RU2685086C2 - Прозрачный электрод на подложке для осид - Google Patents
Прозрачный электрод на подложке для осид Download PDFInfo
- Publication number
- RU2685086C2 RU2685086C2 RU2016145417A RU2016145417A RU2685086C2 RU 2685086 C2 RU2685086 C2 RU 2685086C2 RU 2016145417 A RU2016145417 A RU 2016145417A RU 2016145417 A RU2016145417 A RU 2016145417A RU 2685086 C2 RU2685086 C2 RU 2685086C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- refractive index
- enamel
- high refractive
- transparent
- Prior art date
Links
- 210000003298 dental enamel Anatomy 0.000 claims abstract description 57
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 26
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 22
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 16
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000011707 mineral Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 43
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 43
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 37
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 25
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 23
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 11
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N ZrO Inorganic materials [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 129
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 8
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 6
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 6
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 2
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 2
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001413 alkali metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000002925 chemical effect Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- SRLSISLWUNZOOB-UHFFFAOYSA-N ethyl(methyl)azanide;zirconium(4+) Chemical compound [Zr+4].CC[N-]C.CC[N-]C.CC[N-]C.CC[N-]C SRLSISLWUNZOOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 1
- 210000005024 intraepithelial lymphocyte Anatomy 0.000 description 1
- 201000001091 isolated ectopia lentis Diseases 0.000 description 1
- -1 layers of TiO 2 Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- MNWRORMXBIWXCI-UHFFFAOYSA-N tetrakis(dimethylamido)titanium Chemical compound CN(C)[Ti](N(C)C)(N(C)C)N(C)C MNWRORMXBIWXCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/814—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/02—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with glass
- C03C17/04—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with glass by fritting glass powder
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/403—Oxides of aluminium, magnesium or beryllium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/04—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings of inorganic non-metallic material
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
- H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
- H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
- H10K2102/102—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising tin oxides, e.g. fluorine-doped SnO2
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
Изобретение относится к прозрачному электроду на подложке для ОСИД, включающему в себя последовательно (i) прозрачную подложку из минерального стекла, (ii) рассеивающий слой, образованный из эмали с высоким показателем преломления, содержащей по меньшей мере 30 мас.% BiO, (iii) барьерный слой из по меньшей мере одного диэлектрического оксида металла, выбранного из группы, состоящей из AlO, TiO, ZrOи HfO, осажденный путем АСО, (iv) слой из прозрачного проводящего оксида (ППО). Изобретение относится к способу изготовления такого электрода и к ОСИД, включающему в себя один такой электрод. Техническим результатом изобретения является обеспечение защиты от повреждений поверхности слоев эмали. 3 н. и 7 з.п. ф-лы, 4 ил.
Description
Настоящее изобретение относится к одному электроду на подложке, предназначенному для использования, предпочтительно, в качестве анода, в органическом электролюминесцентном диоде.
Органический светодиод (ОСИД) представляет собой оптоэлектронное устройство, содержащее два электрода, из которых по меньшей мере один пропускает видимый свет, и набор тонких слоев, содержащих по меньшей мере один светоизлучающий слой (слой EL). Этот светоизлучающий слой установлен посредине, по меньшей мере между, с одной стороны, одним инжекционным слоем или слоем для переноса электронов (EIL или ETL), расположенным между слоем EL и катодом, и с другой стороны, - одним инжекционным слоем или слоем для переноса дырок (HIL или HTL), расположенным между слоем EL и анодом.
ОСИДы, содержащие прозрачную подложку электрода, и прозрачный электрод в контакте с ней, обычно называются ОСИД с излучением через подложку или ОСИД с излучением вниз. Прозрачный электрод в данном случае обычно представляет собой анод.
Аналогично, ОСИДы, содержащие светонепроницаемую подложку электрода, называются ОСИД с излучением вверх, где излучение, таким образом, происходит через прозрачный электрод, который не находится в контакте с подложкой, - как правило, катодом.
За пределами границ заданного потенциала, световая мощность ОСИД напрямую зависит от разности потенциалов между анодом и катодом. Для изготовления крупных ОСИД, дающих равномерную световую мощность по всей их поверхности, необходимо ограничить, насколько возможно, падение омического напряжение между источниками тока, расположенными, как правило, на периферии ОСИД, и центром ОСИД. Известный способ для ограничения этого падения омического напряжения состоит в снижении поверхностного сопротивления (R□ или Rs, по-английски sheet résistance) электродов, обычно за счет повышения их толщины.
Однако, такое повышение толщины электродов создает серьезные проблемы, поскольку речь идет о прозрачных электродах. На самом деле, материалы, используемые для этих электродов, например, ITO (Indium Tin Oxide, оксид индия-олова), имеют недостаточную передачу света, и слишком высокую стоимость так, что толщины, превышающие 500 нм, представляют очень слабый интерес. На практике, слои ITO не превышают примерно 150 нм.
Хорошо известно, что ослабление или преодоление этой проблемы, состоящей в недостаточной проводимости ITO, состоит в удвоении анода металлической решеткой. Металлические решетки, например, сделанные из меди, или чаще трехслойные решетки Mo-Al-Mo или Cr-Al-Cr (решетки MAM, т.е. металл-алюминий-металл), таким образом, широко применяются для ограничения удельного электросопротивления прозрачных анодов из ITO в таких оптоэлектронных устройствах, как ОСИД (US 2006/0154550, US 2010/0079062, WO2005/053053).
Формирование таких металлические решетки происходит, как правило, путем осаждения тонких металлических слоев, осуществляемого путем катодного напыления, с последующим структурированием (формированием рисунка) путем фотолитографии, включающей в себя этап травления подходящей смесью сильных и слабых кислот, обычно H3PO4, HNO3 и CH3COOH, для удаления металла на уровне отверстий. Также можно использовать смесь сильных кислот, таких как царская водка (HCl+HNO3), которую, как правило, используют для травления ITO. Однако, поскольку металлическая решетка создана на основе ITO, представляется сложным проконтролировать травление и воспрепятствовать повреждению поверхности ITO.
