر إستاتيكي (static crystallization وبعد ذلك Vive
اسم - يمكن أن تجرى خطوات إضافية لغسل الطبقة البللورية أو ما يسمي بطبقة التعرق؛ وتحديداً عن طريق الانصهار خارج منطقة البللورات غير النقية. dic إجراء التبلر الديناميكي dynamic crystallization والتبلر الإستاتيكي static crystallization في خطوة متعددة المراحل (Sah بشكل منفصل أن تجرى تلك العمليات وفق ase التيار العكسي. م dug هنا فصل المواد المراد بلورتها في تلك الخطوات عن السائل الأصليء تم إمداد تلك المواد المتبلرة إلى خطوات تالية ذات مستويات نقاء أعلى. وفي الوقت نفسه؛ يتم إمداد تلك المواد المتبقية من عملية التبلر إلى خطوات لاحقة ذات درجة نقاء أقل. وبصفة عامة فإن جميع الخطوات التي تكون فيها الأحماض ذات درجة نقاء أعلى من المحاليل الخام المحتوية على الحمض تعرف هنا بأنها خطوات للتنقية؛ بينما تعرف جميع الخطوات ٠ الأخرى بأنها خطوات للكشط. وتجرى خطوات الكشط بهدف استرداد حمض الأكريليك acid عنانوعة_الموجود في السائل الأصلي من خطوات التنقية. وهناك صعوبات تواجه عمليات التبلر الديناميكي dynamic crystallization وهى زيادة نسبة حمض الأكريليك acrylic acid مع انخفاض درجة نقائه. وعلى العكس تجرى عملية التبلر الإستاتيكي static crystallization بسهولة مقارنة بعمليات التبلر الديناميكي dynamic crystallization حتى مع انخفاض درجة نقاء حمض الأكريليك acrylic acid . ولغرض زيادة نسبة استرداد حمض الأكريليك acrylic acid تجرى عملية تبلر أخرى إضافية على السائل الأصلي النهائي في عمليات التبلر الديناميكي dynamic crystallization وذلك من خلال Adee للتبلر الإستاتيكي static crystallization + م١
اس _ ويعتمد عدد خطوات التبلر اللازمة على درجة النقاء المتوقعة. وللحصول على حمض الأكريليك acrylic acid بدرجة عالية من النقاء فيفضل هنا أن تجرى خطوة التنقية (خطوة التبلر الديناميكي (dynamic crystallization بعدد مرات يتراوح ما بين -١ ©؛ والأفضل أن يتراوح هذا العدد ما بين = oF وأن تجرى خطوة الكشط glad) التبلر الإستاتيكي (static crystallization بعدد cleo يتراوح ما بين -١ ©؛ والأفضل ما بين )= 4؛ وفي خطوة التبلر الديناميكي dynamic Judy crystallization أن يتراوح هذا العدد ما بين -١ ©؛ والأفضل ما بين FY وقد يتم تدوير البقايا المسحوبة من الجولة الأخيرة في خطوة التبلر الإستاتيكي static crystallization إلى سائل أصلي متبقي من Adee التبلر بعد التنقية الأولية المذكورة عاليبه؛ أو يتم السحب هنا إلى خارج الجهاز. +؛- تقطير المحلول المحتوى على حمض الأكريليك acrylic acid يحتوى السائل الأصلي المتبقي الناتج عن جهاز التبلر crystallizing device )04( على مواد ذات درجة غليان منخفضة Jie حمض الأسيتيك acetic acid والماء A الصيغة Adsl لحمض الأكريليك decomposing acrylic acid dimer ومشبطات البلمرة polymerization inhibitors ؛ إلى جاتب حمض الأكريليك 3S 5 acrylic acid عال. ولغرض الاستفادة بشكل oe فعال من السائل الأصلي المتبقي يقوم هذا الاختراع على dad جزء على الأقل من هذا السائل إلى عمود التقطير distillation column (70) بحيث يتم سحب المواد ذات درجة الغليان العالية عن طريق قاع العمود column bottom ؛ والحصول على مواد ذات درجة الغليان المنخفضة وحمض الأكريليك acrylic acid في شكل ناتج تقطير عن طريق الجزء العلوي من العمود. وتتاح هنا أعمدة أخرى لتعمل بمثابة عمود التقطير distillation column المستخدم لهذا الغرض
دوس - (Ve) وهذه تشتمل على عمود مندمج؛ وعمود مزود بلوحة (عمود ذي (tray column J sea الخ. وتجرى عملية التبلر تحت ظروف تؤدي إلى حث دفع المواد ذات درجة الغليان المنخفضة مثل الماء وحمض الأسيتيك acetic acid ؛ وأيضاً حمض الأكريليك acrylic acid عن طريق م التقطير. وقد يتم بشكل ملائم اختيار تلك الظروف اعتمادا على تركيز حمض الأكريليك «acrylic acid وتركيز الماء؛ وتركيز حمض الأسيتيك acetic acid السائل الأصلي المتبقي المراد إدخاله. وبصفة عامة يكون من الملائم هنا اختيار الضغط عند قمة العمود (الضغط المطلق) في حدود قيمة تتراوح ما بين 40-٠ هكتو باسكال hPa والأفضل ما بين “Vo gS © باسكال hPa وتحديداً ما بين ٠٠00 -7١ هكتو باسكال hPa . وعند انخفاض قيمة ٠ هذا الضغط عن ٠١ هكتو باسكال hPa (الضغط المطلق) فإن هذا النقص سوف تتبعه مساوئ تتمثل في الحاجة إلى عمود ومكثف وجهاز للتفريغ الهوائي؛ مما يزيد من تكاليف المعدات المستخدمة. وعلى العكس فإنه عند زيادة قيمة الضغط عن 500 هكتو باسكال hPa (الضغط المطلق) فإن هذه الزيادة سوف تتبعها مساوئ تتمثل في زيادة درجة الحرارة في عمود النقطير (Vo ) distillation column مما يزيد من احتمال حدوث البلمرة. وبصفة عامة تتراوح درجة الحرارة عند قمة العمود ما بين +*- Ve درجة مئوية؛ وتحديداً ما بين = 60 درجة مئوية؛ بينما تتراوح درجة الحرارة عند أسفل العمود ما بين +8- ١50 درجة مئوية؛ وتحديداً ما بين ١١ -+٠ درجة مئوية. وتحت هذه الظروف التي تجرى فيها عملية التقطير يتم الحصول على منتج التقطير (VV) الذي يحتوى على تركيز من حمض الأسيتيك acetic acid يزيد عنه في السائل الأصلي المتبقي؛ وهذا المنتج (VY) يتم تدويره بعد ذلك إلى عمود الامتصاص .)٠١( absorption column ~~ ¥. Yave
دوس - ولغرض منع المواد القابلة للبلمرة Je حمض الأكريليك acrylic acid من التعرض لعمليات البلمرة أثناء التقطيرء يسمح بإضافة مثبط للبلمرة polymerization inhibitor إلى سائل الارتجاع reflux liquid . ويمكن هنا استخدام عدد من مثبطات البلمرة polymerization inhibitors التي جاء وصفها عاليه؛ وهى مواد مناسبة ومتاحة بغرض إضافتها للمحلول المائي الماص.
