RU2693521C1 - Module of power semiconductor element with reservoir forming pressure plate - Google Patents

Module of power semiconductor element with reservoir forming pressure plate Download PDF

Info

Publication number
RU2693521C1
RU2693521C1 RU2018110060A RU2018110060A RU2693521C1 RU 2693521 C1 RU2693521 C1 RU 2693521C1 RU 2018110060 A RU2018110060 A RU 2018110060A RU 2018110060 A RU2018110060 A RU 2018110060A RU 2693521 C1 RU2693521 C1 RU 2693521C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
power semiconductor
heat
semiconductor element
module
conducting
Prior art date
Application number
RU2018110060A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Харальд НЮБЕЛЬ
Эльмар КРАУЗЕ
Райнер БАРТЕЛЬМЕСС
Original Assignee
Инфинеон Текнолоджиз Биполар Гмбх Унд Ко Кг
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Инфинеон Текнолоджиз Биполар Гмбх Унд Ко Кг filed Critical Инфинеон Текнолоджиз Биполар Гмбх Унд Ко Кг
Application granted granted Critical
Publication of RU2693521C1 publication Critical patent/RU2693521C1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
    • H01L23/051—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body another lead being formed by a cover plate parallel to the base plate, e.g. sandwich type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/71—Means for bonding not being attached to, or not being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/72—Detachable connecting means consisting of mechanical auxiliary parts connecting the device, e.g. pressure contacts using springs or clips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
    • H01L23/4006—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203—Rectifying Diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203—Rectifying Diode
    • H01L2924/12032—Schottky diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1301—Thyristor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13062—Junction field-effect transistor [JFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

FIELD: electricity.
SUBSTANCE: invention can be used to create a power semiconductor element. Essence of invention consists in the fact that module of power semiconductor element for fixation on cooling body includes: at least one power semiconductor element; contacting means to electrically contact with said at least one power semiconductor element; made in at least separate areas of heat conducting clamping plate; prestressing means, which are designed to pre-strain the contacting means to the power semiconductor element for electrical contact, and power semiconductor element to said at least one heat-conducting region of said heat-conducting clamping plate made in at least separate regions in direction of cooling body for thermal contact; fastening means for securing the prestressing means on the cooling body, wherein the fasteners include the heat-conducting clamping plate made in at least separate regions, wherein said at least in separate areas the heat-conducting clamping plate forms at least one reservoir surrounding the power semiconductor, the filling mass is placed in the reservoir.
EFFECT: technical result: possibility of easy filling of module with filling mass.
11 cl, 5 dwg

Description

Настоящее изобретение относится к модулю силового полупроводникового элемента для закрепления на охлаждающем теле, а также к системе из такого модуля и охлаждающего тела. Модуль включает в себя средства для так называемого прижимного контактирования силового полупроводникового элемента. Касательно встречающихся именно в силовой полупроводниковой электронике проблем при тепловых переменных нагрузках были разработаны для контактирования конструктивных элементов, устойчивых к высокому напряжению и многоамперному току, подобные прижимные контакты. Примерами таких устойчивых к высокому напряжению полупроводниковых элементов являются высоковольтные тиристоры, которые являются центральными конструктивными элементами в высоковольтных преобразователях для распределения электрической энергии. В частности, для таких установок имеют место высокие требования к надежности конструктивных элементов.The present invention relates to a module of a power semiconductor element for mounting on a cooling body, as well as to a system of such a module and a cooling body. The module includes means for the so-called pressure contacting of the power semiconductor element. Regarding the problems encountered in power semiconductor electronics under thermal alternating loads, they have been developed for contacting structural elements resistant to high voltage and multi-ampere current, like pressure contacts. Examples of such high-voltage-resistant semiconductor elements are high-voltage thyristors, which are central structural elements in high-voltage converters for the distribution of electrical energy. In particular, for such installations there are high requirements for the reliability of structural elements.

Силовые полупроводниковые элементы или тому подобное контактируют на принимающем электронные конструктивные элементы носителе посредством предварительно напряженных пружиной прижимных контактов или тому подобного. При этом также установление и поддержание механического и таким образом электрического контакта между контактной областью электронного конструктивного элемента и проводящим ток контактом осуществляется по существу приложенными механически усилиями. Это имеет то преимущество, что посредством соответствующей регулировки механических усилий - например, натяжными устройствами или пружинами - могут в достаточной степени учитываться тепловые переменные нагрузки, возникающие из-за связанных с этой механической фиксацией механических допусков.Power semiconductor elements or the like are contacted on the electronic carrier receiving structural elements by means of pre-tensioned spring-loaded pressure contacts or the like. At the same time, the establishment and maintenance of mechanical and thus electrical contact between the contact area of the electronic component and the conductive contact is carried out by essentially applied mechanical forces. This has the advantage that by appropriately adjusting the mechanical forces — for example, tensioning devices or springs — thermal variables of the load arising from the mechanical tolerances associated with this mechanical fixation can be sufficiently taken into account.

