RU2073952C1 - Монолитный кристаллический фильтр - Google Patents

Монолитный кристаллический фильтр Download PDF

Info

Publication number
RU2073952C1
RU2073952C1 RU9595106130A RU95106130A RU2073952C1 RU 2073952 C1 RU2073952 C1 RU 2073952C1 RU 9595106130 A RU9595106130 A RU 9595106130A RU 95106130 A RU95106130 A RU 95106130A RU 2073952 C1 RU2073952 C1 RU 2073952C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
piezoelectric plate
axis
exciting electrodes
electrodes
filter
Prior art date
Application number
RU9595106130A
Other languages
English (en)
Other versions
RU95106130A (ru
Inventor
С.А. Сахаров
А.В. Медведев
Ю.В. Писаревский
В.П. Литвинов
Original Assignee
Товарищество с ограниченной ответственностью "ФОМОС"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Товарищество с ограниченной ответственностью "ФОМОС" filed Critical Товарищество с ограниченной ответственностью "ФОМОС"
Priority to RU9595106130A priority Critical patent/RU2073952C1/ru
Priority to JP7212631A priority patent/JPH08307200A/ja
Priority to EP96906115A priority patent/EP0823783A4/en
Priority to PCT/RU1996/000044 priority patent/WO1996034454A1/ru
Priority to US08/981,036 priority patent/US6005331A/en
Priority to AU49593/96A priority patent/AU4959396A/en
Publication of RU95106130A publication Critical patent/RU95106130A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2073952C1 publication Critical patent/RU2073952C1/ru

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/02007Details of bulk acoustic wave devices
    • H03H9/02015Characteristics of piezoelectric layers, e.g. cutting angles
    • H03H9/02039Characteristics of piezoelectric layers, e.g. cutting angles consisting of a material from the crystal group 32, e.g. langasite, langatate, langanite
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/125Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/13Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials
    • H03H9/132Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials characterized by a particular shape
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46Filters
    • H03H9/54Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/56Monolithic crystal filters

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
  • Lenses (AREA)

Abstract

Изобретение относится к радиоэлектронике и может использоваться при разработке устройств селекции сигналов по частоте. Изобретение решает задачу расширения частотного диапазона верхних частот. Монолитный кристаллический фильтр содержит пьезоэлектрическую пластину 1 из лантан-галиевого силиката, две пары перекрывающихся возбуждающих электродов 2, 3 и 4,5 и выводы 6. Увеличение верхних частот обеспечивается за счет выбора длины Lx и площади S возбуждающих электродов из соотношений 10,5 < Lx/H < 18; 84 < S/H2 < 200, где Н - толщина пьезоэлектрической пластины. Решается также задача снижения уровня побочных полос пропускания, что достигается поворотом пьезоэлектрической пластины вокруг нормали к главной грани в пределах 15o. 2 з.п.ф-лы, 4 ил.

