RU2335826C2 - Структура диэлектрической пленки, пьезоэлектрический исполнительный элемент, использующий структуру диэлектрического элемента пленки, и печатающая головка для струйной печати - Google Patents
Структура диэлектрической пленки, пьезоэлектрический исполнительный элемент, использующий структуру диэлектрического элемента пленки, и печатающая головка для струйной печати Download PDFInfo
- Publication number
- RU2335826C2 RU2335826C2 RU2004103554A RU2004103554A RU2335826C2 RU 2335826 C2 RU2335826 C2 RU 2335826C2 RU 2004103554 A RU2004103554 A RU 2004103554A RU 2004103554 A RU2004103554 A RU 2004103554A RU 2335826 C2 RU2335826 C2 RU 2335826C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- dielectric film
- plane
- measuring
- ray diffraction
- intensity
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 12
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 claims 20
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 4
- QNRATNLHPGXHMA-XZHTYLCXSA-N (r)-(6-ethoxyquinolin-4-yl)-[(2s,4s,5r)-5-ethyl-1-azabicyclo[2.2.2]octan-2-yl]methanol;hydrochloride Chemical compound Cl.C([C@H]([C@H](C1)CC)C2)CN1[C@@H]2[C@H](O)C1=CC=NC2=CC=C(OCC)C=C21 QNRATNLHPGXHMA-XZHTYLCXSA-N 0.000 claims 1
- 238000009304 pastoral farming Methods 0.000 abstract 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
- B41J2/14201—Structure of print heads with piezoelectric elements
- B41J2/14233—Structure of print heads with piezoelectric elements of film type, deformed by bending and disposed on a diaphragm
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
- H10N30/074—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing
- H10N30/076—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing by vapour phase deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
- H10N30/204—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators using bending displacement, e.g. unimorph, bimorph or multimorph cantilever or membrane benders
- H10N30/2047—Membrane type
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
Изобретение относится к пленочным элементам и устройствам на их основе. Сущность: структура содержит подложку и диэлектрическую пленку, размещенную на подложке. Пленка имеет ориентацию в плоскости (001) по отношению к подложке. Диэлектрическая пленка характеризуется уравнением u=(Cc/Ca)×(Wa/Wc), где u - действительное число больше 2; Сс - интенсивность пика от плоскости (001') диэлектрической пленки при измерении дифракции рентгеновских лучей скользящего падения; 1' - целое число, выбранное таким образом, чтобы значение Сс достигало максимума; Са - интенсивность пика от плоскости (h'00) диэлектрической пленки при измерении дифракции рентгеновских лучей нормального падения; h' - целое число, выбранное таким образом, чтобы значение Сс достигало максимума; Wc - ширина пика на половине высоты от плоскости (001') диэлектрической пленки при измерении кривой качания дифракции рентгеновских лучей скользящего падения; Wa - ширина пика на половине высоты от плоскости (h'00) диэлектрической пленки при измерении кривой качания дифракции рентгеновских лучей. Технический результат: улучшение диэлектрических, пьезоэлектрических и других свойств. 9 н. и 6 з.п. ф-лы, 18 табл., 6 ил.
Description
Claims (15)
1. Структура диэлектрической пленки, содержащая подложку и диэлектрическую пленку, размещенную на подложке, отличающаяся тем, что диэлектрическая пленка имеет ориентацию в плоскости (001), по отношению к указанной подложке, при этом диэлектрическая пленка характеризуется уравнением:
u=(Cc/Ca)·(Wa/Wc),
где u представляет собой действительное число больше 2; Сс представляет собой интенсивность пика от плоскости (001') диэлектрической пленки при измерении дифракции рентгеновских лучей скользящего падения; 1' представляет собой целое число, выбранное таким образом, чтобы значение Сс достигало максимума; Са представляет собой интенсивность пика от плоскости (h'00) диэлектрической пленки при измерении дифракции рентгеновских лучей нормального падения; h' представляет собой целое число, выбранное таким образом, чтобы значение Сc достигало максимума; Wc представляет собой ширину пика кривой качания на половине высоты от плоскости (001') диэлектрической пленки при измерении дифракции рентгеновских лучей скользящего падения; Wa представляет собой ширину пика кривой качания на половине высоты от (h'00) плоскости диэлектрической пленки при измерении дифракции рентгеновских лучей нормального падения.