Полупроводниковый элемент находится для предотвращения возможных повреждений посредством перегрева помимо этого в теплопроводном контакте с охлаждающим телом. При помощи охлаждающего тела повышается площадь теплоотдающей поверхности, и тем самым улучшается теплопередача от полупроводникового элемента в окружающую среду, такую как воздух. У известных модулей имеется массивная металлическая воспринимающая давление пластина, которая с одной стороны находится в тепловом контакте с полупроводниковым элементом, а с другой стороны с охлаждающим телом. У имеющихся корпусов воспринимающая давление пластина, называемая также прижимной пластиной, служит не только для теплопередачи между силовым полупроводниковым элементом и охлаждающим телом, но и в первую очередь в качестве опоры для средств прижимного контактирования. Для обеспечения электрического контактирования конструктивного элемента она нагружается прижимным давлением, например от 10 до 20 МПа. Так как тепло должно отводиться через и посредством этой пластины, ее тепловое сопротивление оказывает принципиальное отрицательное воздействие на отведение тепла. Однако на практике возникает помимо этого проблема недостаточного теплового контакта между этой пластиной и охлаждающим телом. Для предотвращения изгибных деформаций на основе прижимных усилий и прилегающих таким образом изгибающих моментов воспринимающая давление пластина разработана в уровне техники как раз сравнительно массивной, с тем недостатком, что эта пластина даже незначительные отклонения от заданной формы области контакта, такие как шероховатости или возникающие из-за вышеупомянутых изгибных деформаций отклонения, между охлаждающим телом и этой пластиной не в состоянии компенсировать. Таким образом, существует та опасность, что теплопередача от силового полупроводникового элемента на охлаждающее тело ухудшена. Ввиду теплового сопротивления существует опасность разрушения и выхода из строя силового полупроводникового элемента.The semiconductor element is located to prevent possible damage by overheating, in addition, in heat-conducting contact with the cooling body. With the help of a cooling body, the heat-transfer surface area is increased, and thereby the heat transfer from the semiconductor element to the environment, such as air, is improved. The known modules have a massive metal pressure sensing plate, which on the one hand is in thermal contact with the semiconductor element, and on the other hand with the cooling body. In existing housings, the pressure-sensing plate, also called the pressure plate, serves not only for heat transfer between the power semiconductor element and the cooling body, but also primarily as a support for the pressure contacting means. To ensure electrical contacting of the structural element, it is loaded with a pressing pressure, for example, from 10 to 20 MPa. Since heat must be removed through and through this plate, its thermal resistance has a fundamental negative effect on heat dissipation. However, in practice, there arises in addition to this the problem of insufficient thermal contact between this plate and the cooling body. To prevent bending deformations based on clamping forces and adjacent bending moments, the pressure-sensing plate was developed in the prior art as being relatively massive, with the disadvantage that this plate even had minor deviations from a given shape of the contact area, such as roughness or The aforementioned flexural deformations deviations between the cooling body and this plate are not able to compensate. Thus, there is the danger that the heat transfer from the power semiconductor element to the cooling body is degraded. Due to thermal resistance, there is a danger of destruction and failure of the power semiconductor element.

Исходя из этих недостатков, данное изобретение имеет своей целью предоставить модуль силового полупроводникового элемента для закрепления на охлаждающем теле, а также соответствующую систему из модуля и охлаждающего тела, при помощи которых теплопередача между силовым полупроводниковым элементом и охлаждающим телом улучшается или обеспечивается и, в частности, модуль силового полупроводника может легче заливаться заливочной массой. Эта задача решается согласно изобретению с помощью модуля с признаками пункта 1 формулы изобретения. Дальнейшие, наиболее предпочтительные варианты осуществления изобретения раскрывают зависимые пункты формулы изобретения. Одинаково предпочтительное применение и способ монтажа являются в каждом случае предметом дополнительных независимых пунктов формулы изобретения. Следует указать на то, что указанные по отдельности в формуле изобретения признаки могут произвольным, технически целесообразным образом комбинироваться друг с другом и показывают дальнейшие варианты осуществления изобретения. Описание дополнительно характеризует и уточняет изобретение, в частности, в связи с фигурами.Based on these drawbacks, this invention aims to provide a power semiconductor module for mounting on a cooling body, as well as a corresponding system of module and cooling body, by which heat transfer between the power semiconductor element and the cooling body is improved or ensured and, in particular, The power semiconductor module can be poured more easily. This problem is solved according to the invention using the module with the characteristics of paragraph 1 of the claims. Further, the most preferred embodiments of the invention disclose the dependent claims. Equally preferred application and method of installation are in each case the subject of additional independent claims. It should be pointed out that the features indicated separately in the claims may be combined in an arbitrary, technically expedient manner with each other and show further embodiments of the invention. The description further characterizes and clarifies the invention, in particular in connection with the figures.

Настоящее изобретение относится к модулю силового полупроводникового элемента, называемому в дальнейшем также кратко модулем, для закрепления на охлаждающем теле, для того чтобы таким образом отходящее тепло, по меньшей мере, одного силового полупроводникового элемента вводить в охлаждающее тело. В отношении силового полупроводникового элемента и его количества изобретение не ограничено. Предпочтительно он является кремниевым управляемым выпрямителем (SCR), регулятором мощности, силовым транзистором, биполярным транзистором с изолированным затвором (IGBT), полевым МОП- (металл-оксид-полупроводник) транзистором (MOSFET), силовым выпрямителем, диодом, например диодом Шоттки, полевым транзистором с p-n-переходом (J-FET), тиристором, например запираемым тиристором, тиристором с затвором, симметричным триодным тиристором (TRIAC), симметричным диодным тиристором (DIAC) или фототиристором. При нескольких силовых полупроводниковых элементах согласно изобретению охвачена любая комбинация из этого. Например, по меньшей мере, один силовой полупроводниковый элемент имеет дискообразный внешний вид, причем одна из плоских основных сторон должна быть обращена к охлаждающему телу. Силовые полупроводниковые элементы соединены, например, по схеме полумоста, полного моста или трехфазного моста.The present invention relates to a module of a power semiconductor element, hereinafter also referred to briefly as a module, for attaching to a cooling body, so that waste heat of at least one power semiconductor element is introduced into the cooling body. With respect to the power semiconductor element and its quantity, the invention is not limited. Preferably, it is a silicon controlled rectifier (SCR), a power regulator, a power transistor, an insulated gate bipolar transistor (IGBT), a MOSFET (metal oxide semiconductor) transistor (MOSFET), a power rectifier, a diode, such as a Schottky diode, a field diode a pn junction transistor (J-FET), a thyristor, such as a lockable thyristor, a thyristor with a gate, a symmetrical triode thyristor (TRIAC), a symmetrical diode thyristor (DIAC), or a photothyristor. With several power semiconductor elements according to the invention, any combination of this is covered. For example, at least one power semiconductor element has a disc-shaped appearance, with one of the flat main sides facing the cooling body. Power semiconductor elements are connected, for example, according to the half-bridge, full bridge or three-phase bridge.