Decomposition of Acrylic Acid Dimer تحلل المركب الثنائي الصيغة الجزيئية حمض الأكريليك -* ٠ الصيغة ALE على مركب )7١( distillation column يحتوى السائل القاعدي لعمود التقطير ؛ ويؤدي تحلل هذا المركب إلى decomposing acrylic acid dimer الجزيئية لحمض الأكريليك وقد لا يحتاج جهاز تحلل هذا المركب إلى أن يكون . acrylic acid استرجاع حمض الأكريليك ولكن يحتاج فقط إلى أن يكون قادر على تحلل المركب ثنائي الصيغة als مقيد بشكل ٠ الجزيئية لحمض الأكريليك decomposing acrylic acid dimer ؛ مع استرجاع الحمض المذكور Lad بعد. وعلى سبيل المثال يمكن أن يكون للجهاز القدرة على تحليل المركب SLE الصيغة الجزيئية لحمض الأكريتيك decomposing acrylic acid dimer « مع دفع حمض الأكريليك acrylic acid عن طريق عملية التقطير (راجع براءة الاختراع اليابانية رقم 4406-7837 -١ ب) وبراءة الاختراع Aull رقم 01 987-7718١-ب). وبشكل مفضل قد يعتمد الجهاز على ١ استخدام عمود مزود بصينية؛ وهذه يتم تزويدها بمبخر ذي شريحة AEE) مع خزان لتحلل المركب ثنائي الصيغة الجزيئية (راجع براءة الاختراع اليابانية رقم 4-17777 44 ١-أ). وقد يستخدم جهاز تحلل المركب ALB الصيغة الجزيئية لحمض الأكريليك decomposing acrylic acid dimer والمذكور dled وذلك بشكل منفصل عن عمود التقطير ٠ (V+) distillation column ويفضل أن تجرى عملية التحلل في خزان ملحق بعمود التقطير (Ve ) distillation column ٠٠ الذي يزود بمبخر ذي طبقة رقيقة. Vive
- 0 وعلى any التحديد؛ يتم إدخال سائل قاع عمود التقطير (V+) distillation column (السائل القاعدي للمبخر ذي الطبقة الرقيقة (YY إلى خزان تحلل المركب ثنائي الصيغة الجزيئية (Vo) بحيث يتم تحلل المركب ثنائي الصيغة الجزيئية لحمض الأكريليك decomposing acrylic acid dimer الموجود في الخزان. ويقوم الخزان بتحليل هذا المركب تحت درجة حرارة تتراوح ما
٠ بين 770-17٠ درجة مئوية؛ بزمن احتجاز يتراوح ما بين Te =o) ساعة تبعاً لاختلاف درجات الحرارة التي يحدث عندها التحلل. وبعد تحلل المركب الثنائي الصيغة الجزيئية وتحوله إلى حمض الأكريليك acrylic acid فإن هذا الحمض يتم استرجاعه بعد ذلك عن طريق الجزء العلوي من عمود التقطير (V+) distillation column وذلك من خلال تدوير حمض الأكريليك ll acrylic acid عن التحلل إلى المبخر ذي الطبقة الرقيقة.
٠ وعند استخدام عمود استرجاع حمض الأكريليك apa) acrylic acid بالمبخر ذي الطبقة الرقيقة وبخزان للتحليل المركب ثنائي الصيغة الجزيئية؛ وذلك بشكل متفصل عن عمود التقطير (V4) distillation column فقد يتم هنا تدوير حمض الأكريليك acrylic acid المسترجع والذي تم الحصول عليه عن طريق الجزء العلوي من عمود استرجاع حمض الأكريليك acrylic acid ؛ وذلك إلى عمود التقطير (V+) distillation column و/أو إلى عمود الامقصاص
د absorption column )+¥( وقد تضاف إلى خزان تحلل المركب ثنائي الصيغة الجزيئية محفز لتحلل مثل ملح معدني قلوي؛ أو ملح معدني لعنصر أرضي قلوي؛ أو مركب يحتوى على مجموعة N-OXY حسبما ذكر في براءة الاختراع اليابانية رقم 7-77 .7-أ. وتكون الإضافة هنا أثناء عملية تحلل المركب ثنائي الصيغة الجزيئية لحمض الأكريليك decomposing acrylic acid dimer . وعند استخدام
٠ المركب المذكور أعلاه المحتوى على مجموعة N-OXY كمادة مثبطة للبلمرة في خطوة
_ ب —- الامتصاص أو في خطوة التقطير فإنه يعمل بشكل إضافي كمحفز لتحلل المركب ثنائي الصيغة الجزيئية لحمض الأكريليك decomposing acrylic acid dimer . الأمثلة: سيتم الآن وصف الاختراع بتحديد أكثر من خلال الأمثلة الآتية: 0 مثاز | z uy المحفز: تم هنا تحضير محفز من النوع الذي يحتوى على molybdenum-bismuth « وذلك وفق الإجراءات التي جاء وصفها في براءة الاختراع اليابانية رقم 3789795*-00٠7-آ ؛ ويتم تمييز هذه المادة ب "المحفز ]". وقد تم تحضير المحفز الذي يحتوى على الموليبدنوم molybdenum والفانديوم vanadium ¢ وذلك وفق الإجراءات التي جاء وصفها في براءة الاختراع اليابانية رقم
ML ويتم تمييز هذه المادة ب "المحفز ؛ءا-١ 6-7854 0 ٠ :)١( مثال .١ باستخدام الجهاز الموضح في شكل acrylic acid تم إنتاج حمض الأكريليك ثم استخدام مفاعل مزود عند محيطه الخارجي بغطاء لتدوير وسط الحرارة؛ ويحتوى على al مم من VO uv مم وتزود على مسافة Vern مم وطولها Yo أنابيب للتفاعل طول قطرها الداخلي الجزء السفلي للغطاء برقيقة أنبوبية مثقبة تقوم بتقسيم الغلاف المحتوى على وسط الحرارة إلى vo نصفين أحدهما علوى والآخر سفلي . ويحتوى الجزء السفلي (منطقة التفاعل الأولى) والجزء العلوي (منطقة التفاعل الثانية) في المفاعل على درجات من الحرارة يتم ضبطها والتحكم فيها
رم - عن طريق تدوير أوساطها الحرارية المناظرة وقد تم تعبئة المفاعل ب: )١( كرات خرفية ييلغ متوسط طول قطرها © مم؛ و(7) خليط من المحفز )1( والكرات الخرفية ذات متوسط طول القطر © مم وذلك بنسبة حجمية قدرها 76ا: Fe و(©) المحفز (1)؛ و() حلقات من معدن غير قابل للصداً طول قطرها الخارجي © مم وطول قطرها الداخلي 0,£ مم وطولها 6 مم؛ و(*) م٠ خليط من المحفز (I) والكرات الخزفية التي يبلغ متوسط طول قطرها © مم؛ وذلك بنسبة قدرها 5: ©7؛ و(1) المحفز ]1 موضوعة بشكل متتابع من الجزء السفلي تجاه الجزء العلوي من المفاعل بأطوال طبقة مناظرة قدرها Ov gaa YP gina Vion gan YOu مم و١٠٠2 مم؛ و966٠ عم. وإلى منطقة التفاعل الأولى في المفاعل يتم تدوير هواء يحتوى على بروبيلين propylene ٠ (تركيز المكون المائي water component 77 بالوزن)؛ وجزء من الغاز المنصرف (غاز إعادة التدوير recycle gas ) الناتج عن عمود الامتصاص absorption column ؛ وذلك لإمداد نسبة حجمية من البروبيلين propylene قدرها 74 ونسبة حجمية من الأكسجين oxygen قدرها 54 ونسبة حجمية من الماء قدرها 77. (ويحتوى الباقي على نتروجين N2 ؛ وبروبان «COx 5 « propane وحمض أكريليك ٠ acrylic acid وحمض أسيتيك (acetic acid بمعدلات ve تدفق مناظرة وعند درجة حرارة تبريد لغاز إعادة التدوير recycle gas ثم ضبطها لتثبيت سرعة فراغية في مدرجة التفاعل الأولى عند ١75٠ في الساعة ' (STP) وقد تم ضبط درجات حرارة الوسط الحراري لمنطقة التفاعل الأولى والثانية بحيث يثبت معدل تحول البروبيلين propylene عند نسبة جزيئية قدرها AY +5 7؛ وبحيث يثبت ناتج تركيز الأكرولين acrolein عند نسبة جزيئية قدرها ١ + ,م تحث ضغط عند المنفذ قدره ٠,٠9 x ميجا باسكال Lis) مطلق) لمنطقة التفاعل الثانية. وبالتالي فإن الغاز المحتوى على حمض ه١١٠
وس الأكريليك acrvlie acid بنسبة قدرها 7١7,57 بالوزن قد تم هنا الحصول عليه بمعدل قدره [aa ١/9 ساعة. وبعد ذلك تم تبريد الغاز المحتوى على حمض الأكريليك acrylic acid إلى ٠٠١ درجة مئوية بواسطة جهاز التبريد الأولى؛ وتم ترقيده على عمود لامتصاص حمض الأكريليك acrylic acid م بحيث يمكن جمع المحلول المحتوى على هذا الحمض. لقد كان عمود الامتصاص absorption column المذكور عبارة عن عمود Lina مملوء بمواد تعبئة مشكلّة تصنغ عدداً من اللوحات النظرية قدره YY محسوبة بعمليات حسابية عند الجزء السفلي من العمود؛ مع منفذ لإمداد الغاز المحتوى على حمض الأكريليك acrylic acid ومنفذ لخروج السائل الماص. وعند الجزء العلوي من العمود هناك منفذ للدخول للمحلول المائي ٠ الماص Als لخروج clad ويزود الجزء الجانبي من العمود (اللوحة النظرية التاسعة عشرة) بأنبوب لإمداد السائل الموجود عند قمة العمود من عمود التقطير distillation column ؛ كما يزود أيضاً بجهاز التبريد الجزء من الغاز المنصرف عبر قمة العمود column top ويستخدم الماء المحتوى على هيدروكينون hydroquinone وذلك بمتابة ماء للامتصاص بكمية تعادل Yoo جزء بالمليون على أساس الوزن إلى كمية حمض الأكريليك 252s) acrylic acid في الغاز المحتوى على هذا الحمض والمدخل إلى عمود الامتصاص absorption column « وكان معدل إمداد هذا الماء بواقع ٠١٠ كجم/ ساعة. وقد أجريت عملية الامتصاص تحت درجة حرارة عند dad عمود امتصاص absorption column حمض الأكريليك lS acrylic acid 17,4 درجة مئوية؛ وتحت ضغط مطلق عند قمة العمود قدره ١,1١ ميجا باسكال؛ وحرارة تبريد لغاز إعادة التدوير recycle gas قدرها 1ر40 درجة ٠ مئوية؛ وبمعدل إعادة تدوير قدره 779. وقد تم تدوير ناتج التكثيف الذي تم الحصول عليه عن ١
