RU2672962C2 - Структура подложки и способ ее изготовления - Google Patents
Структура подложки и способ ее изготовления Download PDFInfo
- Publication number
- RU2672962C2 RU2672962C2 RU2016111694A RU2016111694A RU2672962C2 RU 2672962 C2 RU2672962 C2 RU 2672962C2 RU 2016111694 A RU2016111694 A RU 2016111694A RU 2016111694 A RU2016111694 A RU 2016111694A RU 2672962 C2 RU2672962 C2 RU 2672962C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- group
- substrate
- thin film
- organic
- structural formula
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 106
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 159
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 9
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 7
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 7
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 68
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 47
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 32
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 17
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 claims description 11
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 claims description 11
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 9
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 8
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 7
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 5
- 101100134925 Gallus gallus COR6 gene Chemical group 0.000 claims description 4
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical group OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 claims description 4
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 4
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N nitrate group Chemical group [N+](=O)([O-])[O-] NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical group CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical group Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000005587 carbonate group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 claims description 3
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 claims description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 claims description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 2
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 claims description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 claims description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims description 2
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims 4
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- NPNMHHNXCILFEF-UHFFFAOYSA-N [F].[Sn]=O Chemical compound [F].[Sn]=O NPNMHHNXCILFEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 8
- 239000002120 nanofilm Substances 0.000 abstract description 5
- 238000011161 development Methods 0.000 abstract description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract description 3
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 abstract description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 abstract description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 abstract description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 125000003837 (C1-C20) alkyl group Chemical group 0.000 abstract 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N diethylzinc Chemical compound CC[Zn]CC HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000010408 film Substances 0.000 description 17
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 14
- BXAVKNRWVKUTLY-UHFFFAOYSA-N 4-sulfanylphenol Chemical compound OC1=CC=C(S)C=C1 BXAVKNRWVKUTLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 10
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 9
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000013112 stability test Methods 0.000 description 6
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 5
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004566 IR spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 2
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N dimethylzinc Chemical compound C[Zn]C AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000005232 molecular self-assembly Methods 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 241000894007 species Species 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N triethylaluminium Chemical compound CC[Al](CC)CC VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000870 ultraviolet spectroscopy Methods 0.000 description 2
- VMKYTRPNOVFCGZ-UHFFFAOYSA-N 2-sulfanylphenol Chemical group OC1=CC=CC=C1S VMKYTRPNOVFCGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000532412 Vitex Species 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 235000009347 chasteberry Nutrition 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229920001002 functional polymer Polymers 0.000 description 1
- ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N furosemide Chemical compound C1=C(Cl)C(S(=O)(=O)N)=CC(C(O)=O)=C1NCC1=CC=CO1 ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000007737 ion beam deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 239000002055 nanoplate Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001709 polysilazane Polymers 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 238000012496 stress study Methods 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3157—Partial encapsulation or coating
- H01L23/3192—Multilayer coating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
- B32B7/02—Physical, chemical or physicochemical properties
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F3/00—Compounds containing elements of Groups 2 or 12 of the Periodic Table
- C07F3/06—Zinc compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F5/00—Compounds containing elements of Groups 3 or 13 of the Periodic Table
- C07F5/06—Aluminium compounds
- C07F5/061—Aluminium compounds with C-aluminium linkage
- C07F5/062—Al linked exclusively to C
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/42—Silicides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
- C23C16/45529—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations specially adapted for making a layer stack of alternating different compositions or gradient compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45553—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the use of precursors specially adapted for ALD
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133305—Flexible substrates, e.g. plastics, organic film
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/563—Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133302—Rigid substrates, e.g. inorganic substrates
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133345—Insulating layers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/50—Protective arrangements
- G02F2201/501—Blocking layers, e.g. against migration of ions
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2202/00—Materials and properties
- G02F2202/02—Materials and properties organic material
- G02F2202/022—Materials and properties organic material polymeric
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
- H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
- H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
- H10K2102/103—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
Изобретение относится к подложке, содержащей гибридные тонкие пленки, и к способу ее изготовления и может быть использовано для покрытия излучателей света, экранов, элементов солнечных батарей, а также может применяться в различных областях, включая наноструктурирование для изготовления полупроводников и электронных устройств, химических датчиков и биосенсоров, в сфере разработок нанотрибологии, поверхностных модификаций, наноэлектронных машинных систем (NEMS), микроэлектронных машинных систем (MEMS) и энергонезависимых запоминающих устройств. Подложка содержит гибридные тонкие пленки, каждая из которых содержит неорганические и органические слои, расположенные один на другом на подложке и представленные следующей структурной формулой 1: [структурная формула 1] -[M-X-R1-Y-]m-, при этом m является 1 или более, R1 представляет собой замещенный или незамещенный Салкил, Сциклоалкил или арил, или гетероарил, которые имеют количество атомов в ядрах, составляющее 5-60, М выбирают из группы, состоящей из Zn, Sn, In, Cd, Ga, Al, Ti, Si, V, Mn, Fe, Co, Cu, Zr, Ru, Mo, Nb и W, при этом X и Y каждый выбирают из группы, состоящей из О, S, N, NH и СО, и один из X или Y представляет собой S. Обеспечивается подложка, имеющая очень стабильную на воздухе органическую-неорганическую гибридную многослойную молекулярную пленку. 2 н. и 15 з.п. ф-лы, 25 ил., 1 табл., 5 пр.
Description
Область техники
Настоящее изобретение относится к структуре подложки и к способу ее изготовления и, в частности к структуре подложки, включающей новую стабильную функциональную группу, где в указанной подложке слоями нанесена органическая-неорганическая гибридная тонкая пленка, образованная с помощью метода молекулярного наслаивания, в котором попеременно применяют неорганический прекурсор и органический прекурсор, а также к способу ее изготовления.
Уровень техники
В то время как стеклянная подложка, которую применяют для экранов, каркасов, механизмов, емкостей, и т.д., имеет много преимуществ, которые включают небольшой коэффициент линейного расширения, отличные свойства газонепроницаемости, высокий оптический коэффициент пропускания, плоскостность поверхности, а также превосходную жаростойкость и химическую устойчивость, она имеет недостатки, а именно является хрупкой, и по этой причине легко разрушается в результате удара, и прежде всего благодаря ее высокой плотности.
Поскольку интерес к жидкокристаллическим, органическим люминесцентным экранам или к электронной бумаге в последнее время резко увеличивается, активно проводят исследования, в которых подложки таких дисплеев заменяют пластиком. В результате, если стеклянную подложку заменяют пластиковой подложкой, общая масса экрана становится легче, и при этом может быть обеспечена гибкость конструкции. Кроме того, она является устойчивой к удару и если ее изготавливают непрерывным способом, то она может иметь экономические преимущества над стеклянной подложкой.
С другой стороны, для пластиковой подложки, предназначенной для применения в качестве экрана, необходимы определенные характеристики, такие как высокая температура стеклования, блокирование испарения кислорода воды для предотвращения старения жидкокристаллического и органического люминесцентного материала, низкий коэффициент линейного расширения и пространственная стабильность для предотвращения искривления подложки, которое вызывается вследствие изменений температуры во время обработки, высокая механическая прочность для того, чтобы быть совместимой с инструментами для обработки, которые применяют для существующей стеклянной подложки, химическая устойчивость для того, чтобы выдерживать процесс травления, высокая степень светопропускания и небольшое двулучепреломление, а также устойчивость поверхности к царапинам.
Тем не менее, поскольку не существует такой полимерной пленки или высокофункциональной полимерной пленочной подложки, которая бы включала полимерную-неорганическую гибридную пленку, то проводятся такие исследования, где на полимерную пленочную подложку наносят несколько функциональных покрытий, для того чтобы удовлетворить упомянутые выше физические свойства.
Органические-неорганические гибридные материалы представляют собой такие материалы, которые способны демонстрировать как свойства органического материала, так и свойства неорганического материала посредством связывания органического материала с неорганическим материалом на основе физического или химического метода.
Способ, который в большинстве случаев применяли для изготовления органической-неорганической гибридной тонкой пленки, представляет собой золь-гель метод, и при этом он позволяет легко изготавливать органические-неорганические гибридные материалы при низких температурах, в результате чего интенсивные исследования указанного проводили на протяжении длительного времени. К сожалению, золь-гель метод имеет недостатки, а именно, его сложно контролировать с точки зрения мономолекулярного слоя, и при этом после термической обработки появляется деформация, в результате чего сложно изготовить органическую-неорганическую гибридную тонкую пленку высокого качества.
Другой способ изготовления органической-неорганической гибридной тонкой пленки основан на переслаивании и позволяет изготавливать органический-неорганический гибридный материал, который было сложно получить с помощью золь-гель метода. К сожалению, по той причине, что этот способ также сложно контролировать с точки зрения мономолекулярного слоя, и он имеет медленную скорость осаждения, то существуют сложности в случае изготовления органической-неорганической наногибридной сверхрешетки высокого качества.
