RU2484017C2 - Способ получения пористого наноструктурного карбида кремния - Google Patents

Способ получения пористого наноструктурного карбида кремния Download PDF

Info

Publication number
RU2484017C2
RU2484017C2 RU2009108220/05A RU2009108220A RU2484017C2 RU 2484017 C2 RU2484017 C2 RU 2484017C2 RU 2009108220/05 A RU2009108220/05 A RU 2009108220/05A RU 2009108220 A RU2009108220 A RU 2009108220A RU 2484017 C2 RU2484017 C2 RU 2484017C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
silicon carbide
silicon
carbon
diamond
powder
Prior art date
Application number
RU2009108220/05A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2009108220A (ru
Inventor
Сергей Константинович Гордеев
Светлана Борисовна Корчагина
Original Assignee
Сергей Константинович Гордеев
Светлана Борисовна Корчагина
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Сергей Константинович Гордеев, Светлана Борисовна Корчагина filed Critical Сергей Константинович Гордеев
Priority to RU2009108220/05A priority Critical patent/RU2484017C2/ru
Publication of RU2009108220A publication Critical patent/RU2009108220A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2484017C2 publication Critical patent/RU2484017C2/ru

Links

Abstract

Изобретение относится к неорганической химии и может быть использовано при изготовлении носителей катализаторов, фильтров, материалов для электроники. В качестве исходных материалов используют порошки кремния и алмаза детонационного синтеза, которые смешивают в массовом соотношении кремний : алмаз от 2:1 до 2,4:1. Затем из смеси порошков формуют заготовку требуемого изделия и осуществляют ее термообработку при температуре 1200-1500°С в вакууме или инертной среде. Изобретение позволяет получать наноструктурный карбид кремния в виде изделий, обладающих высокой пористостью - 55-65 об.% и одновременно - достаточной прочностью, при этом размер кристаллических областей находится в интервале 10-50 нм.

