RU2335826C2 - Структура диэлектрической пленки, пьезоэлектрический исполнительный элемент, использующий структуру диэлектрического элемента пленки, и печатающая головка для струйной печати - Google Patents

Структура диэлектрической пленки, пьезоэлектрический исполнительный элемент, использующий структуру диэлектрического элемента пленки, и печатающая головка для струйной печати Download PDF

Info

Publication number
RU2335826C2
RU2335826C2 RU2004103554A RU2004103554A RU2335826C2 RU 2335826 C2 RU2335826 C2 RU 2335826C2 RU 2004103554 A RU2004103554 A RU 2004103554A RU 2004103554 A RU2004103554 A RU 2004103554A RU 2335826 C2 RU2335826 C2 RU 2335826C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
dielectric film
plane
measuring
ray diffraction
intensity
Prior art date
Application number
RU2004103554A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2004103554A (ru
Inventor
Хироси АОТО (JP)
Хироси АОТО
Кенити ТАКЕДА (JP)
Кенити ТАКЕДА
Тецуро ФУКУИ (JP)
Тецуро ФУКУИ
Тосихиро ИФУКУ (JP)
Тосихиро ИФУКУ
Original Assignee
Кэнон Кабусики Кайся
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Кэнон Кабусики Кайся filed Critical Кэнон Кабусики Кайся
Publication of RU2004103554A publication Critical patent/RU2004103554A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2335826C2 publication Critical patent/RU2335826C2/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
    • B41J2/01—Ink jet
    • B41J2/135—Nozzles
    • B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
    • B41J2/14201—Structure of print heads with piezoelectric elements
    • B41J2/14233—Structure of print heads with piezoelectric elements of film type, deformed by bending and disposed on a diaphragm
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01—Manufacture or treatment
    • H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
    • H10N30/074—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing
    • H10N30/076—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing by vapour phase deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
    • H10N30/204—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators using bending displacement, e.g. unimorph, bimorph or multimorph cantilever or membrane benders
    • H10N30/2047—Membrane type

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

Изобретение относится к пленочным элементам и устройствам на их основе. Сущность: структура содержит подложку и диэлектрическую пленку, размещенную на подложке. Пленка имеет ориентацию в плоскости (001) по отношению к подложке. Диэлектрическая пленка характеризуется уравнением u=(Cc/Ca)×(Wa/Wc), где u - действительное число больше 2; Сс - интенсивность пика от плоскости (001') диэлектрической пленки при измерении дифракции рентгеновских лучей скользящего падения; 1' - целое число, выбранное таким образом, чтобы значение Сс достигало максимума; Са - интенсивность пика от плоскости (h'00) диэлектрической пленки при измерении дифракции рентгеновских лучей нормального падения; h' - целое число, выбранное таким образом, чтобы значение Сс достигало максимума; Wc - ширина пика на половине высоты от плоскости (001') диэлектрической пленки при измерении кривой качания дифракции рентгеновских лучей скользящего падения; Wa - ширина пика на половине высоты от плоскости (h'00) диэлектрической пленки при измерении кривой качания дифракции рентгеновских лучей. Технический результат: улучшение диэлектрических, пьезоэлектрических и других свойств. 9 н. и 6 з.п. ф-лы, 18 табл., 6 ил.

Description

Текст описания приведен в факсимильном виде.
Figure 00000001
Figure 00000002
Figure 00000003
Figure 00000004
Figure 00000005
Figure 00000006
Figure 00000007
Figure 00000008
Figure 00000009
Figure 00000010
Figure 00000011
Figure 00000012
Figure 00000013
Figure 00000014
Figure 00000015
Figure 00000016
Figure 00000017
Figure 00000018
Figure 00000019
Figure 00000020
Figure 00000021
Figure 00000022
Figure 00000023
Figure 00000024
Figure 00000025
Figure 00000026
Figure 00000027
Figure 00000028
Figure 00000029
Figure 00000030
Figure 00000031
Figure 00000032
Figure 00000033
Figure 00000034
Figure 00000035
Figure 00000036
Figure 00000037
Figure 00000038
Figure 00000039
Figure 00000040
Figure 00000041
Figure 00000042
Figure 00000043
Figure 00000044
Figure 00000045
Figure 00000046
Figure 00000047
Figure 00000048
Figure 00000049
Figure 00000050
Figure 00000051
Figure 00000052
Figure 00000053
Figure 00000054
Figure 00000055
Figure 00000056
Figure 00000057
Figure 00000058
Figure 00000059
Figure 00000060
Figure 00000061
Figure 00000062