Метод молекулярной самосборки позволяет собирать органическую-неорганическую гибридную тонкую пленку посредством использования статического электричества, и представляет собой очень полезный метод, который позволяет выращивать в образованном слое полимер, наночастицы, нанопластину, и т.д. Много усилий тратится на исследование указанного. К сожалению, метод молекулярной самосборки выращивает органические-неорганические гибридные тонкие пленки посредством использования статического электричества, и не представляет при этом технологию, которая контролирует мономолекулярный слой в строгом смысле этого слова. Низкая термическая устойчивость приводит к сложностям в изготовлении стабильной органической-неорганической гибридной тонкой пленки высокого качества. Кроме того, в соответствии с методом термического осаждения (испарения) органическая-неорганическая гибридная тонкая пленка формируется в газовой фазе, и вследствие этого сложно регулировать мономолекулярный слой. Кроме того, молекулы ее сырья являются очень ограниченными, так, что их применение также ограничено.
Для того чтобы разрешить указанные проблемы существующих методов изготовления органической-неорганической гибридной тонкой пленки, была разработана технология молекулярного наслаивания, которая позволяет наслаивать не только органические полимеры, но также органические-неорганические гибридные материалы. Технология молекулярного наслаивания представляет собой осаждение из газовой фазы, в котором неорганические или органические молекулы в молекулярном слое могут регулироваться, основываясь на самоконтролирующейся поверхностной реакции неорганических или органических молекул. Исследовательская группа S. М. George в качестве типичного примера применила технологию молекулярного наслаивания для получения глюконовой полимерной пленки с триметилалюминием (ТМА) и этиленгликолем (ЭГ). Тем не менее, в указанном существующем молекулярном наслаивании, функциональная группа, которая включает органический прекурсор, была ограничена до гидроксильной группы, карбоксильной группы и их производных, и при этом органическая-неорганическая гибридная тонкая пленка, полученная соответствующим образом, имеет такую проблему, что она становится нестабильной и разлагается после выдерживания на воздухе.
В настоящее время, покрытая оболочкой пленка имеет различные формы, которые включают пленку в один слой, которая основана на неорганических материалах, таких как SiO2, SiN и Al2O3, многослойную пленку, изготовленную с помощью попеременного осаждения неорганических материалов, и многослойную пленку, изготовленную с помощью попеременного осаждения неорганических материалов и органических материалов. В то время как осаждение ионным пучком, осаждение электронным пучком, осаждение плазменным пучком и химическое осаждение из газовой фазы применяли для образования неорганических поверхностных защитных пленок, указанные существующие методы имеют проблемы, а именно, их соответствующие температуры осаждения должны быть высокими, и при этом качество покрытия указанной тонкой пленкой не является отличным.
Таким образом, методу атомно-слоевого осаждения (ALD), который позволяет получать поверхностную защитную пленку при низких температурах, уделяли много внимания. ALD представляет идеальную технологию для изготовления неорганических и металлических тонких пленок, в которой применяют самоконтролирующуюся реакцию в атомном слое для осаждения моноатомного слоя, и при этом он может считаться методом осаждения новой концепции, который позволяет регулировать толщину моноатомного слоя. Тем не менее, желательных параметров не достигают еще и потому, что во время процесса образования поверхностной защитной пленки происходит образование точечных дефектов.
Кроме того, компания США Vitex Systems изготовила гибкую подложку с превосходными свойствами газонепроницаемости, где процесс, в котором на полимерной пленочной подложке образуется мономерная тонкая пленка, и УФ-излучение, которое используют в процессе для проведения реакции полимеризации для достижения высокой молекулярной массы (затвердевшего органического слоя) для образования покрывающего слоя с помощью методов ПХГВО (плазмохимического газофазного осаждения), ХОГФ (химического осаждения из газовой фазы), и т.д., и образование над ней неорганической тонкой пленки с помощью распыления, повторяют для того, чтобы получить несколько органических-неорганических слоев.
Тем не менее, в то время как была представлена пластиковая подложка, чьи характеристики блокирования газа и влаги были улучшены с помощью упомянутой выше газонепроницаемой пленки, существует проблема в том, что ее характеристики блокирования газа и влаги, а также твердость поверхности являются слишком низкими для применений, включая ОСИД (органический светоизлучающий диод) и ЖКД (жидкокристаллический диод).
Подробное описание изобретения
Техническая задача изобретения
Целью настоящего изобретения является разрешение указанных выше проблем предшествующего уровня техники и обеспечение структуры подложки, включающей новую стабильную органическую-неорганическую гибридную тонкую пленку, в которой попеременно применяют соединение прекурсора, которое применяют для образования неорганического слоя, и соединение прекурсора, которое применяют для образования органического слоя, который включает новую функциональную группу.
Целью настоящего изобретения также является обеспечение способа изготовления структуры подложки в соответствии с настоящим изобретением.
Средства решения задачи
Для решения указанных выше задач, настоящее изобретение обеспечивает структуру подложки, содержащей подложку и органическую-неорганическую гибридную тонкую пленку, представленную формулой 1, которую послойно наносят на расположенную внизу подложку.
(В представленной выше формуле 1 m является 1 или более,
R1 представляет собой C1~20 алкил, C5~20 циклоалкил, или арил или гетероарил, которые имеют 5~60 атомов в ядрах,
М выбирают из группы, состоящей из Zn, Sn, In, Cd, Ga, Al, Ti, Si, V, Mn, Fe, Co, Cu, Zr, Ru, Mo, Nb и W, и
X или Y выбирают из группы, состоящей из О, S, N, NH и СО, и либо X, либо Y представляет собой S.)
В структуре подложки в соответствии с настоящим изобретением, толщина органической-неорганической гибридной тонкой пленки обычно находится в диапазоне от 1 до 500 А.
В структуре подложки в соответствии с настоящим изобретением, при условии, что начальная толщина органической-неорганической гибридной тонкой пленки составляет d0, и толщина органической-неорганической гибридной тонкой пленки после выдерживания в условиях стандартной температуры и давления на протяжении n часов составляет dn, выполняется приведенное ниже выражение соотношений:
0≤(dn/d0)≤0,1(0≤n≤240)
Строение структуры подложки в соответствии с одним Примером настоящего изобретения показано на Фигуре 1. Как показано на Фигуре 1, структура подложки в соответствии с одним Примером настоящего изобретения содержит подложку (10); и органическую-неорганическую гибридную тонкую пленку (20), которая сформирована поверх подложки.
В структуре подложки в соответствии с настоящим изобретением, подложка (10) представляет собой проводящую прозрачную подложку, выбранную из группы, состоящей из ITO, FTO, ZnO, CdO , CdSe и CdS.
В структуре подложки в соответствии с настоящим изобретением, подложка представляет собой полимерную подложку, выбранную из группы, состоящей из фторполимерной смолы, сложного полиэфира, полиакрилата, полиамида, полиимида и поликарбоната.
В структуре подложки в соответствии с настоящим изобретением, полимерную подложку выбирают из группы, состоящей из поливинилиденфторида (ПВДФ), полиэтилентерефталата (ПЭТ), полиэтиленнафталата (ПЭН) и полиметилметакрилата (ПММА).
В структуре подложки в соответствии с настоящим изобретением, толщина органической-неорганической гибридной тонкой пленки (20) находится в диапазоне от 1 до 500 А.
В структуре подложки в соответствии с настоящим изобретением, при условии, что начальная толщина органической-неорганической гибридной тонкой пленки составляет d0, и толщина органической-неорганической гибридной тонкой пленки после выдерживания в условиях стандартной температуры и давления на протяжении n часов составляет dn, выполняется приведенное ниже выражение соотношений:
0≤(dn/d0)≤0,1(0≤n≤240)
Настоящее изобретение также обеспечивает структуру подложки, содержащей подложку, при этом структура подложки включает органическую-неорганическую гибридную тонкую пленку, нанесенную слоями на подложку, и функциональную тонкую пленку, которая включает слой оксида металла, выбранного из группы, состоящей из Zn, Sn, In, Cd, Ga, Al, Ti, Si, V, Mn, Fe, Co, Cu, Zr, Ru, Mo, Nb и W.
На Фигуре 2.показана структура подложки, включающей функциональную тонкую пленку в соответствии с другим Примером настоящего изобретения. Как показано на Фигуре 2, функциональная тонкая пленка содержит органическую-неорганическую гибридную тонкую пленку (20) и слой оксида (30). То есть, структура подложки содержит подложку (10) и органическую-неорганическую гибридную тонкую пленку (20), нанесенную слоями на подложку; и слой оксида (30) металла, выбранного из группы, состоящей из Zn, Sn, In, Cd, Ga, Al, Ti, Si, V, Mn, Fe, Co, Cu, Zr, Ru, Mo, Nb и W, который наносят поверх органической-неорганической гибридной тонкой пленки.
