RU2606809C1 - Способ изготовления кремниевой эпитаксиальной структуры - Google Patents
Способ изготовления кремниевой эпитаксиальной структуры Download PDFInfo
- Publication number
- RU2606809C1 RU2606809C1 RU2015142243A RU2015142243A RU2606809C1 RU 2606809 C1 RU2606809 C1 RU 2606809C1 RU 2015142243 A RU2015142243 A RU 2015142243A RU 2015142243 A RU2015142243 A RU 2015142243A RU 2606809 C1 RU2606809 C1 RU 2606809C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- substrate
- epitaxial
- silicon
- working surface
- layer
- Prior art date
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 45
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 45
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 86
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 59
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 18
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 13
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
- 238000004870 electrical engineering Methods 0.000 abstract 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 11
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 10
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 10
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 9
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 6
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 4
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 3
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- -1 i.e. Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых структур и может быть использовано при изготовлении кремниевых одно- или многослойных структур, используемых в технологии силовых приборов современной микроэлектроники. Сущность изобретения состоит в том, что при формировании эпитаксиальной структуры ограничение эффекта автолегирования происходит за счет последовательного формирования части защитного слоя на нерабочей поверхности подложки до достижения половины значения требуемой толщины, осаждения эпитаксиального слоя на рабочей поверхности подложки толщиной 3-4 мкм, формирования защитного слоя на нерабочей поверхности подложки до требуемого значения толщины и осаждения эпитаксиального слоя на рабочей поверхности подложки до требуемой толщины. Использование данного способа позволит повысить однородность параметров кремниевых эпитаксиальных слоев и, следовательно, повысить выход годных при производстве кремниевых эпитаксиальных структур. 1 ил.
Description
Изобретение относится к полупроводниковой технике, преимущественно к технологии полупроводникового кремния, и может быть использовано при изготовлении кремниевых эпитаксиальных структур для биполярных интегральных схем, силовых приборов и других устройств.
Одним из основных требований к таким структурам является однородность электрофизических параметров - толщины, удельного сопротивления - по площади структуры. Значительное влияние на распределение указанных параметров во время получения структуры играет явление автолегирования, то есть перенос примеси из сильнолегированной подложки в растущий эпитаксиальный слой через газовую фазу. Перенос примеси происходит за счет ее испарения с поверхности сильнолегированной кремниевой подложки во время роста слоя и приводит к тому, что ухудшается не только однородность удельного сопротивления слоя по площади подложки. Из-за неконтролируемого внедрения примеси в растущий слой уменьшается удельное сопротивление слоя в периферических областях структуры, что приводит к снижению выхода годных приборов в этих областях, а также искажаются результаты контроля толщины полученного слоя. Кроме того, изменение профиля распределения примеси по толщине эпитаксиального слоя из-за явлений автолегирования может приводить к снижению пробивных напряжений приборов, изготовленных на основе таких эпитаксиальных структур.
Известен способ изготовления эпитаксиальных структур, включающий предварительное окисление сильнолегированной кремниевой пластины при температуре до 1100°C для образования слоя термического окисла на поверхности и удаление полученного слоя в плавиковой кислоте, отжиг полученной кремниевой пластины при температуре до 1200°C в водороде до начала наращивания эпитаксиального слоя и собственно процесс эпитаксиального осаждения /1/. Данные операции проводятся для уменьшения концентрации легирующей примеси на поверхности пластины как источнике испарения примеси и, следовательно, уменьшения эффекта автолегирования при последующем наращивании эпитаксиального слоя.
Недостатками данного способа являются сложность его реализации, поскольку изготовление эпитаксиальной структуры по предлагаемому способу включает использование оборудования различного типа - для окисления кремниевой пластины, для удаления слоя полученного окисла, для эпитаксиального наращивания; изменение поверхностной концентрации легирующей примеси в подложке за счет высокотемпературного отжига в водороде перед процессом эпитаксиального наращивания приводит к перераспределению примеси внутри реактора (из подложки на подложкодержатель или на оснастку), которая будет реиспаряться во время эпитаксиального наращивания и попадать в растущий эпитаксиальный слой, что также не приводит к устранению эффекта автолегирования.