- os. وذلك وصولاً به إلى عمود الامتصاص recycle gas التدوير sale) طريق تبريد غاز . absorption column ومن خلال الجزء الجانبي من العمود؛ فإن السائل الذي تم تدويره والذي يشتمل على نواتج al مع السائل الأصلي المتبقي الناتج عن جهاز distillation column تقطير عمود التقطير cela IA 5 «acrylic acid بنسب وزنية قدرها 7,8 حمض أكريليك crystallizing device © ؛ و7007 فورفورال maleic acid ؛ 5 ),¥ حمض مالييك acetic acid حمض أسيتيك 8,١ / ١و « formaldehyde »و 7 فورمالدهيد benzaldehyde بنز الدهيد + A و » furfural / 5 « decomposing acrylic acid dimer مركب ثنائي الصيغة الجزيئية لحمض الأكريليك كجم/ ساعة. ٠,4٠0 شوائب أخرى قد تم إمداده هنا بمعدل عمود الامتصاص acrylic acid وفي هذا الوقت؛ كانت كفاءة امتصاص حمض الأكريليك
JAAYY absorption column إلى الجزء العلوى من acrylic acid وقد تم إمداد المحلول المحتوى على حمض الأكريليك الذي يبلغ طول قطره الداخلي ١٠٠مم ويبلغ ارتفاع الطبقة المعبأة مته © مترء Lad العمود عن طريق الحفاظ على قيمة الضغط عند قمة العمود قدرها acrolein وذلك لفصل الأكرولين
Ve قدرها column bottom هكتو باسال (إضغط مطلق)؛ ودرجة حرارة عند قاع العمود 7*0 yo درجة مئوية بالتسخين. ونتيجة لذلك؛ فإن المحلول المائي المحتوى على حمض الأكريليك ¢ acrylic acid والذي يحتوى على نسب وزنية قدرها 4 حمض أكريليك acrylic acid / ١ Vs maleic acid حمض مالبيك ١١و » acetic acid و 7 ماءء؛ 1,95 حمض أسيتيك formaldehyde فورمالد هيد ١و ¢ benzaldehyde و 7,7 بنزالدهيد « furfural فورفورال « decomposing acrylic acid dimer اءو,؟ مركب ثنائي الصيغة الجزيئية لحمض الأكريليك ٠ ٠١ه
- ١ كجم/ ساعة. أما الغاز الذي 5,٠١ شوائب أخرى قد تم الحصول عليه هنا بمعدل قدره 77, Vg تم الحصول عليه من الجزء العلوي للعمود فقد تم إمداده إلى الجزء الأسفل من عمود امتصاص . acrylic acid حمض الأكريليك absorption column إلى جهاز acrylic acid وقد تم بعد ذلك إمداد هذا المحلول المحتوى على حمض الأكريليك من اثنين من أدوات crystallizing device م للتبلر لبلورته في هذا الجهاز. ويتكون جهاز التبلر
AVY يتصلان مع بعضهما على التوالي وفق الطريقة التي جاء وصفها في صفحات lal وقد احتوت كل من أجهزة التبلر على "Chemical Devices" من عدد يوليو 700 من مجلة خزان التبلر على خزان أفقي للتبلر ذي فراغ داخلي مقسم بواسطة عدة لوحات للتبريد (حيث تم فصل الأجزاء السفلي منه بواسطة فجوة تعمل كممر). وقد اجريت عمليات التبريد والتبلررمن خلال لوحات التبريد تلك. وهناك قائمة تقليب عمودية ثم توفيرها عند مراكز لوحات التبريد؛ مع مناشف تعمل على تجديد أسطح التبريدء ومع ريشات للتقليب. وقد أزيح السائل الذي تم توفيره إمداد سائل المادة الخام عند إحدى النهايات الطرفية وذلك بواسطة عمود التقليب dine من خلال عبر الممر الواقع أسفل لوحات التبريد في اتجاه النهاية الطرفية الأخرى. وعند إمداد المحلول الأول crystallizing device till إلى جهاز acrylic acid المحتوى على حمض الأكريليك ؛ وبالتالي يعمل السير المرشح على فصل acrylic acid يقوم هذا الجهاز بتبلر حمض الأكريليك ve المحلول إلى بللورات وسائل أصلي؛ ثم إمداد هذا السائل الأصلي الذي تم الحصول عليه لاحقا الثاني crystallizing device ويقوم جهاز التبلر ٠ الثاني crystallizing device إلى جهاز التبلر وبالتالي يعمل السير المرشح في هذه الحالة على فصل «acrylic acid بتبلر حمض الأكريليك تحت درجة arystallizing device المحلول إلى بللورات وسائل أصلي. ويعمل جهاز التبلر الأول والتي تم ضبطها عند درجة crystallizing device حرارة لوحات التبريد في جهاز التبلر ٠ crystallizing device صفر درجة مئوية؛ وتحت درجة حرارة لوحات التبريد في جهاز التبلر ١٠ه
١ - 47 - الثاني والتي تم ضبطها عند درجة Ve درجة مئوية؛ وبكمية من تبلر حمض الأكريليك acrylic acid الذي تم الحصول عليها بشكل مترافق من جياز crystallizing device Lol الأول والثاني قدرها 758 بالوزن نسبة إلى كمية حمض الأكريليك I acrylic acid تم إمدادها إلى lea التبلر crystallizing device الأول. وقد تم بعد ذلك إمداد البللورات الذي تم الحصول © عليها بواسطة جهاز التبلر crystallizing device الأول والثاني إلى جهاز تنقية البللورات. ويتطابق هذا الجهاز مع lea التبلر crystallizing device الذي جاء وصفه في صفحات 6/ا- VV من عدد يوليه Yoo) من "Chemical Devices" laa وفي براءة الاختراع اليابانية رقم 977-4+57١ حب dag deg التحديد؛ تم تزويد اسطوانة معدنية بامتداد مركزها بناقل حلزوني يندمج مع الجزء الأعلى منه بوسيلة لدمج البللورات؛ ومنفذ لخروج المنتج الناتج عن ٠ الصهر عند الجزء الأسفل؛ مع فتحة لخروج السائل المتبقي؛ ومع منفذ لإمداد اللورات عند الجزء الجانبي منها. ويتم تقل البللورات إلى الجزء العلوي من جهاز التنقية بواسطة ناقل حلزوني؛ مع دمج تلك البللورات بواسطة وسيلة للدمج. وقد تم سحب الصهارة الناتجة خلال Sie مخرجات المنتج وتركت نسبة وزئية قدرها 2٠١ من الصهارة لتهبط من الجزء العلوي للجهاز. وعند هبوط الصهارة يمكن توصيل البللورات بواسطة الناقل الحلزوني لأغراض الغسل ae والبثق. وقد تم سحب السائل الهابط من الجزء العلوي خلال منفذ مخرجات السائل المتبقي أدناه. وهكذا تم الحصول على حمض أكريليك acrylic acid بنسبة بقاء قدرها 744,94 بالوزن؛ وذلك بمعدل قدره 3,17 كجم/ ساعة. وفي هذا الوقت؛ احتوى حمض الأكريليك acrylic acid على كمية من الماء قدرها 4٠ جزء بالمليون بالوزن؛ وكمية من حمض الأسيتيك acetic acid قدرها 8 جزء بالمليون بالوزن؛ وكمية من حمض المالييك maleic acid قدرها ؛ جزء بالمليون ٠ بالوزن؛ وكمية من الفورفورال furfural قدرها ١.١ جزء بالمليون بالوزن؛ وكمية من Y4ve
اسع البنزالدهيد benzaldehyde قدرها 0,+ جزء بالمليون بالوزنء وكمية من الفورمالدهيد formaldehyde قدرها صفر جزء بالمليون بالوزن؛ مع كمية من المركب ثنائي الصيغة الجزيئية لحمض الأكريليك decomposing acrylic acid dimer قدرها £4 جزء بالمليون بالوزن. oo وكان ناتج تتقية حمض الأكريليك acrylic acid 715,1 وهناك نسبة قدرها 770 من السائل الأصلي المتبقي الذي تم الحصول عليه من جهاز التبلر SB) crystallizing device « مع السائل المتبقي المسحوب من جهاز تنقية ola gl ys IL النسبة تم إمدادها إلى الجزء الوسطى من عمود التقطير distillation column الخاص بجهاز تحلل المركب ثنائي الصيغة الجزيئية لحمض الأكريليك decomposing acrylic acid dimer + ٠ ويتكون هذا الجهاز الأخير من عمود تقطير مزود بصينية تدفق Sb )10( وخزان لتحلل المركب ثتائي الصيغة الجزيئية لحمض الأكريليك decomposing acrylic acid dimer ؛ مع جهاز تبخير ذي طبقة رقيقة. وقد تم التبخير هنا بإجراء تحلل حراري تحت درجة حرارة ٠48 درجة مئوية في خزان تحلل المركب ثنائي الصيغة الجزيئية؛ وبزمن احتجاز قدره ؛ ساعات؛ مع التحكم في المبخر ذي الطبقة الرقيقة بحيث يتم ضبط درجة الحرارة في ض قاع العمود column bottom) عند AG درجة مئوية؛ ونسبة ارتجاع قدرها 0,١ وضغط عند قمة العمود قدره TY هكتو باسكال hPa ؛ مع إضافة 4-hydroxy-2,2.6.6-tetramethyl ( 4H- TEMPO (piperidinoxyl كمادة مثبتة من سائل الارتجاع reflux liquid إلى حمض الأكريليك acrylic acid الذي يتم إمداده إلى عمود التقطير distillation column بكمية تعادل ٠٠١ جزء بالمليون نسبة إلى حمض الأكريليك acid 805116 الذي يتم إمداده إلى عمود التقطير distillation column ٠٠ . وإلى خزان تحلل المركب الثنائي الصيغة الجزيئية تم إمداد نسبة وزنية م١٠
- قدرها 77١ من محلول مائي من هيدروكسيد الصوديوم sodium hydroxide ليعمل ass لتحلل المركب ثنائي الصيغة الجزيئية لحمض الأكريليك decomposing acrylic acid dimer بكمية قدرها 70.04 بالوزن (في صورة هيدروكسيد صوديوم sodium hydroxide مختزل) نسبة إلى السائل الأصلي المتبقي المراد إمداده.
