JP2008127214A - 炭化ケイ素ナノ構造体およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】電子放出特性の向上や摩擦特性の向上に有効な尖頭状の形態を有する炭化ケイ素ナノ構造体、およびその炭化ケイ素ナノ構造体を低温で簡素なプロセスで製造できる方法の提供。
【解決手段】Si基板の表面に尖頭状の炭化ケイ素集合体が突出して点在している炭化ケイ素ナノ構造体、および圧力1〜70Pa、0.5〜3kWのマイクロ波出力、基板温度350〜600℃のSi基板を用いるマイクロ波プラズマCVD法による炭化ケイ素ナノ構造体の製造方法。
【選択図】図1
【解決手段】Si基板の表面に尖頭状の炭化ケイ素集合体が突出して点在している炭化ケイ素ナノ構造体、および圧力1〜70Pa、0.5〜3kWのマイクロ波出力、基板温度350〜600℃のSi基板を用いるマイクロ波プラズマCVD法による炭化ケイ素ナノ構造体の製造方法。
【選択図】図1
Description
本発明は、尖頭状の突起を有する新規な炭化ケイ素ナノ構造体およびその製造方法に関する。
炭化ケイ素(SiC)は、熱的安定性が高く、SiやGaAs等の一般に実用化されている半導体に比べ、エネルギバンドギャップが広いことから、自動車等の高温環境下で高出力な性能が要求される半導体素子用材料としての適用が期待されている。この炭化ケイ素は、ケイ素と炭素が種々の2重層の形式で積層してなる結晶構造を有し、その2重層の積層形式によって数百種類にも及ぶ多形と呼ばれる結晶構造を有する。代表的な多形として、3C−SiC、2H−SiC、4H−SiCがあり、その中でも、2H−SiCは最大のエネルギバンドギャップ(3.33eV)を有する。また、4H−SiCは、2H−炭化ケイ素より少し小さいエネルギバンドギャップ(3.27eV)を有するが、大きな単結晶を作製できる利点がある。
また、炭化ケイ素は、高硬度を有し、耐摩耗性に優れた摩擦材もしくはその添加成分さらにはコーティング材として一部実用化されている。構造制御と同時に形態制御が必要であり、例えば、具体的にはコニカル形状や針状の形態は、電子放出特性の向上や摩擦特性の向上に利用できると考えられる。
こうした炭化ケイ素の製造において、バルク・薄膜ともに、一般的には1000〜1500℃以上の高温が必要となる。例えば、非特許文献1には、炭化ケイ素を高出力の紫外線パルスレーザ光で蒸発させて1100℃の基板上に堆積させて、炭化ケイ素の結晶性薄膜を製造する方法が記載されている。また、特許文献1には、二酸化ケイ素とカーボンブラックとを水素ガス雰囲気下に1400〜1700℃の温度に加熱して、水素ガスとカーボンブラックとを反応させて炭化水素を生成させ、この炭化水素にて前記二酸化ケイ素を還元して、一酸化ケイ素を生成せしめ、この一酸化ケイ素とカーボンブラックとを反応させて、炭化ケイ素ウイスカーを生成させる方法が開示されている。
産総研広報誌:AIST Today Vol.4−6P14「炭化珪素結晶性薄膜の多形制御技術を開発」
特公平3−51678号公報(請求項1)
しかし、従来の炭化ケイ素の製造は、1000℃以上の高温で行う必要がある。そのため、自動車用半導体デバイスや摺動用コーティング材として、より汎用性が高く、低コストで炭化ケイ素を製造するためには、プロセスの低温化や簡素化が必要である。
また、炭化ケイ素は、電子デバイスや摺動用コーティング材としての機能性を向上させるために、結晶構造の制御と同時に形態制御が必要であり、例えば、コニカル形状や針状の突起状の炭化ケイ素は、電子放出特性の向上や摩擦特性の向上に有効であると考えられる。
そこで、本発明の目的は、前記の事情に鑑みて、電子放出特性の向上や摩擦特性の向上に有効な尖頭状の形態を有する炭化ケイ素ナノ構造体、およびその炭化ケイ素ナノ構造体を低温で簡素なプロセスで製造できる方法を提供することにある。