В структуре подложки, включающей функциональную тонкую пленку в соответствии с настоящим изобретением, толщина слоя оксида металла (30), выбранного из группы, состоящей из Zn, Sn, In, Cd, Ga, Al, Ti, Si, V, Mn, Fe, Co, Cu, Zr, Ru, Mo, Nb и W, находится в диапазоне от 10 до 2000 А.
В структуре подложки, включающей функциональную тонкую пленку в соответствии с настоящим изобретением, при условии, что начальная толщина структуры подложки, включающей функциональную тонкую пленку, составляет d0, и толщина структуры подложки после выдерживания в условиях стандартной температуры и давления на протяжении n часов составляет dn, выполняется приведенное ниже выражение соотношений:
0≤(Dn/D0)≤0,1(0≤n≤240)
На Фигуре 3 - Фигуре 6 проиллюстрированы структуры подложек в соответствии с другим Примером настоящего изобретения.
Как показано на Фигуре 3, структура подложки в соответствии с настоящим изобретением может дополнительно включать первый химически устойчивый слой (40) между подложкой (10) и органической-неорганической гибридной тонкой пленкой (20).
Как показано на Фигуре 4, структура подложки в соответствии с настоящим изобретением может дополнительно включать второй химически устойчивый слой (50), расположенный ниже подложки (10).
В структуре подложки в соответствии с настоящим изобретением, первый химически устойчивый слой (40) и второй химически устойчивый слой (50) могут включать по меньшей мере один вид смолы, выбранной из акриловой смолы, эпоксидной смолы, полисилазана и полиимидной смолы.
Как показано на Фигуре 5 и Фигуре 6, структура подложки в соответствии с настоящим изобретением может дополнительно включать защитный слой (60) поверх органической-неорганической гибридной тонкой пленки (20) и/или поверх слоя оксида металла (30). Защитный слой может включать полиимид.
Настоящее изобретение также обеспечивает электронной устройство, которое включает структуру подложки в соответствии с настоящим изобретением, например, излучатель света, дисплей или элемент солнечной батареи.
Настоящее изобретение также обеспечивает способ изготовления структуры подложки, содержащий
(1) стадию, в которой для образования неорганического молекулярного слоя применяют первое соединение прекурсора, представленное формулой 2 ниже;
(В представленной выше формуле 2, М выбирают из группы, состоящей из Zn, Sn, Cd, Ti, Si, V, Mn, Fe, Co, Cu, Zr, Ru, Mo, Nb, W, In, Ga, Al и Tl,
n определяется в соответствии с состоянием степени окисления металла М,
и
R21-R2n каждая независимо представляют собой C1~20 алкил, C1~20 алкоксид, хлоридную группу, гидроксидную группу, оксигидроксидную группу, нитратную группу, карбонатную группу, ацетатную группу или оксалатную группу.)
и
(2) стадию, в которой второе соединение прекурсора, представленное формулой 3 ниже, вступает в реакцию с неорганическим молекулярным слоем с образованием органического молекулярного слоя над неорганическим молекулярным слоем.
(В представленной выше формуле 3, R3 представляет собой водород, COR6, C1~20 алкил, С5~20 циклоалкил, или арил или гетероарил, которые имеют 5~60 атомов в ядрах,
R4 представляет собой С1~20 алкил, C5~20 циклоалкил, или арил или гетероарил, которые имеют 5~60 атомов в ядрах,
R5 представляет собой один или более видов, выбранных из группы, состоящей из C1~20 алкоксигруппы, простой эфирной группы, карбоксильной группы, COR6, тиольной группы и аминогруппы, и
R6 представляет собой один или более видов, выбранных из группы, состоящей из водорода, алкоксигруппы, простой эфирной группы, карбоксильной группы, тиольной группы, и аминогруппы.)
В способе изготовления структуры подложки в соответствии с настоящим изобретением, первое соединение прекурсора вступает в реакцию с подложкой с образованием неорганического слоя на поверхности подложки.
Первое соединение прекурсора может представлять собой любой прекурсор, который позволяет образовываться неорганической тонкой пленке, и при этом для того, чтобы ввести желательное количество прекурсора в рабочее пространство за короткий период времени, применяют соединение металла, которое имеет высокую точку испарения. Например, первое соединение прекурсора может представлять собой группу, состоящую из алкоксида, хлорида, гидроксида, оксигидроксида, нитрата, карбоната, ацетата, оксалата и их смесей, которые включают один вид металла, выбранного из группы, состоящей из Zn, Sn, In, Cd, Ga, Al, Ti, Si, V, Mn, Fe, Co, Cu, Zr, Ru, Mo, Nb и W и их комбинаций, в качестве металла М.
Первое соединение прекурсора обычно содержит n заместителей R21, R22… R2n, которые определяются в соответствии с состоянием степени окисления металла М, где R21-R2n каждая независимо представляют собой С1~20 алкил, С1~20 алкоксид, хлоридную группу, гидроксидную группу, оксигидроксидную группу, нитратную группу, карбонатную группу, ацетатную группу или оксалатную группу.
В частности, газообразное сырье, которое применяют для образования неорганического слоя, включающего металл Zn, включает ДЭZn (диэтилцинк), и ДMZn (диметилцинк), в то время как газообразное сырье, которое применяют для образования неорганического слоя, который включает металл А1, может представлять собой триметилалюминий (ТМА), триэтилалюминий (ТЭА), и т.д.
В способе изготовления структуры подложки в соответствии с настоящим изобретением, SR3 или R5 второго соединения прекурсора, представленного формулой 3 выше, вступает в реакцию с неорганическим слоем, образованным на поверхности подложки с помощью первого соединения прекурсора, с образованием органической-неорганической гибридной тонкой пленки.
В способе изготовления структуры подложки в соответствии с настоящим изобретением, соединение, представленное формулой 4, может применяться в качестве второго соединения прекурсора.
[Формула 4]
(В формуле 4, Z представляет собой тиольную группу, Q представляет собой любую группу, выбранную из тиольной группы и гидроксильной группы, и Z и Q находятся в орто-, мета- или пара-положении.)
В способе изготовления органической-неорганической гибридной тонкой пленки в соответствии с настоящим изобретением, соединение, представленное формулой 5 или формулой 6 ниже, может применяться в качестве второго соединения прекурсора.
[Формула 5]
[Формула 6]
В способе изготовления структуры подложки в соответствии с настоящим изобретением, стадия (1) и стадия (2) могут быть проведены несколько раз для образования органической-неорганической гибридной тонкой пленки желательной толщины.
Способ изготовления структуры подложки в соответствии с настоящим изобретением дополнительно, до проведения стадии (1), включает стадию, в которой на поверхности подложки образуется слой оксида.
Настоящее изобретение также обеспечивает способ изготовления структуры подложки, содержащей функциональную тонкую пленку, который дополнительно включает стадию (3), в которой после того, как была образована органическая-неорганическая гибридная тонкая пленка посредством стадии (1) и стадии (2), с помощью атомно-слоевого осаждения образуется слой оксида металла, выбранного из группы, состоящей из Zn, Sn, In, Cd, Ga, Al, Ti, Si, V, Mn, Fe, Co, Cu, Zr, Ru, Mo, Nb и W.
В способе изготовления структуры подложки, содержащей функциональную тонкую пленку в соответствии с настоящим изобретением, стадию (3) проводят повторно n2 раза (n2 является 1 или более) после каждой из стадий (1) и (2), проведенных повторно n1 раза (n1 является 1 или более).
В способе изготовления структуры подложки, содержащей функциональную тонкую пленку в соответствии с настоящим изобретением, стадии (1)-(3) проводят несколько раз.
Осуществление изобретения
По той причине, что структура подложки, содержащая органическую-неорганическую гибридную тонкую пленку в соответствии с настоящим изобретением, включает не только органическую-неорганическую гибридную тонкую пленку, а также новую функциональную группу, так, что она остается стабильной на воздухе, она может применяться в различных областях, которые включают наноструктурирование для изготовления полупроводников и электронной устройства, химических датчиков и биосенсоров, в сфере разработок нанотрибологии, поверхностных модификаций, наноэлектронных машинных систем (NEMS), микроэлектронных машинных систем (MEMS) и энергонезависимых запоминающих устройств.
Способ изготовления структуры подложки, содержащей органическую-неорганическую гибридную тонкую пленку в соответствии с настоящим изобретением позволяет обеспечить очень стабильную на воздухе органическую-неорганическую гибридную многослойную молекулярную пленку посредством включения новой функциональной группы, которую не применяли раньше в органическом прекурсоре при изготовлении органической-неорганической гибридной тонкой пленки посредством попеременного применения органического прекурсора и неорганического прекурсора в соответствии с методом молекулярного наслаивания.