Claims (15)

1. Структура диэлектрической пленки, содержащая подложку и диэлектрическую пленку, размещенную на подложке, отличающаяся тем, что диэлектрическая пленка имеет ориентацию в плоскости (001), по отношению к указанной подложке, при этом диэлектрическая пленка характеризуется уравнением:
u=(Cc/Ca)·(Wa/Wc),
где u представляет собой действительное число больше 2; Сс представляет собой интенсивность пика от плоскости (001') диэлектрической пленки при измерении дифракции рентгеновских лучей скользящего падения; 1' представляет собой целое число, выбранное таким образом, чтобы значение Сс достигало максимума; Са представляет собой интенсивность пика от плоскости (h'00) диэлектрической пленки при измерении дифракции рентгеновских лучей нормального падения; h' представляет собой целое число, выбранное таким образом, чтобы значение Сc достигало максимума; Wc представляет собой ширину пика кривой качания на половине высоты от плоскости (001') диэлектрической пленки при измерении дифракции рентгеновских лучей скользящего падения; Wa представляет собой ширину пика кривой качания на половине высоты от (h'00) плоскости диэлектрической пленки при измерении дифракции рентгеновских лучей нормального падения.
2. Структура диэлектрической пленки по п.1, отличающаяся тем, что в диэлектрической пленке интенсивность пиков от плоскостей иных, чем плоскость (001), меньше 10% от интенсивности пика от плоскости (001') при измерении дифракции рентгеновских лучей скользящего падения, а интенсивность пиков от плоскостей иных, чем плоскость (h00), меньше 10% от интенсивности пика от плоскости (h'00) при измерении дифракции рентгеновских лучей нормального падения, причем h' и 1 представляют собой любые целые числа, 1' представляет собой целое число, выбранное таким образом, чтобы интенсивность пика от плоскости (001') достигала максимума при измерении дифракции рентгеновских лучей скользящего падения, h представляет собой целое число, выбранное таким образом, чтобы интенсивность пика от плоскости (h'00) достигало максимума при измерении дифракции рентгеновских лучей нормального падения.
3. Структура диэлектрической пленки по п.1, отличающаяся тем, что толщина диэлектрической пленки больше 10 нм и меньше 20 мкм.
4. Структура диэлектрической пленки по п.1, отличающаяся тем, что кристаллическая структура диэлектрической пленки представляет собой квадратный кристалл.
5. Структура диэлектрической пленки, содержащая подложку и диэлектрическую пленку, размещенную на подложке, отличающаяся тем, что диэлектрическая пленка имеет ориентацию в плоскости (111) по отношению к подложке, при этом диэлектрическая пленка характеризуется уравнением:
v=(C111/C-110)·(W-110/W111),
где v представляет собой действительное число больше 2; С111 представляет собой интенсивность пика от плоскости (111) диэлектрической пленки, при измерении дифракции рентгеновских лучей скользящего падения; С-110 представляет собой интенсивность пика от плоскости (-110) указанной диэлектрической пленки, при измерении дифракции рентгеновских лучей нормального падения; W111 представляет собой ширину на половине высоты пика кривой качания от плоскости (111) указанной диэлектрической пленки при измерении дифракции рентгеновских лучей скользящего падения; W-110 представляет собой ширину на половине высоты пика кривой качания от плоскости (-110) указанной диэлектрической пленки при измерении дифракции рентгеновских лучей нормального падения.
6. Структура диэлектрической пленки по п.5, отличающаяся тем, что в диэлектрической пленке интенсивность отражения от плоскостей, не параллельных плоскости (111), составляет меньше 10% от интенсивности от плоскости (111) при измерении дифракции рентгеновских лучей скользящего падения, и интенсивность отражения от плоскостей, не параллельных плоскости (-110), составляет меньше 10% от интенсивности от плоскости (-100) при измерении дифракции рентгеновских лучей нормального падения.