Поскольку Заявитель осуществил такие этапы травления кислотой на подложках для ОСИД, несущих внутренние выводящие слои (IEL) на основе эмалей с высоким показателем преломления с высоким содержанием висмута, он столкнулся с неприятной неожиданностью, увидев в конечном продукте сильные токи утечки и постепенное образование черных точек (наколов). Такие токи утечки, которые составляют довольно распространенную проблему в области ОСИД, связаны с токами короткого замыкания на участках, где анод локально находится слишком близко к катоду. Это приводит, как правило, к неровностям поверхности, которые представляют собой заметный рельеф относительно толщины набора органических слоев (ETL/EL/HTL).
Анализ, проведенный на электронном микроскопе, для подложек, содержащих IEL на основе эмалей с высоким показателем преломления с высоким содержанием висмута, показал, что источником этих неровностей поверхности были крошечные кратеры, вызванные наличием пузырьков воздуха, застывших в ходе растрескивания поверхности слоя эмали в ходе его формирования путем плавления стеклянной фритты (см. Фигуру 1). Эти крошечные кратеры в большинстве своем ограничены, а по размеру настолько малы, что возможные токи утечки, возникающие в ОСИД, изготовленных на таких подложках, должны будут остаться в приемлемых пределах. Таким образом, предполагается, что эти кратеры значительно углубились и увеличились в ходе травления в связи с плохой стойкостью к кислотам у эмалей с высоким содержанием висмута.
Достаточно неожиданно оказалось то, что это явление пришлось наблюдать не только из-за травления металлических слоев непосредственно в контакте с эмалью с высоким показателем преломления внутреннего выводящего слоя (IEL), но также и потому, что металлический слой был осажден поверх слоя ITO (анод). То же явление также наблюдалось, хотя и реже, в ходе химического травления слоев ППО (без металлических решеток), и оно было связано с недостаточной защитой зоны с сильным рельефом (кратерами) посредством маски (фоторезиста).
Нанесение катодным напылением барьерных слоев, известных своей стойкостью к кислотам, таких как слои TiO2, SnO2, SiO2, Si3N4 или оксинитрид кремния (SiON), с толщинами от 20 до 150 мкм, между IEL и анодом, также не позволило существенно ослабить явление токов утечки и черных точек в ОСИД, изготовленных на этих подложках.
На Фигуре 3 показаны дефекты поверхности, наблюдаемые после кислотного травления металлического слоя, осажденного путем магнетронного катодного напыления на аноде из ITO (с толщиной примерно 150 мкм), где его осаждали путем магнетронного катодного напыления на барьерном слое из SiON толщиной 100 нм.
Настоящее изобретение основано на открытии, состоящем в том, что мелкие дефекты (кратеры, - см. Фигуру 1) на поверхности слоев эмали с высоким содержанием висмута могут быть эффективно защищены от повреждений, вызванных кислотным травлением, за счет очень тонкого слоя из определенных оксидов металлов, при условии, что этот слой будет образован путем атомно-слоевого осаждения (АСО, по-английски ALD - atomique layer deposition).
Этот защитный тонкий слой должен быть расположен между рассеивающим слоем (IEL) из эмали с одной стороны и металлической решеткой анода с другой стороны. Он будет образован под анодом, состоящим из ППО и металлической решетки, предпочтительно, непосредственно на слое эмали.
Таким образом, предметом настоящего изобретения является прозрачный электрод на подложке для ОСИД, включающий в себя последовательно:
(i) прозрачную подложку из минерального стекла,
(ii) рассеивающий слой, образованный из эмали с высоким показателем преломления, содержащей по меньшей мере 30 мас.% Bi2O3,
(iii) барьерный слой из по меньшей мере одного диэлектрического оксида металла, выбранного из группы, состоящей из Al2O3, TiO2, ZrO2 и HfO2, осажденного путем АСО,
(iv) слой из прозрачного проводящего оксида (ППО).
Также, предметом настоящего изобретения является способ изготовления такого прозрачного электрода, включающий в себя осаждение барьерного слоя путем АСО, и ОСИД (органический светоизлучающий диод), содержащий один такой прозрачный электрод.
Следует отметить, что такой прозрачный электрод, как определен выше, не обязательно содержит металлическую решетку. Заявитель на самом деле предполагает поставить на рынок такой электрод на подложке, как определен выше, у которого анод из ППО будет затем структурирован путем травления и снабжен металлической решеткой изготовителем ОСИД. В ходе этапа травления кислотой ППО и в ходе создания металлической решетки, предполагающего также наличие этапа травления кислотой, защитный слой, осажденный путем АСО, будет эффективно защищать эмаль, богатую висмутом, от эрозии, вызванной кислотами, и воспрепятствует образованию черных точек в конечном ОСИД.
Настоящее изобретение также относится к широко распространенному усовершенствованному прозрачному электроду на подложке, который содержит помимо слоев (i)-(iv), представленных выше, металлическую решетку, предназначенную для повышения электропроводности электрода. Эта металлическая решетка может быть расположена под или на слое ППО и должна находиться непосредственно в электрическом контакте с ним.
Таким образом, в первом варианте воплощения прозрачный электрод согласно настоящему изобретению включает в себя, по порядку:
- прозрачную подложку из минерального стекла,
- рассеивающий слой, образованный из эмали с высоким показателем преломления, содержащей по меньшей мере 30 мас.% Bi2O3,
- барьерный слой из по меньшей мере одного диэлектрического оксида металла, выбранного из группы, состоящей из Al2O3, TiO2, ZrO2 и HfO2, осажденного путем АСО,
- слой из прозрачного проводящего оксида (ППО),
- металлическую решетку непосредственно в контакте со слоем ППО.
