RU2597674C2 - Островковый держатель для светоизлучающего устройства - Google Patents

Островковый держатель для светоизлучающего устройства Download PDF

Info

Publication number
RU2597674C2
RU2597674C2 RU2013127670/28A RU2013127670A RU2597674C2 RU 2597674 C2 RU2597674 C2 RU 2597674C2 RU 2013127670/28 A RU2013127670/28 A RU 2013127670/28A RU 2013127670 A RU2013127670 A RU 2013127670A RU 2597674 C2 RU2597674 C2 RU 2597674C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
light emitting
emitting device
led crystal
conductive regions
elements
Prior art date
Application number
RU2013127670/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2013127670A (ru
Inventor
Цинвэй МО
Дирк Пауль Джозеф ВАНДЕРХАГЕН
Original Assignee
Конинклейке Филипс Электроникс Н.В.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. filed Critical Конинклейке Филипс Электроникс Н.В.
Publication of RU2013127670A publication Critical patent/RU2013127670A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2597674C2 publication Critical patent/RU2597674C2/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L24/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/71—Means for bonding not being attached to, or not being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/72—Detachable connecting means consisting of mechanical auxiliary parts connecting the device, e.g. pressure contacts using springs or clips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/641—Heat extraction or cooling elements characterized by the materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/647—Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818—Bonding techniques
    • H01L2224/81801—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/83801—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0075—Processes relating to semiconductor body packages relating to heat extraction or cooling elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Fastening Of Light Sources Or Lamp Holders (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)

Abstract

Способ изготовления светоизлучающих устройств содержит этапы, на которых обеспечивают выводную рамку, которая включает в себя по меньшей мере один несущий элемент, причем несущий элемент является токопроводящим и разделен для образования множества различимых токопроводящих областей, размещают по меньшей мере один кристалл СИД на несущем элементе, прикрепляют кристалл СИД к каждой из токопроводящих областей и отделяют несущий элемент от выводной рамки для обеспечения СИД устройства с каждой из токопроводящих областей, электрически изолированных друг от друга, причем токопроводящие области прикреплены к кристаллу СИД и не прикреплены друг к другу после отделения несущего элемента от выводной рамки. Изобретение обеспечивает создание более дешевого светоизлучающего изделия с потенциально более высокой надежностью и/или более долгим сроком службы, а также экономичный способ изготовления светоизлучающего изделия. 3 н. и 17 з.п. ф-лы, 7 ил.