請求項1に係る発明の炭化ケイ素ナノ構造体は、Si基板の表面に尖頭状の炭化ケイ素集合体が突出して点在していることを特徴とする。
この炭化ケイ素ナノ構造体は、Si基板の表面に尖頭状の炭化ケイ素集合体が突出して点在する形態を有するため、電子放出特性の向上や摩擦特性の向上が期待される。
請求項2に係る発明は、請求項1に記載の炭化ケイ素ナノ構造体において、前記炭化ケイ素集合体が、高さ50〜500nm、底面直径10〜200nmの略円錐状に形成されていることを特徴とする。
この炭化ケイ素ナノ構造体は、高さ50〜500nm、底面直径10〜200nmの略円錐状に形成された尖頭状の炭化ケイ素集合体が、Si基板の表面に突出して点在する形態を有するため、電子放出特性の向上や摩擦特性の向上が期待される。
請求項3に係る発明は、請求項1または請求項2に記載の炭化ケイ素ナノ構造体において、前記炭化ケイ素集合体が、2H型α−SiC結晶構造を有することを特徴とする。
この炭化ケイ素ナノ構造体は、尖頭状の炭化ケイ素集合体が、数百種類にも及ぶ多形と呼ばれる結晶構造の中でも、最大のエネルギバンドギャップを有する2H型α−炭化ケイ素結晶構造を有することによって、高出力半導体素子用の材料として有用である。
請求項4に係る発明の炭化ケイ素ナノ構造体の製造方法は、圧力1〜70Paの反応室内に供給される炭素源に0.5〜3kWのマイクロ波を照射して、基板温度350〜600℃のSi基板上の空間にプラズマを生成して、前記Si基板の表面に尖頭状の炭化ケイ素集合体が点在する炭化ケイ素構造体を形成させることを特徴とする。
この炭化ケイ素ナノ構造体の製造方法では、マイクロ波プラズマCVD法によって、基板350〜600℃の低温で、しかも、触媒を使用しない簡素な製造条件で、尖頭状の炭化ケイ素集合体がSi基板の表面に点在する、従来にない特異な形態の炭化ケイ素ナノ構造体を製造することが可能となる。
請求項5に係る発明は、請求項4に記載の炭化ケイ素ナノ構造体の製造方法において、前記炭素源が、炭素原子を0.1〜10%含有する気体であることを特徴とする。
この炭化ケイ素ナノ構造体の製造方法では、炭素源として炭素原子を0.1〜10%含有する気体を、反応室内に供給することによって、基板350〜600℃の低温で、しかも、触媒を使用しない簡素な製造条件で、尖頭状の炭化ケイ素集合体がSi基板の表面に点在する、従来にない特異な形態の炭化ケイ素ナノ構造体を製造することが可能となる。
請求項6に係る発明は、請求項4または5に記載の炭化ケイ素ナノ構造体の製造方法において、前記炭素源が、水素と、炭化水素、CO2およびCOから選ばれる少なくとも1種の炭素含有化合物とを含むことを特徴とする。
この炭化ケイ素ナノ構造体の製造方法では、水素と、炭化水素、CO2およびCOから選ばれる少なくとも1種の炭素含有化合物とを含む炭素源を反応室内に供給して、基板温度350〜600℃の低温で、しかも、触媒を使用しない簡素な製造条件で、尖頭状の炭化ケイ素集合体がSi基板の表面に点在する、従来にない特異な形態の炭化ケイ素ナノ構造体を製造することが可能となる。
請求項1および請求項2に記載の発明は、尖頭状の炭化ケイ素集合体がSi基板の表面に突出して点在する新規な形態の炭化ケイ素ナノ構造体を提供する。この炭化ケイ素ナノ構造体は、その尖頭状の竹の子形状または針状の特異な形態を有するために、エネルギバンドギャップが大きく、しかも熱的安定性に優れるとともに、電子放出特性の向上や摩擦特性の向上が期待される。例えば、ショットキーバリヤダイオード、静電誘導トランジスタ等の高出力半導体デバイス、電子放出特性を利用した発光デバイス、電界放出ディスプレイ(FED)用の電子放出素子、電力変換、鉄道、自動車、家電製品用のサイリスタ、モータ制御モジュール、スイッチング素子等の各種の電子デバイスへの応用が期待される。また、高硬度および高摩擦係数の炭化ケイ素の機械的特性を有するとともに、尖頭状の炭化ケイ素集合体が空隙を介して存在しているため、これを摩擦摺動部材もしくはそのコーティング材や表面改質材に適用すれば、炭化ケイ素集合体との間の空隙がオイル溜まりを形成し、良好な潤滑油保持性を発現することが期待される。