Во втором варианте воплощения порядок двух последних слоев будет обратным по отношению к первому варианту воплощения, и прозрачный электрод согласно настоящему изобретению включает в себя, последовательно:
- прозрачную подложку из минерального стекла,
- рассеивающий слой, образованный из эмали с высоким показателем преломления, содержащей по меньшей мере 30 мас.% Bi203,
- барьерный слой из по меньшей мере одного диэлектрического оксида металла, выбранного из группы, состоящей из Al2O3, TiO2, ZrO2 и HfO2, осажденного путем АСО,
- металлическую решетку непосредственно в контакте со слоем ППО.
- слой из прозрачного проводящего оксида (ППО).
Подложка из минерального стекла иметь любую толщину, совместимую с предполагаемым применением. Как правило, используют стеклянные листы, имеющие толщину, заключенную между 0,3 и 5 мм, в частности, между 0,7 и 3 мм. Однако, также можно предусмотреть применение сверхтонких стеклянных листов, имеющих более низкие толщины, обычно между 50 и 300 нм, при условии решения механических проблем, возникающих при создании слоя эмали, в данном случае эмали с высоким показателем преломления, на таких тонких стеклах.
Подложку покрывает рассеивающий слой, образованный из эмали с высоким показателем преломления, содержащей по меньшей мере 30 мас.% Bi2O3. Здесь под эмалью с «высоким показателем преломления» понимают эмаль, обладающую показателем преломления (при λ = 550 нм), равным по меньшей мере 1,7, предпочтительно, заключенным между 1,8 и 2,2.
Рассеивающий слой (ii) играет роль внутреннего световыводящего слоя (по-английски, Internal Extraction Layer, IEL).
В течение долгого времени в области ОСИД было известно, что наружу, через прозрачный анод и стеклянную подложку излучается лишь малая доля света, создаваемая электролюминесцентным слоем. На самом деле, поскольку показатель преломления стеклянной подложки (nстекло=1,5) меньше показателя преломления органических слоев (n=1,7-1,8) и прозрачного анода (n=1,9 до 2,1), большая часть (примерно 50%) света оказывается захваченной в этих слоях с высоким показателем преломления, как в волноводе и поглощается после определенного количества отражений. Аналогичное явление происходит на границе раздела между стеклом подложки (nстекло=1,5) и воздухом (nвоздух=1,0), и происходит захват примерно 20% света, излучаемого электролюминесцентным слоем.
Известно, что для ослабления этого эффекта захвата света (полного внутреннего отражения) в слоях с высоким показателем преломления ОСИД, между стеклянной подложкой и прозрачным анодом встраивают световыводящее средство, образованное, например, эмалью с высоким показателем преломления, содержащей рассеивающие частицы, или границей раздела, достаточно шероховатой, чтобы быть рассеивающей, которая уплощается за счет слоя эмали с высоким показателем преломления.
Таким образом, выражение «рассеивающий слой» в настоящем изобретении охватывает:
- слой эмали с высоким показателем преломления, в котором рассредоточены рассеивающие элементы, и
- шероховатую границу раздела между двумя средами с различными показателями преломления, обычно поверхность стекла, демонстрирующую определенный рельеф шероховатости, покрытую слоем эмали с высоким показателем преломления.
Таким образом, в одном варианте воплощения эмаль с высоким показателем преломления, образующая рассеивающий слой содержит светорассеивающие элементы, рассредоточенные по толщине слоя. Эти рассеивающие элементы имеют показатель преломления более высокий или более низкий, чем показатель преломления эмали. Для рассеивания света, эти элементы должны иметь размеры, не пренебрежимо малые по отношению к длине волны света, подлежащего выведению, например, размер, заключенный между 0,1 и 5 мкм, предпочтительно, между 0,4 и 3 мкм. Рассеивающие элементы могут представлять собой, например, твердые частицы, добавленные к стеклянной фритте перед плавлением, кристаллы, образованные в ходе плавления фритты, или еще пузырьки воздуха, образованные в ходе этапа плавления фритты и захваченные в отвердевшей эмали.
В другом варианте воплощения шероховатость границы раздела между эмалью с высоким показателем преломления (n ≥ 1,7) и нижележащей средой с меньшим показателем преломления (стеклянной подложкой или слоем с низким показателем преломления, образованным на стеклянной поверхности) происходит из-за эффекта диффузии. Является предпочтительным, чтобы граница раздела между эмалью с высоким показателем преломления и нижележащей средой с меньшим показателем преломления (подложкой) представляла профиль шероховатости со среднеарифметическим отклонением Ra, равным по меньшей мере 0,1 мкм, предпочтительно, заключенным между 0,2 и 5 мкм, в частности, между 0,3 и 3 мкм.
В случае, если между стеклянной подложкой и эмалью предусмотрен промежуточный слой с низким показателем преломления (n<1,6), например, барьерный слой, защищающий эмаль с высоким показателем преломления от диффузии ионов щелочных металлов, возникающих из подложки, именно граница раздела между этим слоем с низким показателем преломления и эмалью с высоким показателем преломления образует рельеф, представляющий этот профиль шероховатости.
Разумеется, можно скомбинировать эти два варианта воплощения рассеивающего слоя, например, за счет введения таких рассеивающих элементов, как пузырьки воздуха, в эмаль с высоким показателем преломления, осажденную на шероховатую стеклянную поверхность, при этом основная мысль состоит в том, что верхняя сторона IEL совпадает с верхней стороной эмали с высоким показателем преломления.