Description

ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ И СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Это изобретение относится к области изготовления и сборки интегральных схем (ИС), в частности к изготовлению светоизлучающего устройства (СИД).
Так как светоизлучающие способности полупроводниковых светоизлучающих устройств (СИД) продолжают улучшаться, их использование в традиционных системах освещения продолжает увеличиваться, равно как и конкурентные давления, для обеспечения надежных, долговечных изделий экономичным образом. Даже если стоимость изделий СИД относительно низка, экономия даже нескольких центов за устройство может иметь значительное влияние на размер прибыли благодаря все более растущему рынку для этих устройств.
Продолжают осуществляться усовершенствования в уменьшении размера индивидуального кристалла, который обеспечивает светоизлучающее устройство, тем самым уменьшая материальные расходы, но обстоятельства эксплуатации требуют, чтобы кристалл был установлен на большей подложке. То есть, например, несмотря на то, что производители полупроводников имеют оборудование, которое может подбирать и размещать индивидуальные кристаллы, которые могут иметь размеры в пределах 1 мм × 1 мм, и обеспечивать соединения контактов на каждом кристалле, оборудование, которое традиционно используется для изготовления печатной схемы, не пригодно для размещения или соединения таких кристаллов. Подобным образом, светоизлучающие устройства часто представляют собой встраиваемые заменяемые элементы и должны быть достаточно большими для захвата человеческими руками.
Фиг. 1А, 1В иллюстрируют примерную подложку 150 для установки кристалла 110 СИД. Подложка 150 обычно является керамической, такой как нитрид алюминия (AIN) или оксид алюминия (Al2O3), при этом совокупность кристалла 110 и подложки 150 обычно называется «Устройством на Керамике (DoC)».
Примерный кристалл 110 СИД на Фиг. 1 иллюстрирует использование четырех светоизлучающих элементов 116. Контакты 112 обеспечивают соединение светоизлучающих элементов с внешним источником питания. В этом примере, прижимные зажимы 122 удерживают кристалл 110 на подложке 150, также обеспечивая электрическое соединение с контактами 112. Использование прижимных зажимов облегчает замену кристалла 110.
Контактные площадки 120 обеспечивают крепление установленного на подложке светоизлучающего устройства к внешнему источнику питания и могут использоваться, например, в качестве контактных площадок для присоединения устройства к плате с печатной схемой или подобной структуре. Контактные площадки 120 обеспечивают такую же функцию, что и контакты 112, но, как отмечено выше, они значительно больше для упрощения общеизвестного изготавливающего платы с печатной схемой оборудования и способов.
Подложка 150 также служит в качестве теплоотвода для рассеивания тепла, созданного светоизлучающими элементами 116.
Фиг. 1C иллюстрирует альтернативную конструкцию, в которой кристалл 110 СИД припаян к контактным площадкам 120 на подложке 150 с помощью припойных элементов 122. В этом примерном варианте выполнения одно или более сквозных отверстий 115 или другая внутренняя трассировка в кристалле 110 обеспечивают соединение со светоизлучающими элементами 116. На примере на Фиг. 1С также обеспечены верхние контакты 112 так, что кристалл СИД может быть использован в одной из двух конфигураций на Фиг. 1В или 1С.
Пример на Фиг. 1С также иллюстрирует использование теплоотводной площадки 130, к которой припаян кристалл СИД. Эта конструкция обычно будет обеспечивать улучшенную тепловую связь между кристаллом 110 СИД и подложкой 150, но обычно требует соответствующий способный припаиваться теплопередающий контакт 118 на нижней поверхности кристалла 110.
Несмотря на то, что размещение токопроводящих трасс на керамике, таких как контактные площадки 120, 130, представляет собой отработанный способ, существуют затраты, связанные с изготовлением керамических подложек с такими контактными площадками 120, 130, а также некоторый риск отделения контактных площадок 120, 130 от подложки из-за несоответствия между термическим коэффициентом металлов, обычно используемых для обеспечения этих контактных площадок, и термическим коэффициентом керамической подложки.
СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Предпочтительно обеспечение более дешевого светоизлучающего изделия. Предпочтительно обеспечение светоизлучающего изделия с потенциально более высокой надежностью и/или более долгим сроком службы. Также предпочтительно обеспечение экономичного способа изготовления таких светоизлучающих изделий.
Эти преимущества и другие могут быть выполнены с помощью процесса, который использует дешевый токопроводящий несущий элемент, который обеспечивает опорную конструкцию кристаллу СИД, а также электрическую и тепловую связь с кристаллом СИД. Обеспечена выводная рамка, которая включает в себя по меньшей мере один несущий элемент, причем несущий элемент разделен с возможностью образования различимых токопроводящих областей, к которым прикреплен кристалл СИД. Когда несущий элемент отделен от рамки, токопроводящие области электрически изолированы друг от друга. Между токопроводящими областями несущего элемента может быть размещен диэлектрик.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ
Изобретение объяснено более подробно и путем примера со ссылкой на сопровождающие чертежи, на которых:
Фиг. 1А-1С иллюстрируют две традиционных конструкции кристалла на керамике (DoC).
Фиг. 2А, 2B иллюстрируют примерный кристалл на токопроводящей несущей конструкции.