Description

Изобретение относится к области неорганической химии, в частности высокопористым керамическим материалам, которые могут быть использованы в качестве носителей катализаторов, фильтров, материалов для электроники.
Карбид кремния обладает многими важными функциональными свойствами. Он имеет высокую температуру плавления, химически стоек к большинству агрессивных веществ, устойчив на воздухе при высоких температурах. Особенности его кристаллического строения позволяют создавать на его основе полупроводниковые и оптоэлектронные приборы. Карбидокремниевые керамики и композиты эффективно применяются как высокотемпературные нагреватели, огнеупоры, пары трения в подшипниках.
Карбид кремния в виде порошка получают главным образом взаимодействием частиц оксида кремния с углеродом (коксом) при высоких температурах. Карбидокремниевую керамику изготавливают спеканием порошка карбида кремния с различными добавками.
Кроме того, карбид кремния может быть получен взаимодействием углерода с кремнием. Например, известный способ получения карбида кремния [Патент США №6554897, кл. C30B 23/00, 2003 г.]. Способ состоит в высокотемпературной обработке заготовки, составленной из углерода и кремния. При этом часть заготовки изготовлена прессованием из углеродных частиц в форме требуемого изделия, а кремний расположен на поверхности углерода. При высокотемпературной обработке (1500-2000°С) пары кремния проникают в поры углеродной заготовки, вступают в химическую реакцию и преобразуют углерод в карбид кремния. В качестве углерода предпочтительно использовать углерод, полученный из лигнина или антрацита.
Недостатками известного способа являются его технологическая сложность, связанная с высокими температурами осуществления процесса, и его большая продолжительность.
Наиболее близким к заявляемому техническому решению авторы считают способ получения карбида кремния, описанный в патенте США №4117096 [кл. С30В 30/00, 1978 г.]. Способ состоит в смешении порошка кремния с порошком углерода, формовании из смеси порошков заготовки и последующей термообработке при температуре 800-1400°С. Термообработку осуществляют в кислородсодержащей среде (0,3-35% об. кислорода). В качестве углерода используют графит, кокс, сажу с размером частиц меньше 20 мкм. Размер частиц кремния - менее 200 мкм. Мольное соотношение углерод : кремний - от 1:0,6 до 1:2.
Недостаток способа состоит в том, что способ не обеспечивает получение компактного материала (в виде изделия, обладающего необходимой прочностью), а позволяет получать только порошки карбида кремния. Получаемые после термообработки заготовки легко разрушаются на отдельные частицы карбида кремния, размер которых до 500 мкм.
Известен способ получения пористого наноструктурного карбида кремния, описанный в статье Zhicheng Lui et.al. Low-temperature formation of nanocrystalline SiC with high surface area and mesoporosity via reaction of mesoporous carbon and silicon powder (Mesoporous and Microporous Materials, 2005, v.82, pp.137-145). Способ состоит в смешивании порошка кремния с мезопористым углеродным материалом и последующей термообработке порошкообразной смеси при температуре 1200-1300°С. В результате получают пористый карбид кремния в виде гранул с размером пор 5-40 нм и удельной поверхностью до 147 м2/г.
Недостатком этого способа является невозможность изготовления изделия требуемых размеров и формы - продуктом реализации способа являются пористые гранулы.
Задачей изобретения является получение карбида кремния в виде пористого тела (изделия), обладающего прочностью более 5 МПа. Поставленная задача решена за счет использования в качестве исходных материалов порошка кремния и порошка алмаза детонационного синтеза. При осуществлении способа порошки смешивают в массовом соотношении кремний : алмаз от 2:1 до 2,4:1. Затем из смеси порошков формуют заготовку требуемого изделия и осуществляют термообработку заготовки при температуре 1200-1500°С.
При использовании смеси порошков кремния и алмаза с массовым соотношением компонентов менее 2:1 в получаемом материале содержится углерод, а при соотношении более 2,4:1 содержится кремний. И то, и другое является нежелательным, т.к. эти компоненты снижают химическую устойчивость материала (при окислении на воздухе и в щелочных средах). Осуществление термообработки при температурах выше 1500°С нецелесообразно, т.к. это усложняет технологию получения. При температурах ниже 1200°С процесс протекает очень медленно.
Сущность изобретения состоит в следующем.
В предлагаемом техническом решении в качестве источника углерода для получения карбида кремния предложено использовать порошки алмаза детонационного синтеза. Такие порошки получают взрывом взрывчатых веществ. Порошки алмаза детонационного синтеза имеют размер частиц 4-5 нм. В ходе проведенных исследований было установлено, что при использовании алмаза детонационного синтеза в качестве источника углерода в процессе получения карбида кремния из кремния и углерода получаемый карбид кремния сохраняет размеры и форму сформованной из порошков заготовки. Получаемый материал высокопористый - пористость 55-65% об. Выполненные структурные исследования показали, что карбид кремния имеет наноструктуру, размеры кристаллических областей в материале составляют 10-50 нм.
Все указанные особенности получаемого материала определяются применением алмаза детонационного синтеза. Алмаз имеет плотность 3,5 г/см3, что существенно выше плотности ранее используемых для получения карбида кремния углеродных материалов (графит - 2,2 г/см3, сажа - 1,6 г/см3). Поэтому использование алмаза в смеси с кремнием позволяет получать более плотную заготовку, термообработка которой приводит к формированию в ней карбидокремниевого каркаса, обеспечивающего прочность полученного высокопористого карбида кремния. Кроме того, алмаз отличается от других углеродных материалов своей химической активностью. Поэтому процесс формирования карбида кремния идет по другим химическим механизмам, обеспечивая получение именно наноструктурного карбида кремния. Формирование наноструктуры определяется и размерами используемого алмаза 4-5 нм.
Пример реализации предлагаемого технического решения. В качестве исходных веществ используют алмаз детонационного синтеза (5 г) и порошок поликристаллического кремния марки КР00 с размером частиц 10 мкм (10,4 г). При этом массовое соотношение порошков 2,08. Порошки тщательно перемешиваются. Полученную смесь формуют в металлической пресс-форме с усилием 100 МПа для получения дисков диаметром 20 мм и толщиной 1 мм. Диски помещают в вакуумную печь, нагревают в вакууме 0,1 мм рт.ст. до температуры 1400°С и выдерживают при температуре 1 минуту. После остывания печи извлекают образцы. Таким образом, получены диски, сохранившие свои размеры и форму. Проведенные рентгеноструктурные исследования показали, что полученный материал представляет собой карбид кремния. Размер областей когерентного рассеяния рентгеновских лучей - т.е. размер кристаллитов карбида кремния - 25 нм (относится к категории наноматериалов). Пористость материала - 63% об. Прочность материала при изгибе - 12 МПа. Тем самым получен пористый наноструктурный карбид кремния.
Таким образом, реализация предлагаемого технического решения по сравнению с известным способом позволяет получать карбид кремния в виде изделий, обладающих высокой пористостью, достаточной прочностью и сформированной в них нанокристаллической структурой карбида кремния.