2. Структура диэлектрической пленки по п.1, отличающаяся тем, что в диэлектрической пленке интенсивность пиков от плоскостей иных, чем плоскость (001), меньше 10% от интенсивности пика от плоскости (001') при измерении дифракции рентгеновских лучей скользящего падения, а интенсивность пиков от плоскостей иных, чем плоскость (h00), меньше 10% от интенсивности пика от плоскости (h'00) при измерении дифракции рентгеновских лучей нормального падения, причем h' и 1 представляют собой любые целые числа, 1' представляет собой целое число, выбранное таким образом, чтобы интенсивность пика от плоскости (001') достигала максимума при измерении дифракции рентгеновских лучей скользящего падения, h представляет собой целое число, выбранное таким образом, чтобы интенсивность пика от плоскости (h'00) достигало максимума при измерении дифракции рентгеновских лучей нормального падения.
3. Структура диэлектрической пленки по п.1, отличающаяся тем, что толщина диэлектрической пленки больше 10 нм и меньше 20 мкм.
4. Структура диэлектрической пленки по п.1, отличающаяся тем, что кристаллическая структура диэлектрической пленки представляет собой квадратный кристалл.
5. Структура диэлектрической пленки, содержащая подложку и диэлектрическую пленку, размещенную на подложке, отличающаяся тем, что диэлектрическая пленка имеет ориентацию в плоскости (111) по отношению к подложке, при этом диэлектрическая пленка характеризуется уравнением:
v=(C111/C-110)·(W-110/W111),
где v представляет собой действительное число больше 2; С111 представляет собой интенсивность пика от плоскости (111) диэлектрической пленки, при измерении дифракции рентгеновских лучей скользящего падения; С-110 представляет собой интенсивность пика от плоскости (-110) указанной диэлектрической пленки, при измерении дифракции рентгеновских лучей нормального падения; W111 представляет собой ширину на половине высоты пика кривой качания от плоскости (111) указанной диэлектрической пленки при измерении дифракции рентгеновских лучей скользящего падения; W-110 представляет собой ширину на половине высоты пика кривой качания от плоскости (-110) указанной диэлектрической пленки при измерении дифракции рентгеновских лучей нормального падения.
6. Структура диэлектрической пленки по п.5, отличающаяся тем, что в диэлектрической пленке интенсивность отражения от плоскостей, не параллельных плоскости (111), составляет меньше 10% от интенсивности от плоскости (111) при измерении дифракции рентгеновских лучей скользящего падения, и интенсивность отражения от плоскостей, не параллельных плоскости (-110), составляет меньше 10% от интенсивности от плоскости (-100) при измерении дифракции рентгеновских лучей нормального падения.
7. Структура диэлектрической пленки по п.1, отличающаяся тем, что кристаллическая структура диэлектрической пленки представляет собой ромбический кристалл.
8. Структура диэлектрической пленки, содержащая подложку и диэлектрическую пленку, размещенную на подложке, отличающаяся тем, что диэлектрическая пленка имеет ориентацию в плоскости (110) по отношению к указанной подложке, при этом диэлектрическая пленка характеризуется уравнением:
w=(C110/C00m)·(W00m/W110),
где w представляет собой действительное число больше 2; С110 представляет собой интенсивность пика от плоскости (110) диэлектрической пленки при измерении дифракции рентгеновских лучей скользящего падения; С00m представляет собой интенсивность пика от плоскости (00m) диэлектрической пленки при измерении дифракции рентгеновских лучей нормального падения; m представляет собой целое число, выбранное таким образом, чтобы значение С00m достигало максимума; W110 представляет собой ширину пика на половине высоты кривой качания от плоскости (110) диэлектрической пленки при измерении дифракции рентгеновских лучей скользящего падения; W00m представляет собой ширину на половине высоты пика кривой качания от плоскости (00m) диэлектрической пленки при измерении дифракции рентгеновских лучей нормального падения.