م ومن الجزء الأعلى من العمود تم استرجاع حمض الأكريليك acrylic acid الذي يحتوى على نسبة وزنية من حاض الأكريليك acrylic acid قدرها 7287,5؛ ونسبة وزنية من الماء قدرها 7a. ؛ مع نسبة وزنية من حمض الأسيتيك acetic acid قدرها 758,7 وذلك بمعدل ٠,0١ كجم/ ساعة. وقد تم تدوير حمض الأكريليك acrylic acid المسترجع بالترافق مع السائل الأصلي المتبقي في جهاز التبلر JU erystallizing device وفي جهاز تنقية البللورات؛ وذلك
٠ إلى الجزء الجانبي من عمود الامتصاص absorption column ؛ وكان للسائل الذي تم تدويره التركيب الآتي :7 بالوزن حمض أكريليك ZA acrylic acid بالوزن 5,١ cele بالوزن حمض أسيتيك 7,١ «acetic acid بالوزن (mas مالييك ١.7 « maleic acid بالوزن فورفورال ٠,8 «furfural بالوزن بنازالدهيد 7١, » benzaldehyde بالوزن فورمالدهيد formaldehyde ¢ 5,7 بالوزن من مركب SB الصيغة الجزيئية لحمض الأكريليك
م decomposing acrylic acid dimer » 4 7 بالوزن شوائب أخرى. مثال رقم (Y) تم إنتاج حمض الأكريليك acrylic acid باستخدام الجهاز الموضح في شكل رقم 7.
وقد أجريت عملية الإنتاج بإتباع الإجراءات المذكورة في مثال ١؛ مع الإمداد بسائل تدوير يحتوى على نواتج التقطير الذي تم الحصول عليها من العمود مع السائل الأصلي المتبقي في
١ Lbs والذي يتكون من 777,5 بالوزن حمض crystallizing device جهاز التبلر ٠
و ~ acrylic acid » و Ae بالوزن ZEA ela بالوزن حمض أسيتيك «acetic acid و YY بالوزن حمض مالييك maleic acid ¢ و7١ بالوزن فورفورال furfural + و Ze, بالوزن بنزالدهيد benzaldehyde ء و ١,7 7 بالوزن فورمالد هيد formaldehyde « و 77,5 بالوزن مركب ثنائي الصيغة الجزيئية لحمض الأكريليك decomposing acrylic acid dimer 6 مع 17 بالوزن شوائب أخرى من الجزء الجانبي للعمود. وبالتالي تم هنا الحصول على محلول مائي من حمض الأكريليك acrylic acid يحتوى على 48 بالوزن حمض أكريليك 77١7 «acrylic acid بالوزن cele 71,9 بالوزن حمض أسيتيك 1,١ «acetic acid بالوزن حمض elle maleic acid » ,+ بالوزن فورفورال ٠,١ « furfural 7 بالوزن بتز الدهيد benzaldehyde « 7 بالوزن فورمالدهيد «formaldehyde 71,1 بالوزن مركب ثنائي الصيغة الجزيئية ٠ لحمض الأكريليك decomposing acrylic acid dimer « مع 71,4 بالوزن شوائب أخرى؛ وذلك من الجزء الموجود في القاع للعمود المعباً وبمعدل قدره 0,00 كجم/ ساعة. وقد تم إمداد الغاز الذي تم الحصول عليه من الجزء الأعلى للعمود إلى الجزء الأسفل من عمود امتصاص absorption column حمض الأكريليك acrylic acid . وكانت كفاءة امتقصاص حمض الأكريليك acrylic acid في عمود الامتقصاص مد absorption column 75871 بعد ذلك؛ تم إمداد المحلول المائي لحمض الأكريليك acrylic acid إلى جهاز التنقية الأولية المكون من خزان للتبلر وجهاز للفصل يعمل بالطرد المركزي وذلك لإجراء عملية تبلر للمحلول. ويتكون خزان التبلر من وعائين يرتبطان مع بعضهما على التوالي ويزود كل منهما بأداة للتقليب وغلاف ثنائي الجدران. ويتم التحكم في هذا الغلاف عند درجة حرارة ثابتة بواسطة ٠ ترموستات. ويتم Yi إمداد المحلول المائي لحمض الأكريليك acrylic acid إلى خزان التبلر Vive
gq - - الأول. ويقوم هذا الوعاء بتبلر حمض الأكريليك acrylic acid في المحلول؛ مما يتسبب في قيام lea الفصل بفصل المحلول إلى بللورات وسائل أصلي؛ وغسل البللورات بواسطة صهارة. وبعد ذلك تم إمداد السائل الأصلي وسائل الغسيل الذي تم الحصول عليهما لاحقاً إلى خزان تبلر ثاني. ويقوم هذا الوعاء بتبلر حمض الأكريليك acrylic acid في المحلول؛ مما يتسبب في قيام © أداة الفصل التي تعمل بالطرد المركزي بفصل المحلول إلى بللورات وسائل أصسلي؛ وغسل البللورات بواسطة صهارة. وقد كانت درجة حرارة غلاف خزان التبلر الأول © درجة مئوية؛ وكانت درجة حرارة غلاف خزان التبلر الأول والثاني ١4 درجة مئوية؛ وكان إمداد سائل الغسيل بمعدل ١,17 كجم/ ساعة. ومن خزان التبلر الأول والثاني تم الحصول على حمض الأكريليك acrylic acid يحتوى على 958,9 بالوزن حمض أكريليك acrylic acid و7 / ٠ بالوزن ماء؛ ZF بالوزن حمض أسيتيك acetic acid ؛ 70١,7 بالوزن حمض مالييك ٠ V5 « maleic acid بالوزن فورفورال furfural و7001 بالوزن بنزالدهيد benzaldehyde ؛ و 7 بالوزن فورمالدهيد formaldehyde ؛ مع ١,4 بالوزن مركب ثنائي الصيغة الجزيئية لحمض الأكريليك decomposing acrylic acid dimer ؛ وذلك بمعدل 5,١١ كجم/ ساعة. ثم إمداد نسبة قدرها +77 من السائل الأصلي المتبقي الذي تم الحصول عليه من خزان التبلر (Y) إلى الجزء الوسطي لعمود التقطير distillation column في الجهاز الخاص بتحلل المركب الثنائي الصيغة الجزيئية لحمض الأكريليك decomposing acrylic acid dimer . ويتشابه هذا الجهاز مع الجهاز المستخدم في مثال ١؛ وتم تشغيله تحت نفس الظروف الواردة في مثال .١ ومن الجزء الأعلى للعمود؛ تم استرجاع منتج التقطير المحتوى على 784 بالوزن حمض x. الأكرزيليك acrylic acid و ", 4 بالوزن cela و ,70 بالوزن حمض أسيتيك acetic acid ¢