Краткое описание графических материалов
Фигура 1 - Фигура 6 схематически показывают структуры подложек в соответствии с Примерами настоящего изобретения.
Фигура 7 и Фигура 8 соответственно показывают скорости роста тонкой пленки в зависимости от введенных количеств первого прекурсора и второго прекурсора в одном Примере настоящего изобретения.
Фигура 9 показывает результаты исследования ультрафиолетовой спектроскопии в отношении органической-неорганической гибридной тонкой пленки и 4-меркаптофенола, изготовленных в одном Примере настоящего изобретения.
Фигура 10 показывает результаты исследования спектров поглощения в УФ и видимой области в отношении органической-неорганической гибридной тонкой пленки, изготовленной в одном Примере настоящего изобретения.
Фигура 11 показывает результаты испытания стабильности на воздухе в отношении органической-неорганической гибридной тонкой пленки, изготовленной в одном Примере настоящего изобретения, и тонкой пленки, изготовленной в сравнительном Примере.
Фигура 12 показывает результаты исследования толщины тонкой пленки в зависимости от цикла процесса формирования органической-неорганической гибридной тонкой пленки в одном Примере настоящего изобретения.
Фигура 13 показывает результаты исследования шероховатости поверхности на гибридной тонкой пленке, изготовленной в одном Примере настоящего изобретения.
Фигура 14 и Фигура 15 соответственно показывают скорости роста тонкой пленки в зависимости от введенных количеств первого прекурсора и второго прекурсора в одном Примере настоящего изобретения.
Фигура 16 показывает результаты исследования ультрафиолетовой спектроскопии в отношении органической-неорганической гибридной тонкой пленки, изготовленной в одном Примере настоящего изобретения.
Фигура 17 показывает результаты исследования спектров поглощения в УФ и видимой области в отношении органической-неорганической гибридной тонкой пленки, изготовленной в одном Примере настоящего изобретения.
Фигура 18 показывает результаты испытания стабильности на воздухе в отношении органической-неорганической гибридной тонкой пленки, изготовленной в одном Примере настоящего изобретения, и тонкой пленки, изготовленной в сравнительном Примере.
Фигура 19 показывает результаты исследования толщины тонкой пленки в процессе формирования органической-неорганической гибридной тонкой пленки в одном Примере настоящего изобретения.
Фигура 20 показывает результаты исследования шероховатости поверхности на гибридной тонкой пленке, изготовленной в одном Примере настоящего изобретения.
Фигура 21 показывает результаты фотографирования органической-неорганической гибридной тонкопленочной сверхрешетки, изготовленной в одном Примере настоящего изобретения, с помощью ПЭМ (просвечивающего электронного микроскопа).
Фигура 22 и Фигура 23 показывают скорость замедления образования точечных дефектов, которую исследовали с помощью изменения толщины органической-неорганической гибридной тонкой пленки в органической-неорганической гибридной тонкопленочной сверхрешетке, изготовленной в одном Примере настоящего изобретения.
Фигура 24 показывает результаты исследования напряжения тонкой пленки в зависимости от соотношения тонкой пленки Al2O3, образованной с помощью атомно-слоевого осаждения, к органической-неорганической гибридной тонкой пленке в органической-неорганической гибридной тонкопленочной сверхрешетке, изготовленной в одном Примере настоящего изобретения.
Фигура 25 показывает результаты исследования в отношении приблизительного окисления органической-неорганической гибридной тонкой пленки, изготовленной в одном Примере настоящего изобретения, и тонкой пленка, изготовленной в сравнительном Примере.
Характерные детали осуществления изобретения
Настоящее изобретение дополнительно подробно описано ниже в соответствии с Примерами настоящего изобретения. Тем не менее, настоящее изобретение приведенными ниже Примерами не ограничивается.
<Пример 1>
После того, как подложка Si (100) была промыта с использованием дистиллированной воды и ацетона, ее 2 - 3 раза продували с использованием газа N2 для того, чтобы удалить какие-либо загрязнения на поверхности подложки перед тем, как применять диэтилцинк (ДЭZn) в качестве первого соединения прекурсора для наслаивания тонкой пленки диэтилцинка (ДЭZn) на подложку Si в соответствии с методом молекулярного наслаивания.
Для изготовления органической-неорганической гибридной тонкой пленки над тонкой пленкой, диэтилцинка (ДЭZn) с помощью применения 4-меркаптофенола в качестве второго соединения прекурсора в соответствии с методом молекулярного наслаивания была образована органическая молекулярная пленка. Аргон применяли как в качестве несущего газа, так и в качестве продувочного газа, и ДЭZn и 4-меркаптофенол соответственно испаряли при температуре 20°С и 70°С. Одного цикла достигали с помощью воздействия ДЭZn на протяжении 2 секунд, продувая с использованием Ar на протяжении 10 секунд, воздействия 4-меркаптофенола на протяжении 2 секунд и продувания с использованием Ar на протяжении 50 секунд. Тонкая пленка была выращена при температуре, которая составляла 80°С - 200°С, и давлении 300 мТорр.
<Эксперимент> Исследование скорости роста в зависимости от времени введения органического прекурсора и неорганического прекурсора
В Примере 1, скорости роста тонкой пленки в соответствии со временем введения первого соединения прекурсора диэтилцинка (ДЭZn) и скорости роста тонкой пленки в соответствии со временем введения второго соединения прекурсора 4-меркаптофенола были исследованы, и соответственно показаны на Фигуре 7 и Фигуре 8.
Можно заметить на Фигуре 7 и Фигуре 8, что скорости роста тонких пленок увеличиваются с введением определенных количеств первого соединения прекурсора диэтилцинка (ДЭZn) и второго соединения прекурсора 4-меркаптофенола, и затем скорости роста больше не увеличиваются, а остаются при определенных скоростях.
<Эксперимент> ИК-спектроскопическое исследование
ИК-спектроскопические исследования выполняли в отношении органической-неорганической гибридной тонкой пленки, изготовленной с помощью такого же способа как в Примере 1, за исключением того, что вместо подложки Si и 4-меркаптофенола применяли гранулы KBr, и результаты показаны на Фигуре 9.
Можно удостовериться на Фигуре 9, что в сравнительном Примере находят гидроксильную группу и тиольную группу 4-меркаптофенола, в котором применяют только 4-меркаптофенол, в то время как в случае органической-неорганической гибридной тонкой пленки в соответствии с настоящим изобретением применяют гидроксильную группу и тиольную группу меркаптофенола в качестве второго прекурсора, который вступает в реакцию с неорганическим молекулярным слоем, полученным с помощью первого прекурсора с образованием гибридной тонкой пленки, так, что гидроксильную группу и тиольную группу меркаптофенола с помощью метода ИК-спектроскопии не обнаруживают.
<Эксперимент> Спектроскопическое исследование в УФ и видимой области
Проводили исследование поглощения в УФ и видимой области в отношении органической-неорганической гибридной тонкой пленки, изготовленной в Примере 1 выше, и результаты показаны на Фигуре 10. Можно удостовериться на Фигуре 10, что органическая-неорганическая гибридная тонкая пленка в соответствии с настоящим изобретением не имеет поглощения в диапазоне видимого излучения.
<Сравнительный Пример>
В сравнительном Примере органическая-неорганическая гибридная тонкая пленка была изготовлена таким же способом, как в Примере 1 выше, за исключением того, что диэтилцинк (ДЭZn) применяли в качестве первого соединения прекурсора для наслаивания тонкой пленки диэтилцинка (ДЭZn) на подложку Si в соответствии с методом молекулярного наслаивания, и затем в качестве второго соединения прекурсора применяли гидрохинон (HQ).
<Эксперимент> Испытание стабильности на воздухе
В то время как органическую-неорганическую гибридную тонкую пленку Примера 1 и органическую-неорганическую гибридную тонкую пленку, изготовленную в сравнительном Примере выше, оставляли на воздухе, исследовали изменения их толщины в процессе испытания стабильности на воздухе, и результаты показаны на Фигуре 11.
Как можно увидеть на Фигуре 11, в отличие от настоящего изобретения, в случае Сравнительного Примера, где не применяют S группу, толщина пленки резко уменьшается, в то время как толщина пленки не изменяется с течением времени в случае Примера в соответствии с настоящим изобретением и, что при этом органическая-неорганическая гибридная многослойная пленка, которая включает S группу является очень стабильной на воздухе.
<Пример 2>
Как и в Примере 1 выше, диэтилцинк (ДЭZn) применяли в качестве первого соединения прекурсора для наслаивания тонкой пленки на подложке Si, и 4-меркаптофенол применяли в качестве второго соединения прекурсора для образования органической-неорганической гибридной тонкой пленки над тонкой пленкой диэтилцинка (ДЭZn) в соответствии с методом молекулярного наслаивания, до процесса образования диэтилцинка (ДЭZn) с помощью первого соединения прекурсора, и когда тонкая пленка, основанная на втором соединении прекурсора, была образована повторно, исследовали толщину тонкой пленки, и результаты показаны на Фигуре 12.