9. Структура диэлектрической пленки по п.8, отличающаяся тем, что в диэлектрической пленке интенсивность отражения от плоскостей, не параллельных плоскости (110), меньше 10% интенсивности от плоскости (110) при измерении дифракции рентгеновских лучей скользящего падения, а интенсивность отражения от плоскостей, не параллельных плоскости (-110), меньше 10% от интенсивности от плоскости (-110) при измерении дифракции рентгеновских лучей нормального падения.
10. Пьезоэлектрический исполнительный элемент, содержащий структуру диэлектрической пленки по п.1, электрод для приложения напряжения к указанной структуре диэлектрической пленки.
11. Пьезоэлектрический исполнительный элемент, содержащий структуру диэлектрической пленки по п.5, электрод для приложения напряжения к указанной структуре диэлектрической пленки.
12. Пьезоэлектрический исполнительный элемент, содержащий структуру диэлектрической пленки по п.8, электрод для приложения напряжения к указанной структуре диэлектрической пленки.
13. Печатающая головка для струйной печати, содержащая пьезоэлектрический исполнительный элемент, содержащий структуру диэлектрической пленки по п.1 и электрод для приложения напряжения к указанной структуре диэлектрической пленки, при этом пьезоэлектрический исполнительный элемент приводится в действие для эжекции чернил.
14. Печатающая головка для струйной печати, содержащая пьезоэлектрический исполнительный элемент, содержащий структуру диэлектрической пленки по п.5 и электрод для приложения напряжения к структуре диэлектрической пленки, при этом пьезоэлектрический исполнительный элемент приводится в действие для эжекции чернил.
15. Печатающая головка для струйной печати, содержащая пьезоэлектрический исполнительный элемент, содержащий структуру диэлектрической пленки по п.8 и электрод для приложения напряжения к структуре диэлектрической пленки, при этом пьезоэлектрический исполнительный элемент приводится в действие для эжекции чернил.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003031682 | 2003-02-07 | ||
JP2003-031681 | 2003-02-07 | ||
JP2003031681 | 2003-02-07 | ||
JP2003-031682 | 2003-02-07 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2004103554A RU2004103554A (ru) | 2005-07-27 |
RU2335826C2 true RU2335826C2 (ru) | 2008-10-10 |
Family
ID=32658644
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2004103554A RU2335826C2 (ru) | 2003-02-07 | 2004-02-06 | Структура диэлектрической пленки, пьезоэлектрический исполнительный элемент, использующий структуру диэлектрического элемента пленки, и печатающая головка для струйной печати |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7059711B2 (ru) |
EP (1) | EP1445354B1 (ru) |
JP (1) | JP4208734B2 (ru) |
KR (1) | KR100651046B1 (ru) |
CN (1) | CN100469577C (ru) |
DE (1) | DE602004022728D1 (ru) |
RU (1) | RU2335826C2 (ru) |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100672883B1 (ko) * | 2003-01-31 | 2007-01-24 | 캐논 가부시끼가이샤 | 압전 소자 |
JP4717344B2 (ja) * | 2003-12-10 | 2011-07-06 | キヤノン株式会社 | 誘電体薄膜素子、圧電アクチュエータおよび液体吐出ヘッド |
US7453188B2 (en) * | 2004-02-27 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Dielectric element, piezoelectric element, ink jet head and ink jet recording apparatus and manufacturing method of same |
JP2005244133A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Canon Inc | 誘電体素子、圧電素子、インクジェットヘッド及びインクジェット記録装置、並びにこれらの製造方法 |