Фиг. 3 иллюстрирует примерную выводную рамку, которая включает в себя несущую конструкцию, содержащую три различимых токопроводящих области.
Фиг. 4 иллюстрирует примерную блок-схему последовательности операций для обеспечения светоизлучающих устройств на основе держателя.
Фиг. 5 иллюстрирует примерную выводную рамку, которая включает в себя множественные несущие конструкции.
Фиг. 6 иллюстрирует другую примерную выводную рамку, которая включает в себя множественные несущие конструкции.
Фиг. 7А-7С иллюстрируют примерные несущие конструкции.
На всех чертежах одинаковые ссылочные позиции обозначают подобные или соответствующие признаки или функции. Чертежи включены в иллюстративных целях и не предназначены для ограничения объема охраны изобретения.
ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ
В следующем далее описании в целях объяснения без ограничения изложены специальные детали, такие как особая архитектура, интерфейсы, технологии и т.д., для того, чтобы обеспечивать полное понимание идей изобретения. Однако специалистам в данной области техники будет ясно, что настоящее изобретение может быть осуществлено на практике в других вариантах выполнения, которые отклоняются от этих специальных деталей. Подобным образом, текст этого описания направлен на примерные варианты выполнения, как проиллюстрировано на Фигурах, и не предназначен для ограничения заявленного изобретения за пределами ограничений, специально включенных в формулу изобретения. В целях простоты и ясности подробные описания хорошо известных устройств, схем и способов исключены так, чтобы не загромождать описание настоящего изобретения необязательными деталями.
Также в следующем далее описании обычно используемые материалы и процессы приведены в виде ссылки для облегчения более лучшего и/или простого понимания принципов, представленных здесь, хотя специалисты в данной области техники примут во внимание, что принципы этого изобретения не ограничиваются этими ссылками. Например...
Фиг. 2А, 2В иллюстрируют примерный кристалл на токопроводящей несущей конструкции. В этом примере кристалл 110 СИД установлен на токопроводящей несущей конструкции 210-220, которая обеспечивает и опорную конструкцию, и электрическую и тепловую связь с кристаллом 110. Несущая конструкция в этом примере включает в себя два электрических проводника 210 и теплопередающий проводник 220.
В этом примерном варианте выполнения кристалл 110 СИД может быть припаян к проводникам 210, а также проводнику 220 с использованием традиционных SMD (устройство с поверхностных монтажом) способов пайки оплавлением припоя. Так как проводники 210 являются токопроводящими, электрическая связь от внешнего источника до кристалла 110 СИД может быть достигнута с использованием любой доступной стороны или края этих проводников 210. Подобным образом, тепловая связь может быть достигнута с использованием любой доступной стороны или края проводника 220.
Фиг. 3 иллюстрирует примерную выводную рамку 350, которая включает в себя несущую конструкцию, содержащую три различимых токопроводящих области, соответствующих проводникам 210, 220 на Фиг. 2А, 2В. То есть выводная рамка 350 включает в себя щели или окна 355 в виде рисунка, который определяет предполагаемую форму и размещение проводников 210, 220 для соединения с кристаллом 110 СИД. Перемычки 357 между окнами 355 удерживают проводники 210, 220 прикрепленными ко всей конструкции рамки. Выводная рамка 350 может представлять собой, например, лист меди, который является достаточно толстым (например, более чем 0,75 мм, предпочтительно 1,5 мм, в зависимости от размера) для обеспечения главной опорной конструкции для светоизлучающего устройства 200 на Фиг. 2, несмотря на то, что может быть использован другой токопроводящий материал.
Для ясности, выражение 'область' используется здесь в отношении области на рамке, которая в итоге станет предполагаемыми проводниками для светоизлучающего устройства на основе держателя, такого как устройство 200 на Фиг. 2A. Так как эти области и потенциальные проводники представляют собой одни и те же элементы, будут использоваться одинаковые ссылочные позиции 210, 220 при обозначении либо области на рамке, либо проводника на устройстве. Подобным образом, так как совокупность этих проводников 210, 220 образует полную несущую конструкцию, совокупность будет обозначена как несущая конструкция 210-220.
Использование этой выводной рамки 350 наилучшим образом понятно со ссылкой на блок-схему последовательности операций на Фиг. 4. В этом примере Фиг. 4 описана с использованием ссылочных позиций примерной выводной рамки 350 и кристалла 110 СИД, хотя специалистами в данной области техники будет принято во внимание, что последовательность операций не ограничивается этим особым примером.
На этапе 410 обеспечивают выводную рамку 350 с несущими конструкциями 210-220. На этапе 420 кристалл(ы) 110 СИД размещают на несущих конструкциях 210-220. Обычно один кристалл 110 СИД размещают на каждой несущей конструкции 210-220, хотя множественные кристаллы СИД могут быть установлены на одной несущей конструкции.
На этапе 430 кристалл 110 СИД прикрепляют к соответствующим токопроводящим областям 210, 220 несущей конструкции 210-220 обычно с использованием традиционных SMD технологий пайки оплавлением припоя, хотя могут быть использованы другие средства соединения кристалла 110 СИД с этими областями 210, 220. Например, если кристалл СИД не включает в себя сквозные отверстия 115 или другие средства соединения через его нижнюю поверхность, контакты 112 на кристалле могут быть соединены проволокой с областями 210 с использованием традиционных способов проволочного соединения.