7. Структура диэлектрической пленки по п.1, отличающаяся тем, что кристаллическая структура диэлектрической пленки представляет собой ромбический кристалл.
8. Структура диэлектрической пленки, содержащая подложку и диэлектрическую пленку, размещенную на подложке, отличающаяся тем, что диэлектрическая пленка имеет ориентацию в плоскости (110) по отношению к указанной подложке, при этом диэлектрическая пленка характеризуется уравнением:
w=(C110/C00m)·(W00m/W110),
где w представляет собой действительное число больше 2; С110 представляет собой интенсивность пика от плоскости (110) диэлектрической пленки при измерении дифракции рентгеновских лучей скользящего падения; С00m представляет собой интенсивность пика от плоскости (00m) диэлектрической пленки при измерении дифракции рентгеновских лучей нормального падения; m представляет собой целое число, выбранное таким образом, чтобы значение С00m достигало максимума; W110 представляет собой ширину пика на половине высоты кривой качания от плоскости (110) диэлектрической пленки при измерении дифракции рентгеновских лучей скользящего падения; W00m представляет собой ширину на половине высоты пика кривой качания от плоскости (00m) диэлектрической пленки при измерении дифракции рентгеновских лучей нормального падения.
9. Структура диэлектрической пленки по п.8, отличающаяся тем, что в диэлектрической пленке интенсивность отражения от плоскостей, не параллельных плоскости (110), меньше 10% интенсивности от плоскости (110) при измерении дифракции рентгеновских лучей скользящего падения, а интенсивность отражения от плоскостей, не параллельных плоскости (-110), меньше 10% от интенсивности от плоскости (-110) при измерении дифракции рентгеновских лучей нормального падения.
10. Пьезоэлектрический исполнительный элемент, содержащий структуру диэлектрической пленки по п.1, электрод для приложения напряжения к указанной структуре диэлектрической пленки.
11. Пьезоэлектрический исполнительный элемент, содержащий структуру диэлектрической пленки по п.5, электрод для приложения напряжения к указанной структуре диэлектрической пленки.
12. Пьезоэлектрический исполнительный элемент, содержащий структуру диэлектрической пленки по п.8, электрод для приложения напряжения к указанной структуре диэлектрической пленки.
13. Печатающая головка для струйной печати, содержащая пьезоэлектрический исполнительный элемент, содержащий структуру диэлектрической пленки по п.1 и электрод для приложения напряжения к указанной структуре диэлектрической пленки, при этом пьезоэлектрический исполнительный элемент приводится в действие для эжекции чернил.
14. Печатающая головка для струйной печати, содержащая пьезоэлектрический исполнительный элемент, содержащий структуру диэлектрической пленки по п.5 и электрод для приложения напряжения к структуре диэлектрической пленки, при этом пьезоэлектрический исполнительный элемент приводится в действие для эжекции чернил.
15. Печатающая головка для струйной печати, содержащая пьезоэлектрический исполнительный элемент, содержащий структуру диэлектрической пленки по п.8 и электрод для приложения напряжения к структуре диэлектрической пленки, при этом пьезоэлектрический исполнительный элемент приводится в действие для эжекции чернил.
RU2004103554A 2003-02-07 2004-02-06 Структура диэлектрической пленки, пьезоэлектрический исполнительный элемент, использующий структуру диэлектрического элемента пленки, и печатающая головка для струйной печати RU2335826C2 (ru)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003031682 2003-02-07
JP2003-031681 2003-02-07
JP2003031681 2003-02-07
JP2003-031682 2003-02-07

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2004103554A RU2004103554A (ru) 2005-07-27
RU2335826C2 true RU2335826C2 (ru) 2008-10-10