وذلك بمعدل ١,5٠ كجم/ ساعة. وقد تم تدوير منتج التقطير المسترجع بالترافق مع السائل الأصلي المتبقي إلى الجزء الجانبي لعمود الامتصاص absorption column . وقد كان للسائل الذي تم تدويره التركيب الآتي: 777,28 بالوزن حمض أكريليك «acrylic acid و78,5 بالوزن ZEA ela بالوزن حمض أسيتيك acetic acid ؛ و 77,١ بالوزن حمض مالييك maleic acid « ev Ys © بالوزن فورفورال furfural ؛ و 1 بالوزن بنز الدهيد benzaldehyde ¢ و١١ / بالوزن فورمالدهيد formaldehyde ¢ مع 77,9 بالوزن مركب ثنائي الصيغة الجزئية لحمض الأكريليك acrylic acid + مع بالوزن شوائب أخرى. وقد تم عندئذ dad حمض الأكريليك acrylic acid الذي تم الحصول عليه من خزان التبلر إلى جهاز تبلر al ثم تنقيته في هذا الجهاز عن طريق خطوة للتبلر الديناميكي dynamic crystallization ٠ تجرى مرتين متكررتين. وفضلاً عن ذلك تمت معالجة المتبقي من عملية التبلر في هذه الخطوة للتنقية وذلك بأداء خطوة للتبلر الديناميكي dynamic crystallization ؟ مرات متكررة؛ مع خطوة للتبلر الإستاتيكي static crystallization تجرى مرتين CO Sha وقد أجريت عملية التبلر الديناميكي dynamic crystallization في جهاز لتنقية البللورات مطابق لجهاز التبلر crystallizing device الذي تم الكشف عنه في براءة الاختراع اليابانية رقم م١ 7-1597 ١-ب. وعلى canal day كان هذا الجهاز عبارة عن اسطوانة معدنية تزود عند الجزء الأسفل من بوعاء تخزين؛ وتبلغ قياساتها + مم Yoh و١7 مم قطر داخلي؛ وتتكيف لنقل السائل الموجود في وعاء التخزين إلى الجزء العلوي من الاسطوانة بواسطة مضخة للتدوير تسمح بتدفق السائل أسفل سطح الجدار الداخلي للاسطوانة في شكل شريحة رقيقة هابطة. وقد تم تزويد الاسطوانة عند السطح بغلاف ثنائي الجدران تم التحكم فيه بحيث يحتجز عند درجة Vive
حرارة ثابتة معينة بواسطة الترموستات. وقد تم أداء gaa) دورات التبلر الديناميكي dynamic crystallization وذلك وفق الإجراءات ASV) -١ التبلر Crystallization : تم إمداد حمض الأكربليك acrylic acid إلى eles التخزين وسمح له بالهبوط أسفل سطح جدار الاسطوانة في شكل شريحة رقيقة هابطة بواسطة مضخة هه للتدوير بحيث يتم خفض درجة حرارة الغلاف إلى مستوى يقل عن درجة Ala all 6+ مع ترسيب بنسبة TA -7١0 بالوزن من بللورات حمض الأكريليك acrylic acid الموجودة على سطح الجدار. "- التعرق Sweating تم إيقاف مضخة التدوير وتم رفع درجة حرارة الغلاف إلى مستوى يقارب درجة التصلد؛ وذلك لحث تعرق حوالي 7- 75 بالوزن من البللورات. وبالنسبة ١ للصهارة المتبقية بعد التعرق فقد تم كشطها إلى الخارج بواسطة المضخة. ال الإنصهار Melting : ثم رفع درجة حرارة الغلاف إلى مستوى يعلو درجة التصلدء وذلك لحث عملية انصهار البللورات. وقد تم كشط الصهارة الناتجة إلى الخارج بواسطة المضخة. وفي العملية التي جاء وصفها عاليه كانت درجة الحرارة ودرجة التصلد معتمدة على الخطوات ١ ذات العلاقة. وقد أجريت عملية التبلر الإستاتيكى static crystallization في أنبوب مزود عند الجزء السفلي منه بصمام للسحب طول قطره الد اخلي .9 مم وطوله ١ مثرء ومزود عند سطحه بغلاف ثتنائي الجدران. وقد تم التحكم في هذا الغلاف بحيث يتم احتجازه عند مستوى معين ثابت بواسطة م١١٠
— 3 $ _— ترموستات. وفي جولة من دورات التبلر الإستاتيكي static crystallization تم تنفيذ إحدى تلك الدورات وفقاً للإجراءات الآتية: -١ التبلر Crystallization : تم الإمداد بحمض الأكريليك acrylic acid إلى أنبوب + مع تبلر نسبة وزنية منه قدرها = ZA عن طريق خفض درجات حرارة الغلاف إلى مستوى أقل ° من درجة التصلد. "- التعرق Sweating : تم سحب السائل الأصلي المتبقي بعد التبلر خلال الجزء الأسفل من الأنبوب؛ ثم بثقت نسبة وزنية منه تتراوح ما بين -١١ 775 مع رفع درجة حرارة CDN إلى مستوى يقارب درجة التصلد. وبعد التعرق تم سحب السائل المتكون عن طريق التعرق. © ©“- الإنصهار Melting : تم رفع درجة حرارة الغلاف إلى مستوى يزيد عن درجة التصلد؛ وذلك لحث انصهار البللورات. وقد تم سحب الصهارة والحصول على حمض أكريليك acrylic acid ذي درجة نقاء عالية تصل إلى 749,40 بالوزن؛ وذلك بمعدل 7,١٠7 كجم/ ساعة. وفي هذا الوقت؛ احتوى حمض الأكريليك acrylic acid على ٠١ جزء بالمليون من الماءء؛ EVO yo جزء بالمليون بالوزن من حمض الأسيتيك Ys «acetic acid جزء بالمليون بالوزن من حمض المالييك maleic acid » و١١ جزء بالمليون بالوزن من الفورفوال لمسق و7١6٠ جزء بالمليون بالوزن من البنزالدهيد benzaldehyde ؛ وصفر جزء بالمليون بالوزن من الفورمالدهيد formaldehyde ء و١١ جزء بالمليون بالوزن من المركب ثنائي الصيغة الجزيئية لحمض الأكريليك decomposing acrylic acid dimer . ه١٠
.رج وكان مستوى النقاء في حمض الأكريليك acrylic acid الناتج 94,56 7. مثال رقم (*): تم إنتاج حمض الأكريليك acrylic acid باستخدام الجهاز الموضح في شكل .)١( وقد أجريت عملية الإنتاج هذه بإتباع الإجراءات المذكورة في مثال ١؛ مع إمداد سائل التدوير ٠ _المكون في عمود التقطير distillation column والسائل الأصلي المتبقي عند جهاز التبلر ¢ acrylic acid والذي يحتوى على 88 بالوزن حمض الأكريليك crystallizing device ولا, 7 بالوزن ela و١,؟7 بالوزن حمض أسيتيك acetic acid ¢ و“,71 بالوزن حمض مالييك benzaldehyde و *, . 7 بالوزن بنزالدهيد ¢ furfural بالوزن فورفورال 7, ¢ 5 « maleic acid » و77 بالوزن فورمالد هيد formaldehyde + 5 77,1 بالوزن حمض أكريليك acrylic acid ¢ ٠ ولاه 7 بالوزن شوائب eo al وذلك خلال الجزء الجانبي من العمود. وبعد ذلك تم الحصول على محلول حمض أكريليك acrylic acid يحتوى 790,7 بالوزن حمض الأكريليك acrylic «acid و 7,4 بالوزن cela و71,1 بالوزن حمض أسيتيك acetic acid ¢ و١7 بالوزن حمض مالييك maleic acid « ولا,١ 7 بالوزن فورفورال furfural و 7١,7 بالوزن بنزالدهيد benzaldehyde ؛ و4 70.٠ بالوزن فورمالد هيد formaldehyde ¢ و7,5/ بالوزن مركب ثتائي م الصيغة الجزيئية لحمض الأكريليك decomposing acrylic acid dimer « و 7,7١ بالوزن شوائب أخرى. وذلك من الجزء الأسفل من العمود بمعدل 6,776 كجم/ ساعة. وقد تم إمداد الغاز الذي تم الحصول عليه من الجزء الأعلى من العمود وصولاً به إلى الجزء الأسفل لعمود امتصاص absorption column حمض الأكريليك acrylic acid . وفي الوقت نفسه؛ كانت كفاءة absorption column aba Yl 35 ac في acrylic acid امتصاص حمض الأكريليك
JANY Cy. Vive
— 0 \ —
تمت بعد ذلك تنقية هذا المحلول المائي لحمض الأكريليك acrylic acid باستخدام نفس جهاز
التبلر الديناميكي dynamic crystallization في مثال «Y= مع أداء عملية التبلر الديناميكي
dynamic crystallization ؛ مرات.