В некоторых вариантах выполнения кристалл 110 СИД могут по существу не прикреплять к области 220, полагаясь на механический контакт, возможно дополненный теплопередающей пастой или составом для обеспечения эффективной тепловой связи между кристаллом 110 СИД и областью 220. Подобным образом, в некоторых вариантах выполнения выводная рамка 350 может быть покрыта золотом, по меньшей мере в точках контакта с кристаллом 110 СИД для обеспечения надежного электрического соединения между кристаллом 110 СИД и областями 210.
На этапе 440 несущую конструкцию 210-220 (с прикрепленным кристаллом 110 СИД) отделяют от рамки 350 обычно путем отпиливания перемычек 357, которые соединяют несущую конструкцию 210-220 с оставшейся частью рамки 350, тем самым получая светоизлучающее устройство 200 на Фиг. 2A-2B.
Несмотря на то, что примерная рамка 350 проиллюстрирована как образующая одну несущую конструкцию 210-220, специалистами в данной области техники будет принято во внимание, что на одной рамке могут быть обеспечены множественные несущие конструкции, как проиллюстрировано на примерных рамках 550, 650 на Фиг. 5 и 6.
Примерная рамка 550 включает в себя воспроизведение примерной рамки 350 на Фиг. 3. В этом примере, в рамке 550 обеспечены шестнадцать несущих конструкций 210-220, причем каждая несущая конструкция 210-220 имеет прикрепленный кристалл 110 СИД.
Примерная рамка 650 выполнена с возможностью минимизации отходного материала при удалении несущих конструкций 210-220 с прикрепленными кристаллами 110 СИД из рамки. В этом примере несущие конструкции 210-220 расположены альтернативно для уменьшения количества окон 355, необходимых в рамке 650, при этом перемычки 357, которые удерживают области 210, 220 прикрепленными к рамке 650, расположены вдоль пропилов 660, которые будут произведены при отделении несущих конструкций 210-220 от рамки 650. В этом примере будут изготовлены шестнадцать светоизлучающих устройств (200 на Фиг. 2), но размер рамки 650 значительно меньше размера рамки 550 на Фиг. 5.
Фиг. 7А-7С иллюстрируют примерные несущие конструкции. В этих примерах, размер несущих конструкций 210-220 имеет примерно такие же размеры, относительно кристалла 110, что и подложка 150 на Фиг. 1. Для уменьшения потенциальной нагрузки на кристалл 110, вызванной этими более большими конструкциями 210-220, пространство между проводниками 210, 220 заполнено диэлектрическим материалом. Таким образом, конструкции 210-220 являются по существу самоподдерживающимися и оказывают минимальную нагрузку на кристалл 110.
Диэлектрик может быть добавлен до или после прикрепления кристалла 110 СИД к несущим конструкциям 210-220 и до или после отделения несущих конструкций 210-220 от рамки или совокупности обоих. Например, на Фиг. 7В проводники 210 изолированы диэлектриком 715, и в связи с этим, по меньшей мере участок диэлектрика 715 должен быть добавлен после отделения проводников 210 от рамки (в местах перемычек, которые удерживали проводники 210 на рамке). Однако пространства между проводниками 210, 220 могут быть заполнены до прикрепления кристалла 110 СИД к этим проводникам.
Фиг. 7С иллюстрирует то, что проводники 210 могут обеспечивать дополнительные функции. В этом примере, проводники 210 включают в себя штыреобразные части 710, которые облегчают вставку устройства 700 в соответствующий приемник, такой как отверстия в плате с печатной схемой или штепсель, который позволяет заменять устройство 700.
Вышеупомянутое всего лишь иллюстрирует принципы изобретения. Таким образом, будет принято во внимание, что специалисты в области техники будут способны разрабатывать различные конструкции, которые, несмотря на то, что подробно не описаны или не показаны здесь, выполняют принципы изобретения и таким образом находятся в пределах сущности и объема следующей далее формулы изобретения.
При интерпретации этой формулы изобретения, следует понимать, что:
a) слово "содержащий" не исключает наличие других элементов или действий, кроме тех, что перечислены в представленной формуле изобретения;
b) любые ссылочные позиции в формуле изобретения не ограничивают их объем;
c) некоторые "средства" могут быть представлены одинаковым элементом или аппаратно или программно осуществленной конструкцией или функцией;
d) каждый из раскрытых элементов может состоять из аппаратных участков (например, включающих дискретную и встроенную электронную схему), программных участков (например, компьютерные программы) и любой их совокупности;
e) аппаратные участки могут включать в себя процессор, а программные участки могут храниться на невременном считываемом компьютером носителе и могут быть выполнены с возможностью заставлять процессор выполнять определенные или все функции одного или более раскрытых элементов;
f) аппаратные участки могут состоять из одного или обоих и аналоговых, и цифровых участков;
g) любое из раскрытых устройств или их участков могут быть объединены вместе или разделены на дополнительные участки, кроме тех случаев, когда специально изложено иначе;
h) не подразумевается, что требуется какая-либо специальная последовательность действий, помимо специально обозначенных; и
i) выражение "множество" элементов включает два или более заявленных элементов и не подразумевает какой-либо особый диапазон количества элементов; то есть множество элементов может представлять собой всего лишь два элемента и может включать неизмеримое количество элементов.