Существует определенное количество составов стекла, позволяющих получить эмали с высоким показателем преломления. Настоящее изобретение особо сосредоточено на эмалях с повышенным содержанием висмута, которые представляют достаточно слабую химическую стойкость к кислотам, что является причиной возникновения токов утечки и черных точек, как разъяснялось во введении.
Эмали с высоким показателем преломления согласно настоящему изобретению содержат по меньшей мере 30 мас.%, предпочтительно, по меньшей мере 50 мас.%, и в частности, по меньшей мере 65 мас.% Bi2O3. Эти эмали известны и описаны, например, в международной заявке WO2013/187736 и в заявках PCT/FR 2014/050370 и FR1360522, от имени Заявителя, еще не опубликованных на момент подачи настоящей заявки.
Эмаль с высоким показателем преломления содержит, например, 55-84 мас.% Bi2O3, вплоть до примерно 20 мас.% BaO, 5-20 мас.% ZnO, 1-7 мас.% Al2O3, 5-15 мас.% SiO2, 5-20 мас.% B2O3 и вплоть до 0,3 мас.% CeO2.
В настоящем изобретении слой из диэлектрического оксида металла (слой (iii)) осаждают путем АСО (атомно-слоевого осаждения) на эмали с высоким показателем преломления, описанной ранее. Это осаждение осуществляют предпочтительно непосредственно на поверхность эмали с высоким показателем преломления. Атомно-слоевое осаждение - это хорошо известный способ, допускающий образование сверхтонких, однородных и герметичных слоев.
Газ-предшественник, помещенный в контакт с поверхностью, адсорбируется на ней в форме монослоя за счет химической или физической адсорбции. После продувки газом-предшественником, второй газовый компонент, способный реагировать с поглощенным газом-предшественником, принимается в камере. После реакции, камеру снова продувают, и цикл «адсорбция - продувка - реакция - продувка» можно начинать снова.
В таблице, представленной ниже, показано несколько примеров предшественников и реагентов, допускающих образование диэлектрических оксидов металлов слоя (iii) согласно настоящему изобретению.
| Диэлектрический оксид металла | Газ-предшественник | Газообразный реагент |
| Al2O3 | Al(CH3)3 | H2O |
| ZrO2 | Тетракис(этилметиламино)цирконий Zr[N(CH3)(C2H5)]4 |
H2O |
| TiO2 | Тетракис(диметиламино)титан Ti[N(CH3)2]4 |
H2O |
Также можно обратиться к таким библиографическим обзорам, как статья Markku Leskelä и др. «Atomic layer deposition (ALD): from precursors to thin film structures», Thin solid film, 409 (2002) 138-146 и статья Steven M. George, озаглавленная как «Atomic Layer Deposition: An Overview», Chem. Rev. 2010, 110, 111-131, где представлено очень много примеров систем предшественников/реагентов.
Барьерный слой может представлять собой простой слой, состоящий из одного оксида металла, или же сложный слой, образованный из нескольких последовательных подслоев различных оксидов металлов, которые все осаждены путем АСО.
В предпочтительном варианте воплощения согласно настоящему изобретению барьерный слой АСО содержит несколько слоев Al2O3 (n≈1,7), чередующихся со слоями оксида с более высоким показателем преломления (n>2), выбранными предпочтительно среди TiO2, ZrO2, и HfO2. Оксид алюминия на самом деле демонстрирует преимущество, состоящее в повышенной стойкости к сильным кислотам, применяемым для травления металлов, таким как царская водка (aqua regia). Его показатель преломления относительно низок по сравнению с показателем преломления органических слоев ОСИД, и оптические потери, которые возникают в результате этого, препятствуют, тем не менее, применению монослоев Al2O3. Чередуя слои Al2O3 со слоями TiO2, ZrO2 или HfO2, можно повысить общую толщину слоя АСО, без повышения оптических потерь.
Является предпочтительным, чтобы общая толщина слоя АСО, - простого или сложного, была заключена между 5 и 200 нм, в частности, между 10 и 100 нм. Поскольку речь идет о сложных слоях, содержащих чередование подслоев Al2O3 и подслоев с более высоким показателем преломления, таких как TiO2, ZrO2 и HfO2, является предпочтительным, чтобы толщина каждого из подслоев была заключена между 1 и 50 нм, в частности, между 2 и 10 нм. Количество подслоев может заключаться между 2 и 200, предпочтительно, между 3 и 100, в частности, между 5 и 10. Является предпочтительным, чтобы количество слоев Al2O3 заключалось между 2 и 5, и в частности, равнялось 2 или 3.
В предпочтительном варианте воплощения два внешних слоя набора подслоев представляют собой слои Al2O3, которые гарантируют хороший контакт с соседними материалами.
На электронном микроскопе слой из диэлектрического оксида металла, осажденного путем АСО, можно легко отличить от слоя, осажденного путем катодного напыления. Он отличается, известным образом, по крайне однородной толщине, идеальной непрерывности, даже для низких толщин, и по большой согласованности с рельефом нижележащей подложки, даже на поверхностях с очень отчетливым рельефом.
Поверх слоя, образованного АСО, находится, собственно говоря, прозрачный электрод. Этот электрод состоит из слоя ППО, как правило, осажденного путем катодного напыления, и металлической решетки, причем эти две структуры находятся в контакте друг с другом. Как уже разъяснялось выше, металлическая решетка может находиться под слоем ППО, - между слоем ППО и слоем АСО, или на слое ППО.
Настоящее изобретение особо не ограничено определенными структурами или размерами решеток. Природа металла, образующего решетку, также не является определяющей. Однако, является важным, что решетка должна быть образована согласно способу, включающему в себя этап кислотного травления металлического слоя, обычно через маску. Как разъяснялось во введении, Заявитель на самом деле констатировал, что именно этот этап травления кислотой является источником наблюдаемых недостатков в конечном продукте (токи утечки, черные точки). Известны способы образования таких решеток путем фотолитографии и кислотного травления.