Известен также способ изготовления эпитаксиальных структур, принятый нами за прототип, включающий формирование многослойной защиты на нерабочей стороне подложки, причем эта защита включает диэлектрические и поликристаллические слои на основе кремния /2/.
Первый недостаток этого способа заключается в том, что эти защитные слои формируются на стадии изготовления самой кремниевой подложки путем осаждения многослойного покрытия на обе стороны шлифованной подложки с последующим удалением покрытия с рабочей стороны и полированием рабочей стороны подложки. Выполнение указанных дополнительных операций приводит к усложнению процесса изготовления и удорожанию конечного продукта.
Второй недостаток данного способа связан с термической нестойкостью данного покрытия, что приводит к невозможности использования данного вида защиты нерабочей стороны подложки при изготовлении кремниевых эпитаксиальных структур с толщиной эпитаксиального слоя более 30 мкм, а именно такие структуры находят свое применение при изготовлении силовых приборов. Разрушение защиты нерабочей стороны подложки во время наращивания эпитаксиальных слоев кремния толщиной более 30 мкм приводит к испарению примеси с нерабочей стороны и проявлению эффекта автолегирования со всеми последствиями, описанными выше.
Задача предлагаемого изобретения заключается в повышении однородности электрофизических параметров эпитаксиальной структуры за счет подавления эффекта автолегирования при эпитаксиальном наращивании. Это достигается тем, что в способе изготовления кремниевой эпитаксиальной структуры, включающем нагрев кремниевой подложки в реакторе эпитаксиальной установки, формирование защитного слоя на нерабочей поверхности сильнолегированной подложки n- или p-типа проводимости, газофазное осаждение эпитаксиального слоя кремния на рабочую поверхность, последовательно проводят формирование части защитного слоя на нерабочей поверхности подложки до достижения половины значения требуемой толщины, осаждение эпитаксиального слоя на рабочей поверхности подложки толщиной 3-4 мкм, формирование защитного слоя на нерабочей поверхности подложки до требуемого значения толщины, осаждение эпитаксиального слоя на рабочей поверхности подложки до требуемой толщины эпитаксиального слоя.
В результате проведения операции формирования защитного слоя на нерабочей стороне подложки до достижения половинного значения требуемой толщины получается кремниевая подложка с закрытой слоем кремния нерабочей стороной, причем защитный слой кремния на нерабочей стороне содержит легирующую примесь в концентрации, гораздо меньшей, чем в исходной подложке.
После наращивания эпитаксиального слоя толщиной 3-4 мкм на рабочей стороне подложки получается кремниевая подложка, у которой автолегирование от нерабочей стороны предотвращается защитным слоем, имеющим гораздо меньшую концентрацию легирующей примеси, чем исходная подложка, а автолегирование с рабочей стороны блокировано эпитаксиальным слоем.
В результате окончательного формирования защитного слоя на нерабочей поверхности подложки до требуемого значения толщины получается кремниевая подложка, у которой обе стороны закрыты кремниевыми слоями, полностью препятствующими переносу примеси из подложки в атмосферу роста эпитаксиального слоя, что полностью блокирует автолегирование во время последующего роста эпитаксиального слоя на рабочей поверхности подложки.
На фиг. 1 представлены профили распределения удельного сопротивления по толщине эпитаксиального слоя в краевой и центральной областях структуры, полученной по предлагаемому способу. Кривая 1 - профиль распределения удельного сопротивления в центре структуры, кривая 2 получена в 10 мм от края структуры возле базового среза. Из приведенных данных видно, что при использовании предлагаемого способа получения эпитаксиальной структуры профиль распределения сопротивления оказывается резким и однородным по площади структуры, что подтверждает ограничение автолегирования во время осаждения эпитаксиального слоя по предлагаемому способу.