Description

Изобретение относится к радиоэлектронике, в частности пьезотехника, и может быть использовано в устройствах селекции сигналов по частоте, а также при разработке и изготовления среднеполосных монолитных фильтров (МФ).
Известен монолитный фильтр на кристаллической пластинке из лантан-галиевого силиката (ЛГС). Фильтр выполнен на прямом ХУ-срезе, относительные размеры возбуждающих электродов при этом равны
Lx/ H 6; Lz/ H 12,
где Lx размер электрода в направлении электрической оси Х,м;
Lz размер электрода в направлении оптической оси Z, м;
Н толщина пьезоэлектрической пластины, м. [1]
Недостатком данного фильтра является относительно низкая средняя частота его полосы пропускания, которая не превышает 20 МГц, что обусловлено неоптимальностью выбора формы и размеров электродов по отношению к толщине пьезоэлектрической пластины. Кроме того, за пределами основной полосы пропускания известный монолитный фильтр имеет ряд побочных полос пропускания, которые снижают его избирательность.
Известен также монолитный кристаллический фильтр [2] содержащий по крайней мере две пары перекрывающихся возбуждающих электродов, образующих акустически связанные резонаторы, размещенные на пьезоэлектрической пластине из ЛГС, угол между нормалью к главной грани которой и ее механической осью У выбран равным 1o50'± 1o, а длина и ширина возбуждающих электродов прямоугольной формы выбраны соответственно из соотношений 8,0 ≅ L/H ≅ 10,5; 6,5 ≅ L/H ≅ 8,0,
где Lx длина возбуждающих электродов в направлении оси Х,м;
Lz ширина возбуждающих электродов в направлении оси Z,м;
Н толщина пьезоэлектрической пластины, м.
Этот монолитный кристаллический фильтр является наиболее близким к заявляемому по технической сущности, количеству сходных существенных признаков и достигаемому результату. Поэтому данное устройство принимаем за прототип и одновременно оно может служить базовым объектом.
Недостатками монолитного кристаллического фильтра [2] как и аналога [1] являются относительно низкая средняя частота полосы пропускания, не более 20 МГц, поскольку выбранные размеры длины и ширины возбуждающих электродов по отношению к толщине пластины не позволяют реализовать технологически малый зазор между электродами, который с ростом частоты при указанных соотношениях размеров электродов значительно уменьшается. Кроме того, с увеличением частоты происходит также снижение избирательности фильтра за счет увеличения уровня и количества побочных полос пропускания. А угол, выбранный между нормалью к главной грани пьезоэлектрической пластины и механической осью У равным 1o50'± 1 не обеспечивает высокой температурной стабильности средней частоты фильтра в широком диапазоне в области положительных температур.
Целью изобретения является расширение частотного диапазона в сторону верхних частот, повышение температурной стабильности средней частоты в широком диапазоне области положительных температур, а также повышение избирательности фильтра за счет снижения уровня побочных полос пропускания в полосах задерживания фильтра при сохранении максимальной полосы пропускания.
Это достигается за счет того, что в монолитном кристаллическом фильтре, содержащем по крайней мере два акустически связанных резонатора, каждый из которых образован двумя перекрывающимися возбуждающими электродами, размещенными на главных гранях пьезоэлектрической пластины из лантан-галиевого силиката среза YXl/ ±β, ось акустической связи между которыми размещена вдоль длины пьезоэлектрической пластины, согласно изобретению длина и площадь возбуждающих электродов выбраны соответственно из соотношений:
10,5 < Lx/H ≅ 18,
где Lx размер возбуждающих электродов вдоль длины пьезоэлектрической пластины, м;
Н толщина пьезоэлектрической пластины, м;
84 < S/H2 ≅ 200,
где S площадь возбуждающих электродов, м2.
Это достигается также за счет того, что в монолитном кристаллическом фильтре угол b между нормалью к главной грани пьезоэлектрической пластины и ее механической осью У в плоскости ZY выбран в пределах
-50'≅ β < 50',
где β угол между нормалью к главной грани пьезоэлектрической пластины и ее механической осью Y, град.
Это достигается также за счет того, что в монолитном кристаллическом фильтре пьезоэлектрическая пластина имеет второй поворот вокруг нормали к главной грани, а угол a поворота между продольной осью симметрии пьезоэлектрической пластины и электрической осью Х выбран в пределах
0° < α ≅ 15°,
где α угол поворота между продольной осью симметрии пьезоэлектрической пластины и электрической осью Х, град.
Сравнение изобретения не только с прототипом, но и с другими техническими решениями в области пьезотехники не позволило выявить в них вышеуказанные отличительные признаки в качестве самостоятельных функциональных признаков, используемых в какой-либо иной совокупности признаков для решения вышеуказанных задач с достижением положительного эффекта. Это позволяет сделать вывод о соответствии заявляемого технического решения критерию "изобретательский уровень".
На фиг. 1 представлена конструкция пьезоэлемента монолитного кристаллического фильтра; на фиг. 2 экспериментальные зависимости температурного коэффициента средней частоты полосы пропускания фильтров в широкой области положительных температур; на фиг. 3 ориентация пьезоэлектрической пластины относительно кристаллографических осей кристалла ЛГС; на фиг. 4 в полярной системе координат нормированный относительно оси Z коэффициент акустический связи в плоскости ZX кристалла ЛГС.
Пьезоэлемент монолитного кристаллического фильтра (МКФ) содержит пьезоэлектрическую пластину 1, две пары перекрывающихся возбуждающих электродов 2,3 и 4,5 соответственно и выводы 6.
МКФ работает следующим образом. Напряжение высокой частоты подается на выводы возбуждающих электродов 2 и 3 входного частотного резонатора и вызывает в нем толщинно-сдвиговые колебания, которые за счет акустической связи передаются в соседний частный резонатор, образованный возбуждающими электродами 4 и 5, и поступают на выходные выводы 6 пьезоэлемента МКФ.
Для повышения высокочастотности в прототипе необходимо было бы уменьшать расстояние между электродами. Однако на частотах 18-20 МГц зазор уже составляет 100-120 мкм. Дальнейшее уменьшение зазора между электродами в прототипе не может быть реализовано технологически, поскольку электроды напыляются через маски, перемычку в которой сделать более тонкой не представляется возможным. Поэтому в заявленном устройстве было найдено иное техническое решение, а именно выбраны другие соотношения между длиной электродов в направлении оси акустической связи, а также между центрами электродов, выбор расстояний между которыми также определяет высокочастотность фильтра и ширину полосы пропускания. Однако для повышения средней частоты полосы пропускания фильтра форма электродов не имеет принципиального значения, т.е. электроды могут быть выполнены прямоугольной формы, в форме полуокружности, половины эллипса или другой формы. Поэтому существенными признаками для повышения средней частоты фильтра можно считать площадь электродов и длину электродов вдоль оси акустической связи, поскольку именно они определяют действующее расстояние между центрами электродов.
Экспериментально МКФ были выполнены на частоты 45 и 71 МГц. Величина длины электродов находилась в пределах 10,5Н < Lx ≅ 18H, где Н - толщина пьезоэлектрической пластины. При этом площадь электродов по отношению к квадрату толщины находилась также в пределах
84 < S/H2 ≅ 200.
В частности 3 фильтра, выполненные на частоту 71 МГц с полосой пропускания Df = 245 кГц, имели следующие значения параметров:
Lx/H 17,77; S/H2 187,83
Lx/H 15,43; S/H2 190,4
Lx/H 10,79; S/H2 145,5. При этом верхнее значение S 200Н2 позволяет реализовать фильтры на частотах до 80 МГц и выше, а минимальное значение S 84Н2 соответствует нижним частотам диапазона 25 МГц и ниже.
Экспериментальные зависимости температурного коэффициента средней частоты полосы пропускания (фиг.2) показывают, что наибольшей стабильностью в области положительных температур фильтры обладают при выборе -50′≅β< 50′. Выбор конкретной величины угла β должен производиться с учетом конкретных кристаллов и завода изготовителя.
С увеличением средней частоты полосы пропускания фильтра увеличивается также количество побочных полос пропускания и снижается величина их затуханий. Скомпенсировать величины затуханий побочных полос пропускания удается с помощью второго поворота пьезоэлектрической пластинки вокруг нормали к главной грани. При этом угол поворота a выбирается из условия α≅ 15°, в пределах которого практически не уменьшается коэффициент акустической связи. Большое значение коэффициента акустической связи позволяет не уменьшить ширину полосы пропускания и не снизить высокочастотность фильтра.