Согласно изобретению предусмотрены помимо этого средства контактирования, для того чтобы электрически контактировать, по меньшей мере, с одним силовым полупроводниковым элементом. Например, средства контактирования расположены, по меньшей мере, частично между описанными ниже средствами предварительного напряжения и силовым полупроводниковым элементом. Например, средства контактирования имеют, по меньшей мере, одну плоскую контактную область для контактирования касанием с конструктивным элементом и на своем другом конце выполнены в соответствии с необходимой технологией соединения, например, в виде штекерного контакта типа "папа" и/или резьбового соединения.According to the invention, in addition to this, contacting means are provided in order to electrically contact at least one power semiconductor element. For example, the contacting means are located at least partially between the prestressing means described below and the power semiconductor element. For example, the contacting means have at least one flat contact area for contacting with a structural element and at its other end are made in accordance with the necessary connection technology, for example, in the form of male and / or threaded connection.

Согласно изобретению предусмотрена далее выполненная, по меньшей мере, в отдельных областях теплопроводной прижимная пластина. Например, прижимная пластина выполнена теплопроводной полностью теплопроводной или теплопроводной только в одной или нескольких областях. Например, пластина, по меньшей мере, в отдельных областях или полностью состоит из металла и/или металлического сплава и/или керамики. Предпочтительно прижимная пластина имеет, по меньшей мере, в теплопроводной области или теплопроводных областях алюминий или медь или керамику из нитрида алюминия. В другом варианте осуществления пластина состоит из пластика, такого как термопласт, который в теплопроводной области или теплопроводных областях имеет металлические частицы. Например, прижимная пластина изготовлена из пластичного, теплопроводного материала, такого как медь. Сравнительно высокая пластичность прижимной пластины по сравнению с материалами, которые используются для прилегающих к прижимной пластине элементов, таких как охлаждающее тело или описанная ниже, изолирующая электричество промежуточная пластина, улучшает теплопередачу между охлаждающим телом и силовым полупроводниковым элементом, так как пластичный материал может благодаря своей высокой пластичности компенсировать неровности в области контакта.According to the invention, further provided is a heat-conducting pressure plate made at least in certain areas. For example, the pressure plate is heat-conducting completely heat-conducting or heat-conducting only in one or several areas. For example, the plate, at least in certain areas, or completely consists of metal and / or metal alloy and / or ceramics. Preferably, the pressure plate has aluminum or copper or aluminum nitride ceramics in at least a heat-conducting region or heat-conducting regions. In another embodiment, the plate consists of plastic, such as a thermoplastic, which has metallic particles in a heat-conducting region or heat-conducting regions. For example, the pressure plate is made of plastic, heat-conducting material, such as copper. The comparatively high plasticity of the pressure plate compared to the materials used for elements adjacent to the pressure plate, such as a cooling body or an insulating intermediate plate described below, improves heat transfer between the cooling body and the power semiconductor element, since the ductile material can, due to its high ductility compensate for irregularities in the contact area.

Кроме того, предусмотрены согласно изобретению средства предварительного напряжения, которые рассчитаны для того, чтобы предварительно напрягать средства контактирования к силовому полупроводниковому элементу для электрического контактирования, а силовой полупроводниковый элемент, по меньшей мере, к одной теплопроводной области прижимной пластины, предпочтительно в направлении охлаждающего тела, для термического контактирования. Согласно изобретению средства предварительного напряжения принимают как функцию электрического прижимного контактирования, так и функцию теплового контактирования между силовым полупроводниковым элементом и прижимной пластиной, соответственно, охлаждающим телом благодаря тому, что они расположены, например, таким образом, что после монтажа силового полупроводникового элемента средства контактирования зажаты между охлаждающим телом и средством предварительного напряжения. Существуют принципиальные преимущества предусмотренного согласно изобретению прижимного контактирования, а именно то, что можно отказаться от контактирования пайкой, которое имеет тот недостаток, что оно менее термически устойчиво. Прижимное контактирование гарантирует помимо этого то, что в случае неисправности при так называемом "сваривании" силового полупроводникового элемента возникает короткое замыкание, которое может быть обнаружено.In addition, according to the invention, prestressing means are provided which are designed to prestress the contacting means to the power semiconductor element for electrical contacting, and the power semiconductor element to at least one heat conducting area of the pressure plate, preferably in the direction of the cooling body, for thermal contacting. According to the invention, the prestressing means accept both the function of electrical pressure contacting and the function of thermal contact between the power semiconductor element and the pressure plate, respectively, cooling body due to the fact that they are arranged, for example, in such a way that after mounting the power semiconductor element the contacting means are clamped between the cooling body and the prestressing means. There are fundamental advantages of the clamping contact according to the invention, namely that it is possible to refuse contacting by soldering, which has the disadvantage that it is less thermally stable. Pressure contacting also guarantees that in the event of a fault, a so-called "welding" of the power semiconductor element causes a short circuit that can be detected.

Далее предусмотрены крепежные средства для закрепления средств предварительного напряжения на охлаждающем теле, причем крепежные средства включают в себя, по меньшей мере, в отдельных областях теплопроводную прижимную пластину.Further, fastening means are provided for fastening the prestressing means to the cooling body, the fastening means including, at least in certain areas, a heat-conducting pressure plate.