Family

ID=32658644

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2004103554A RU2335826C2 (ru) 2003-02-07 2004-02-06 Структура диэлектрической пленки, пьезоэлектрический исполнительный элемент, использующий структуру диэлектрического элемента пленки, и печатающая головка для струйной печати

Country Status (7)

Country Link
US (3) US7059711B2 (ru)
EP (1) EP1445354B1 (ru)
JP (1) JP4208734B2 (ru)
KR (1) KR100651046B1 (ru)
CN (1) CN100469577C (ru)
DE (1) DE602004022728D1 (ru)
RU (1) RU2335826C2 (ru)

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100672883B1 (ko) * 2003-01-31 2007-01-24 캐논 가부시끼가이샤 압전 소자
JP4717344B2 (ja) * 2003-12-10 2011-07-06 キヤノン株式会社 誘電体薄膜素子、圧電アクチュエータおよび液体吐出ヘッド
US7453188B2 (en) * 2004-02-27 2008-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Dielectric element, piezoelectric element, ink jet head and ink jet recording apparatus and manufacturing method of same
JP2005244133A (ja) * 2004-02-27 2005-09-08 Canon Inc 誘電体素子、圧電素子、インクジェットヘッド及びインクジェット記録装置、並びにこれらの製造方法
US7235917B2 (en) * 2004-08-10 2007-06-26 Canon Kabushiki Kaisha Piezoelectric member element and liquid discharge head comprising element thereof
US8082640B2 (en) * 2004-08-31 2011-12-27 Canon Kabushiki Kaisha Method for manufacturing a ferroelectric member element structure
JP2006069152A (ja) * 2004-09-06 2006-03-16 Canon Inc インクジェットヘッド及びその製造方法
JP2006278489A (ja) * 2005-03-28 2006-10-12 Seiko Epson Corp 圧電素子及びアクチュエータ装置並びに液体噴射ヘッド及び液体噴射装置
JP5044902B2 (ja) * 2005-08-01 2012-10-10 日立電線株式会社 圧電薄膜素子
US7591543B2 (en) * 2005-08-23 2009-09-22 Canon Kabushiki Kaisha Piezoelectric member, piezoelectric member element, liquid discharge head in use thereof, liquid discharge apparatus and method of manufacturing piezoelectric member
WO2007023985A1 (ja) 2005-08-23 2007-03-01 Canon Kabushiki Kaisha 圧電体素子、それを用いた液体吐出ヘッド、および液体吐出装置
US7528530B2 (en) 2005-08-23 2009-05-05 Canon Kabushiki Kaisha Piezoelectric substance, piezoelectric substance element, liquid discharge head, liquid discharge device and method for producing piezoelectric substance
US7998362B2 (en) * 2005-08-23 2011-08-16 Canon Kabushiki Kaisha Piezoelectric substance, piezoelectric element, liquid discharge head using piezoelectric element, liquid discharge apparatus, and production method of piezoelectric element
US20070046153A1 (en) * 2005-08-23 2007-03-01 Canon Kabushiki Kaisha Piezoelectric substrate, piezoelectric element, liquid discharge head and liquid discharge apparatus
US8142678B2 (en) * 2005-08-23 2012-03-27 Canon Kabushiki Kaisha Perovskite type oxide material, piezoelectric element, liquid discharge head and liquid discharge apparatus using the same, and method of producing perovskite type oxide material
US7528532B2 (en) * 2005-08-23 2009-05-05 Canon Kabushiki Kaisha Piezoelectric substance and manufacturing method thereof, piezoelectric element and liquid discharge head using such piezoelectric element and liquid discharge apparatus
US7521845B2 (en) * 2005-08-23 2009-04-21 Canon Kabushiki Kaisha Piezoelectric substance, piezoelectric element, liquid discharge head using piezoelectric element, and liquid discharge apparatus
US20100038234A1 (en) * 2006-12-20 2010-02-18 Ulvac, Inc. Method for Forming Multilayer Film and Apparatus for Forming Multilayer Film
JP5181649B2 (ja) * 2007-09-18 2013-04-10 日立電線株式会社 圧電素子
JP5448320B2 (ja) * 2007-10-04 2014-03-19 キヤノン株式会社 圧電アクチュエータ及びそれを用いた液体吐出ヘッド
JP5665161B2 (ja) * 2008-06-16 2015-02-04 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 圧電薄膜デバイス
EP2306539A4 (en) 2008-06-27 2013-06-12 Panasonic Corp PIEZOELECTRIC ELEMENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
US9035253B2 (en) * 2008-06-27 2015-05-19 Panasonic Intellectual Property Managment Co., Ltd. Infrared sensor element
JPWO2010150610A1 (ja) * 2009-06-24 2012-12-10 コニカミノルタホールディングス株式会社 薄膜アクチュエータ、及びインクジェットヘッド
JP5552842B2 (ja) * 2010-03-02 2014-07-16 セイコーエプソン株式会社 圧電素子、液滴吐出ヘッド、および液滴吐出装置
JPWO2012023406A1 (ja) * 2010-08-18 2013-10-28 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品
US9761785B2 (en) 2011-10-17 2017-09-12 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Stylo-epitaxial piezoelectric and ferroelectric devices and method of manufacturing
US8866367B2 (en) 2011-10-17 2014-10-21 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Thermally oxidized seed layers for the production of {001} textured electrodes and PZT devices and method of making
DE102012107155B4 (de) * 2012-08-03 2017-07-13 Snaptrack, Inc. Topografische Struktur und Verfahren zu deren Herstellung
JP2014084494A (ja) * 2012-10-23 2014-05-12 Tohoku Univ 結晶配向制御装置、及びそれを備えた成膜装置、アニール装置並びに結晶配向制御方法
KR101360906B1 (ko) 2012-11-16 2014-02-11 한국표준과학연구원 고분해능 x-선 로킹 커브 측정을 이용한 단결정 웨이퍼의 면방위 측정 방법
US10263175B2 (en) 2015-09-29 2019-04-16 Seiko Epson Corporation Piezoelectric element and piezoelectric element-applied device
CN112151221B (zh) * 2020-09-27 2022-05-10 合肥工业大学 一种批量制备高温超导块材的***及方法
CN114062406B (zh) * 2022-01-04 2022-03-22 中国工程物理研究院流体物理研究所 时间分辨多晶x射线衍射靶装置