US7235917B2 (en) * | 2004-08-10 | 2007-06-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Piezoelectric member element and liquid discharge head comprising element thereof |
US8082640B2 (en) * | 2004-08-31 | 2011-12-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing a ferroelectric member element structure |
JP2006069152A (ja) * | 2004-09-06 | 2006-03-16 | Canon Inc | インクジェットヘッド及びその製造方法 |
JP2006278489A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Seiko Epson Corp | 圧電素子及びアクチュエータ装置並びに液体噴射ヘッド及び液体噴射装置 |
JP5044902B2 (ja) * | 2005-08-01 | 2012-10-10 | 日立電線株式会社 | 圧電薄膜素子 |
US7591543B2 (en) * | 2005-08-23 | 2009-09-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Piezoelectric member, piezoelectric member element, liquid discharge head in use thereof, liquid discharge apparatus and method of manufacturing piezoelectric member |
WO2007023985A1 (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-01 | Canon Kabushiki Kaisha | 圧電体素子、それを用いた液体吐出ヘッド、および液体吐出装置 |
US7528530B2 (en) | 2005-08-23 | 2009-05-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Piezoelectric substance, piezoelectric substance element, liquid discharge head, liquid discharge device and method for producing piezoelectric substance |
US7998362B2 (en) * | 2005-08-23 | 2011-08-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Piezoelectric substance, piezoelectric element, liquid discharge head using piezoelectric element, liquid discharge apparatus, and production method of piezoelectric element |
US20070046153A1 (en) * | 2005-08-23 | 2007-03-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Piezoelectric substrate, piezoelectric element, liquid discharge head and liquid discharge apparatus |
US8142678B2 (en) * | 2005-08-23 | 2012-03-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Perovskite type oxide material, piezoelectric element, liquid discharge head and liquid discharge apparatus using the same, and method of producing perovskite type oxide material |
US7528532B2 (en) * | 2005-08-23 | 2009-05-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Piezoelectric substance and manufacturing method thereof, piezoelectric element and liquid discharge head using such piezoelectric element and liquid discharge apparatus |
US7521845B2 (en) * | 2005-08-23 | 2009-04-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Piezoelectric substance, piezoelectric element, liquid discharge head using piezoelectric element, and liquid discharge apparatus |
US20100038234A1 (en) * | 2006-12-20 | 2010-02-18 | Ulvac, Inc. | Method for Forming Multilayer Film and Apparatus for Forming Multilayer Film |
JP5181649B2 (ja) * | 2007-09-18 | 2013-04-10 | 日立電線株式会社 | 圧電素子 |
JP5448320B2 (ja) * | 2007-10-04 | 2014-03-19 | キヤノン株式会社 | 圧電アクチュエータ及びそれを用いた液体吐出ヘッド |
JP5665161B2 (ja) * | 2008-06-16 | 2015-02-04 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 圧電薄膜デバイス |
EP2306539A4 (en) | 2008-06-27 | 2013-06-12 | Panasonic Corp | PIEZOELECTRIC ELEMENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
US9035253B2 (en) * | 2008-06-27 | 2015-05-19 | Panasonic Intellectual Property Managment Co., Ltd. | Infrared sensor element |
JPWO2010150610A1 (ja) * | 2009-06-24 | 2012-12-10 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 薄膜アクチュエータ、及びインクジェットヘッド |
JP5552842B2 (ja) * | 2010-03-02 | 2014-07-16 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電素子、液滴吐出ヘッド、および液滴吐出装置 |
JPWO2012023406A1 (ja) * | 2010-08-18 | 2013-10-28 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品 |