請求項3に記載の発明は、2H型α−SiC結晶構造を有するため、エネルギバンドギャップが大きい特性を利用する高出力半導体素子用の材料として有用である。
また、請求項4〜請求項6に記載の発明は、基板350〜600℃の低温で、しかも、触媒を使用しない簡素な製造条件で、尖頭状の炭化ケイ素集合体がSi基板の表面に点在する、従来にない特異な形態の炭化ケイ素ナノ構造体を製造することが可能となる。また、この製造方法においては、不純物を含まないため、高硬度・耐摩擦性を有するとともに、結晶構造を乱す原因となる不純物を含まない炭化ケイ素ナノ構造体を得ることができる。
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
図1(A)は、本発明の炭化ケイ素ナノ構造体の走査型電子顕微鏡写真の一例であり、図1(B)は、その炭化ケイ素ナノ構造体の断面構造を示す概念図である。
図1(A)および(B)に示すとおり、本発明の炭化ケイ素ナノ構造体1は、ナノ単位のサイズの尖頭状の概形を有する炭化ケイ素集合体(以下、「SiCナノバンブー」という)2が、Si基板3の表面に成長し突出して点在した形態を有するものである。この炭化ケイ素ナノ構造体1において、SiCナノバンブー2は、図1(B)に概略を示すとおり、高さH:50〜500nm、底面直径BR:10〜200nmの略円錐状すなわち、竹の子状または針状に、Si基板3の表面に、30〜100個/μm2程度の表面密度で点在している。また、SiCナノバンブー2,2・・の間の空隙は、未成長のSiCナノバンブー2またはSi基板3の表面で構成されている。
図1(A)および(B)に示すとおり、本発明の炭化ケイ素ナノ構造体1は、ナノ単位のサイズの尖頭状の概形を有する炭化ケイ素集合体(以下、「SiCナノバンブー」という)2が、Si基板3の表面に成長し突出して点在した形態を有するものである。この炭化ケイ素ナノ構造体1において、SiCナノバンブー2は、図1(B)に概略を示すとおり、高さH:50〜500nm、底面直径BR:10〜200nmの略円錐状すなわち、竹の子状または針状に、Si基板3の表面に、30〜100個/μm2程度の表面密度で点在している。また、SiCナノバンブー2,2・・の間の空隙は、未成長のSiCナノバンブー2またはSi基板3の表面で構成されている。
このSiCナノバンブー2は、数百種類にも及ぶ多形と呼ばれる結晶構造の中でも、最大のエネルギバンドギャップを有する2H型α−SiC結晶構造を有するものが、高出力半導体素子用の材料として有用である。また、このSiCナノバンブーは、炭化ケイ素構造体の製造条件によって、その結晶構造を制御することが可能である。
次に、本発明の炭化ケイ素ナノ構造体の製造方法について説明する。
図2は、製造に用いるマイクロ波プラズマCVD装置の概略構成を示す模式図である。
このマイクロ波プラズマCVD装置21は、反応室22と、その反応室22内に配置する基板23を支持する基板支持台24と、基板23に対向して配置される対向電極25と、反応室22の外側に配設されたマイクロ波電源26から発生するマイクロ波を反応室22内に導く導波管27とを備える。
図2は、製造に用いるマイクロ波プラズマCVD装置の概略構成を示す模式図である。