Claims (2)

1. Монолитный кристаллический фильтр, содержащий по крайней мере два акустически связанных резонатора, каждый из которых образован двумя перекрывающимися возбуждающими электродами, размещенными на главных гранях пьезоэлектрической пластины из лантан-галлиевого силиката среза YXl/± β, ось акустической связи между которыми размещена вдоль длины пьезоэлектрической пластины, отличающийся тем, что длина и площадь возбуждающих электродов выбраны соответственно из соотношений
10,5 <Lx/H ≅ 18,
где Lx размер возбуждающих электродов вдоль длины пьезоэлектрической пластины, м;
H толщина пьезоэлектрической пластины, м;
84 <S/H2 ≅ 200,
где S площадь возбуждающих электродов, м2;
β угол между нормалью к главной грани пьезоэлектрической пластины и ее механической осью Y, град.
2. Фильтр по п. 1, отличающийся тем, что угол b между нормалью к главной грани пьезоэлектрической пластины и ее механической осью Y в плоскости ZY выбран в пределах
-50′= β<50′.
3. Фильтр по п. 1, отличающийся тем, что пьезоэлектрическая пластина имеет второй поворот вокруг нормали к главной грани, а угол поворота α между продольной осью симметрии пьезоэлектрической пластины и ее электрической осью X выбран в пределах
0°< α ≅ 15°,
где α угол поворота между продольной осью симметрии пьезоэлектрической пластины и электрической осью X, град.
RU9595106130A 1995-04-27 1995-04-27 Монолитный кристаллический фильтр RU2073952C1 (ru)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU9595106130A RU2073952C1 (ru) 1995-04-27 1995-04-27 Монолитный кристаллический фильтр
JP7212631A JPH08307200A (ja) 1995-04-27 1995-07-27 モノリシッククリスタルフィルタ
EP96906115A EP0823783A4 (en) 1995-04-27 1996-03-01 MONOLITICAL CRYSTAL FILTER
PCT/RU1996/000044 WO1996034454A1 (fr) 1995-04-27 1996-03-01 Filtre a cristal monolithique
US08/981,036 US6005331A (en) 1995-04-27 1996-03-01 Monolithic crystal filter
AU49593/96A AU4959396A (en) 1995-04-27 1996-03-01 Monolithic crystal filter

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU9595106130A RU2073952C1 (ru) 1995-04-27 1995-04-27 Монолитный кристаллический фильтр