Согласно изобретению, по меньшей мере, в отдельных областях теплопроводная прижимная пластина образует, по меньшей мере, один окружающий силовой полупроводниковый элемент или при необходимости все силовые полупроводниковые элементы резервуар (карман). В качестве резервуара понимается гнездо с дном и окружающей стенкой, причем силовой полупроводниковый элемент расположен в гнезде. Окружающая стенка приводит к механической устойчивости прижимной пластины, так что, в частности, толщина материала прижимной пластины в предусмотренной для расположения между силовым полупроводниковым элементом и охлаждающим телом области может для лучшей теплопередачи уменьшаться, не угрожая при этом механической устойчивости прижимной пластины, в частности, при ее использовании в качестве опоры для средств предварительного напряжения. Существует далее таким образом возможность перейти на сравнительно более подходящие или более легкие материалы, такие как алюминий, для прижимной пластины, не угрожая устойчивости прижимной пластины. Одновременно существует благодаря форме резервуара возможность использовать заполняющую резервуар полностью или частично заливочную массу, для того чтобы, по меньшей мере, один силовой полупроводниковый элемент защищать от грязи и влаги. Для того чтобы защищать расположенные в модуле силовые полупроводниковые элементы, и для обеспечения достаточной электрической изоляции компоненты, в частности силовые полупроводниковые элементы, покрыты в корпусе мягкой заливочной массой (например, силиконовым гелем, который относится к группе холодно-вулканизируемых, двухкомпонентных кремнийорганических эластомеров) и тем самым защищены. Далее может быть предусмотрено покрытие из эпоксидной смолы.According to the invention, at least in certain areas a heat-conducting pressure plate forms at least one surrounding power semiconductor element or, if necessary, all power semiconductor elements a reservoir (pocket). A reservoir is understood as a nest with a bottom and a surrounding wall, and the power semiconductor element is located in the nest. The surrounding wall leads to mechanical stability of the pressure plate, so that, in particular, the thickness of the pressure plate material in the area provided for positioning between the power semiconductor element and the cooling body can decrease for better heat transfer without compromising the mechanical stability of the pressure plate, in particular its use as a support for prestressing means. It is further possible in this way to switch to comparatively more suitable or lighter materials, such as aluminum, for the pressure plate, without threatening the stability of the pressure plate. Due to the shape of the tank, it is possible at the same time to use a filling tank, either fully or partially, in order to protect at least one power semiconductor element from dirt and moisture. In order to protect the power semiconductor elements located in the module, and to ensure sufficient electrical insulation, components, in particular power semiconductor elements, are covered in the housing with soft casting mass (for example, silicone gel, which belongs to the group of cold-vulcanized, two-component silicone elastomers) and thereby protected. Further, an epoxy resin coating may be provided.

Окружающая стенка и вызванное ею придание устойчивости, в частности, также относительно изгибающей нагрузки от средств предварительного напряжения, предотвращают таким образом при сравнительно небольших размерах и одновременно хорошей теплопроводности изгиб в области присоединения к охлаждающему телу, так что в итоге не доходит за счет механической деформации до нарушения термического соединения с охлаждающим телом. Высокая механическая устойчивость прижимной пластины обеспечивает помимо этого в варианте осуществления надежное закрепление средств предварительного напряжения на охлаждающем теле через прижимную пластину. Прижимная пластина закрепляется со своей стороны, например, винтами на охлаждающем теле.The surrounding wall and the resulting imparting of stability, in particular, also relative to the bending load from the prestressing means, thus prevent with relatively small dimensions and at the same time good thermal conductivity, bending in the area of attachment to the cooling body, so that, as a result, the mechanical deformation does not reach violation of thermal connection with the cooling body. The high mechanical stability of the pressure plate also provides, in an embodiment, with reliable fixing of the prestressing means on the cooling body through the pressure plate. The clamping plate is fixed on its part, for example, with screws on the cooling body.

Согласно предпочтительному варианту осуществления прижимная пластина имеет на своей обращенной к силовому полупроводниковому элементу стороне седло, например, для силового полупроводникового элемента и/или для опционально предусмотренной между силовым полупроводниковым элементом и прижимной пластиной, изолирующей электричество промежуточной пластины и/или для средств контактирования. Предпочтительно седло совпадает в каждом случае с одной из теплопроводных областей. Тем самым существует возможность предварительно напрягать силовой полупроводниковый элемент средствами предварительного напряжения к прижимной пластине, то есть в седло прижимной пластины, даже при отсутствующем охлаждающем теле. Таким образом, силовой полупроводниковый элемент не может потеряться. Далее существует возможность модуль предварительно собирать и в смонтированном состоянии хранить и транспортировать.According to a preferred embodiment, the pressure plate has a seat on its side facing the power semiconductor element, for example, for a power semiconductor element and / or for an optionally provided between the power semiconductor element and a pressure plate that insulates the intermediate plate electricity and / or for contacting means. Preferably, the saddle coincides in each case with one of the heat-conducting regions. Thereby it is possible to pre-tension the power semiconductor element by means of prestressing to the pressure plate, i.e., into the seat of the pressure plate, even with the missing cooling body. Thus, the power semiconductor element can not be lost. Further, it is possible to pre-assemble the module and store and transport it in the assembled state.

Теплопроводная область выполнена предпочтительно таким образом, что она имеет поперечное сечение, которое практически конгруэнтно с предусмотренной для термического соединения поверхностью силового полупроводникового элемента. Предпочтительно теплопроводная область выполнена круглой.The heat-conducting region is preferably made in such a way that it has a cross section that is practically congruent with the surface of the power semiconductor element provided for thermal connection. Preferably, the heat conducting region is circular.

Предпочтительно седло выполнено в виде посадки с зазором или посадки с натягом для силового полупроводникового элемента и/или изолирующей электричество промежуточной пластины и/или средств контактирования. Седло выполняется, например, посредством нескольких образованных прижимной пластиной ребер. Наиболее предпочтительно седло выполняется посредством утопленной поверхности прилегания, например, утопленной относительно окружающей поверхности прижимной пластины в диапазоне от 0,5 до 2 мм. В варианте осуществления предусмотрены комбинации из ребер и утопленной поверхности прилегания.Preferably, the saddle is made in the form of a fit with a gap or a fit with a fit for a power semiconductor element and / or an electricity insulating intermediate plate and / or contact means. The saddle is made, for example, by means of several ribs formed by the pressure plate. Most preferably, the seat is performed by means of a recessed surface of contact, for example, a recessed relative to the surrounding surface of the pressure plate in the range from 0.5 to 2 mm. In an embodiment, combinations of ribs and a recessed fit surface are provided.