このマイクロ波プラズマCVD装置21は、反応室22と、その反応室22内に配置する基板23を支持する基板支持台24と、基板23に対向して配置される対向電極25と、反応室22の外側に配設されたマイクロ波電源26から発生するマイクロ波を反応室22内に導く導波管27とを備える。
反応室22は、上部に炭素源ガスを導入するためのガス入口22aと、下部に排気口22bとを備え、導波管27とは、マイクロ波導入口22cによって連通されている。この反応室22は、排気口22bに接続された真空ポンプ(図示せず)によって、反応室22内の雰囲気圧力が所定の圧力に調節される。
基板支持台24は、基板23を戴置するためのグラファイト、ステンレス等の電気伝導性物質からなる平面基台24aと、平面基台24aの下部を支持する支持棒24bとを備える。そして、基板支持台24は、平面基台24a上に戴置される基板23を所定の温度に加熱するための加熱手段(図示せず)を有する。また、この基板支持台24は、対向電極25と基板23の間に直流バイアス電圧を印加するために、直流電源28のプラス極に対向電極25が、マイナス極に平面基台24aが電気的に接続されている。
導波管7は、マイクロ波電源26から発生するマイクロ波を、マイクロ波導入口22cから反応室22内に導くものである。反応室22内に導入されたマイクロ波は、対向電極25と、基板23の間の空間に、ガス導入口22aから供給された炭素源ガス中のH2および炭素化合物を励起してプラズマを生成させるものである。
このマイクロ波プラズマCVD装置21における炭化ケイ素ナノ構造体の製造は、下記の工程にしたがって行われる。
(1)まず、基板支持台24の平面基台24aの上面に、表面を清浄にしたSiからなる基板23を戴置した後、排気口22bに接続された真空ポンプを作動させて反応室2内の雰囲気気体を排気する。
(2)次に、基板23を加熱しながらガス導入口22aから炭素源ガスを反応室22内に導入する。このとき、直流電源28によって、基板23と対向電極25との間に直流バイアス電圧Vを印加する。
(3)マイクロ波電源26によってマイクロ波を発生させ、発生したマイクロ波を導波管27によって、反応室22内に導く。反応室22内に導入されたマイクロ波は、対向電極25と、基板23の間の空間に供給された炭素源ガス中のH2および炭素化合物を励起してプラズマPを生成させる。励起されたH2および炭素化合物を含むプラズマPは、基板23を構成するSiと反応してSiCを生成し、これが基板23上に堆積して前記特異な形態を有するSiCナノバンブーが形成される、と考えられる。
(1)まず、基板支持台24の平面基台24aの上面に、表面を清浄にしたSiからなる基板23を戴置した後、排気口22bに接続された真空ポンプを作動させて反応室2内の雰囲気気体を排気する。
(2)次に、基板23を加熱しながらガス導入口22aから炭素源ガスを反応室22内に導入する。このとき、直流電源28によって、基板23と対向電極25との間に直流バイアス電圧Vを印加する。
(3)マイクロ波電源26によってマイクロ波を発生させ、発生したマイクロ波を導波管27によって、反応室22内に導く。反応室22内に導入されたマイクロ波は、対向電極25と、基板23の間の空間に供給された炭素源ガス中のH2および炭素化合物を励起してプラズマPを生成させる。励起されたH2および炭素化合物を含むプラズマPは、基板23を構成するSiと反応してSiCを生成し、これが基板23上に堆積して前記特異な形態を有するSiCナノバンブーが形成される、と考えられる。