وهكذاء؛ تم الحصول على حمض الأكريليك acrylic acid بدرجة نقاء عالية تصل إلى 794,94 2 بالوزن بمعدل v,4 كجم/ ساعة.
وفي هذا الوقت؛ احتوى حمض الأكريليك acrylic acid على ٠٠١ جزء بالمليون بالوزن من
cell و٠459 جزء بالمليون بالوزن حمض أسيتيك acetic acid و“ جزء بالمليون بالوزن
حمض مالييك maleic acid ؛ و4١ جزء بالمليون بالوزن فورفورال furfural »و01 جزء
بالمليون بالوزن بنزالدهيد benzaldehyde ؛ وصفر جزء بالمليون بالوزن فورمالدهيد formaldehyde ٠ و١ جزء بالمليون بالوزن مركب ثنائي الصيغة الجزيئية لحمض الأكريليك
. decomposing acrylic acid dimer
وكانت درجة نقاء حمض الأكريليك acrylic acid 44
وقد تم إمداد 745 من السائل الأصسلي المتبقي بالخطوة الخاصة بالتبلر الديناميكي
dynamic crystallization إلى الجزء الوسطى من عمود تقطير المركب ثنائي الصيغة الجزيئية vo الحمض الأكريليك decomposing acrylic acid dimer في جهاز «Jaa وكان
عمود التحلل والتقطير المستخدم للمركب ثتائي الصيغة الجزيئية لحمض الأكريليك
Silas decomposing acrylic acid dimer للعمود المستخدم في مثال = كما تم تشغيله تحت
نفس الظروف التي ثم فيها تشغيل العمود في مثال N=
١٠ه
الى ومن خلال الجزء الأعلى للعمود تم استرجاع منتج تقطير يحتوى على TATE بالوزن حمض أكريليك «acrylic acid و 77,٠ بالوزن ele و77,7 بالوزن حمض أسيتيك acetic acid ¢ وذلك بمعدل VEY كجم/ ساعة. وقد تم تدوير منتج التقطير بالترافق مع السائل الأصلي المتبقي إلى الجزء الجانبي من عمود الامتصاص absorption column ؛ وكان للسائل الذي تم تدويره © التركيب الآتي: 787,5 بالوزن حمض أكريليك acid عنانوعة ؛ 5 ZT, بالوزن cele و١,77 بالوزن حمض أسيتيك acetic acid ¢ و 71,7 بالوزن حمض maleic acid dle » و75 بالوزن فورفورال furfural « و 8 بالوزن بنز الدهيد benzaldehyde + و VA بالوزن فورمالدهيد «formaldehyde و77,7 بالوزن المركب ثائي الصيغة الجزيئية لحمض الأكريليك decomposing acrylic acid dimer ؛ مع LY بالوزن شوائب أخرى. ٠ > مثال مقارن :)١( تم التشغيل هنا بنفس الإجراءات المتبعة في مثال -٠؛ مع استبعاد عملية تدوير السائل المكون من نواتج التقطير على عمود التقطير distillation column والسائل الأصلي المتبقي عن جهاز التبلر crystallizing device إلى عمود الامتصاص absorption column . وبالتالي تم هنا الحصول على محلول مائي من حمض الأكريليك acrylic acid يحتوى على 750 بالوزن vo حمض أكريليك 76,Y 5c acrylic acid بالوزن ZY, A cela بالوزن حمض acetic acid lind ٠ و5 بالوزن حمض مالييك Ys « maleic acid + ,7 بالوزن فورفورال Foo ¥s «furfural بالوزن بنزالدهيد benzaldehyde » 5 )+ ,+7 بالوزن فورمالدهيد formaldehyde ¢ و١/ بالوزن مركب ثنائي الصيغة الجزيئية لحمض الأكريليك decomposing acrylic acid dimer « مع 70.07 بالوزن شوائب أخرى؛ وذلك عن طريق قاعدة العمود المعبأ وبواقع 3,476 كجم/ © ساعة. قد تم dad الغاز الذي تم الحصول عليه عن طريق الجزء الأعلى للعمود إلى الجزء ه١١٠١
~ ov —
الأسفل من عمود امتصاص absorption column حمض الأكريليك acrylic acid . وفي المثال
المقارن -1»؛ كانت كفاءة امتصاص حمض الأكريليك acrvlic acid 7917,560.
وقد تمت تنقية المحلول المائي لحمض الأكريليك acrylic acid المذكور عاليه؛ و7880 من
السائل الأصلي الناتج عن خطوة التبلر (والذي يتكون من 74,6 بالوزن حمض أكريليك ٠ acrylic acid ٠ ,777 بالوزن ماء؛ و 715,١ بالوزن حمض أسيتيك acetic acid ¢ و77,1
بالوزن حمض مالييك maleic acid « و١701 بالوزن فورفورال furfural ؛ و71 بالوزن
بنز الدهيد benzaldehyde « و 7,0 بالوزن فو رمالدهيد formaldehyde »+ و78,/8 بالوزن
المركب ثنائي الصيغة الجزيئية لحمض الأكريليك decomposing acrylic acid dimer « رح /
بالوزن شوائب أخرى) ؛ وذلك باستخدام نفس جهاز التبلر crystallizing device المذكور في ٠ مثال = وبمعدل قدره 7,40 كجم/ ساعة. وقد كان لحمض الأكريليك acrylic acid الذي تم
الحصول عليه درجة نقاء قدرها 749,71 وكان منتج التنقية لهذا الحمض ANY
أفادت نتائج المقارنة بين مثال = والمثال المقارن = aly عند إلغاء إمداد سائل التدوير إلى
عمود الامتصاص absorption column فإن نسبة امتصاص حمض الأكريليك acrylic acid 3 go انخفضت من 798,71 إلى 799/,70. وعندما ثم تدوير TAY من السائل الأصلي إلى خطوة
lal مع استبعاد 77١0 منه خارج الجهاز انخفضت هنا درجة النقاء ونواتج التنقية.