Способ изготовления кремниевой эпитаксиальной структуры реализуется следующим образом. Исходная высоколегированная кремниевая подложка, предназначенная для изготовления эпитаксиальной структуры, помещается на подложкодержатель установки эпитаксиального наращивания, который предварительно покрыт слоем поликристаллического кремния; таким образом, нерабочая сторона подложки примыкает к поверхности подложкодержателя со слоем поликристаллического кремния с небольшим зазором, что обусловлено конструктивными особенностями подложкодержателя установки эпитаксиального наращивания. Затем следует нагрев подложкодержателя с размещенной на нем подложкой до температуры отжига в среде водорода. Высокотемпературный отжиг в водороде необходим для удаления слоя естественного окисла с рабочей поверхности подложки.
На следующей стадии изготовления структуры для формирования защитного покрытия на нерабочей стороне подложки в реактор наряду с элементарным водородом подается хлористый водород, за счет чего происходит перенос части поликристаллического кремния с подложкодержателя на нерабочую сторону кремниевой подложки за счет так называемого «сэндвич-процесса», а также полирующее травление кремния на рабочей стороне подложки. При полирующем травлении подложки происходит не только очистка и подготовка рабочей поверхности к предстоящему росту эпитаксиального слоя, но и (в качестве побочного процесса) перенос в газовую фазу содержащейся в подложке легирующей примеси. Эта примесь разносится потоком водорода по реактору установки эпитаксиального наращивания, попадая, в том числе и в защитное покрытие на нерабочей стороне подложки, при этом концентрация легирующей примеси в защитном покрытии на тыльной стороне значительно меньше, чем в исходной подложке. Технологические параметры и продолжительность процесса травления выбираются таким образом, чтобы за время проведения данной операции на нерабочую сторону подложки была перенесена только часть слоя поликристаллического кремния, предварительно осажденного на подложкодержатель. В результате проведения данной операции получается кремниевая подложка с чистой, подготовленной к эпитаксиальному росту рабочей стороной и закрытой слоем кремния нерабочей стороной, причем защитный слой кремния на нерабочей стороне содержит легирующую примесь в концентрации, гораздо меньшей, чем в исходной подложке, но в то же время способной служить слабым источником автолегирования во время эпитаксиального роста.
По окончании операции формирования на нерабочей стороне подложки указанной части защитного слоя проводят операцию наращивания эпитаксиального слоя толщиной 3-4 мкм на рабочей стороне подложки, то есть в реактор эпитаксиальной установки подаются наряду с водородом кремнийсодержащий и легирующий реагенты для наращивания кремниевого эпитаксиального слоя с требуемыми характеристиками. Данная операция проводится для предотвращения испарения примеси с рабочей стороны сильнолегированной подложки при дальнейших операциях. Экспериментально установлено, что для предотвращения испарения примеси достаточно нарастить 3-4 мкм эпитаксиального слоя на рабочей стороне подложки. Наращивание эпитаксиального слоя толщиной менее 3 мкм не приводит к полному подавлению автолегирования от рабочей стороны подложки. Наращивание эпитаксиального слоя толщиной более 4 мкм является экономически нецелесообразным.
По окончании наращивания кремниевого эпитаксиального слоя на рабочей стороне подложки в реактор опять подается наряду с элементарным водородом хлористый водород, и процесс формирования защитного слоя на нерабочей стороне подложки продолжается до полного переноса кремния с подложкодержателя на нерабочую сторону подложки. В результате выполнения этой операции получается исходная подложка, у которой обе стороны закрыты кремниевыми слоями.
При выполнении операции осаждения эпитаксиального слоя на рабочей стороне подложки в реактор опять подается наряду с водородом кремнийсодержащий и легирующий реагенты, и осаждение продолжается до получения эпитаксиального слоя требуемой толщины с требуемыми характеристиками.
Проведение операции формирования защитного слоя на нерабочей поверхности подложки до половинного значения требуемой толщины приводит к тому, что практически полностью ограничивается эффект автолегирования с нерабочей стороны подложки.
Выполнение осаждения эпитаксиального слоя толщиной 3-4 мкм на рабочей поверхности подложки обеспечивает подавление эффекта автолегирования от рабочей поверхности.