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3946398A (en) * 1970-06-29 1976-03-23 Silonics, Inc. Method and apparatus for recording with writing fluids and drop projection means therefor
JPS5912828B2 (ja) 1976-07-19 1984-03-26 株式会社大林組 鉄筋コンクリ−ト構造骨組の柱・梁接合部
JPS5511811A (en) 1978-07-10 1980-01-28 Seiko Epson Corp Liquid jet device
EP0095911B1 (en) * 1982-05-28 1989-01-18 Xerox Corporation Pressure pulse droplet ejector and array
JPS6222790A (ja) 1985-07-24 1987-01-30 Shin Etsu Chem Co Ltd 第３級炭化水素シリル化合物の製造方法
US4825227A (en) * 1988-02-29 1989-04-25 Spectra, Inc. Shear mode transducer for ink jet systems
US5265315A (en) * 1990-11-20 1993-11-30 Spectra, Inc. Method of making a thin-film transducer ink jet head
DE4304938C2 (de) 1993-02-18 1996-04-25 Daimler Benz Ag Goniometer mit mehreren Achsen
JP3341357B2 (ja) 1993-06-08 2002-11-05 セイコーエプソン株式会社 圧電体薄膜素子
JPH0733089A (ja) 1993-07-21 1995-02-03 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 複合材一体成型主翼
KR0147245B1 (ko) 1993-12-01 1998-09-15 모리시타 요이찌 강유전체박막 및 그 제조방법
US6296701B1 (en) * 1998-09-30 2001-10-02 Ut-Battelle, Llc Method of depositing an electrically conductive oxide film on a textured metallic substrate and articles formed therefrom
WO2001042023A1 (fr) 1999-12-10 2001-06-14 Fujitsu Limited Tete a jets d'encre, procede de production de tete a jets d'encre, et imprimante
JP3796394B2 (ja) * 2000-06-21 2006-07-12 キヤノン株式会社 圧電素子の製造方法および液体噴射記録ヘッドの製造方法
US6783588B2 (en) * 2000-12-15 2004-08-31 Canon Kabushiki Kaisha BaTiO3-PbTiO3 series single crystal and method of manufacturing the same piezoelectric type actuator and liquid discharge head using such piezoelectric type actuator
JP3833070B2 (ja) * 2001-02-09 2006-10-11 キヤノン株式会社 液体噴射ヘッドおよび製造方法
JP3754897B2 (ja) * 2001-02-09 2006-03-15 キヤノン株式会社 半導体装置用基板およびｓｏｉ基板の製造方法
KR200286461Y1 (ko) 2002-01-28 2002-08-22 윤상범 자석수납필통
JP4086535B2 (ja) * 2002-04-18 2008-05-14 キヤノン株式会社 アクチュエータ及びインクジェットヘッドの製造方法
JP4708667B2 (ja) 2002-08-08 2011-06-22 キヤノン株式会社 アクチュエータおよび液体噴射ヘッド