١٠١م
Claims (1)
- : امه عناصر الحمابة-١ ١ طريقة لإنتاج حمض الأكريليك acrylic acid ؛ تشتمل على الخطوات الآتية:" | () إدخال Sle يحتوى على حمض الأكريليك G3 acrylic acid تم الحصول عليه بتفاعل 3 أكسدة حفزية في الطور الغازي .ض ¢ catalytic gas phase oxidation لمادة خام من حمض الأكريليك acrylic acid إلى عمود° امتصاص absorption column ¢ والسماح للغاز بأن يتلامس مع محلول مائي pale ومن1 ثم يتم الحصول على محلول يحتوى على حمض الأكريليك acrylic acidل (wy) إمداد المحلول المحتوى على حمض الأكريليك acrylic acid إلى خطوة لتبلر وفصل A المحلول إلى حمض أكريليك acrylic acid وسائل أصلي متبقي به محتوى حمض q الأسيتيك acetic acid بنسبة لا تقل عن 77 بالوزن» و. ٠ (ج) إخضاع جزء على الأقل من السائل الأصلي المتبقي لعملية تقطيرء مع تدوير ناتج ١١ التقطير الذي تم الحصول عليه إلى عمود الامتصاص absorption column في الخطوة )1( del VY حيث يتم إدخال ناتج التقطير إلى عمود الامتصاص absorption column من موضع AY يختلف عن قمة العمود؛ وبالتالي يتم الحصول على محلول يحتوى على حمض الأكريليك acrylic acid Ve به حمض الأكريليك acrylic acid لا يصل تركيزه إلى Ae بالوزن في Vo عمود الامتصاص absorption column في الخطوة 0( أعلده.١ 7”- طريقة وفقاً لعنصر الحماية o)) وتشتمل أيضاً على خطوة لإمداد سائل قاعدة عمود distillation column adil Y إلى جهاز _لتحلل المركب ثنائي الصيغة الجزيئية لحمض v الأكريليك decomposing acrylic acid dimer .Viveدوه - ١ *- طريقة وفقاً لعنصر الحماية o)) حيث تتم معالجة المحلول الذي يحتوى على حمض Y الأكريليك acrylic acid 4 الخطوة 0( أعلاه لفصل الأكرولين acrolein الموجود بالمحلول؛ "ثم يتم بعد ذلك إدخال محلول حمض الأكريليك acrylic acid الناتج إلى الخطوة (ب) المذكورة. ١ ؛- طريقة وفقاً لعنصر الحماية (١)؛ حيث يتم إخضاع سائل قاعدة عمود التقطير distillation Jill column Y للحصول على حمض الأكريليك acrylic acid .١ ©- طريقة وفقاً لعنصر الحماية of) حيث يتم إدخال ناتج التقطير إلى عمود الامتصاص («absorption column Y موضع يوفر ألواحاً نظرية بما يتراوح من © إلى ١٠٠١ حيث YF يشير رقم اللوحة النظرية )٠٠١( إلى قاع العمرد -column bottom١ +>- طريقة وفقاً لعنصر الحماية (١)؛ حيث يتم إدخال ناتج التقطير إلى العمود من موضع gy " ألواحاً نظرية بما يتراوح من ٠٠ إلى 0٠٠٠ حيث يشير رقم اللوحة النظرية )٠٠١( إلى 3 قاع العمود column bottom .١ #- طريقة لإنتاج حمض الأكريليك acrylic acid ؛ تشتمل على الخطوات:catalytic gas تفاعل مادة خام لحمض بتفاعل أكسدة حفزية في الطور الغازي (0) Y . acrylic acid للحصول على غاز يحتوى على حمض الأكريليك phase oxidation 31 (ب) توصيل الغاز الذي يحتوى على حمض الأكريليك 583d acrylic acid بمحلول ° مائي ماص ضمن عمود الامتصاص absorption column وبالتالي الحصول على 1 محلول يحتوي على حمض أكريليك acrylic acidلا (ج) إمداد المحلول المحتوى على حمض الأكريليك acrylic acid إلى خطوة لتبلرء؛ A وبالتالي فصل المحلول إلى حمض أكريليك acrylic acid وسائل أصلي متبقي م47- اج - 4 )9( إخضاع جزء على الأقل من BL الأصلي المتبقي لعملية تقطير؛ مع تدوير Vo ناتج التقطير الذي تم الحصول عليه إلى عمود الامقصاص absorption column ١١ في الخطوة (ب) أعلاه. ها
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003160773 | 2003-06-05 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SA04250147B1 true SA04250147B1 (ar) | 2008-03-25 |
Family
ID=33157202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SA4250147A SA04250147B1 (ar) | 2003-06-05 | 2004-06-05 | طريقة لإنتاج حمض أكريليك acrylic acid |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7183428B2 (ar) |
| EP (1) | EP1484308B1 (ar) |
| KR (1) | KR100690034B1 (ar) |
| CN (1) | CN100384807C (ar) |
| SA (1) | SA04250147B1 (ar) |
Families Citing this family (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7592483B2 (en) | 2004-07-01 | 2009-09-22 | Basf Aktiengesellschaft | Preparation of acrolein or acrylic acid or a mixture thereof by heterogeneously catalyzed partial gas phase oxidation of propylene |
| US7705181B2 (en) | 2005-03-01 | 2010-04-27 | Basf Akiengesellschaft | Process for removing methacrylic acid from liquid phase comprising acrylic acid as a main constituent and target product, and methacrylic acid as a secondary component |
| KR100999428B1 (ko) * | 2006-01-20 | 2010-12-09 | 니폰 쇼쿠바이 컴파니 리미티드 | (메타)아크릴산의 제조 방법 |
| WO2008033687A2 (en) * | 2006-09-15 | 2008-03-20 | Dow Global Technologies Inc. | Process for producing acrylic acid |
| DE102006049939A1 (de) | 2006-10-19 | 2008-04-24 | Basf Ag | Verfahren zur Trennung von in einem Produktgasgemisch einer partiellen heterogen katalysierten Gasphasenoxidation einer C3-Vorläuferverbindung der Acrylsäure enthaltener Acrylsäure und Benzoesäure |
| WO2008081907A1 (ja) | 2006-12-28 | 2008-07-10 | Nippon Shokubai Co., Ltd. | （メタ）アクリル酸の製造方法 |
| WO2008146613A1 (ja) * | 2007-05-29 | 2008-12-04 | Nippon Shokubai Co., Ltd. | （メタ）アクリル酸の製造方法 |
| DE102007043759A1 (de) | 2007-09-13 | 2008-09-11 | Basf Se | Verfahren zum Betreiben einer kontinuierlichen Abtrennung eines Zielproduktes X in Form von feinteiligem Kristallisat |
| DE102007043748A1 (de) | 2007-09-13 | 2008-09-11 | Basf Se | Verfahren zur kontinuierlichen Abtrennung eines Zielproduktes X in Form von feinteiligem Kristallisat |
| BE1018537A3 (fr) | 2007-09-13 | 2011-03-01 | Basf Se | Procede d'exploitation d'une separation en continu d'un produit cible x sous la forme d'un cristallisat finement divise. |
| DE102007043758A1 (de) | 2007-09-13 | 2008-10-23 | Basf Se | Verfahren zum Betreiben einer kontinuierlichen Abtrennung eines Zielproduktes X in Form von feinteiligem Kristallisat des Zielproduktes X |
| US8426640B2 (en) * | 2008-04-27 | 2013-04-23 | Nippon Shokubai Co., Ltd. | Method for producing acrylic acid, and method for producing hydrophilic resin and method for producing water-absorbing resin using production method thereof |
| DE102008041573A1 (de) | 2008-08-26 | 2010-03-04 | Basf Se | Verfahren zur Auftrennung von in einem Produktgasgemisch einer partiellen heterogen katalysierten Gasphasenoxidation einer C3-Vorläuferverbindung der Acrylsäure als Hauptbestandteil enhaltener Acrylsäure und als Nebenprodukt enthaltenem Glyoxal |
| DE102008040799A1 (de) | 2008-07-28 | 2008-12-11 | Basf Se | Verfahren zur Auftrennung von in einem Produktgasgemisch einer partiellen heterogen katalysierten Gasphasenoxidation einer C3-Vorläuferverbindung der Acrylsäure als Hauptbestandteil enthaltener Acrylsäure und als Nebenprodukt enthaltenem Glyoxal |
| MY153094A (en) | 2008-07-28 | 2014-12-31 | Basf Se | Process for separating acrylic acid present as a main constituent and glyoxal present as a by-product in a product gas mixture of a partial heterogeneously catalyzed gas phase oxidation of a c3 precursor compound of acrylic acid |
| US8680330B2 (en) | 2009-02-03 | 2014-03-25 | Nippon Shokubai Co., Ltd. | Process for producing (meth) acrylic acid |
| EP2450341B1 (en) * | 2009-06-30 | 2021-03-10 | Nippon Shokubai Co., Ltd. | Method for crystallizing acrylic acid |
| WO2011000808A2 (de) | 2009-07-01 | 2011-01-06 | Basf Se | Verfahren der abtrennung von acrylsäure aus dem produktgasgemisch einer heterogen katalysierten partiellen gasphasenoxidation wenigstens einer c3-vorläuferverbindung |