Проведение операции формирования остальной части защитного слоя на нерабочей поверхности подложки приводит к полному подавлению эффекта автолегирования за счет заращивания кремнием двух основных источников автолегирования (рабочая и нерабочая поверхности подложки) и исключения влияния этого эффекта при последующем наращивании эпитаксиального слоя, что влечет повышение однородности электрофизических параметров эпитаксиальной структуры (толщины и удельного сопротивления) по площади структуры.
Предлагаемый способ изготовления кремниевой эпитаксиальной структуры может быть реализован следующим образом.
Пример выполнения
На предварительно покрытый поликристаллическим кремнием подложкодержатель установки эпитаксиального наращивания помещают подложку сильнолегированного монокристаллического кремния. Подложкодержатель с размещенной на ней подложкой нагревают в среде водорода до температуры 1200°C, выдерживают при данной температуре 5 мин для удаления естественного окисла с поверхности подложки. Затем в реактор в течение 10 мин подают хлористый водород с расходом 10 л/мин для формирования защитного слоя на нерабочей поверхности подложки за счет сэндвич-процесса, одновременно проводится травление рабочей поверхности. В течение этого промежутка времени формируется защитный слой примерно половинной толщины с одновременной очисткой рабочей поверхности подложки.
Затем в реактор при той же температуре подложкодержателя вместо хлористого водорода подается газовая смесь четыреххлористого кремния и легирующей добавки, обеспечивающей получение заданного удельного сопротивления эпитаксиального слоя, при этом концентрация кремнийсодержащего реагента в газовой фазе составляет 6 об. %. В течение 8 мин на подложке осаждается эпитаксиальный слой толщиной 3,3 мкм.
На следующем этапе формирования эпитаксиальной структуры подача кремнийсодержащего реагента и легирующей добавки прекращается, а в реактор при той же температуре подложкодержателя вновь подается хлористый водород с расходом 10 л/мин, и в течение 10 мин за счет протекания сэндвич-процесса завершается формирование защитного слоя на нерабочей стороне подложки.
После полного формирования защитного слоя в реактор вместо хлористого водорода вновь подается четыреххлористый кремний и легирующая добавка, причем концентрация четыреххлористого кремния в газовой фазе составляет 6 об. %, и наращивание эпитаксиального слоя продолжается до получения требуемого значения толщины слоя.
Предлагаемый способ в сравнении с прототипом обеспечивает следующие преимущества: подавление эффекта автолегирования от рабочей и нерабочей поверхностей сильнолегированной кремниевой подложки и, следовательно, повышение однородности электрофизических параметров эпитаксиального слоя по площади структуры.
Источники информации
1. Патент США №2010093156.
2. Патент США №2010155728 - прототип.
Claims (1)
- Способ изготовления кремниевой эпитаксиальной структуры, включающий нагрев кремниевой подложки в реакторе эпитаксиальной установки, формирование защитного слоя на нерабочей поверхности сильнолегированной подложки n- или р-типа проводимости, газофазное осаждение эпитаксиального слоя кремния на рабочую поверхность, отличающийся тем, что последовательно проводят формирование части защитного слоя на нерабочей поверхности подложки до достижения половины значения требуемой толщины, осаждение эпитаксиального слоя на рабочей поверхности подложки толщиной 3-4 мкм, формирование защитного слоя на нерабочей поверхности подложки до требуемого значения толщины, осаждение эпитаксиального слоя на рабочей поверхности подложки до требуемой толщины эпитаксиального слоя.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2015142243A RU2606809C1 (ru) | 2015-10-06 | 2015-10-06 | Способ изготовления кремниевой эпитаксиальной структуры |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2015142243A RU2606809C1 (ru) | 2015-10-06 | 2015-10-06 | Способ изготовления кремниевой эпитаксиальной структуры |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2606809C1 true RU2606809C1 (ru) | 2017-01-10 |