Claims (20)

1. Способ изготовления светоизлучающих устройств, содержащий этапы, на которых:
обеспечивают выводную рамку, которая включает в себя по меньшей мере один несущий элемент, причем несущий элемент является токопроводящим и разделен для образования множества различимых токопроводящих областей,
размещают по меньшей мере один кристалл СИД на несущем элементе,
прикрепляют кристалл СИД к каждой из токопроводящих областей и
отделяют несущий элемент от выводной рамки для обеспечения СИД устройства с каждой из токопроводящих областей, электрически изолированных друг от друга, причем токопроводящие области прикреплены к кристаллу СИД и не прикреплены друг к другу после отделения несущего элемента от выводной рамки.
2. Способ по п. 1, включающий в себя этап, на котором размещают диэлектрический материал между различимыми токопроводящими областями.
3. Способ по п. 1, в котором различимые токопроводящие области включают в себя теплопроводящую область, которая выполнена с возможностью рассеивать тепло от кристалла СИД, и один или более электродов, которые соединяют кристалл СИД с внешним источником энергии.
4. Способ по п. 1, включающий в себя этап, на котором образуют выводную рамку путем удаления материала из выводной рамки в соответствии с рисунком, соответствующим множеству различимых токопроводящих областей.
5. Способ по п. 1, в котором множество различимых токопроводящих областей включают в себя анодную область, катодную область и теплопередающую область, причем анодная и катодная области обеспечены с возможностью способствования соединению анодных и катодных электродов, связанных с кристаллом СИД, соответственно.
6. Способ по п. 1, в котором соединение включает в себя пайку оплавлением припоя.
7. Способ по п. 1, в котором выводная рамка содержит медный лист.
8. Светоизлучающее устройство, содержащее:
множество несущих элементов и
кристалл СИД, который прикреплен к каждому из множества несущих элементов, причем по меньшей мере один из несущих элементов служит в качестве проводника тепла, причем несущие элементы обеспечивают главную опорную конструкцию для устройства и электрическую и тепловую связь с кристаллом СИД, и несущие элементы не соединены друг с другом, кроме как через кристалл СИД.
9. Светоизлучающее устройство по п. 8, включающее в себя диэлектрический материал, отделяющий несущие элементы друг от друга.
10. Светоизлучающее устройство по п. 8, в котором один или более несущих элементов включают в себя штырьковую структуру, которая способствует вставке светоизлучающего устройства в соответствующий приемник.
11. Светоизлучающее устройство по п. 8, в котором каждый из несущих элементов содержит медь.
12. Светоизлучающее устройство по п. 8, в котором каждый из несущих элементов имеет толщину по меньшей мере 0,75 мм.
13. Светоизлучающее устройство по п. 8, в котором кристалл СИД присоединен к множеству несущих элементов припоем.
14. Светоизлучающее устройство по п. 8, в котором кристалл СИД включает в себя один или более светоизлучающих элементов, которые излучают свет через верхнюю поверхность кристалла СИД, и кристалл СИД присоединен к множеству несущих элементов с помощью контактов на нижней поверхности кристалла СИД, противоположной верхней поверхности.
15. Светоизлучающее устройство по п. 8, в котором один или более несущих элементов обеспечивают электрическую связь с кристаллом СИД с помощью одной или более краевых поверхностей несущего элемента.
16. Светоизлучающее устройство, содержащее:
выводную рамку, содержащую множество несущих элементов, причем каждый несущий элемент является токопроводящим и разделен для образования множества различимых токопроводящих областей, и
по меньшей мере один кристалл СИД на каждом несущем элементе, соединенный с каждой из множества различимых токопроводящих областей, причем токопроводящие области соединены друг с другом только через кристалл СИД, когда несущий элемент отделен от выводной рамки.
17. Светоизлучающее устройство по п. 16, включающее в себя диэлектрический материал между различимыми токопроводящими областями.
18. Светоизлучающее устройство по п. 16, в котором выводная рамка представляет собой медный лист.
19. Светоизлучающее устройство по п. 16, в котором выводная рамка имеет толщину по меньшей мере 0,75 мм.
20. Светоизлучающее устройство по п. 16, в котором один или более несущих элементов обеспечивают электрическую связь с кристаллом СИД с помощью одной или более краевых поверхностей несущего элемента.
RU2013127670/28A 2010-11-19 2011-11-14 Островковый держатель для светоизлучающего устройства RU2597674C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US41539510P 2010-11-19 2010-11-19
US61/415,395 2010-11-19
PCT/IB2011/055063 WO2012066461A1 (en) 2010-11-19 2011-11-14 Islanded carrier for light emitting device

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2016133432A Division RU2721101C2 (ru) 2010-11-19 2011-11-14 Островковый держатель для светоизлучающего устройства

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2013127670A RU2013127670A (ru) 2014-12-27
RU2597674C2 true RU2597674C2 (ru) 2016-09-20