| DE102010001228A1 (de) | 2010-01-26 | 2011-02-17 | Basf Se | Verfahren der Abtrennung von Acrylsäure aus dem Produktgasgemisch einer heterogen katalysierten partiellen Gasphasenoxidation wenigstens einer C3-Vorläuferverbindung |
| DE102009027401A1 (de) | 2009-07-01 | 2010-02-18 | Basf Se | Verfahren der Abtrennung von Acrylsäure aus dem Produktgasgemisch einer heterogen katalysierten partiellen Gasphasenoxidation wenigstens einer C3-Vorläuferverbindung |
| CN102471213B (zh) | 2009-07-03 | 2014-06-04 | 株式会社日本触媒 | (甲基)丙烯酸的结晶装置和(甲基)丙烯酸的结晶方法 |
| DE102010042216A1 (de) | 2010-10-08 | 2011-06-09 | Basf Se | Verfahren zur Hemmung der unerwünschten radikalischen Polymerisation von in einer flüssigen Phase P befindlicher Acrylsäure |
| WO2012124956A2 (ko) | 2011-03-11 | 2012-09-20 | 주식회사 엘지화학 | (메트)아크릴산의 연속 회수 방법 및 회수 장치 |
| CA2781246A1 (en) | 2011-07-14 | 2013-01-14 | Rohm And Haas Company | Method for removal of organic compounds from waste water streams in a process for production of (meth)acrylic acid |
| CN102775295B (zh) * | 2012-08-10 | 2015-07-01 | 上海华谊丙烯酸有限公司 | 一种提纯丙烯酸的方法 |
| KR101455740B1 (ko) * | 2012-11-08 | 2014-11-04 | 주식회사 삼양제넥스 | 결정화 공정 폐기물을 사용하여 수율을 항상시킨 고순도 무수당 알코올의 제조방법 |
| DE102012223695A1 (de) | 2012-12-19 | 2014-06-26 | Basf Se | Verfahren zur Stabilisierung von polymerisationsfähigen Verbindungen |
| US9206109B2 (en) | 2012-12-19 | 2015-12-08 | Basf Se | Method of stabilizing polymerizable compounds |
| CN103111085B (zh) * | 2013-02-20 | 2015-04-01 | 河南神马尼龙化工有限责任公司 | 一种己二酸结晶*** |
| DE102014114193A1 (de) * | 2014-09-30 | 2015-08-13 | Basf Se | Verfahren und Anlage zur Rückgewinnung von Acrylsäure |
| US9776940B2 (en) | 2015-08-07 | 2017-10-03 | Basf Se | Process for production of acrylic acid |
| US11447439B2 (en) | 2018-07-26 | 2022-09-20 | Basf Se | Method for inhibiting unwanted radical polymerisation of acrylic acid present in a liquid phase P |
| EP3770145A1 (en) | 2019-07-24 | 2021-01-27 | Basf Se | A process for the continuous production of either acrolein or acrylic acid as the target product from propene |
| JP2023519280A (ja) | 2020-03-26 | 2023-05-10 | ベーアーエスエフ・エスエー | 液相ｐに存在するアクリル酸の望ましくないフリーラジカル重合を抑制する方法 |
| FR3125048B1 (fr) | 2021-07-09 | 2024-04-19 | Snf Sa | Polymère biosourcé à biodégradabilité améliorée |
| CN115160128A (zh) * | 2022-06-08 | 2022-10-11 | 上海东庚化工技术有限公司 | 一种冰晶丙烯酸的制备方法 |
| WO2024049103A1 (ko) * | 2022-08-30 | 2024-03-07 | 주식회사 엘지화학 | 고순도 (메트)아크릴산의 제조방법 |
| WO2024049101A1 (ko) * | 2022-08-30 | 2024-03-07 | 주식회사 엘지화학 | 고순도 (메트)아크릴산의 제조방법 |
| WO2024049105A1 (ko) * | 2022-08-30 | 2024-03-07 | 주식회사 엘지화학 | 고순도 (메트)아크릴산의 제조방법 |
| WO2024049106A1 (ko) * | 2022-08-30 | 2024-03-07 | 주식회사 엘지화학 | 고순도 (메트)아크릴산의 제조방법 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4317926A (en) * | 1978-01-19 | 1982-03-02 | Nippon Shokubai Kagaku Kogyo Co., Ltd. | Process for preparing and recovering acrylic acid |
| DE19606877A1 (de) * | 1996-02-23 | 1997-08-28 | Basf Ag | Verfahren zur Reinigung von Acrylsäure und Methacrylsäure |
| DE19627847A1 (de) * | 1996-07-10 | 1998-01-15 | Basf Ag | Verfahren zur Herstellung von Acrylsäure |
| JPH1112222A (ja) * | 1997-06-25 | 1999-01-19 | Nippon Shokubai Co Ltd | アクリル酸の回収方法 |
| DE19740252A1 (de) * | 1997-09-12 | 1999-03-18 | Basf Ag | Verfahren zur Herstellung von Acrylsäure und Methacrylsäure |
| DE19829477A1 (de) * | 1998-07-01 | 2000-01-05 | Basf Ag | Verfahren zur Reinigung von Acrylsäure oder Methacrylsäure durch Kristallisation und Destillation |
| DE19833049A1 (de) * | 1998-07-22 | 2000-01-27 | Basf Ag | Verfahren zur Herstellung von Acrylsäure |
| DE19838845A1 (de) | 1998-08-26 | 2000-03-02 | Basf Ag | Verfahren zur Reinigung und zur Herstellung von Acrylsäure |
| US6498272B1 (en) * | 1999-03-06 | 2002-12-24 | Basf Aktiengesellschaft | Method for producing acrylic acid |
| MY122671A (en) * | 1999-03-06 | 2006-04-29 | Basf Ag | Fractional condensation of a product gas mixture containing acrylic acid |
| US6451655B1 (en) | 1999-08-26 | 2002-09-17 | Stmicroelectronics S.R.L. | Electronic power device monolithically integrated on a semiconductor and comprising a first power region and at least a second region as well as an isolation structure of limited planar dimension |
| US6433322B2 (en) | 1999-09-20 | 2002-08-13 | Graphic Packaging Corporation | Abuse-tolerant metallic packaging materials for microwave cooking |
| JP3938646B2 (ja) * | 2000-01-14 | 2007-06-27 | 株式会社日本触媒 | アクリル酸の製造方法 |
| JP2001348359A (ja) | 2000-06-06 | 2001-12-18 | Nippon Shokubai Co Ltd | （メタ）アクリル酸およびそのエステルの重合防止方法ならびにこれらの製造方法 |
| MY123604A (en) * | 2000-06-06 | 2006-05-31 | Nippon Catalytic Chem Ind | Method for preventing polymerization of (meth) acrylic acid and esters thereof and method for the production thereof |
| JP4048076B2 (ja) | 2001-07-10 | 2008-02-13 | 株式会社日本触媒 | ミカエル型付加物の分解方法 |
-
2004
- 2004-06-02 US US10/858,935 patent/US7183428B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-06-04 CN CNB2004100631700A patent/CN100384807C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2004-06-04 EP EP04253319.0A patent/EP1484308B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-06-04 KR KR1020040040754A patent/KR100690034B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-05 SA SA4250147A patent/SA04250147B1/ar unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN100384807C (zh) | 2008-04-30 |
| US20040249199A1 (en) | 2004-12-09 |
| US7183428B2 (en) | 2007-02-27 |
| CN1609091A (zh) | 2005-04-27 |
| KR20040108610A (ko) | 2004-12-24 |
| EP1484308A1 (en) | 2004-12-08 |
| EP1484308B1 (en) | 2018-05-30 |
| KR100690034B1 (ko) | 2007-03-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| SA04250147B1 (ar) | طريقة لإنتاج حمض أكريليك acrylic acid | |
| JP3957298B2 (ja) | アクリル酸の製造方法 | |
| CN100522916C (zh) | 从甲醇羰基化工艺流中去除还原高锰酸盐的化合物 | |
| JP4056429B2 (ja) | （メタ）アクリル酸の製造方法 | |
| JP2007091759A (ja) | 相を形成させるような分離処理により、プロペンおよび／またはアクロレインを接触気相酸化させることによって得られた混合物を精製する方法 | |
| JP2012232996A (ja) | （メタ）アクリル酸の製造方法 | |
| JP2005015478A (ja) | アクリル酸の製造方法 | |
| JP5368673B2 (ja) | （メタ）アクリル酸の製造方法 | |
| JP6772376B2 (ja) | （メタ）アクリル酸の製造方法 | |
| JP2845361B2 (ja) | アクロレインを含む気体流れの精製のための方法及びプラント | |
| KR101757372B1 (ko) | 고순도 아크릴산의 제조방법 | |
| EP3331847B1 (en) | Process for production of acrylic acid | |
| JP2008526799A (ja) | 規格に適合した無水フタル酸の製造方法 | |
| US6921830B2 (en) | Method for purifying an organic solvent for the purposes of absorption of maleic acid anhydride | |
| KR100933077B1 (ko) | 아크롤레인의 정제 방법 | |
| JP2016506969A (ja) | プロペンの不均一系触媒反応による酸化のプロセスガスからのアクロレインの分離方法 | |
| JP4658104B2 (ja) | アクリル酸の製造方法 | |
| JP4050187B2 (ja) | （メタ）アクリル酸の捕集方法 | |
| JP2004358387A (ja) | 蒸留方法および該蒸留方法を用いた（メタ）アクリル酸の製造方法 | |
| US4278503A (en) | Low bromine content glacial acetic acid | |
| JP2003226667A (ja) | （メタ）アクリル酸類製造時の副生物の分解方法 | |
| JP4823194B2 (ja) | （メタ）アクリル酸の製造方法 | |
| JP2010184871A (ja) | アクリル酸の精製方法 |