На Фигуре 12 можно удостовериться, что количество повторений в процессе образования тонкой пленки с помощью первого соединения прекурсора и образования тонкой пленки с помощью второго соединения прекурсора является пропорциональным толщине образованной тонкой пленки.
<Эксперимент> Исследование шероховатости поверхности
Органическую-неорганическую гибридную тонкую пленку толщиной 50 нм, изготовленную в Примере 2, исследовали в отношении ее шероховатости поверхности с использованием АСМ (атомного силового микроскопа), и результаты показаны на Фигуре 13. Среднее значение установленной шероховатости составляло 2.2 А.
<Пример 3>
После того, как подложка Si (100) была промыта с использованием дистиллированной воды и ацетона, ее 2-3 раза продували с использованием газа N2 для того, чтобы удалить какие-либо загрязнения на поверхности подложки, перед тем, как применяли триметилалюминий (ТМА) в качестве первого соединения прекурсора для наслаивания тонкой пленки триметилалюминия (ТМА) на подложку Si в соответствии с методом молекулярного наслаивания.
Для изготовления органической-неорганической гибридной тонкой пленки, над тонкой пленкой триметилалюминия (ТМА) с помощью применения 4-меркаптофенола в качестве второго соединения прекурсора в соответствии с методом молекулярного наслаивания была образована органическая молекулярная пленка.
Аргон применяли как в качестве несущего газа, так и в качестве продувочного газа, и ТМА и 4-меркаптофенол, соответственно, испаряли при температуре 20°С и 70°С. Одного цикла достигали с помощью воздействия ТМА на протяжении 2 секунд, продувая с использованием Ar на протяжении 10 секунд, воздействия 4-меркаптофенола на протяжении 2 секунд и продувания с использованием Ar на протяжении 50 секунд. Тонкая пленка была выращена при температуре, которая составляла 80°С-200°С, и давлении 300 мТорр.
<Эксперимент> Исследование скорости роста в зависимости от времени введения органического прекурсора и неорганического прекурсора
В Примере 3, были исследованы скорости роста тонкой пленки в соответствии с временем введения первого соединения прекурсора триметилалюминия (ТМА) и скорости роста тонкой пленки в соответствии с временем введения второго соединения прекурсора 4-меркаптофенола и, соответственно, показаны на Фигуре 14 и Фигуре 15.
На Фигуре 14 и Фигуре 15 можно заметить, что скорости роста тонких пленок увеличиваются с введением определенных количеств первого соединения прекурсора триметилалюминия (ТМА) и второго соединения прекурсора 4-меркаптофенола, и затем скорости роста больше не увеличиваются, а остаются при определенных скоростях.
<Эксперимент> ИК-спектроскопическое исследование
ИК-спектроскопическое исследования выполняли в отношении органической-неорганической гибридной тонкой пленки, изготовленной с помощью такого же способа, как в Примере 3, за исключением того, что вместо подложки Si и 4-меркаптофенола применяли гранулы KBr, и результаты показаны на Фигуре 16.
Можно удостовериться на Фигуре 16, что в случае органической-неорганической гибридной тонкой пленки в соответствии с настоящим изобретением, гидроксильная группа и тиольная группа меркаптофенола, который применяют в качестве второго прекурсора, вступают в реакцию с неорганическим молекулярным слоем, полученным с помощью первого прекурсора, с образованием гибридной тонкой пленки, так, что гидроксильную группу и тиольную группу меркаптофенола с помощью метода ИК-спектроскопии не обнаруживают.
<Эксперимент> Спектроскопическое исследование в УФ и видимой области
Проводили исследования поглощения в УФ и видимой области в отношении органической-неорганической гибридной тонкой пленки, изготовленной в Примере 3 выше, и результаты показаны на Фигуре 17. Можно удостовериться из Фигуры 17, что органическая-неорганическая гибридная тонкая пленка в соответствии с настоящим изобретением не имеет поглощения в диапазоне видимого излучения.
Сравнительный Пример>
В сравнительном Примере органическую-неорганическую гибридную тонкую пленку получали таким же способом, как в Примере 3 выше, за исключением того, что триметилалюминий (ТМА) применяли в качестве первого соединения прекурсора для наслаивания тонкой пленки триметилалюминия (ТМА) на подложку Si в соответствии с методом молекулярного наслаивания, и затем в качестве второго соединения прекурсора применяли гидрохинон (HQ).
<Эксперимент> Испытание стабильности на воздухе
В то время как органическую-неорганическую гибридную тонкую пленку Примера 3 и органическую-неорганическую гибридную тонкую пленку, изготовленную в сравнительном Примере выше, оставляли на воздухе, в процессе испытания стабильности на воздухе были исследованы их изменения толщины, и результаты показаны на Фигуре 18.
Можно увидеть на Фигуре 12, что, при условии, что начальная толщина составляет d0 и толщина через n часов составляет dn, dn/d0 в случае Сравнительного Примера без включения группы S увеличивается до 0,5 или больше в результате резкого уменьшения толщины, в отличие от настоящего изобретения, в то время как в случае Примера в соответствии с настоящим изобретением, dn/d0 поддерживается при значении 0,1 или меньше в результате отсутствия изменений толщины с течением времени и, что органическая-неорганическая гибридная тонкая пленка в соответствии с настоящим изобретением является очень стабильной на воздухе.
<Пример 4>
Как и в Примере 3 выше, триметилалюминий (ТМА) применяли в качестве первого соединения прекурсора для наслаивания тонкой пленки на подложке Si, и 4-меркаптофенол применяли в качестве второго соединения прекурсора для образования органической-неорганической гибридной тонкой пленки над тонкой пленкой триметилалюминия (ТМА) в соответствии с методом молекулярного наслаивания, до процесса образования тонкой пленки триметилалюминия (ТМА) с помощью первого соединения прекурсора, и когда тонкая пленка, основанная на втором соединении прекурсора была образована повторно, исследовали толщину тонкой пленки, и результаты показаны на Фигуре 19.
Можно удостовериться на Фигуре 19, что количество повторений в процессе образования тонкой пленки с помощью первого соединения прекурсора и образования тонкой пленки с помощью второго соединения прекурсора является пропорциональным толщине образованной тонкой пленки.
<Эксперимент> Исследование шероховатости поверхности
Органическую-неорганическую гибридную тонкую пленку 50 нм толщиной, изготовленную в Пример 4, исследовали в отношении ее шероховатости поверхности с использованием АСМ, и результаты показаны на Фигуре 20. Среднее значение установленной шероховатости составляло 2.8 А.
<Пример 5>
После того, как органическую-неорганическую гибридную тонкую пленку получали таким же способом, как и в Примерах 1 и 3 выше, тонкую пленку Al2O3 наслаивали на органическую-неорганическую гибридную тонкую пленку в соответствии со способом атомно-слоевого осаждения, и указанный способ атомно-слоевого осаждения повторяли, контролируя соотношение тонкой пленки Al2O3 и органической-неорганической гибридной тонкой пленки в соответствии с настоящим изобретением, для того чтобы получить органическую-неорганическую гибридную функциональную тонкую пленку.
Для того чтобы получить тонкую пленку Al2O3 в соответствии с осаждением атомных слоев, в качестве несущего газа и продувочного газа применяли газ аргон, и при этом триметилалюминий (ТМА) и Н2О испаряли при нормальной температуре. Цикла достигали посредством воздействия ТМА на протяжении 1 секунды, продувая с использованием Ar на протяжении 5 секунд, воздействия Н2О на протяжении 1 секунды и продувания с использованием Ar на протяжении 5 секунд. Упомянутая выше тонкая пленка была выращена при температуре, которая составляла 80°С, и давлении 300 мТорр.
<Эксперимент> ПЭМ-исследование
Фотографирование с помощью ПЭМ осуществляли тогда, когда соотношения органической-неорганической гибридной тонкой пленки к тонкой пленке Al2O3, изготовленной в Пример 5 выше, составляло 1:2, и результаты показаны на Фигуре 21. На Фигуре 21 можно удостовериться, что тонкая пленка Al2O3, полученная в соответствии с осаждением атомных слоев, и органическая-неорганическая гибридная тонкая пленка в соответствии с настоящим изобретением были сформированы поочередно.
<Эксперимент> Исследование действия замедления образования точечных дефектов
В Примере 5 выше, с помощью изменения толщины органической-неорганической гибридной тонкой пленки исследовали скорости замедления образования точечных дефектов, и результаты показаны на Фигуре 22 и Фигуре 23.