Family

ID=45496212

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2013127670/28A RU2597674C2 (ru) 2010-11-19 2011-11-14 Островковый держатель для светоизлучающего устройства
RU2016133432A RU2721101C2 (ru) 2010-11-19 2011-11-14 Островковый держатель для светоизлучающего устройства

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2016133432A RU2721101C2 (ru) 2010-11-19 2011-11-14 Островковый держатель для светоизлучающего устройства

Country Status (8)

Country Link
US (2) US9172018B2 (ru)
EP (1) EP2641279B1 (ru)
JP (2) JP6297838B2 (ru)
CN (1) CN103201863B (ru)
BR (1) BR112013012333A2 (ru)
RU (2) RU2597674C2 (ru)
TW (3) TW201242101A (ru)
WO (1) WO2012066461A1 (ru)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BR112013012333A2 (pt) * 2010-11-19 2019-03-06 Koninklijke Philips Electronics N.V método, dispositivo emissor de luz e quadro condutor carregador isolado para dispositivo emissor de luz
US10043960B2 (en) * 2011-11-15 2018-08-07 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) packages and related methods
KR101661140B1 (ko) * 2015-06-25 2016-09-29 (주)포인트엔지니어링 금속 및 비금속 접합 기판
US11677059B2 (en) 2017-04-26 2023-06-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting device package including a lead frame
KR102335216B1 (ko) 2017-04-26 2021-12-03 삼성전자 주식회사 발광소자 패키지

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2003118499A (ru) * 2003-06-23 2005-02-27 Галина Владимировна Федорова (RU) Светоизлучающий диод в корпусе для поверхностного монтажа
JP2007073575A (ja) * 2005-09-05 2007-03-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置
US20070228386A1 (en) * 2006-03-30 2007-10-04 Jin-Shown Shie Wire-bonding free packaging structure of light emitted diode
WO2009022316A2 (en) * 2007-08-16 2009-02-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Optical element coupled to low profile side emitting led
RU2355068C1 (ru) * 2004-12-16 2009-05-10 Сеул Семикондактор Ко., Лтд. Рамка с выводами, имеющая поддерживающее теплоотвод кольцо, способ изготовления корпуса светоизлучающего диода с ее использованием и корпус светоизлучающего диода, изготовленный этим способом
EP2081238A1 (en) * 2006-11-08 2009-07-22 C. I. Kasei Company, Limited Light emitting device and method for manufacturing the same
US20100025718A1 (en) * 2008-07-31 2010-02-04 Wei Shi Top contact LED thermal management