Предпочтительно средства предварительного напряжения включают в себя тарельчатую пружину или пластинчатую пружину.Preferably, the prestress means includes a cup spring or a plate spring.

Далее, согласно дальнейшему предпочтительному варианту осуществления модуль включает в себя упомянутую выше, проводящую тепло, изолирующую электричество промежуточную пластину для расположения между силовым полупроводниковым элементом и охлаждающим телом. Например, пластина изготовлена по существу или полностью из керамики из нитрида алюминия.Further, according to a further preferred embodiment, the module includes the aforementioned, heat conducting, insulating electricity intermediate plate for positioning between the power semiconductor element and the cooling body. For example, the plate is made essentially or entirely of aluminum nitride ceramics.

Предпочтительно при помощи средств предварительного напряжения предварительное напряжение может регулироваться. Для этого средства предварительного напряжения включают в себя, например, по меньшей мере, одно резьбовое соединение. Таким образом, давление для теплового и электрического контактирования силового полупроводникового элемента с охлаждающим телом или средств контактирования с конструктивным элементом может средствами предварительного напряжения, например, резьбовым соединением, регулироваться и/или подстраиваться.Preferably, using pre-voltage means, the pre-voltage can be adjusted. For this, the prestress means includes, for example, at least one threaded connection. Thus, the pressure for thermal and electrical contacting the power semiconductor element with the cooling body or the means of contacting the structural element can be pre-stressed by means of a threaded connection, adjusted and / or adjusted.

Согласно одному предпочтительному варианту изобретения, модуль силового полупроводника включает в себя колпак или крышку, чтобы вместе с резервуаром задавать полый объем для приема упомянутого, по меньшей мере, одного силового полупроводникового элемента.According to one preferred embodiment of the invention, the power semiconductor module includes a cap or a lid, in order to set together with a reservoir a hollow volume for receiving said at least one power semiconductor element.

Далее изобретение относится к системе из модуля в одном из вышеописанных предпочтительных вариантов осуществления и охлаждающего тела, например, ребристого охлаждающего тела. Оно состоит, например, из алюминия.The invention further relates to a system from a module in one of the preferred embodiments described above and a cooling body, for example, a ribbed cooling body. It consists, for example, of aluminum.

Далее изобретение относится к применению модуля для выключения, регулирования и/или выпрямления электрического тока, в частности, токов до 800 А и напряжений до 3600 В.The invention further relates to the use of a module for switching off, regulating and / or rectifying electrical current, in particular, currents up to 800 A and voltages up to 3600 V.

Дальнейшие признаки и преимущества изобретения проистекают из остальных пунктов формулы изобретения, а также последующего описания примеров осуществления изобретения, которые должны пониматься как неограничивающие и в дальнейшем разъясняются более подробно со ссылкой на чертежи. На этом чертежах схематично показаны:Further features and advantages of the invention arise from the remaining claims, as well as the subsequent description of embodiments of the invention, which should be understood as non-limiting and are further explained in more detail with reference to the drawings. On this drawings are shown schematically:

фиг.1 - вид в перспективе сбоку соответствующей изобретению прижимной пластины 1 в одном варианте осуществления;FIG. 1 is a side perspective view of a pressure plate 1 according to the invention in one embodiment; FIG.

фиг.2 - вид в перспективе сбоку другого варианта осуществления соответствующей изобретению прижимной пластины 1 с вставленными в нее нижними средствами контактирования;FIG. 2 is a side perspective view of another embodiment of a pressure plate 1 according to the invention with lower contact means inserted thereto; FIG.

фиг.3 - вид в перспективе сбоку показанного на фиг.1 варианта осуществления соответствующей изобретению прижимной пластины 1 с вставленными в нее силовыми полупроводниковыми элементами и комплектующими средствами контактирования;FIG. 3 is a side perspective view of the embodiment of the pressure plate 1 according to the invention shown in FIG. 1 with power semiconductor elements and component contacting components inserted into it;

фиг.4 - вид в перспективе сбоку показанного на фиг.1 варианта осуществления соответствующей изобретению прижимной пластины 1 с вставленными в нее силовыми полупроводниковыми элементами и комплектующими средствами предварительного напряжения; иFIG. 4 is a side perspective view of the embodiment of the pressure plate 1 according to the invention shown in FIG. 1 with power semiconductor elements and component pre-voltage components inserted into it; and

фиг.5 - вид в перспективе соответствующего изобретению модуля 20, который был укомплектован посредством надевания колпака на показанную на фиг.4 прижимную пластину 1 и закреплен на охлаждающем теле.FIG. 5 is a perspective view of a module 20 according to the invention, which has been completed by putting the cap on the pressure plate 1 shown in FIG. 4 and is fixed on the cooling body.