US9761785B2 (en) | 2011-10-17 | 2017-09-12 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Stylo-epitaxial piezoelectric and ferroelectric devices and method of manufacturing |
US8866367B2 (en) | 2011-10-17 | 2014-10-21 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Thermally oxidized seed layers for the production of {001} textured electrodes and PZT devices and method of making |
DE102012107155B4 (de) * | 2012-08-03 | 2017-07-13 | Snaptrack, Inc. | Topografische Struktur und Verfahren zu deren Herstellung |
JP2014084494A (ja) * | 2012-10-23 | 2014-05-12 | Tohoku Univ | 結晶配向制御装置、及びそれを備えた成膜装置、アニール装置並びに結晶配向制御方法 |
KR101360906B1 (ko) | 2012-11-16 | 2014-02-11 | 한국표준과학연구원 | 고분해능 x-선 로킹 커브 측정을 이용한 단결정 웨이퍼의 면방위 측정 방법 |
US10263175B2 (en) | 2015-09-29 | 2019-04-16 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric element and piezoelectric element-applied device |
CN112151221B (zh) * | 2020-09-27 | 2022-05-10 | 合肥工业大学 | 一种批量制备高温超导块材的***及方法 |
CN114062406B (zh) * | 2022-01-04 | 2022-03-22 | 中国工程物理研究院流体物理研究所 | 时间分辨多晶x射线衍射靶装置 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3946398A (en) * | 1970-06-29 | 1976-03-23 | Silonics, Inc. | Method and apparatus for recording with writing fluids and drop projection means therefor |
JPS5912828B2 (ja) | 1976-07-19 | 1984-03-26 | 株式会社大林組 | 鉄筋コンクリ−ト構造骨組の柱・梁接合部 |
JPS5511811A (en) | 1978-07-10 | 1980-01-28 | Seiko Epson Corp | Liquid jet device |
EP0095911B1 (en) * | 1982-05-28 | 1989-01-18 | Xerox Corporation | Pressure pulse droplet ejector and array |
JPS6222790A (ja) | 1985-07-24 | 1987-01-30 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 第3級炭化水素シリル化合物の製造方法 |
US4825227A (en) * | 1988-02-29 | 1989-04-25 | Spectra, Inc. | Shear mode transducer for ink jet systems |
US5265315A (en) * | 1990-11-20 | 1993-11-30 | Spectra, Inc. | Method of making a thin-film transducer ink jet head |
DE4304938C2 (de) | 1993-02-18 | 1996-04-25 | Daimler Benz Ag | Goniometer mit mehreren Achsen |
JP3341357B2 (ja) | 1993-06-08 | 2002-11-05 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電体薄膜素子 |
JPH0733089A (ja) | 1993-07-21 | 1995-02-03 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 複合材一体成型主翼 |
KR0147245B1 (ko) | 1993-12-01 | 1998-09-15 | 모리시타 요이찌 | 강유전체박막 및 그 제조방법 |
US6296701B1 (en) * | 1998-09-30 | 2001-10-02 | Ut-Battelle, Llc | Method of depositing an electrically conductive oxide film on a textured metallic substrate and articles formed therefrom |
WO2001042023A1 (fr) | 1999-12-10 | 2001-06-14 | Fujitsu Limited | Tete a jets d'encre, procede de production de tete a jets d'encre, et imprimante |
JP3796394B2 (ja) * | 2000-06-21 | 2006-07-12 | キヤノン株式会社 | 圧電素子の製造方法および液体噴射記録ヘッドの製造方法 |
US6783588B2 (en) * | 2000-12-15 | 2004-08-31 | Canon Kabushiki Kaisha | BaTiO3-PbTiO3 series single crystal and method of manufacturing the same piezoelectric type actuator and liquid discharge head using such piezoelectric type actuator |
JP3833070B2 (ja) * | 2001-02-09 | 2006-10-11 | キヤノン株式会社 | 液体噴射ヘッドおよび製造方法 |
JP3754897B2 (ja) * | 2001-02-09 | 2006-03-15 | キヤノン株式会社 | 半導体装置用基板およびsoi基板の製造方法 |
KR200286461Y1 (ko) | 2002-01-28 | 2002-08-22 | 윤상범 | 자석수납필통 |
JP4086535B2 (ja) * | 2002-04-18 | 2008-05-14 | キヤノン株式会社 | アクチュエータ及びインクジェットヘッドの製造方法 |
JP4708667B2 (ja) | 2002-08-08 | 2011-06-22 | キヤノン株式会社 | アクチュエータおよび液体噴射ヘッド |
-
2004