Заявитель иногда наблюдал, что черные точки порождают токи утечки, даже когда ОСИД не содержал никакой металлической решетки. Исследование на электронном микроскопе внешнего вида этих черных точек продемонстрировало, что они также со всей очевидностью соответствуют углубленным кратерам (см. Фигуру 4). Заявитель полагает, что химическое воздействие на эти дефекты поверхности происходит в момент кислотного травления слоя ППО в зонах, где рельеф поверхности слишком выраженный, чтобы его можно было надлежащим образом защитить слоем фоторезиста с низкой толщиной (1-2 мкм). Использование барьерного слоя, осажденного путем АСО, между эмалью слоя IEL и ППО, способствует эффективному воспрепятствованию возникновения этого типа черных точек.
Слой ППО осаждают на эмаль с высоким показателем преломления, защищенную слоем из диэлектрического оксида металла, такими обычными способами, как магнетронное катодное напыление, золь-гелевые способы или пиролиз (CVD, химическое осаждение из паровой фазы).
В принципе, для этого слоя электрода можно использовать любой прозрачный или просвечивающий проводящий оксид, демонстрирующий достаточно высокий показатель преломления, близкий к среднему показателю преломления органического набора ОСИД (HTL/EL/ITL). Можно в качестве примера перечислить такие материалы прозрачных проводящих оксидов, как оксид цинка, легированный алюминием (AZO), оксид олова, легированный индием (ITO), оксид олова и цинка (SnZnO) или диоксид олова (SnO2). Эти материалы преимущественно обладают коэффициентом поглощения, намного более низким, чем коэффициент поглощения органических материалов, образующих набор HTL/EL/ITL, предпочтительно, коэффициентом поглощения менее 0,005, в частности, менее 0,0005. Является предпочтительным, чтобы был использован ITO. Толщина слоя прозрачного проводящего оксида обычно заключена между 50 и 200 нм.
Способ изготовления прозрачного электрода на подложке для ОСИД согласно настоящему изобретению включает в себя по меньшей мере три следующих последовательных этапа:
(a) предоставление прозрачной подложки, несущей на одной из своих сторон рассеивающий слой, образованный из эмали с высоким показателем преломления, содержащей по меньшей мере 30 мас.% Bi2O3,
(b) образование путем АСО, на эмали с высоким показателем преломления и непосредственно в контакте с ней, слоя из по меньшей мере одного диэлектрического оксида металла (барьерного слоя), выбранного из группы, состоящей из Al2O3, TiO2, ZrO2 и HfO2
(c) образование слоя ППО на слое из диэлектрического оксида металла (b).
Поскольку способ согласно изобретению содержит только эти три этапа, он приводит к созданию промежуточного продукта (подложка - эмаль с высоким показателем преломления - слой АСО -слой ППО), предназначенного для приема затем металлической решетки.
Способ изготовления усовершенствованного прозрачного электрода на подложке согласно изобретению будет, разумеется, включать в себя, кроме того, дополнительный этап (этап (d)) образования металлической решетки непосредственно в контакте со слоем прозрачного проводящего оксида, причем этот этап (d) содержит по меньшей мере один этап травления кислотой.
Этот этап травления кислотой осуществляют на непрерывном металлическом слое, покрытом маской, созданной, например, путем трафаретной печати или фотолитографии, где кислота служит для устранения металла в определенных зонах, не покрытых маской, для формирования отверстий решетки.
Толщина металлического слоя и, таким образом, высота полученной решетки составляет порядка нескольких сотен нанометров, обычно 0,5-1 мкм, предпочтительно, 0,6-0,8 мкм. Ширина прутьев решетки, как правило, составляет примерно 10-100 мкм.
В первом варианте воплощения способа согласно изобретению этап (d) осуществляют после этапа (c) таким образом, чтобы металлическая решетка находилась в контакте со слоем ППО, но не с барьерным слоем оксида металла.
Во втором варианте воплощения этап (d) осуществляют после этапа (b) и перед этапом (c) таким образом, чтобы металлическая решетка находилась в контакте одновременно с барьерным слоем из диэлектрического оксида металла и со слоем ППО.
Металлическая решетка всегда составляет рельеф, поскольку даже когда слой ППО осажден на металлическую решетку, как в этом втором варианте воплощения, очевидно, что с учетом соответствующих толщин этих двух структур (0,05-0,2 мкм для слоя ППО, 0,5-1 мкм для решетки), слой ППО не будет перекрывать и выравнивать этот рельеф.
Таким образом, во всех случаях металлическая решетка должна быть покрыта пассивирующим слоем, который, разумеется, оставляет свободными отверстия, протравленные кислотой, которые образуют освещенные зоны конечного ОСИД. Покрытие решеток электрода пассивирующим слоем также составляет часть общих знаний специалиста в области изготовления ОСИД.
Перед нанесением светоизлучающих слоев, подложку для ОСИД покрывают преимущественно известным способом органическим материалом инжекции дырок, таким как PEDOT/PSS (полиэтилендиокситиофен/поли(стиролсульфонат)), что позволяет выровнять рельеф вышеописанной подложки.
Пример
На листе минерального стекла толщиной 0,7 мм осаждают слой из эмали с высоким показателем преломления путем плавления стеклянной фритты, имеющей следующий состав (мас.%): 65% Bi2O3, 12,6% ZnO, 12,9% SiO2, 2,6% Al2O3 и 6,9% B2O3.