На фиг.1 подробно показана прижимная пластина 1 соответствующего изобретению, показанного на фиг.5 модуля 20, который является частью крепежных средств, при помощи которых показанный на фиг.5 модуль 20 закрепляется на неизображенном охлаждающем теле, благодаря тому, что поверхность 8, а именно отвернутая от наблюдателя сторона на фиг.1, прилегает к охлаждающему телу. Поверхность 8 выполнена, в общем и целом, плоской. Для закрепления прижимной пластины 1 она имеет четыре отверстия 7. При помощи проходящих сквозь отверстия 7, неизображенных винтов осуществляется разъемное закрепление прижимной пластины 1 и тем самым модуля 20 с фиг.5 на охлаждающем теле. Прижимная пластина 1 изготовлена из алюминия и посредством задающего ее форму литья и имеет наряду с дном 10 проходящую по периметру (окружную), выполненную за одно целое с дном 10 стенку 3. Так как прижимная пластина 1 изготовлена из алюминия, она полностью теплопроводна. Следовательно, прижимная пластина 1 теплопроводна в данном случае не только в отдельных областях. Эта стенка 3 представляет собой механическое усиление прижимной пластины 1, так что дно 10 может оказываться сравнительно тонким. Стенка 3 определяет резервуароподобную (карманоподобную) выемку 9, которая в данном случае разделена не достигающей высоты стенки промежуточной перемычкой 5 на две предусмотренные в каждом случае для отдельного силового полупроводникового элемента камеры. Резервуар 9 служит помимо этого для приема неизображенной заливочной массы. В стенке 3 выполнены отверстия 4, которые служат для закрепления средств предварительного напряжения, которые разъясняются более подробно при помощи фиг.4. В прижимной пластине 1 выполнено седло 2, 6. Седло образуется с одной стороны круглым углублением 2 на заданной дном 10 поверхности, а с другой стороны парами диаметрально противоположных ребер 6 и служит в совокупности для установления и позиционирования прилегающей к прижимной пластине 1 изолирующей шайбы и части 11 средств контактирования, как показано на фиг.2. На фиг.2 показан другой вариант осуществления соответствующей изобретению прижимной пластины 1, в котором отказались от выполнения ребер 6 с фиг.1.Fig. 1 shows in detail the pressure plate 1 of the invention in accordance with the invention shown in Fig. 5, which is part of the fastening means, with which the module 20 shown in Fig. 5 is fixed on the non-visible cooling body, due to the fact that the surface 8, and it is precisely the side that is turned away from the observer in FIG. 1 that is adjacent to the cooling body. The surface 8 is made, in General, flat. To secure the clamping plate 1, it has four holes 7. With the help of the screws that are not shown, passing through the holes 7, detachable fixing of the clamping plate 1 and thereby the module 20 of FIG. 5 on the cooling body is performed. The pressure plate 1 is made of aluminum and, by means of the casting that defines its shape, has, along with the bottom 10, a circumferential (circumferential) made in one piece with the bottom 10 a wall 3. Since pressure plate 1 is made of aluminum, it is completely heat-conducting. Therefore, the pressure plate 1 is thermally conductive in this case not only in certain areas. This wall 3 is a mechanical reinforcement of the pressure plate 1, so that the bottom 10 can be relatively thin. Wall 3 defines a tank-like (pocket-like) recess 9, which in this case is divided by an intermediate bridge 5 that does not reach the height of the wall into two provided in each case for a separate power semiconductor element of the chamber. The reservoir 9 serves in addition to receiving non-depicted casting mass. In the wall 3 there are holes 4, which serve to secure the prestressing means, which are explained in more detail with the help of FIG. 4. In the clamping plate 1, the saddle 2 is made. 6. The saddle is formed on one side by a circular recess 2 on a predetermined bottom 10 surface, and on the other side by pairs of diametrically opposed ribs 6 and serves together to establish and position the insulating washer and part adjacent to the clamping plate 1 11 means of contact, as shown in FIG. FIG. 2 shows another embodiment of a pressure plate 1 according to the invention, in which the fins 6 of FIG. 1 have been abandoned.

На фиг.3 показано состояние монтажа, в котором два силовых полупроводниковых элемента 12 вставлены в резервуар 9, и укомплектованы включающими в себя нагрузочные 11 и управляющие 16 присоединительные элементы средствами 11, 16 контактирования. На фиг.4 смонтированы средства 13, 14 предварительного напряжения. Для этого на каждый силовой полупроводниковый элемент 12 предусмотрена перекрывающая этот элемент 12 и расположенную над ним тарельчатую пружину 19 пластина 14, которые при помощи винтов 13, которые входят в отверстия 4 прижимной пластины 1, предварительно напрягают силовые полупроводники 12 к прижимной пластине 1 в направлении неизображенного охлаждающего тела, для того чтобы посредством прижимного контактирования обеспечивать и электрическое, и тепловое контактирование. Благодаря винтам 13 предварительное напряжение может регулироваться.Figure 3 shows the installation state in which two power semiconductor elements 12 are inserted into the tank 9, and are equipped with load 11 and control 16 connecting elements by means 11, 16 of contacting. 4, prestressing means 13, 14 are mounted. To do this, for each power semiconductor element 12 there is provided a plate 14 which overlaps this element 12 and a disc spring 19 located above it, which with the help of screws 13, which enter holes 4 of the pressure plate 1, pretension the power semiconductors 12 to the pressure plate 1 in the direction of the non-visible cooling body, in order to ensure both electrical and thermal contacting by means of pressure contacting. Thanks to the screws 13, the pre-voltage can be adjusted.

Фиг.5 показывает собранный до конца после заливки неизображенной заливочной массой и после покрытия прижимной пластины 1 колпаком 15 модуль 20. Колпак 15 имеет проемы, так что нагрузочные выводы 11 и управляющие выводы 16 остаются доступными снаружи для электрического контактирования. Кроме того, показаны относящиеся к крепежным средствам винты 17, которые проходят сквозь отверстия 7 прижимной пластины 1, чтобы привинчивать ее поверхностью 8 к охлаждающему телу 18 с прилеганием к нему.FIG. 5 shows the module 20 assembled to the end after pouring with a non-illustrated casting mass and after coating the pressure plate 1 with a cap 15. The cap 15 has openings so that the load terminals 11 and the control leads 16 remain accessible outside for electrical contact. In addition, fastening screws 17 are shown that pass through the holes 7 of the pressure plate 1 in order to fasten it with the surface 8 to the cooling body 18 with adherence to it.