Как можно увидеть на Фигуре 23, точечные дефекты образуются редко, если толщина органической-неорганической гибридной тонкой пленки в соответствии с настоящим изобретением составляет 80 нм или более.
<Эксперимент> Исследование напряжений тонкой пленки
В органической-неорганической гибридной функциональной тонкой пленке, изготовленной в Пример 5 выше, исследовали напряжения тонкой пленки в зависимости от соотношения тонкой пленки Al2O3 к органической-неорганической гибридной тонкой пленке в соответствии с настоящим изобретением, в то время как общую толщину тонкой пленки поддерживали одинаковой, и результаты показаны на Фигуре 24.
<Эксперимент> Исследования устойчивости к проникновению влаги и устойчивости к проникновению кислорода
Органическую-неорганическую гибридную функциональную тонкую пленку, изготовленную в Пример 5 выше, и тонкую пленку Al2O3 Сравнительного Примера исследовали в отношении устойчивости к проникновению влаги и устойчивости к проникновению кислорода, и результаты показаны в Таблице 1 и на Фигуре 25 ниже.
Из Таблицы 1 и Фигуры 25 ниже можно заметить, что функциональная тонкая пленка, содержащая органическую-неорганическую гибридную тонкую пленку и Al2O3 в соответствии с настоящим изобретением, имеет превосходную устойчивость к проникновению влаги и устойчивость к проникновению кислорода, если сравнивать с пленкой Сравнительного Примера.
Промышленная применимость
По той причине, что структура подложки, содержащей органическую-неорганическую гибридную тонкую пленку в соответствии с настоящим изобретением, включает новую функциональную группу, так, что она остается стабильной на воздухе, она может применяться не только для покрытия излучателей света, экранов и элементов солнечных батарей, а также может применяться в различных областях, включая наноструктурирование для изготовления полупроводников и электронных устройств, химических датчиков и биосенсоров, в сфере разработок нанотрибологии, поверхностных модификаций, наноэлектронных машинных систем (NEMS), микроэлектронных машинных систем (MEMS) и энергонезависимых запоминающих устройств.
Способ изготовления органической-неорганической гибридной тонкой пленки в соответствии с настоящим изобретением позволяет обеспечить очень стабильную на воздухе органическую-неорганическую гибридную многослойную молекулярную пленку посредством того, что во время изготовления органической-неорганической гибридной тонкой пленки, где попеременно применяют органический прекурсор и неорганический прекурсор в соответствии с методом молекулярного наслаивания, в органический прекурсор включают новую функциональную группу, которую не применяли раньше.
Claims (42)
1. Подложка, содержащая гибридные тонкие пленки, характеризующаяся тем, что она содержит гибридные тонкие пленки, каждая из которых содержит неорганические и органические слои, расположенные один на другом на подложке, при этом гибридные тонкие пленки, каждая из которых содержит неорганические и органические слои, представлены следующей структурной формулой 1:
[структурная формула 1] -[M-X-R1-Y-]m-,
где m является 1 или более,
R1 представляет собой замещенный или незамещенный С1-20 алкил, С5-20 циклоалкил или арил, или гетероарил, которые имеют количество атомов в ядрах, которое составляет 5-60,
М выбирают из группы, состоящей из Zn, Sn, In, Cd, Ga, Al, Ti, Si, V, Mn, Fe, Co, Cu, Zr, Ru, Mo, Nb и W,
X и Y каждый выбирают из группы, состоящей из О, S, N, NH и СО, и один из X или Y представляет собой S.
2. Подложка по п.1, в которой толщина гибридных тонких пленок, каждая из которых содержит неорганические и органические слои, составляет от 1 
до 500 .
3. Подложка по п.1, в которой при начальной толщине гибридных тонких пленок, каждая из которых содержит неорганические и органические слои, принятой за d0, и толщине гибридных тонких пленок, каждая из которых содержит неорганические и органические слои, после выдерживания при температуре, составляющей 80-200°С, и давлении, составляющем 300 мТорр, на протяжении n часов, принятой за dn, выполняется следующее соотношение:
0≤(dn/d0)≤0,1, при этом 0≤n≤240.
4. Подложка по п.1, в которой каждая из тонких пленок дополнительно содержит слой оксида металла, выбранного из группы, состоящей из Zn, Sn, In, Cd, Ga, Al, Ti, Si, V, Mn, Fe, Co, Cu, Zr, Ru, Mo, Nb и W, который образован на или под гибридными тонкими пленками, каждая из которых содержит неорганические и органические слои.
5. Подложка по п.4, в которой толщина слоя оксида металла составляет от 100 до 2000 .
6. Подложка по п.4, в которой при начальной толщине подложки, принятой за D0, и толщине подложки после выдерживания при температуре, составляющей 80-200°С, и давлении, составляющем 300 мТорр, на протяжении n часов, принятой за Dn, выполняется следующее соотношение:
0≤(Dn/D0)≤0,1, при этом 0≤n≤240.
7. Подложка по п.1 или 4, в которой подложка представляет собой проводящую и прозрачную подложку, выбранную из группы, состоящей из легированного оловом оксида индия (ITO), легированного фтором оксида олова (FTO), ZnO, легированного алюминием оксида цинка (AZO), CdO, и TiO2.
8. Подложка по п.1 или 4, в которой подложка представляет собой полимерную подложку, выбранную из группы, состоящей из фторполимерной смолы, сложного полиэфира, полиакрилата, полиамида, полиимида и поликарбоната.
9. Способ изготовления подложки, содержащей гибридные тонкие пленки по п.1, который включает:
(1) образование неорганического молекулярного слоя на поверхности подложки, с использованием первого соединения прекурсора, представленного следующей структурной формулой 2:
[структурная формула 2] M(R21)(R22)…(R2n),
при этом М выбирают из группы, состоящей из Zn, Sn, Cd, Ti, Si, V, Mn, Fe, Co, Cu, Zr, Ru, Mo, Nb, W, In, Ga, Al и Tl,
n определяется в соответствии со степенью окисления металла М, и
R21-R2n каждая независимо представляет собой С1-20 алкил, С1-20 алкоксид, хлоридную группу, гидроксильную группу, оксигидроксидную группу, нитратную группу, карбонатную группу, ацетатную группу или оксалатную группу; и
(2) образование органического молекулярного слоя на неорганическом молекулярном слое с помощью реакции второго соединения прекурсора, представленного следующей структурной формулой 3, с неорганическим молекулярным слоем:
[структурная формула 3] R3-S-R4-R5,
при этом R3 представляет собой водород, COR6, С1-20 алкил, С5-20 циклоалкил или арил, или гетероарил, которые имеют количество атомов в ядрах, составляющее 5-60,
R4 представляет собой С1-20 алкил, С5-20 циклоалкил или арил, или гетероарил, которые имеют количество атомов в ядрах, составляющее 5-60,
R5 представляет собой по меньшей мере группу, выбранную из группы, состоящей из гидроксильной группы, С1-20 алкоксигруппы, простой эфирной группы, карбоксильной группы, COR6, тиольной группы и аминогруппы, и
R6 представляет собой по меньшей мере группу, выбранную из группы, состоящей из водорода, алкоксигруппы, простой эфирной группы, карбоксильной группы, тиольной группы и аминогруппы.
10. Способ по п.9, в котором второе соединение прекурсора имеет следующую структурную формулу 4:
[структурная формула 4]
при этом Z представляет собой тиольную группу, Q представляет собой группу, выбранную из тиольной группы или гидроксильной группы, и Z и Q находятся в орто-, мета- или пара-положении.
11. Способ по п.10, в котором второе соединение прекурсора имеет следующую структурную формулу 5:
[структурная формула 5]
12. Способ по п.10, в котором второе соединение прекурсора имеет следующую структурную формулу 6:
[структурная формула 6]
13. Способ по п.9, отличающийся тем, что он дополнительно включает стадию, на которой несколько раз проводят стадию (1) и стадию (2).
14. Способ по п.9, отличающийся тем, что он до проведения стадии (1) дополнительно включает стадию образования слоя оксида на поверхности подложки.
15. Способ по п.9, в котором он дополнительно включает стадию (3) образования слоя оксида металла, выбранного из группы, состоящей из Zn, Sn, In, Cd, Ga, Al, Ti, Si, V, Mn, Fe, Co, Cu, Zr, Ru, Mo, Nb и W, с помощью атомно-слоевого осаждения.
16. Способ по п.9, отличающийся тем, что стадию (1) и стадию (2) проводят повторно n1 раза, при этом n1 является 1 или больше, и затем стадию (3) проводят повторно n2 раза, при этом n2 является 1 или больше.