Family
ID=58452558
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2015142243A RU2606809C1 (ru) | 2015-10-06 | 2015-10-06 | Способ изготовления кремниевой эпитаксиальной структуры |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2606809C1 (ru) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2059326C1 (ru) * | 1994-01-06 | 1996-04-27 | Акционерное общество "Кремний" | Способ формирования кремниевых эпитаксиальных структур |
| RU2275711C2 (ru) * | 2004-06-29 | 2006-04-27 | ГОУ Московский государственный институт электронной техники (технический университет) | Способ газофазного наращивания эпитаксиальных слоев кремния |
| US20100093156A1 (en) * | 2008-09-19 | 2010-04-15 | Covalent Materials Corporation | Method for production of silicon wafer for epitaxial substrate and method for production of epitaxial substrate |
| US20100155728A1 (en) * | 2008-12-24 | 2010-06-24 | Magnachip Semiconductor, Ltd. | Epitaxial wafer and method for fabricating the same |
| US20130145984A1 (en) * | 2010-08-31 | 2013-06-13 | Chao Zhang | Method of epitaxial growth effectively preventing auto-doping effect |
-
2015
- 2015-10-06 RU RU2015142243A patent/RU2606809C1/ru active IP Right Revival
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2059326C1 (ru) * | 1994-01-06 | 1996-04-27 | Акционерное общество "Кремний" | Способ формирования кремниевых эпитаксиальных структур |
| RU2275711C2 (ru) * | 2004-06-29 | 2006-04-27 | ГОУ Московский государственный институт электронной техники (технический университет) | Способ газофазного наращивания эпитаксиальных слоев кремния |
| US20100093156A1 (en) * | 2008-09-19 | 2010-04-15 | Covalent Materials Corporation | Method for production of silicon wafer for epitaxial substrate and method for production of epitaxial substrate |
| US20100155728A1 (en) * | 2008-12-24 | 2010-06-24 | Magnachip Semiconductor, Ltd. | Epitaxial wafer and method for fabricating the same |
| US20130145984A1 (en) * | 2010-08-31 | 2013-06-13 | Chao Zhang | Method of epitaxial growth effectively preventing auto-doping effect |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101430217B1 (ko) | 에피택셜 탄화규소 단결정 기판 및 그 제조 방법 | |
| JP6524233B2 (ja) | エピタキシャル炭化珪素単結晶ウェハの製造方法 | |
| JP6311384B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
| WO2010101016A1 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
| KR101947926B1 (ko) | 에피택셜 탄화규소 웨이퍼의 제조 방법 | |
| KR20120125315A (ko) | 에피택셜 탄화규소 단결정 기판의 제조 방법 및 이 방법에 의하여 얻은 에피택셜 탄화규소 단결정 기판 | |
| TW201711086A (zh) | 貼合式soi晶圓的製造方法 | |
| JP5786759B2 (ja) | エピタキシャル炭化珪素ウエハの製造方法 | |
| JP5664534B2 (ja) | エピタキシャル炭化珪素ウエハの製造方法 | |
| JP2006228763A (ja) | 単結晶ＳｉＣ基板の製造方法 | |
| RU2606809C1 (ru) | Способ изготовления кремниевой эпитаксиальной структуры | |
| US9957639B2 (en) | Method for producing epitaxial silicon carbide wafer | |
| JP6150075B2 (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| JP6489321B2 (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| JP2018067736A (ja) | 炭化珪素半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH04245419A (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| JP2010098284A (ja) | エピタキシャル基板用シリコンウェハの製造方法及びエピタキシャル基板の製造方法 | |
| JP6598140B2 (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| CN118127623B (zh) | 一种vdmos器件用重掺衬底n型硅外延片及其制备方法和应用 | |
| KR102163490B1 (ko) | 탄화 규소 기판의 제조 방법 | |
| JP5458190B2 (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法及びエピタキシャルウェーハ | |
| JP6628673B2 (ja) | エピタキシャル炭化珪素単結晶ウェハの製造方法 | |
| WO2017183277A1 (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| JP6347330B2 (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| KR102165615B1 (ko) | 에피택셜 웨이퍼 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20171007 |
|
| NF4A | Reinstatement of patent |
Effective date: 20190805 |