Claims (1)

  1. Способ получения пористого наноструктурного карбида кремния, включающий приготовление смеси порошков углерода и кремния и последующую высокотемпературную термообработку, отличающийся тем, что в качестве порошка углерода используют порошок алмаза детонационного синтеза, который смешивают с порошком кремния в массовом соотношении кремний: алмаз от 2:1 до 2,4:1, смесь формуют в заготовку требуемого изделия, а последующую высокотемпературную термообработку осуществляют при температуре 1200-1500°С в вакууме или инертной среде.
RU2009108220/05A 2009-02-27 2009-02-27 Способ получения пористого наноструктурного карбида кремния RU2484017C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2009108220/05A RU2484017C2 (ru) 2009-02-27 2009-02-27 Способ получения пористого наноструктурного карбида кремния

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2009108220/05A RU2484017C2 (ru) 2009-02-27 2009-02-27 Способ получения пористого наноструктурного карбида кремния

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2009108220A RU2009108220A (ru) 2010-09-10
RU2484017C2 true RU2484017C2 (ru) 2013-06-10

Family

ID=42800187

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2009108220/05A RU2484017C2 (ru) 2009-02-27 2009-02-27 Способ получения пористого наноструктурного карбида кремния

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2484017C2 (ru)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4117096A (en) * 1976-08-20 1978-09-26 Nippon Crucible Co., Ltd. Process for producing powder of β-type silicon carbide
US6221154B1 (en) * 1999-02-18 2001-04-24 City University Of Hong Kong Method for growing beta-silicon carbide nanorods, and preparation of patterned field-emitters by chemical vapor depositon (CVD)
US6387342B1 (en) * 1992-08-17 2002-05-14 Csir Production of carbides and nitrides
US6554897B2 (en) * 2000-09-06 2003-04-29 Silbid Ltd. Method of producing silicon carbide
JP2008127214A (ja) * 2006-11-16 2008-06-05 Honda Motor Co Ltd 炭化ケイ素ナノ構造体およびその製造方法
RU2328444C2 (ru) * 2006-05-24 2008-07-10 Общество с ограниченной ответственностью "Шунгитон" Способ получения нановолокнистого карбида кремния
RU2007102508A (ru) * 2007-01-24 2008-07-27 Михаил Андреевич Павлов (RU) Способ изготовления изделий из композиционного материала

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4117096A (en) * 1976-08-20 1978-09-26 Nippon Crucible Co., Ltd. Process for producing powder of β-type silicon carbide
US6387342B1 (en) * 1992-08-17 2002-05-14 Csir Production of carbides and nitrides
US6221154B1 (en) * 1999-02-18 2001-04-24 City University Of Hong Kong Method for growing beta-silicon carbide nanorods, and preparation of patterned field-emitters by chemical vapor depositon (CVD)
US6554897B2 (en) * 2000-09-06 2003-04-29 Silbid Ltd. Method of producing silicon carbide
RU2328444C2 (ru) * 2006-05-24 2008-07-10 Общество с ограниченной ответственностью "Шунгитон" Способ получения нановолокнистого карбида кремния
JP2008127214A (ja) * 2006-11-16 2008-06-05 Honda Motor Co Ltd 炭化ケイ素ナノ構造体およびその製造方法
RU2007102508A (ru) * 2007-01-24 2008-07-27 Михаил Андреевич Павлов (RU) Способ изготовления изделий из композиционного материала