- 2004-02-03 US US10/769,765 patent/US7059711B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-02-05 DE DE200460022728 patent/DE602004022728D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2004-02-05 EP EP20040002603 patent/EP1445354B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-02-06 CN CNB2004100387650A patent/CN100469577C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-02-06 JP JP2004031240A patent/JP4208734B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-02-06 RU RU2004103554A patent/RU2335826C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2004-02-06 KR KR1020040007794A patent/KR100651046B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2006
- 2006-01-25 US US11/338,774 patent/US7513608B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-02-20 US US12/389,710 patent/US7938515B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20040207695A1 (en) | 2004-10-21 |
EP1445354A3 (en) | 2005-10-19 |
CN1530231A (zh) | 2004-09-22 |
DE602004022728D1 (de) | 2009-10-08 |
JP2004260158A (ja) | 2004-09-16 |
US7059711B2 (en) | 2006-06-13 |
US20060176342A1 (en) | 2006-08-10 |
US7513608B2 (en) | 2009-04-07 |
US20090153626A1 (en) | 2009-06-18 |
KR100651046B1 (ko) | 2006-12-01 |
US7938515B2 (en) | 2011-05-10 |
KR20040072052A (ko) | 2004-08-16 |
RU2004103554A (ru) | 2005-07-27 |
JP4208734B2 (ja) | 2009-01-14 |
EP1445354A2 (en) | 2004-08-11 |
CN100469577C (zh) | 2009-03-18 |
EP1445354B1 (en) | 2009-08-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2335826C2 (ru) | Структура диэлектрической пленки, пьезоэлектрический исполнительный элемент, использующий структуру диэлектрического элемента пленки, и печатающая головка для струйной печати | |
JP7456929B2 (ja) | 導波管セルを製造するためのシステムおよび方法 | |
US9720173B2 (en) | Printing of liquid crystal droplet laser resonators on a wet polymer solution and product made therewith | |
JP6849597B2 (ja) | ゲート構造を含む光変調素子 | |
EP1262329A3 (en) | Ink-jet recording material, and recording method of ink-jet recording and recorded material using the same | |
US10314562B2 (en) | Ultrasonic probe and method of manufacturing the same | |
EP2839361B1 (fr) | Capteur tactile photosensible | |
JP5453960B2 (ja) | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びにアクチュエーター装置 | |
CN103998956A (zh) | 反射式偏光器 | |
JP2013143456A (ja) | 電気−機械変換素子、液体吐出ヘッド、液滴吐出装置および画像形成装置 | |
EP1603206A3 (en) | Semiconductor laser device and semiconductor laser module using the same | |
US10995001B2 (en) | Graphene oxide percolation network | |
Jellard et al. | Water droplet impact energy harvesting with P (VDF-TrFE) piezoelectric cantilevers on stainless steel substrates | |
TW201317646A (zh) | 具有印刷的膜之光導 | |
DE602004008405T2 (de) | Elektrisches Anzeigesystem und Ladungsübertragungsvorrichtung | |
Glinsek et al. | Inkjet‐printed piezoelectric thin films for transparent haptics | |
EP1944165A3 (en) | Acutator device and liquid ejecting head including the same | |
JP2017527507A5 (ru) | ||
KR20200029924A (ko) | 메타표면 광학 위상 어레이를 포함하는 빔 스티어링 소자의 구동 시스템 및 구동방법 | |
JP2013074041A5 (ru) | ||
CN210605251U (zh) | 一种具有电控极化率的可变波长二维旋光器件 | |
JP2010089470A (ja) | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びにアクチュエータ装置 | |
Wang et al. | Characterization of thermal inkjet droplets jitter | |
Bruno et al. | Micro Fresnel mirror array with individual mirror control | |
Gong et al. | Studies of self-reciprocating characteristic of carbon nanotube film-based cantilevers under light and thermal radiation |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20140207 |