Claims (17)

1. Модуль (20) силового полупроводникового элемента для закрепления на охлаждающем теле (18), включающий в себя:1. Module (20) of a power semiconductor element for fixing on a cooling body (18), including: - по меньшей мере, один силовой полупроводниковый элемент (12);- at least one power semiconductor element (12); - средства (11, 16) контактирования, чтобы электрически контактировать с упомянутым, по меньшей мере, одним силовым полупроводниковым элементом (12);- contacting means (11, 16) in order to electrically contact with said at least one power semiconductor element (12); - выполненную, по меньшей мере, в отдельных областях теплопроводной прижимную пластину (1);- performed at least in certain areas of the heat-conducting pressure plate (1); - средства (13, 14, 19) предварительного напряжения, которые рассчитаны для того, чтобы предварительно напрягать средства (11, 16) контактирования к силовому полупроводниковому элементу (12) для электрического контактирования, а силовой полупроводниковый элемент (12) к упомянутой, по меньшей мере, одной теплопроводной области упомянутой выполненной, по меньшей мере, в отдельных областях теплопроводной прижимной пластины (1) в направлении охлаждающего тела (18) для термического контактирования;- means (13, 14, 19) of prestressing, which are designed to pre-strain the means (11, 16) of contacting to the power semiconductor element (12) for electrical contacting, and the power semiconductor element (12) to said, at least at least one heat-conducting region mentioned above made at least in certain areas of the heat-conducting pressure plate (1) in the direction of the cooling body (18) for thermal contact; - крепежные средства (1, 7, 17) для закрепления средств предварительного напряжения на охлаждающем теле (18), причем крепежные средства (1, 7, 17) включают в себя упомянутую выполненную, по меньшей мере, в отдельных областях теплопроводной прижимную пластину (1), причем упомянутая, по меньшей мере, в отдельных областях теплопроводная прижимная пластина (1) образует, по меньшей мере, один окружающий силовой полупроводник (12) резервуар (9),- fastening means (1, 7, 17) for fastening the prestressing means on the cooling body (18), and the fastening means (1, 7, 17) include the above-mentioned heat-conducting pressure plate (1 ), moreover, at least in certain areas, the heat-conducting pressure plate (1) forms at least one reservoir (9) surrounding the power semiconductor (12), отличающийся тем, что в резервуаре (9) размещена заливочная масса.characterized in that in the tank (9) there is a casting mass. 2. Модуль (20) силового полупроводника по п.1, причем выполненная, по меньшей мере, в отдельных теплопроводной прижимная пластина (1) на своей обращенной к силовому полупроводниковому элементу (12) стороне образует совпадающее с теплопроводной областью седло (2, 6).2. The module (20) of the power semiconductor according to claim 1, moreover, the pressure plate (1) formed at least in separate heat-conducting plate (1) on its side facing the power semiconductor element (12) forms a saddle (2, 6) . 3. Модуль (20) силового полупроводника по п.1, причем прижимная пластина (1) или, по меньшей мере, упомянутая теплопроводная область определена из теплопроводного материала или посредством теплопроводной присадки в материале прижимной пластины (1) или теплопроводной области.3. The power semiconductor module (20) according to claim 1, wherein the pressure plate (1) or at least said heat-conducting region is determined from the heat-conducting material or by heat-conducting additive in the pressure-plate material (1) or the heat-conducting region. 4. Модуль (20) силового полупроводника по п.1, причем теплопроводная область образована посредством вкладки, соединенной с замыканием материала с остающейся частью прижимной пластины, выполненной, по меньшей мере, в отдельных областях теплопроводной.4. Module (20) of the power semiconductor according to claim 1, wherein the heat-conducting region is formed by means of a tab connected to the closure of the material with the remaining part of the pressure plate made at least in certain heat-conducting regions. 5. Модуль (20) силового полупроводника по п.1, причем средства (13, 14, 19) предварительного напряжения включают в себя тарельчатую пружину (19) или пластинчатую пружину.5. The power semiconductor module (20) according to claim 1, wherein the pre-stress means (13, 14, 19) include a cup-shaped spring (19) or a plate spring. 6. Модуль (20) силового полупроводника по п.1, дополнительно включающий в себя проводящую тепло, изолирующую электричество промежуточную пластину для расположения между силовым полупроводниковым элементом (12) и охлаждающим телом (18).6. The power semiconductor module (20) according to claim 1, further comprising conductive heat, an insulating intermediate plate for positioning between the power semiconductor element (12) and the cooling body (18). 7. Модуль (20) силового полупроводника по п.6, причем проводящая тепло изолирующая электричество промежуточная пластина расположена между силовым полупроводниковым элементом и, по меньшей мере, в отдельных областях теплопроводной прижимной пластиной (1).7. Module (20) of the power semiconductor according to claim 6, wherein the heat conducting electrically insulating intermediate plate is located between the power semiconductor element and, at least in certain areas, with heat conducting pressure plate (1). 8. Модуль (20) силового полупроводника по п.1, включающий в себя колпак (15) или крышку, чтобы вместе с резервуаром (9) задавать полый объем для приема упомянутого, по меньшей мере, одного силового полупроводникового элемента.8. Module (20) of a power semiconductor according to claim 1, comprising a cap (15) or a lid, in order to set together with a reservoir (9) a hollow volume for receiving said at least one power semiconductor element. 9. Модуль (20) силового полупроводника по п.1, причем при помощи средств (13, 14, 17) предварительного напряжения предварительное напряжение является регулируемым.9. Module (20) of the power semiconductor according to claim 1, and with the help of the means (13, 14, 17) of the pre-voltage the pre-voltage is adjustable. 10. Модуль (20) силового полупроводника по п.1, причем упомянутый, по меньшей мере, один силовой полупроводниковый элемент (12) является кремниевым управляемым выпрямителем (SCR), регулятором мощности, силовым транзистором, биполярным транзистором с изолированным затвором (IGBT), полевым МОП-транзистором (MOSFET), силовым выпрямителем, диодом, например диодом Шоттки, полевым транзистором с p-n-переходом (J-FET), тиристором, например запираемым тиристором, тиристором с затвором, симметричным триодным тиристором (TRIAC), симметричным диодным тиристором (DIAC) или фототиристором, или несколько силовых полупроводниковых элементов являются комбинациями из этого.10. The power semiconductor module (20) according to claim 1, wherein said at least one power semiconductor element (12) is a silicon controlled rectifier (SCR), a power regulator, a power transistor, an insulated gate bipolar transistor (IGBT), a MOSFET (MOSFET), a power rectifier, a diode, such as a Schottky diode, a field-effect transistor with a pn junction (J-FET), a thyristor, such as a lockable thyristor, a thyristor with a gate, a symmetric triode thyristor (TRIAC), a symmetrical diode thyristor ( DIAC) or A photothyristor, or several power semiconductor elements are combinations of this. 11. Система из модуля (20) силового полупроводника по любому из пп.1-10 и охлаждающего тела (18).11. The system of the module (20) power semiconductor according to any one of claims 1 to 10 and the cooling body (18).
RU2018110060A 2015-08-25 2016-08-24 Module of power semiconductor element with reservoir forming pressure plate RU2693521C1 (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102015114046 2015-08-25
DEDE102015114046.2 2015-08-25
PCT/DE2016/000328 WO2017032356A1 (en) 2015-08-25 2016-08-24 Power semiconductor device module having a pressure plate that forms a basin