Family Cites Families (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6393177A (ja) * 1986-10-07 1988-04-23 Nec Corp 発光ダイオ−ド
JPH05129661A (ja) * 1991-10-31 1993-05-25 Iwasaki Electric Co Ltd 発光ダイオードランプ
JPH07117628B2 (ja) * 1992-07-23 1995-12-18 山一電機株式会社 光電気変換器
JP4023698B2 (ja) * 1996-11-15 2007-12-19 シチズン電子株式会社 下面電極付き側面使用電子部品の製造方法
US6335548B1 (en) * 1999-03-15 2002-01-01 Gentex Corporation Semiconductor radiation emitter package
JP3217322B2 (ja) * 1999-02-18 2001-10-09 日亜化学工業株式会社 チップ部品型発光素子
US6373078B1 (en) * 1999-09-28 2002-04-16 International Rectifier Corp. Microelectronic relay with upset and downset lead frames
RU2197680C1 (ru) * 2001-09-19 2003-01-27 Открытое акционерное общество "АВТОВАЗ" Светотехнический блок
US20030057421A1 (en) * 2001-09-27 2003-03-27 Tzer-Perng Chen High flux light emitting diode having flip-chip type light emitting diode chip with a transparent substrate
JP2003309293A (ja) * 2002-04-17 2003-10-31 Sony Corp 半導体発光素子パッケージ、表示装置、発光素子の除去方法及び発光素子の検査方法
DE10237084A1 (de) * 2002-08-05 2004-02-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Leiterrahmens und Verfahren zum Herstellen eines oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements
JP3910171B2 (ja) * 2003-02-18 2007-04-25 シャープ株式会社 半導体発光装置、その製造方法および電子撮像装置
JP4114557B2 (ja) * 2003-06-25 2008-07-09 松下電工株式会社 発光装置
US6972438B2 (en) * 2003-09-30 2005-12-06 Cree, Inc. Light emitting diode with porous SiC substrate and method for fabricating
KR20050092300A (ko) * 2004-03-15 2005-09-21 삼성전기주식회사 고출력 발광 다이오드 패키지
JP2005302944A (ja) * 2004-04-09 2005-10-27 Tabuchi Electric Co Ltd 発光装置
DE102004029941B3 (de) * 2004-06-21 2005-12-15 Infineon Technologies Ag System zur Auswertung eines Sensorsignals
JP4571139B2 (ja) 2004-08-10 2010-10-27 ルネサスエレクトロニクス株式会社 発光装置および発光装置の製造方法
EP1825524A4 (en) * 2004-12-16 2010-06-16 Seoul Semiconductor Co Ltd CONNECTION GRID COMPRISING A THERMAL DISSIPATOR SUPPORT RING, METHOD FOR MANUFACTURING LIGHT-EMITTING DIODE HOUSING USING THE SAME, AND LIGHT-EMITTING DIODE HOUSING MADE THEREBY
WO2006095834A1 (ja) * 2005-03-09 2006-09-14 Asahi Kasei Emd Corporation 光デバイス及び光デバイスの製造方法
JP2006261519A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Sharp Corp 半導体装置及びその製造方法
JPWO2007018098A1 (ja) * 2005-08-05 2009-02-19 オリンパスメディカルシステムズ株式会社 発光ユニット
KR101187943B1 (ko) * 2005-09-20 2012-10-05 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤 Ｌｅｄ 광원 및 그 제조 방법
JP3117281U (ja) * 2005-09-30 2006-01-05 鼎元光電科技股▲ふん▼有限公司 効率の高いマトリックス発光ダイオード素子
JP2007109911A (ja) * 2005-10-14 2007-04-26 Renesas Technology Corp 発光ダイオードおよびその製造方法
JP2007134376A (ja) * 2005-11-08 2007-05-31 Akita Denshi Systems:Kk 発光ダイオード装置及びその製造方法
CA2648321A1 (en) 2006-03-31 2007-11-15 Hendrickson International Corporation Movable subframe for tractor-trailers
JP5057707B2 (ja) * 2006-06-16 2012-10-24 日亜化学工業株式会社 発光装置
US8088635B2 (en) * 2006-10-17 2012-01-03 C.I. Kasei Company, Limited Vertical geometry light emitting diode package aggregate and production method of light emitting device using the same
JP2008103401A (ja) * 2006-10-17 2008-05-01 C I Kasei Co Ltd 上下電極型発光ダイオード用パッケージおよび上下電極型発光ダイオード用パッケージの製造方法
JP2008258567A (ja) * 2006-11-08 2008-10-23 C I Kasei Co Ltd 発光装置および発光装置の製造方法
DE102007036226A1 (de) * 2007-08-02 2009-02-05 Perkinelmer Elcos Gmbh Anbringungsstruktur für LEDs, LED-Baugruppe, LED-Baugruppensockel, Verfahren zum Ausbilden einer Anbringungsstruktur
JPWO2009051178A1 (ja) * 2007-10-19 2011-03-03 日本タングステン株式会社 Ｌｅｄパッケージ基板およびそれを用いたｌｅｄパッケージ
JP4758976B2 (ja) * 2007-12-03 2011-08-31 日立ケーブルプレシジョン株式会社 半導体発光素子搭載用リードフレーム及びその製造方法並びに発光装置
KR100981214B1 (ko) * 2008-01-28 2010-09-10 알티전자 주식회사 발광다이오드 패키지
JP2009224376A (ja) * 2008-03-13 2009-10-01 Toshiba Discrete Technology Kk 側面型発光装置及びその製造方法
CN101533819B (zh) * 2008-03-14 2013-01-16 旭丽电子(广州)有限公司 半导体封装构造、应用于半导体封装构造的导线架及导电件
TW201019514A (en) * 2008-09-25 2010-05-16 Denka Agsp Kabushiki Kaisha A substrate mounted for a light emitting element and a method for manufacturing the substrate
US8288785B2 (en) * 2008-12-03 2012-10-16 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Lead frame having light-reflecting layer, light emitting diode having the lead frame, and backlight unit having the light emitting diode
JP5368809B2 (ja) * 2009-01-19 2013-12-18 ローム株式会社 Ｌｅｄモジュールの製造方法およびｌｅｄモジュール
JP2010177329A (ja) * 2009-01-28 2010-08-12 Sharp Corp 樹脂複合リードフレームとその製造方法、及びその実装体
JP2010238833A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Panasonic Corp 光半導体装置用パッケージおよび光半導体装置
DE102009015963A1 (de) 2009-04-02 2010-10-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
KR101673913B1 (ko) * 2009-07-20 2016-11-08 삼성전자 주식회사 발광 패키지 및 그 제조 방법
CN102024882A (zh) * 2009-09-14 2011-04-20 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管装置及其制造方法
US8502257B2 (en) * 2009-11-05 2013-08-06 Visera Technologies Company Limited Light-emitting diode package
BR112013012333A2 (pt) * 2010-11-19 2019-03-06 Koninklijke Philips Electronics N.V método, dispositivo emissor de luz e quadro condutor carregador isolado para dispositivo emissor de luz