本発明の製造方法において、基板23の温度(基板温度)は、350〜600℃に調整される。基板温度(T)が350℃未満であると、基板との反応が促進されず、基板表面にDLC(Diamond−Like−Carbon)等の非晶質炭素が形成され、600℃を越えると、過剰な熱エネルギを与えることになり、粒状や板状の炭素質粒子の集合体あるいは膜が形成される。反応室22内の雰囲気圧力(P22)は、1〜70Paに調整される。雰囲気圧力が1Pa未満であると、基板との反応が促進されず、基板表面にDLC(Diamond−Like−Carbon)等の非晶質炭素が形成され、70Paを超えると、粒状や板状の炭素質粒子の集合体あるいは膜が形成される。このとき、雰囲気圧力(P22)と基板温度(T)の比P22/Tは、炭素源ガスおよび基板成分の反応と拡散に影響を及ぼし、生成物の形状や組成を制御する上で重要な役割を果たすことから、0.01〜0.2の範囲に調整されることが好ましい。
また、マイクロ波出力は、0.5〜3kWに調整される。マイクロ波出力が0.5kW未満であると、炭素源ガスと基板成分の反応と拡散が不十分となり、3kWを超えると、過剰なエネルギの供給によって、黒鉛等の結晶性炭素成分の生成を招く。このマイクロ波は、周波数2.45GHzのマイクロ波電源を使用して発生させることができる。
ガス導入口22aから反応室22内に供給される炭素源ガスの流量は、通常、500〜1000sccm程度に調整される。この炭素源ガスは、水素と、炭素含有化合物とを含み、プラズマPを生成するものであり、炭素原子を0.1〜10%含有することが好ましい。炭素含有化合物は、炭化水素、CO2およびCOから選ばれる少なくとも1種であり、モノメチルシラン(MMS)やテトラメチルシラン(TMS)等のシリコンと炭素を含むガスであってもよい。炭化水素としては、メタン(CH4)、アセチレン(C2H2)、ベンゼン(C6H6)等の低級炭化水素が挙げられる。これらの中でも、過剰な炭素原子の供給を抑制するためにも水素原子に対する炭素原子の割合が少ないメタン(CH4)が好ましい。炭素源ガス中の炭素成分含有ガス/水素ガスの流量比率を0.001〜0.1程度とすることが好ましい。さらに、炭素源ガスは、He、Ar、Xe、Kr等の不活性ガスを含んでいてもよい。
また、基板23と、対向電極25との間に印加する直流バイアス電圧は、通常、数10〜1000V程度に調整される。
以下、本発明の実施例および比較例によって、本発明をより具体的に説明するが、本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。
(実施例1〜3、比較例1〜5)
図2に概略を示すマイクロ波プラズマCVD装置21を用いて炭化ケイ素ナノ構造体の製造を行った。Si基板23として厚さ約0.6mm、10〜15mm角のシリコンウエーハを用意した。反応室22内に配置された基板支持台24の平面基台24aの上面にシリコウエーハを戴置した後、反応室22内を10−3Pa以下まで減圧し、Si基板23の温度(基板温度)(℃)、導波管27から反応室22内に導入するマイクロ波の出力(kw)、ガス入口22aから反応室22内に供給する炭素源ガスの組成、直流電源28によって対向電極25とSi基板23との間に印加する直流バイアス電圧(V)、反応室22内の雰囲気圧力(Pa)を表1に示すとおりに変化させて、マイクロ波プラズマCVD法による炭化ケイ素ナノ構造体の製造を試みた。このとき、ガス入口22aから反応室22内に供給する炭素源ガスの流量は、500〜1000sccmに調節した。
次に、Si基板の表面の走査型電子顕微鏡写真を撮影した。