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2693521C1 true RU2693521C1 (en) 2019-07-03

Family

ID=57256010

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2018110060A RU2693521C1 (en) 2015-08-25 2016-08-24 Module of power semiconductor element with reservoir forming pressure plate

Country Status (4)

Country Link
CN (1) CN208093538U (en)
DE (1) DE112016003856A5 (en)
RU (1) RU2693521C1 (en)
WO (1) WO2017032356A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU224482U1 (en) * 2023-12-28 2024-03-26 Российская Федерация, От Имени Которой Выступает Министерство Промышленности И Торговли Российской Федерации High voltage power transistor with insulated gate

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11063495B2 (en) 2019-07-01 2021-07-13 Nidec Motor Corporation Heatsink clamp for multiple electronic components

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2728564A1 (en) * 1977-06-24 1979-01-11 Siemens Ag SEMICONDUCTOR COMPONENT
JPS56130958A (en) * 1980-02-13 1981-10-14 Semikron Gleichrichterbau Semiconductor forming unit
US4390891A (en) * 1979-10-19 1983-06-28 Siemens Aktiengesellschaft Semiconductor component with a plurality of semiconductor elements
EP0138048A2 (en) * 1983-09-29 1985-04-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Press-packed semiconductor device
EP2833404A1 (en) * 2012-03-28 2015-02-04 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4068368A (en) * 1975-10-14 1978-01-17 The Bendix Corporation Closure for semiconductor device and method of construction
DE2942401C2 (en) * 1979-10-19 1984-09-06 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Semiconductor component with several semiconductor bodies
JPS6074461A (en) * 1983-09-29 1985-04-26 Toshiba Corp Semiconductor device
JPS6074462A (en) * 1983-09-29 1985-04-26 Toshiba Corp Semiconductor device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2728564A1 (en) * 1977-06-24 1979-01-11 Siemens Ag SEMICONDUCTOR COMPONENT
US4390891A (en) * 1979-10-19 1983-06-28 Siemens Aktiengesellschaft Semiconductor component with a plurality of semiconductor elements
JPS56130958A (en) * 1980-02-13 1981-10-14 Semikron Gleichrichterbau Semiconductor forming unit
EP0138048A2 (en) * 1983-09-29 1985-04-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Press-packed semiconductor device
EP2833404A1 (en) * 2012-03-28 2015-02-04 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU224482U1 (en) * 2023-12-28 2024-03-26 Российская Федерация, От Имени Которой Выступает Министерство Промышленности И Торговли Российской Федерации High voltage power transistor with insulated gate

Also Published As

Publication number Publication date
DE112016003856A5 (en) 2018-05-03
WO2017032356A1 (en) 2017-03-02
CN208093538U (en) 2018-11-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9572291B2 (en) Semiconductor device and method for manufacturing same
CN107611110B (en) Power semiconductor device
US9088226B2 (en) Power module for converting DC to AC
US9437508B2 (en) Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device
US10049962B2 (en) Arrangement of multiple power semiconductor chips and method of manufacturing the same
EP0100626A2 (en) Semi-conductor assembly
CN105518841A (en) Semiconductor device with a groove collectively surrounding solder bonds to prevent solder spreading
CN110323186A (en) Semiconductor device, the manufacturing method of semiconductor device and power-converting device
US11211304B2 (en) Assembly and method for mounting an electronic component to a substrate
US8288838B2 (en) Semiconductor unit
RU2693521C1 (en) Module of power semiconductor element with reservoir forming pressure plate
JP2012028552A (en) Semiconductor module case structure
CN107393892B (en) Power semiconductor device
US9633918B2 (en) Semiconductor device
KR102391167B1 (en) Assembly having a heat radating
US11647611B2 (en) Thermal interface for plurality of discrete electronic devices
US8933555B2 (en) Semiconductor chip package
US20140151872A1 (en) Semiconductor module
RU2642117C1 (en) Improved disc cell for several semiconductor elements contacting through clamping
JPWO2018207279A1 (en) Semiconductor device, method of manufacturing the same, power conversion device, and movable body
JPH07231632A (en) Rectifier for three-phase generator
JP4038455B2 (en) Semiconductor device
JP2018170461A (en) Circuit device
US20230197561A1 (en) Power semiconductor module comprising a substrate, power semiconductor components and comprising a pressure body
JP7487695B2 (en) Semiconductor Device