17. Способ по п.16, отличающийся тем, что стадии (1)-(3) проводят несколько раз.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2013-0104463 | 2013-08-30 | ||
| KR1020130104463 | 2013-08-30 | ||
| PCT/KR2013/009910 WO2015030298A1 (ko) | 2013-08-30 | 2013-11-04 | 기판 구조물 및 이의 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2016111694A RU2016111694A (ru) | 2017-10-05 |
| RU2672962C2 true RU2672962C2 (ru) | 2018-11-21 |
Family
ID=52586830
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2016111694A RU2672962C2 (ru) | 2013-08-30 | 2013-11-04 | Структура подложки и способ ее изготовления |
| RU2016111693A RU2670303C2 (ru) | 2013-08-30 | 2013-11-04 | Функциональная тонкая пленка и способ ее изготовления |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2016111693A RU2670303C2 (ru) | 2013-08-30 | 2013-11-04 | Функциональная тонкая пленка и способ ее изготовления |
Country Status (12)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US10418300B2 (ru) |
| EP (2) | EP3040442B1 (ru) |
| JP (2) | JP6286557B2 (ru) |
| KR (2) | KR20150026746A (ru) |
| CN (2) | CN105745353B (ru) |
| BR (2) | BR112016004389B1 (ru) |
| CA (2) | CA2922615A1 (ru) |
| MX (2) | MX2016002432A (ru) |
| RU (2) | RU2672962C2 (ru) |
| SG (2) | SG11201600923YA (ru) |
| TW (2) | TWI606111B (ru) |
| WO (2) | WO2015030298A1 (ru) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105745353B (zh) * | 2013-08-30 | 2019-07-05 | 汉阳大学校产学协力团 | 有机/无机杂化薄膜及其制备方法 |
| TWI538276B (zh) * | 2013-09-30 | 2016-06-11 | Ｌｇ化學股份有限公司 | 用於有機電子裝置之基板以及其製造方法 |
| CN106414799A (zh) | 2014-06-12 | 2017-02-15 | 巴斯夫涂料有限公司 | 用于制造可挠性有机‑无机层合物的方法 |
| EP3274487A1 (en) * | 2015-03-25 | 2018-01-31 | BASF Coatings GmbH | Process for producing flexible organic-inorganic laminates |
| WO2017141870A1 (ja) * | 2016-02-18 | 2017-08-24 | シャープ株式会社 | 有機ｅｌ表示装置の製造方法及び有機ｅｌ表示装置 |
| KR102586045B1 (ko) * | 2016-07-12 | 2023-10-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
| US20190040503A1 (en) * | 2017-08-03 | 2019-02-07 | Hrl Laboratories, Llc | Feedstocks for additive manufacturing, and methods of using the same |
| WO2019010696A1 (en) * | 2017-07-14 | 2019-01-17 | General Electric Company | METHOD FOR DEPOSITION LAYERED BY GAS PHASE MOLECULAR LAYER ON A MICROPOROUS SUPPORT |
| US10673046B2 (en) * | 2018-04-13 | 2020-06-02 | GM Global Technology Operations LLC | Separator for lithium metal based batteries |
| EP3818192B1 (en) * | 2018-07-05 | 2024-05-15 | BASF Coatings GmbH | Transparent conductive film |
| KR102224346B1 (ko) * | 2019-07-11 | 2021-03-05 | 한양대학교 산학협력단 | 유무기 하이브리드층, 이 층을 구비하는 유무기 적층체, 및 이 적층체를 가스 배리어로 구비하는 유기전자소자 |
| CN110508155B (zh) * | 2019-08-21 | 2021-09-03 | 南京大学 | 一种锌基无机-有机杂化纳米多孔分离膜的制备方法 |
| CN110635044B (zh) * | 2019-11-04 | 2021-07-06 | 吉林大学 | 一种有机金属卤化物钙钛矿太阳能电池的复合封装薄膜及其制备方法 |
| CN112410763A (zh) * | 2020-10-28 | 2021-02-26 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种薄膜封装层，其制备方法及可折叠显示装置 |
| TWI824213B (zh) * | 2020-12-19 | 2023-12-01 | 逢甲大學 | 可撓式透明導電複合膜及其製造方法 |
| KR102558965B1 (ko) * | 2021-03-18 | 2023-07-25 | 한국과학기술연구원 | 신축성 표시 장치 및 신축성 표시 장치 제조 방법 |
| JP2024518936A (ja) | 2021-05-06 | 2024-05-08 | ビーエーエスエフ コーティングス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 多層バリアフィルム、その製造、及び光起電力用途におけるその使用 |
| WO2023018308A1 (ko) * | 2021-08-12 | 2023-02-16 | 한양대학교 산학협력단 | 분자선 구조를 갖는 다층 분자막 포토레지스트 및 이의 제조방법 |
| CN115124727B (zh) * | 2022-07-08 | 2023-07-14 | 中国科学院山西煤炭化学研究所 | 一种mof薄膜的制备方法 |
| CN117845191A (zh) * | 2022-09-30 | 2024-04-09 | 华为技术有限公司 | 复合薄膜及其制备方法和应用 |
| WO2024126566A1 (en) | 2022-12-14 | 2024-06-20 | Basf Coatings Gmbh | Multilayer barrier film coated polymeric substrate, its manufacture and use in electronic devices |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU94018051A (ru) * | 1994-05-17 | 1996-04-10 | В.В. Дроботенко | Способ получения металлооксидных покрытий (его варианты) |
| US20050153077A1 (en) * | 2003-12-03 | 2005-07-14 | Anthony Gedeon | Method of resisting contaminant build up and oxidation of vehicle surfaces and other surfaces |
| RU2462793C2 (ru) * | 2007-12-28 | 2012-09-27 | Юниверсите Де Ля Медитерране Экс-Марсель Ii | Гибридные нанокомпозиционные материалы |
| KR20120128113A (ko) * | 2011-05-16 | 2012-11-26 | 주식회사 엘지화학 | 다층 플라스틱 기판 및 이의 제조방법 |
| JP5220106B2 (ja) * | 2007-06-22 | 2013-06-26 | ザ・リージエンツ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・コロラド | 原子層堆積法及び分子層堆積法を用いて製造された有機電子デバイス用の保護被膜 |
Family Cites Families (39)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05220106A (ja) | 1992-02-14 | 1993-08-31 | Olympus Optical Co Ltd | 内視鏡撮影システム |
| JP2002053669A (ja) | 2000-06-01 | 2002-02-19 | Osaka Organic Chem Ind Ltd | 多次元有機・無機複合体化合物およびその製造方法 |
| US6866949B2 (en) | 2002-03-08 | 2005-03-15 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Substrate film, gas barrier film, and display using the same |
| TW548853B (en) * | 2002-09-13 | 2003-08-21 | Ind Tech Res Inst | Method of manufacturing flexible TFT display |
| US7285440B2 (en) * | 2002-11-25 | 2007-10-23 | International Business Machines Corporation | Organic underlayers that improve the performance of organic semiconductors |
| JP2004231784A (ja) * | 2003-01-30 | 2004-08-19 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機−無機ポリマーハイブリッドフィルム、その製造方法、該フィルムを用いたディスプレイ及びタッチパネル |
| US7229703B2 (en) | 2003-03-31 | 2007-06-12 | Dai Nippon Printing Co. Ltd. | Gas barrier substrate |
| KR100704269B1 (ko) | 2003-05-16 | 2007-04-09 | 도판 인사츠 가부시키가이샤 | 투명 가스 배리어 적층 필름, 이를 이용한일렉트로루미네슨스 발광 소자, 일렉트로루미네슨스 표시장치 및 전기 영동식 표시 패널 |
| JP2005289885A (ja) | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Osaka Organic Chem Ind Ltd | 多次元有機・無機複合体化合物、複合焼成体およびこれらの製造方法 |
| JP2005297498A (ja) | 2004-04-16 | 2005-10-27 | Dainippon Printing Co Ltd | 可撓性基板およびそれを用いた有機デバイス |
| US7378157B2 (en) | 2004-06-28 | 2008-05-27 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Gas barrier film, and display substrate and display using the same |
| KR101001441B1 (ko) * | 2004-08-17 | 2010-12-14 | 삼성전자주식회사 | 유무기 금속 하이브리드 물질 및 이를 포함하는 유기절연체 조성물 |
| NO20045674D0 (no) * | 2004-12-28 | 2004-12-28 | Uni I Oslo | Thin films prepared with gas phase deposition technique |
| JP2007185937A (ja) | 2005-12-12 | 2007-07-26 | Fujifilm Corp | 有機−無機ハイブリッド材料、ガスバリヤーフィルム及びその製造方法 |
| KR20070084683A (ko) * | 2006-02-21 | 2007-08-27 | 국민대학교산학협력단 | 분자층 증착법 |
| JP2007273094A (ja) | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
| DE102006016280A1 (de) * | 2006-04-01 | 2007-10-04 | Pvflex Solar Gmbh | Glasloser Solarstrom-Modul mit flexiblen Dünnschicht-Zellen und Verfahren zu seiner Herstellung |
| JP2008087163A (ja) | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Fujifilm Corp | ガスバリア性積層フィルム、およびそれを用いた画像表示素子 |