Массу стеклянной фритты в органической среде (75 мас.% фритты, 22 мас.% летучего органического растворителя и 3% этилцеллюлозы) осаждают путем трафаретной печати, высушивают (примерно 20 минут при 130°C), этилцеллюлозу удаляют путем термообработки в течение 20 минут при 430°C, затем фритту выдерживают при 540°C в течение 10 минут. Это плавление осуществляют при атмосферном давлении, что характеризуется образованием многочисленных пузырьков воздуха в слое эмали. Слой эмали с высоким показателем преломления, образованный указанным образом, демонстрирует поверхностные дефекты, вызванные пузырьками воздуха, захваченными при разрыве.
Фигура 1 показывает два снимка растрового электронного микроскопа (РЭМ) частично открытого и полностью открытого пузырька на поверхности эмали.
Затем, на два образца подложки, несущей эмаль с высоким показателем преломления, осаждают слой Al2O3, соответственно, толщиной 10 нм и 50 нм. Фигура 2 показывает слева снимки РЭМ двух поверхностных дефектов (пузырьков воздуха, захваченных при разрыве), отмеченных на этих эмалях, защищенные слоем АСО.
Затем эти же подложки подвергают воздействию этапа кислотного травления раствором фосфорной кислоты с pH < 1, в течение 100 секунд при температуре 45°C.
Фигура 2 показывает справа снимки РЭМ тех же поверхностных дефектов после этапа травления. Подтверждается, что их внешний вид строго идентичен тому, что было перед травлением.
В порядке сравнения, Фигура 3 показывает два снимка РЭМ поверхностных дефектов, наблюдаемых после кислотного травления (раствор фосфорной кислоты с pH < 1, 100 секунд при температуре 45 °C) металлического слоя, осажденного на анод из ITO (толщиной примерно 150 мкм), его же осаждают на барьерный слой из SiON толщиной 100 нм на эмали с составом, указанным выше, причем анод из ITO и барьерный слой осаждают магнетронным катодным напылением.
Эти дефекты (тоже увеличение, что и на Фигуре 2) имеют размер, значительно больший, чем исходные пузырьки воздуха.
Claims (18)
1. Прозрачный электрод на подложке для ОСИД, включающий в себя последовательно:
(i) прозрачную подложку из минерального стекла,
(ii) рассеивающий слой, образованный из эмали с высоким показателем преломления, содержащей по меньшей мере 30 мас.% Bi2O3,
(iii) барьерный слой из по меньшей мере одного диэлектрического оксида металла, выбранного из группы, состоящей из Al2O3, TiO2, ZrO2 и HfO2, осажденный путем АСО, и
(iv) слой из прозрачного проводящего оксида (ППО),
при этом барьерный слой, осажденный путем АСО, содержит несколько слоев Al2O3, чередующихся со слоями оксидов с более высоким показателем преломления (n>2), выбранных среди TiO2, ZrO2 и HfO2.
2. Электрод по п. 1, характеризующийся тем, что он включает в себя дополнительно металлическую решетку под или на слое ППО и непосредственно в контакте с ним.
3. Электрод по п. 1, характеризующийся тем, что барьерный слой, осажденный путем АСО, имеет толщину, заключенную между 5 и 200 нм, предпочтительно между 10 и 100 нм.
4. Электрод по п. 1, характеризующийся тем, что эмаль с высоким показателем преломления, образующая рассеивающий слой, содержит светорассеивающие элементы, рассредоточенные по толщине слоя.
5. Электрод по п. 1, характеризующийся тем, что граница раздела между эмалью с высоким показателем преломления и нижележащей средой с меньшим показателем преломления имеет профиль шероховатости со среднеарифметическим отклонением Ra, по меньшей мере равным 0,1 мкм, предпочтительно заключенным между 0,2 и 5 мкм, в частности между 0,3 и 3 мкм.
6. ОСИД, содержащий электрод по любому из пп. 1-5.
7. Способ изготовления прозрачного электрода на подложке для ОСИД по любому из пп. 1-5, включающий в себя следующие последовательные этапы:
(a) предоставление прозрачной подложки, несущей на одной из своих сторон рассеивающий слой, образованный из эмали с высоким показателем преломления, содержащей по меньшей мере 30 мас.% Bi2O3,
(b) образование путем атомно-слоевого осаждения (АСО) барьерного слоя из по меньшей мере одного диэлектрического оксида металла, выбранного из группы, состоящей из Al2O3, TiO2, ZrO2 и HfO2, на эмали с высоким показателем преломления и непосредственно в контакте с ней,
(c) образование слоя из прозрачного проводящего оксида (ППО) поверх слоя из диэлектрического оксида металла (b).
8. Способ по п. 7, характеризующийся тем, что он включает в себя дополнительный этап (d) образования металлической решетки непосредственно в контакте со слоем прозрачного проводящего оксида, причем этот этап (d) содержит по меньшей мере один этап травления кислотой.
9. Способ по п. 8, характеризующийся тем, что этап (d) осуществляют после этапа (b) и перед этапом (c) таким образом, чтобы металлическая решетка находилась в контакте одновременно с барьерным слоем из диэлектрического оксида металла и со слоем ППО.