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU95106130A RU95106130A (ru) 1997-01-20
RU2073952C1 true RU2073952C1 (ru) 1997-02-20

Family

ID=20166924

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU9595106130A RU2073952C1 (ru) 1995-04-27 1995-04-27 Монолитный кристаллический фильтр

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6005331A (ru)
EP (1) EP0823783A4 (ru)
JP (1) JPH08307200A (ru)
AU (1) AU4959396A (ru)
RU (1) RU2073952C1 (ru)
WO (1) WO1996034454A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005025058A1 (fr) * 2003-09-08 2005-03-17 Andrei Nikolaevich Matsak Resonateur piezoelectrique

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2352101B (en) * 1999-07-13 2003-02-26 Peter Kenneth Wall Balanced monolithic resonators
AT410737B (de) * 2001-05-31 2003-07-25 Avl List Gmbh Piezoelektrisches resonatorelement der kristallographischen punktgruppe 32
US10355664B2 (en) 2013-07-11 2019-07-16 Schlumberger Technology Corporation Resonator applications for langasite and its isomorphs

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1523518A (fr) * 1966-04-11 1968-05-03 Western Electric Co Dispositif acoustique servant à transmettre de l'énergie entre deux circuits d'énergie
SU997231A1 (ru) * 1980-12-01 1983-02-15 Предприятие П/Я Г-4149 Монолитный пьезоэлектрический фильтр
US4542355A (en) * 1984-11-07 1985-09-17 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Normal coordinate monolithic crystal filter
SU1780147A1 (ru) * 1990-11-28 1992-12-07 Nii Fonon Mohoлиthый kpиctaлличeckий фильtp
DE69221215T2 (de) * 1991-05-27 1997-11-27 Seiko Electronic Components Drehschwingender Quarzkristallresonator
AT401201B (de) * 1994-03-03 1996-07-25 Avl Verbrennungskraft Messtech Piezoelektrisches messelement
US5847435A (en) * 1995-02-14 1998-12-08 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Dynamic modulation of quantum devices
US5578759A (en) * 1995-07-31 1996-11-26 Quartzdyne, Inc. Pressure sensor with enhanced sensitivity
EP0810725A3 (en) * 1996-05-29 1999-10-27 Santech Company, Limited Wafer and surface acoustic wave device

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР N 1780147, кл. Н 03 Н 9/56, 1990. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005025058A1 (fr) * 2003-09-08 2005-03-17 Andrei Nikolaevich Matsak Resonateur piezoelectrique

Also Published As

Publication number Publication date
RU95106130A (ru) 1997-01-20
AU4959396A (en) 1996-11-18
JPH08307200A (ja) 1996-11-22
WO1996034454A1 (fr) 1996-10-31
EP0823783A1 (en) 1998-02-11
EP0823783A4 (en) 1999-10-27
US6005331A (en) 1999-12-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS60126907A (ja) 単一応答複合圧電振動素子
CN210405249U (zh) 一种滤波装置
RU2073952C1 (ru) Монолитный кристаллический фильтр
JP2000059175A (ja) 表面波装置及びそれを用いた通信装置
KR910001647B1 (ko) 트랩형 에너지 공진기
JPH02235422A (ja) 厚み縦共振子
JP2644855B2 (ja) 弾性波フィルタ、及びそれを用いたアンテナ分波器
RU175586U1 (ru) Пьезоэлемент
TW486864B (en) Surface acoustic wave device
JPH0158891B2 (ru)
US6621194B1 (en) Piezoelectric element having thickness shear vibration and mobile communication device using the same
JPS58687B2 (ja) デンキキカイテキキヨウシンソウチ
WO2002101923A1 (fr) Lame vibrante piezo-electrique et filtre utilisant cette derniere
US6842087B2 (en) Three-terminal filter using area flexural vibration mode
RU2700374C1 (ru) Пьезоэлектрический компонент для фильтра
JP2002009579A (ja) 圧電共振子およびそれを用いた圧電フィルタ
JP3733020B2 (ja) 圧電素子およびそれを用いた移動体通信装置
JPS59213A (ja) 弾性表面波装置
SU1780147A1 (ru) Mohoлиthый kpиctaлличeckий фильtp
JPH10215140A (ja) 圧電共振子およびそれを用いた電子部品
US11082030B2 (en) High-pass filter and multiplexer
WO2022230723A1 (ja) 弾性波装置
WO2022211104A1 (ja) 弾性波装置
WO2022211103A1 (ja) 弾性波装置及び弾性波装置の製造方法
SU997231A1 (ru) Монолитный пьезоэлектрический фильтр