| EP2097179B1 (en) | 2006-11-13 | 2020-01-29 | The Regents of the University of Colorado, a body corporate | Molecular layer deposition process for making organic or organic-inorganic polymers |
| JP2008218632A (ja) * | 2007-03-02 | 2008-09-18 | Fujifilm Corp | 電子デバイス |
| US8197942B2 (en) | 2007-03-23 | 2012-06-12 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Gas barrier sheet |
| JP5127277B2 (ja) | 2007-04-05 | 2013-01-23 | 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 | 表面平坦性絶縁膜形成用塗布溶液、表面平坦性絶縁膜被覆基材、及び表面平坦性絶縁膜被覆基材の製造方法 |
| JP5198131B2 (ja) | 2007-05-14 | 2013-05-15 | 富士フイルム株式会社 | バリアフィルムおよび素子 |
| JP5510766B2 (ja) | 2007-06-20 | 2014-06-04 | 大日本印刷株式会社 | イオンプレーティング用蒸発源材料の原料粉末、イオンプレーティング用蒸発源材料及びその製造方法、ガスバリア性シート及びその製造方法 |
| US20090021797A1 (en) * | 2007-07-17 | 2009-01-22 | Luciano Joseph W | All-In-One Device With Integrated Monitor |
| JP2010006039A (ja) | 2007-09-05 | 2010-01-14 | Fujifilm Corp | ガスバリアフィルムおよびガスバリアフィルムを用いて表示素子を封止する方法。 |
| US8067085B2 (en) | 2007-09-14 | 2011-11-29 | Fujifilm Corporation | Gas barrier film, and display device comprising the same |
| US7858144B2 (en) | 2007-09-26 | 2010-12-28 | Eastman Kodak Company | Process for depositing organic materials |
| US8776238B2 (en) * | 2008-07-16 | 2014-07-08 | International Business Machines Corporation | Verifying certificate use |
| US8241749B2 (en) | 2008-09-11 | 2012-08-14 | Fujifilm Corporation | Barrier laminate, gas barrier film, and device using the same |
| JP2011046060A (ja) | 2009-08-26 | 2011-03-10 | Fujifilm Corp | ガスバリアフィルムおよびガスバリアフィルムの製造方法 |
| JP4821925B2 (ja) | 2009-11-27 | 2011-11-24 | 大日本印刷株式会社 | ガスバリア性フィルム、装置、及びガスバリア性フィルムの製造方法 |
| EP2549560B1 (en) | 2010-03-17 | 2018-09-26 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electronic device and method of manufacturing the same |
| US20130017400A1 (en) | 2010-03-25 | 2013-01-17 | Toppan Printing Co., Ltd. | Gas barrier laminate and packaging |
| JP5598080B2 (ja) | 2010-05-17 | 2014-10-01 | 大日本印刷株式会社 | ガスバリア性シートの製造方法 |
| JP5913809B2 (ja) | 2011-01-05 | 2016-04-27 | リンテック株式会社 | 透明電極基板、その製造方法、該透明電極基板を有する電子デバイス及び太陽電池 |
| JP5752438B2 (ja) | 2011-02-23 | 2015-07-22 | グンゼ株式会社 | ガスバリアフィルム |
| KR101432737B1 (ko) | 2011-07-28 | 2014-08-22 | 한양대학교 산학협력단 | 유기-무기 혼성 박막 및 이의 제조 방법 |
| CN105745353B (zh) * | 2013-08-30 | 2019-07-05 | 汉阳大学校产学协力团 | 有机/无机杂化薄膜及其制备方法 |
-
2013
- 2013-11-04 CN CN201380079249.XA patent/CN105745353B/zh active Active
- 2013-11-04 CN CN201380079150.XA patent/CN105723011B/zh active Active
- 2013-11-04 BR BR112016004389-8A patent/BR112016004389B1/pt active IP Right Grant
- 2013-11-04 US US14/915,562 patent/US10418300B2/en active Active
- 2013-11-04 JP JP2016538482A patent/JP6286557B2/ja active Active
- 2013-11-04 EP EP13892196.0A patent/EP3040442B1/en active Active
- 2013-11-04 RU RU2016111694A patent/RU2672962C2/ru active
- 2013-11-04 SG SG11201600923YA patent/SG11201600923YA/en unknown
- 2013-11-04 MX MX2016002432A patent/MX2016002432A/es unknown
- 2013-11-04 WO PCT/KR2013/009910 patent/WO2015030298A1/ko active Application Filing
- 2013-11-04 CA CA2922615A patent/CA2922615A1/en not_active Abandoned
- 2013-11-04 US US14/413,754 patent/US9576876B2/en active Active
- 2013-11-04 SG SG11201600921XA patent/SG11201600921XA/en unknown
- 2013-11-04 EP EP13892719.9A patent/EP3040443B1/en active Active
- 2013-11-04 WO PCT/KR2013/009909 patent/WO2015030297A1/ko active Application Filing
- 2013-11-04 RU RU2016111693A patent/RU2670303C2/ru active
- 2013-11-04 CA CA2922612A patent/CA2922612A1/en not_active Abandoned
- 2013-11-04 MX MX2016002433A patent/MX2016002433A/es unknown
- 2013-11-04 JP JP2016538483A patent/JP6654753B2/ja active Active
- 2013-11-04 BR BR112016004476A patent/BR112016004476A2/pt not_active Application Discontinuation
- 2013-12-02 TW TW102143967A patent/TWI606111B/zh active
- 2013-12-02 TW TW102144000A patent/TWI521083B/zh active
-
2014
- 2014-02-17 KR KR20140018154A patent/KR20150026746A/ko not_active Application Discontinuation
- 2014-02-18 KR KR1020140018212A patent/KR102289064B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU94018051A (ru) * | 1994-05-17 | 1996-04-10 | В.В. Дроботенко | Способ получения металлооксидных покрытий (его варианты) |
| US20050153077A1 (en) * | 2003-12-03 | 2005-07-14 | Anthony Gedeon | Method of resisting contaminant build up and oxidation of vehicle surfaces and other surfaces |
| JP5220106B2 (ja) * | 2007-06-22 | 2013-06-26 | ザ・リージエンツ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・コロラド | 原子層堆積法及び分子層堆積法を用いて製造された有機電子デバイス用の保護被膜 |
| RU2462793C2 (ru) * | 2007-12-28 | 2012-09-27 | Юниверсите Де Ля Медитерране Экс-Марсель Ii | Гибридные нанокомпозиционные материалы |
| KR20120128113A (ko) * | 2011-05-16 | 2012-11-26 | 주식회사 엘지화학 | 다층 플라스틱 기판 및 이의 제조방법 |
Also Published As
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2672962C2 (ru) | Структура подложки и способ ее изготовления | |
| Pan et al. | RETRACTED: Investigation of structural, optical and electronic properties in Al–Sn co-doped ZnO thin films | |
| US20100193351A1 (en) | Method for preparing transparent conducting film coated with azo/ag/azo multilayer thin film | |
| US10311992B2 (en) | Transparent conducting films including complex oxides | |
| CA2950012A1 (en) | Process for producing flexible organic-inorganic laminates | |
| JP6657588B2 (ja) | 積層体及びその製造方法 | |
| KR20150026747A (ko) | 유무기 혼성 박막 및 이의 제조 방법 | |
| Jang et al. | Effect of ALD surface treatment on structural and optical properties of ZnO nanorods | |
| US9731997B2 (en) | Multilayer heat rejection coating | |
| TWI814855B (zh) | 透明導電膜 | |
| Plirdpring et al. | Effect of annealing temperature on structure and optical properties of Ta2O5 thin films prepared by DC magnetron sputtering | |
| İpek et al. | Rare Earth Element Doped ZnO Thin Films and Applications | |
| JPWO2017090576A1 (ja) | ガスバリアー性フィルム及び電子デバイス | |
| KR101573979B1 (ko) | 도전성층 및 도전성층의 제조 방법 | |
| Li et al. | P‐202L: Late‐News Poster: Structural and Optical Properties of Aligned ZnO Nanorods Using Al‐doped ZnO Seed Layer on Flexible Polyethylene Naphthalate Substrates | |
| JP2010040517A (ja) | 透明導電性基板およびその製造方法 | |
| Li et al. | Structural and Optical Properties of Aligned ZnO Nanorods Using Al-doped ZnO Seed Layer on Flexible Polyethylene Naphthalate Substrates. | |
| Norhidayah et al. | A Study on the role of solvent on properties of Gd x Zn 1− x O films synthesized by sol-gel method | |
| JP2019116079A (ja) | ガスバリアフィルムおよびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PC41 | Official registration of the transfer of exclusive right |
Effective date: 20200311 |