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2003118499A (ru) * 2003-06-23 2005-02-27 Галина Владимировна Федорова (RU) Светоизлучающий диод в корпусе для поверхностного монтажа
RU2355068C1 (ru) * 2004-12-16 2009-05-10 Сеул Семикондактор Ко., Лтд. Рамка с выводами, имеющая поддерживающее теплоотвод кольцо, способ изготовления корпуса светоизлучающего диода с ее использованием и корпус светоизлучающего диода, изготовленный этим способом
JP2007073575A (ja) * 2005-09-05 2007-03-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置
US20070228386A1 (en) * 2006-03-30 2007-10-04 Jin-Shown Shie Wire-bonding free packaging structure of light emitted diode
EP2081238A1 (en) * 2006-11-08 2009-07-22 C. I. Kasei Company, Limited Light emitting device and method for manufacturing the same
WO2009022316A2 (en) * 2007-08-16 2009-02-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Optical element coupled to low profile side emitting led
US20100025718A1 (en) * 2008-07-31 2010-02-04 Wei Shi Top contact LED thermal management

Also Published As

Publication number Publication date
JP2018022930A (ja) 2018-02-08
RU2721101C2 (ru) 2020-05-15
CN103201863B (zh) 2016-04-13
TW201639197A (zh) 2016-11-01
JP6738785B2 (ja) 2020-08-12
RU2016133432A3 (ru) 2019-12-05
TWI689113B (zh) 2020-03-21
TW201242101A (en) 2012-10-16
JP2013543277A (ja) 2013-11-28
EP2641279B1 (en) 2017-09-27
RU2016133432A (ru) 2018-12-10
US20130221386A1 (en) 2013-08-29
TWI620350B (zh) 2018-04-01
BR112013012333A2 (pt) 2019-03-06
RU2013127670A (ru) 2014-12-27
US9997686B2 (en) 2018-06-12
EP2641279A1 (en) 2013-09-25
JP6297838B2 (ja) 2018-03-20
TW201813136A (zh) 2018-04-01
US9172018B2 (en) 2015-10-27
US20160043295A1 (en) 2016-02-11
CN103201863A (zh) 2013-07-10
WO2012066461A1 (en) 2012-05-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6738785B2 (ja) 発光デバイス及びその製造方法
TWI395345B (zh) 具有低熱阻之發光二極體燈
KR101049698B1 (ko) Ｌｅｄ 어레이 모듈 및 이의 제조방법
JP2008530822A (ja) Ｌｅｄ光モジュールアセンブリ
WO2009024951A1 (en) Light emitting diode array
US8641232B2 (en) Light emitting device and illumination apparatus
KR101134671B1 (ko) Ｌｅｄ 램프 모듈의 방열구조체
KR20100106933A (ko) 발광다이오드 패키지
KR100787705B1 (ko) 반도체 장치용 내장형 금속 히트 싱크 및 그 제조방법
JP2010199167A (ja) 発光素子収納用パッケージならびに発光装置
TWM498387U (zh) 熱電分離的發光二極體封裝模組及電連接模組
JP4655735B2 (ja) Ｌｅｄユニット
US20120170265A1 (en) Light-source module and light-emitting device
JP2006073699A (ja) 発光素子収納用パッケージ
RU2008108713A (ru) Монтажная панель для электронного компонента
KR101115403B1 (ko) 발광 장치
JP2007096008A (ja) 発光素子搭載用パッケージ
JP2010272736A (ja) 発光装置
US20140197434A1 (en) Light emitting diode device and method for manufacturing heat dissipation substrate
KR20150077208A (ko) 반도체 소자 패키지, 이를 포함하는 발광 다이오드 패키지 및 광학 모듈
JP2011124386A (ja) 回路基板、高放熱コネクタ、その製造方法およびコネクタ付き回路モジュール
TW201601357A (zh) 熱電分離的發光二極體封裝模組
KR20090076651A (ko) 엘이디 패키지
JP2008034732A (ja) 電子部品収納用セラミックパッケージ
TW201214660A (en) Light emitting diode package structure

Legal Events

Date Code Title Description
PD4A Correction of name of patent owner
PC41 Official registration of the transfer of exclusive right

Effective date: 20190823

PD4A Correction of name of patent owner