10. Способ по п. 8, характеризующийся тем, что этап (d) осуществляют после этапа (c) таким образом, чтобы металлическая решетка находилась в контакте со слоем ППО, но не с барьерным слоем оксида металла.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR1453584A FR3020179B1 (fr) | 2014-04-22 | 2014-04-22 | Electrode supportee transparente pour oled |
| FR1453584 | 2014-04-22 | ||
| PCT/FR2015/051069 WO2015162367A1 (fr) | 2014-04-22 | 2015-04-20 | Electrode supportee transparente pour oled |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2016145417A RU2016145417A (ru) | 2018-05-23 |
| RU2016145417A3 RU2016145417A3 (ru) | 2018-11-19 |
| RU2685086C2 true RU2685086C2 (ru) | 2019-04-16 |
Family
ID=50976932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2016145417A RU2685086C2 (ru) | 2014-04-22 | 2015-04-20 | Прозрачный электрод на подложке для осид |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10319934B2 (ru) |
| EP (1) | EP3134929B1 (ru) |
| JP (1) | JP6684225B2 (ru) |
| KR (1) | KR20160145596A (ru) |
| CN (1) | CN106463641B (ru) |
| ES (1) | ES2702210T3 (ru) |
| FR (1) | FR3020179B1 (ru) |
| RU (1) | RU2685086C2 (ru) |
| TW (1) | TWI663761B (ru) |
| WO (1) | WO2015162367A1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2800771C1 (ru) * | 2019-12-20 | 2023-07-28 | Хонор Дивайс Ко., Лтд. | Проводящий электрод, способ его изготовления и электронное устройство |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3082172A1 (en) | 2015-04-16 | 2016-10-19 | Saint-Gobain Glass France | Layered structure for an oled and a method for producing such a structure |
| CN112876078A (zh) * | 2021-04-14 | 2021-06-01 | 亚细亚建筑材料股份有限公司 | 一种高透感面釉 |
| US11527732B1 (en) * | 2022-05-31 | 2022-12-13 | Applied Materials, Inc. | OLED anode structures including amorphous transparent conducting oxides and OLED processing method comprising the same |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070114925A1 (en) * | 2005-11-18 | 2007-05-24 | Eastman Kodak Company | OLED device having improved light output |
| RU2408957C1 (ru) * | 2009-11-25 | 2011-01-10 | Российская Федерация, от имени которой выступает государственный заказчик - Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России) | Органический светоизлучающий диод |
| WO2011089343A1 (fr) * | 2010-01-22 | 2011-07-28 | Saint-Gobain Glass France | Substrat verrier revetu d'une couche haut indice sous un revetement electrode et dispositif electroluminescent organique comportant un tel substrat |
| US20130114269A1 (en) * | 2010-07-16 | 2013-05-09 | Asahi Glass Company, Limited | Translucent conductive substrate for organic light emitting devices |
| WO2013117862A1 (fr) * | 2012-02-10 | 2013-08-15 | Saint-Gobain Glass France | Electrode supportee transparente pour oled |
| WO2014013183A1 (fr) * | 2012-07-17 | 2014-01-23 | Saint-Gobain Glass France | Electrode supportee transparente pour oled |
| US20140042415A1 (en) * | 2012-03-30 | 2014-02-13 | Lg Chem, Ltd. | Substrate for organic electronic device |
| US20140048790A1 (en) * | 2011-04-28 | 2014-02-20 | Asahi Glass Company, Limited | Organic el element, translucent substrate and method of manufacturing organic led element |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1360522A (fr) | 1962-06-15 | 1964-05-08 | Automotive Prod Co Ltd | Système de freinage fonctionnant par une pression de liquide pour véhicules |
| JP2000231985A (ja) * | 1999-02-12 | 2000-08-22 | Denso Corp | 有機ｅｌ素子 |
| JP2002343562A (ja) * | 2001-05-11 | 2002-11-29 | Pioneer Electronic Corp | 発光ディスプレイ装置及びその製造方法 |
| US20060154550A1 (en) | 2002-10-16 | 2006-07-13 | Nellissen Antonius J M | Method for manufacturing a light emitting display |
| WO2005053053A1 (en) | 2003-11-26 | 2005-06-09 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Light-emitting device comprising an etch-protective layer |
| EP1916725A1 (en) | 2006-10-27 | 2008-04-30 | Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO | Organic light emitting diode device with multilayer seal |
| KR101548025B1 (ko) * | 2007-07-27 | 2015-08-27 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 투광성 기판, 그의 제조 방법, 유기 ｌｅｄ 소자 및 그의 제조 방법 |
| JPWO2009116531A1 (ja) * | 2008-03-18 | 2011-07-21 | 旭硝子株式会社 | 電子デバイス用基板、有機ｌｅｄ素子用積層体及びその製造方法、有機ｌｅｄ素子及びその製造方法 |
| DE102009024411A1 (de) * | 2009-03-24 | 2010-09-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Dünnschichtverkapselung für ein optoelektronisches Bauelement, Verfahren zu dessen Herstellung und optoelektronisches Bauelement |
| DE102009022900A1 (de) * | 2009-04-30 | 2010-11-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
| KR20120098612A (ko) * | 2009-10-15 | 2012-09-05 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 유기 ｌｅｄ 소자의 산란층용 유리 및 그것을 사용한 유기 ｌｅｄ 소자 |
| IN2012DN03220A (ru) * | 2009-10-15 | 2015-10-23 | Asahi Glass Co Ltd | |
| JP5742838B2 (ja) * | 2010-04-08 | 2015-07-01 | 旭硝子株式会社 | 有機ｌｅｄ素子、透光性基板、および有機ｌｅｄ素子の製造方法 |
| CN103026785A (zh) * | 2010-07-26 | 2013-04-03 | 旭硝子株式会社 | 有机led元件的散射层用玻璃及有机led元件 |
| FR2963705B1 (fr) * | 2010-08-06 | 2012-08-17 | Saint Gobain | Support a couche diffusante pour dispositif a diode electroluminescente organique, dispositif electroluminescent organique comportant un tel support |