Also Published As

Publication number Publication date
US20040207695A1 (en) 2004-10-21
EP1445354A3 (en) 2005-10-19
CN1530231A (zh) 2004-09-22
DE602004022728D1 (de) 2009-10-08
JP2004260158A (ja) 2004-09-16
US7059711B2 (en) 2006-06-13
US20060176342A1 (en) 2006-08-10
US7513608B2 (en) 2009-04-07
US20090153626A1 (en) 2009-06-18
KR100651046B1 (ko) 2006-12-01
US7938515B2 (en) 2011-05-10
KR20040072052A (ko) 2004-08-16
RU2004103554A (ru) 2005-07-27
JP4208734B2 (ja) 2009-01-14
EP1445354A2 (en) 2004-08-11
CN100469577C (zh) 2009-03-18
EP1445354B1 (en) 2009-08-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2335826C2 (ru) Структура диэлектрической пленки, пьезоэлектрический исполнительный элемент, использующий структуру диэлектрического элемента пленки, и печатающая головка для струйной печати
JP7456929B2 (ja) 導波管セルを製造するためのシステムおよび方法
US9720173B2 (en) Printing of liquid crystal droplet laser resonators on a wet polymer solution and product made therewith
JP6849597B2 (ja) ゲート構造を含む光変調素子
EP1262329A3 (en) Ink-jet recording material, and recording method of ink-jet recording and recorded material using the same
US10314562B2 (en) Ultrasonic probe and method of manufacturing the same
EP2839361B1 (fr) Capteur tactile photosensible
JP5453960B2 (ja) 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びにアクチュエーター装置
CN103998956A (zh) 反射式偏光器
JP2013143456A (ja) 電気−機械変換素子、液体吐出ヘッド、液滴吐出装置および画像形成装置
EP1603206A3 (en) Semiconductor laser device and semiconductor laser module using the same
US10995001B2 (en) Graphene oxide percolation network
Jellard et al. Water droplet impact energy harvesting with P (VDF-TrFE) piezoelectric cantilevers on stainless steel substrates
TW201317646A (zh) 具有印刷的膜之光導
DE602004008405T2 (de) Elektrisches Anzeigesystem und Ladungsübertragungsvorrichtung
Glinsek et al. Inkjet‐printed piezoelectric thin films for transparent haptics
EP1944165A3 (en) Acutator device and liquid ejecting head including the same
JP2017527507A5 (ru)
KR20200029924A (ko) 메타표면 광학 위상 어레이를 포함하는 빔 스티어링 소자의 구동 시스템 및 구동방법
JP2013074041A5 (ru)
CN210605251U (zh) 一种具有电控极化率的可变波长二维旋光器件
JP2010089470A (ja) 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びにアクチュエータ装置
Wang et al. Characterization of thermal inkjet droplets jitter
Bruno et al. Micro Fresnel mirror array with individual mirror control
Gong et al. Studies of self-reciprocating characteristic of carbon nanotube film-based cantilevers under light and thermal radiation

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20140207