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
MORITO H. et al. Low-temperature synthesis and mechanical properties of SiC porous granules from activated charcoal with a Na flux // Materials Transactions. - 2008, v.49, Issue 9, p.p.1929-1933. *
ZHICHENG LIU et al. Low-temperature formation of nanocrystalline beta-SiC with high surface area and mesoporosity via reaction of mesoporous carbon and silicon powder // Microporous and Mesoporous Materials. - 2005, v.82, p.p.137-145. *
ZHICHENG LIU et al. Low-temperature formation of nanocrystalline β-SiC with high surface area and mesoporosity via reaction of mesoporous carbon and silicon powder // Microporous and Mesoporous Materials. - 2005, v.82, p.p.137-145. *

Also Published As

Publication number Publication date
RU2009108220A (ru) 2010-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Yoon et al. In situ synthesis of porous silicon carbide (SiC) ceramics decorated with SiC nanowires
Cao et al. Preparation of porous Al 2 O 3-ceramics by biotemplating of wood
ES2359412T3 (es) Procedimiento de fabricación de carburo de silicio denso.
Bai et al. Preparation and properties of mullite-bonded porous SiC ceramics using porous alumina as oxide
Chun et al. Processing and mechanical properties of porous silica-bonded silicon carbide ceramics
JPS5918183A (ja) 炭化珪素製品の製造方法
Ali et al. Preparation and characterization of porous alumina ceramics using different pore agents
JPS5844630B2 (ja) シリコ−ンカ−バイドシヨウケツセイケイタイノ セイゾウホウホウ
KR100952341B1 (ko) 탄화규소 다공체의 제조방법 및 그로부터 제조된 탄화규소다공체
US3565980A (en) Slip casting aqueous slurries of high melting point pitch and carbonizing to form carbon articles
CN113716975B (zh) 3d打印制备木材生物质多孔碳化硅的方法及多孔碳化硅
Vijayan et al. Low‐density open cellular silicon carbide foams from sucrose and silicon powder
RU2484017C2 (ru) Способ получения пористого наноструктурного карбида кремния
JP2015074565A (ja) 球状炭化ケイ素粉及びその製造方法
BV et al. Effect of aluminum source on flexural strength of mullite-bonded porous silicon carbide ceramics
Chanadee et al. Self-propagating high-temperature synthesis of Si-SiC composite powder
RU2732661C1 (ru) Способ получения пористых усов α-Al2O3 с использованием отходов свинцово-цинкового производства
Makornpan et al. Fabrication of silicon carbide from rice husk by carbothermal-reduction and in situ reaction bonding technique
JPS5834426B2 (ja) 高密度炭化けい素焼結体の製造法
CN114920578B (zh) 具有低烧成收缩率的多孔钙长石/钙铝黄长石复相陶瓷的制备方法
JP3605632B2 (ja) 高強度アルミナ多孔体とその製造方法
RU2302994C2 (ru) Способ подготовки порошков наноалмаза для получения устойчивых суспензий
CN108558412B (zh) 多孔氮化硅陶瓷材料的制备方法
Jang et al. Processing of porous cordierite ceramics with controlled porosity
KR101355802B1 (ko) 소듐 보레이트 결합 다공성 탄화규소 세라믹스 제조용 조성물, 이를 이용한 소듐 보레이트 결합 다공성 탄화규소 세라믹스 제조방법, 이에 의해 제조된 소듐 보레이트 결합 다공성 탄화규소 세라믹스, 이를 포함하는 촉매 담체, 복합재료 제조용 프리폼 및 분진 필터

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20140228