| JP5938757B2 (ja) * | 2011-11-25 | 2016-06-22 | 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 発光素子基板とその製造方法、面発光素子、照明器具およびバックライト |
| EP2693839A4 (en) * | 2011-03-31 | 2014-11-26 | Asahi Glass Co Ltd | ORGANIC LED ELEMENT, TRANSLUCENT SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING THE LIGHT TRACEABLE SUBSTRATE |
| EP2767518A4 (en) * | 2011-10-14 | 2016-01-06 | Asahi Glass Co Ltd | GLASS FOR USE IN THE SPREADING LAYER OF AN ORGANIC LED ELEMENT, MULTILAYER SUBSTRATE FOR USE IN THE ORGANIC LED ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING THIS MULTILAYER SUBSTRATE, AND ORGANIC LED ELEMENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
| CN103891404B (zh) * | 2011-10-28 | 2016-11-09 | 旭硝子株式会社 | 有机led元件用层叠基板及有机led元件 |
| KR101715112B1 (ko) | 2012-06-14 | 2017-03-10 | 쌩-고벵 글래스 프랑스 | Ｏｌｅｄ 소자용 적층체, 그 제조방법 및 이를 구비한 ｏｌｅｄ 소자 |
| EP2712851B1 (en) * | 2012-09-28 | 2015-09-09 | Saint-Gobain Glass France | Method of producing a transparent diffusive oled substrate |
| EP2958867A1 (fr) | 2013-02-25 | 2015-12-30 | Saint-Gobain Glass France | Substrat pour dispositif a diode electroluminescente organique |
-
2014
- 2014-04-22 FR FR1453584A patent/FR3020179B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-03-31 TW TW104110455A patent/TWI663761B/zh not_active IP Right Cessation
- 2015-04-20 CN CN201580018195.5A patent/CN106463641B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2015-04-20 JP JP2016563841A patent/JP6684225B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2015-04-20 EP EP15723259.6A patent/EP3134929B1/fr not_active Not-in-force
- 2015-04-20 RU RU2016145417A patent/RU2685086C2/ru active
- 2015-04-20 KR KR1020167029067A patent/KR20160145596A/ko not_active Application Discontinuation
- 2015-04-20 US US15/305,529 patent/US10319934B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2015-04-20 WO PCT/FR2015/051069 patent/WO2015162367A1/fr active Application Filing
- 2015-04-20 ES ES15723259T patent/ES2702210T3/es active Active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070114925A1 (en) * | 2005-11-18 | 2007-05-24 | Eastman Kodak Company | OLED device having improved light output |
| RU2408957C1 (ru) * | 2009-11-25 | 2011-01-10 | Российская Федерация, от имени которой выступает государственный заказчик - Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России) | Органический светоизлучающий диод |
| WO2011089343A1 (fr) * | 2010-01-22 | 2011-07-28 | Saint-Gobain Glass France | Substrat verrier revetu d'une couche haut indice sous un revetement electrode et dispositif electroluminescent organique comportant un tel substrat |
| US20130114269A1 (en) * | 2010-07-16 | 2013-05-09 | Asahi Glass Company, Limited | Translucent conductive substrate for organic light emitting devices |
| US20140048790A1 (en) * | 2011-04-28 | 2014-02-20 | Asahi Glass Company, Limited | Organic el element, translucent substrate and method of manufacturing organic led element |
| WO2013117862A1 (fr) * | 2012-02-10 | 2013-08-15 | Saint-Gobain Glass France | Electrode supportee transparente pour oled |
| US20140042415A1 (en) * | 2012-03-30 | 2014-02-13 | Lg Chem, Ltd. | Substrate for organic electronic device |
| WO2014013183A1 (fr) * | 2012-07-17 | 2014-01-23 | Saint-Gobain Glass France | Electrode supportee transparente pour oled |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2800771C1 (ru) * | 2019-12-20 | 2023-07-28 | Хонор Дивайс Ко., Лтд. | Проводящий электрод, способ его изготовления и электронное устройство |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP3134929A1 (fr) | 2017-03-01 |
| ES2702210T3 (es) | 2019-02-27 |
| CN106463641B (zh) | 2018-09-28 |
| JP6684225B2 (ja) | 2020-04-22 |
| RU2016145417A3 (ru) | 2018-11-19 |
| FR3020179A1 (fr) | 2015-10-23 |
| US20170040565A1 (en) | 2017-02-09 |
| TW201605095A (zh) | 2016-02-01 |
| EP3134929B1 (fr) | 2018-09-19 |
| TWI663761B (zh) | 2019-06-21 |
| FR3020179B1 (fr) | 2017-10-06 |
| US10319934B2 (en) | 2019-06-11 |
| JP2017514279A (ja) | 2017-06-01 |
| CN106463641A (zh) | 2017-02-22 |
| WO2015162367A1 (fr) | 2015-10-29 |
| KR20160145596A (ko) | 2016-12-20 |
| RU2016145417A (ru) | 2018-05-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5742838B2 (ja) | 有機ｌｅｄ素子、透光性基板、および有機ｌｅｄ素子の製造方法 | |
| US9222641B2 (en) | Translucent conductive substrate for organic light emitting devices | |
| US9825258B2 (en) | Layered structure for OLED device, method for manufacturing the same, and OLED device having the same | |
| WO2012057043A1 (ja) | 有機ｅｌ素子、透光性基板、および有機ｅｌ素子の製造方法 | |
| JP6582981B2 (ja) | 透光性基板、有機ｌｅｄ素子、透光性基板の製造方法 | |
| RU2685086C2 (ru) | Прозрачный электрод на подложке для осид | |
| EP2720285B1 (en) | Method of fabricating patterned substrate | |
| WO2013007485A1 (de) | Organisches lichtemittierendes bauelement und verfahren zum herstellen eines organischen lichtemittierenden bauelements | |
| KR20150009858A (ko) | 발광 디바이스용 적층체 및 그의 제조 방법 | |
| US10367142B2 (en) | Layered structure for an OLED and a method for producing such a structure | |
| WO2015072751A1 (ko) | 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자 | |
| TW201526331A (zh) | 具有光提取電極之有機發光二極體 | |
| JP2017514279A5 (ru) | ||
| JP2021106072A (ja) | 透明導電体及びその製造方法、並びに有機デバイス | |
| WO2014112414A1 (ja) | 透光性基板の製造方法、透光性基板、および有機ｌｅｄ素子 |