図2に概略を示すマイクロ波プラズマCVD装置21を用いて炭化ケイ素ナノ構造体の製造を行った。Si基板23として厚さ約0.6mm、10〜15mm角のシリコンウエーハを用意した。反応室22内に配置された基板支持台24の平面基台24aの上面にシリコウエーハを戴置した後、反応室22内を10−3Pa以下まで減圧し、Si基板23の温度(基板温度)(℃)、導波管27から反応室22内に導入するマイクロ波の出力(kw)、ガス入口22aから反応室22内に供給する炭素源ガスの組成、直流電源28によって対向電極25とSi基板23との間に印加する直流バイアス電圧(V)、反応室22内の雰囲気圧力(Pa)を表1に示すとおりに変化させて、マイクロ波プラズマCVD法による炭化ケイ素ナノ構造体の製造を試みた。このとき、ガス入口22aから反応室22内に供給する炭素源ガスの流量は、500〜1000sccmに調節した。
次に、Si基板の表面の走査型電子顕微鏡写真を撮影した。
図3(A)は、実施例1で得られた炭化ケイ素ナノ構造体の走査型電子顕微鏡写真(倍率:50000)、図3(B)は、実施例2および3で得られた炭化ケイ素ナノ構造体の走査型電子顕微鏡写真(倍率:50000)を示す。
図4(A)は、比較例2および3で得られたSi基板上の薄膜の走査型電子顕微鏡写真(倍率:50000)、図4(B)は比較例4および5で得られたSi基板上の薄膜の走査型電子顕微鏡写真(倍率:100000)を示す。
また、実施例2および3で得られた炭化ケイ素ナノ構造体の切片試料を作製し、透過型電子顕微鏡で、断面写真を撮影するとともに、Si基板およびSiCナノバンブーの各部の制限視野電子線回折像を撮影した。図5は、炭化ケイ素ナノ構造体の断面の透過型電子顕微鏡写真を示し、図6(A)は、図5に示すSi基板Sの部分の制限視野電子線回折像、図6(B)は、図5に示すSi基板Sの表面から突出しているSiCナノバンブーSCの制限視野電子線回折像を示す。この図6(A)および図6(B)から、実施例2および3で得られた炭化ケイ素ナノ構造体は、Si基板の表面に2H型のα−SiC結晶構造を有する尖頭状のSiCナノバンブーが突出している構造を形成していることが分かった。
1 炭化ケイ素ナノ構造体
2 炭化ケイ素集合体(SiCナノバンブー)
3 Si基板
21 マイクロ波プラズマCVD装置
22 反応室
23 基板
24 基板支持台
25 対向電極
26 マイクロ波電源
27 導波管
28 直流電源
P プラズマ
2 炭化ケイ素集合体(SiCナノバンブー)
3 Si基板
21 マイクロ波プラズマCVD装置
22 反応室
23 基板
24 基板支持台
25 対向電極
26 マイクロ波電源
27 導波管
28 直流電源
P プラズマ
Claims (6)
- Si基板の表面に尖頭状の炭化ケイ素集合体が突出して点在していることを特徴とする炭化ケイ素ナノ構造体。
- 前記炭化ケイ素集合体が、高さ50〜500nm、底面直径10〜200nmの略円錐状に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の炭化ケイ素ナノ構造体。
- 前記炭化ケイ素集合体が、2H型α−SiC結晶構造を有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の炭化ケイ素ナノ構造体。
- 圧力1〜70Paの反応室内に供給される炭素源に0.5〜3kWのマイクロ波を照射して、基板温度350〜600℃のSi基板上の空間にプラズマを生成して、前記Si基板の表面に尖頭状の炭化ケイ素集合体が点在する炭化ケイ素構造体を形成させることを特徴とする炭化ケイ素ナノ構造体の製造方法。
- 前記炭素源が、炭素原子を0.1〜10%含有する気体であることを特徴とする請求項4に記載の炭化ケイ素ナノ構造体の製造方法。
- 前記炭素源が、水素と、炭化水素、CO2およびCOから選ばれる少なくとも1種の炭素含有化合物とを含むことを特徴とする請求項4または5に記載の炭化ケイ素ナノ構造体の製造方法。
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