RU2012101319A - Монолитный твердотельный лазер с боковой накачкой и его применение - Google Patents

Монолитный твердотельный лазер с боковой накачкой и его применение Download PDF

Info

Publication number
RU2012101319A
RU2012101319A RU2012101319/28A RU2012101319A RU2012101319A RU 2012101319 A RU2012101319 A RU 2012101319A RU 2012101319/28 A RU2012101319/28 A RU 2012101319/28A RU 2012101319 A RU2012101319 A RU 2012101319A RU 2012101319 A RU2012101319 A RU 2012101319A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
laser
solid
active medium
state laser
processing device
Prior art date
Application number
RU2012101319/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Томас БРАГАГНА
Арне ХАЙНРИХ
Original Assignee
Пантек Байосолюшнз Аг
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Пантек Байосолюшнз Аг filed Critical Пантек Байосолюшнз Аг
Priority claimed from PCT/EP2010/003586 external-priority patent/WO2010145802A1/en
Publication of RU2012101319A publication Critical patent/RU2012101319A/ru

Links

Classifications

    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B18/00—Surgical instruments, devices or methods for transferring non-mechanical forms of energy to or from the body
    • A61B18/18—Surgical instruments, devices or methods for transferring non-mechanical forms of energy to or from the body by applying electromagnetic radiation, e.g. microwaves
    • A61B18/20—Surgical instruments, devices or methods for transferring non-mechanical forms of energy to or from the body by applying electromagnetic radiation, e.g. microwaves using laser
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02—Constructional details
    • H01S3/04—Arrangements for thermal management
    • H01S3/042—Arrangements for thermal management for solid state lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06—Construction or shape of active medium
    • H01S3/0602—Crystal lasers or glass lasers
    • H01S3/061—Crystal lasers or glass lasers with elliptical or circular cross-section and elongated shape, e.g. rod
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06—Construction or shape of active medium
    • H01S3/0619—Coatings, e.g. AR, HR, passivation layer
    • H01S3/0621—Coatings on the end-faces, e.g. input/output surfaces of the laser light
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06—Construction or shape of active medium
    • H01S3/0627—Construction or shape of active medium the resonator being monolithic, e.g. microlaser
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/08072—Thermal lensing or thermally induced birefringence; Compensation thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
    • H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
    • H01S3/094049—Guiding of the pump light
    • H01S3/094057—Guiding of the pump light by tapered duct or homogenized light pipe, e.g. for concentrating pump light
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
    • H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
    • H01S3/09408—Pump redundancy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
    • H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
    • H01S3/094084—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light with pump light recycling, i.e. with reinjection of the unused pump light, e.g. by reflectors or circulators
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
    • H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
    • H01S3/0941—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/11—Mode locking; Q-switching; Other giant-pulse techniques, e.g. cavity dumping
    • H01S3/1106—Mode locking
    • H01S3/1112—Passive mode locking
    • H01S3/1115—Passive mode locking using intracavity saturable absorbers
    • H01S3/1118—Semiconductor saturable absorbers, e.g. semiconductor saturable absorber mirrors [SESAMs]; Solid-state saturable absorbers, e.g. carbon nanotube [CNT] based
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02—Constructional details
    • H01S3/025—Constructional details of solid state lasers, e.g. housings or mountings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02—Constructional details
    • H01S3/04—Arrangements for thermal management
    • H01S3/0405—Conductive cooling, e.g. by heat sinks or thermo-electric elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
    • H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
    • H01S3/094049—Guiding of the pump light
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/16—Solid materials
    • H01S3/1601—Solid materials characterised by an active (lasing) ion
    • H01S3/1603—Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth
    • H01S3/1608—Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth erbium

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Surgery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • Heart & Thoracic Surgery (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Veterinary Medicine (AREA)
  • Otolaryngology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Medical Informatics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Animal Behavior & Ethology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

1. Монолитный твердотельный лазер (1) с боковой накачкой, содержащий структуру (3) лазерного резонатора, содержащую лазерную активную среду (2), имеющую продольную ось (L), в котором структура (3) лазерного резонатора содержит торцевые поверхности (4), формирующие резонансную полость с линейной оптической траекторией между ними, причем торцевые поверхности (4) содержат, по меньшей мере, частично отражающие лазерные зеркала (4а, 4b), один рефлектор (4а) с высоким отражением и выходное устройство (4b) связи, нанесенные на торцевые поверхности (4), и лазерная активная среда (2) содержит боковую поверхность (2а) для приема светового пучка (5а) накачки от источника (5) накачки, в котором световой пучок (5а) накачки создается диодным лазером (5), и содержащий кондуктивный охладитель (6) и рефлектор (7), расположенный напротив боковой поверхности (2а) относительно продольной оси (L), отличающийся тем, что лазерная активная среда (2) является материалом с малой активностью,и кондуктивный охладитель (61 содержит контактные поверхности (6с) для контакта с лазерной активной средой (2).2. Твердотельный лазер (1) по п.1, в котором лазерная активная среда (2) имеет площадь поперечного сечения меньше 7,5 мм.3. Твердотельный лазер (1) по п.2, в котором контактные поверхности (6с) располагаются симметрично относительно продольной оси (L) лазерной активной среды (2).4. Твердотельный лазер (1) по п.3, в котором кондуктивный охладитель (6) содержит полость (6d) охладителя, расположенную около лазерной активной среды (2) и расположенную напротив боковой поверхности (2а), в котором рефлектор (7) света накачки располагается в полости (6d) охладителя.5. Твердотельный лазер (1) по п.4, в котор�

Claims (57)

1. Монолитный твердотельный лазер (1) с боковой накачкой, содержащий структуру (3) лазерного резонатора, содержащую лазерную активную среду (2), имеющую продольную ось (L), в котором структура (3) лазерного резонатора содержит торцевые поверхности (4), формирующие резонансную полость с линейной оптической траекторией между ними, причем торцевые поверхности (4) содержат, по меньшей мере, частично отражающие лазерные зеркала (4а, 4b), один рефлектор (4а) с высоким отражением и выходное устройство (4b) связи, нанесенные на торцевые поверхности (4), и лазерная активная среда (2) содержит боковую поверхность (2а) для приема светового пучка (5а) накачки от источника (5) накачки, в котором световой пучок (5а) накачки создается диодным лазером (5), и содержащий кондуктивный охладитель (6) и рефлектор (7), расположенный напротив боковой поверхности (2а) относительно продольной оси (L), отличающийся тем, что лазерная активная среда (2) является материалом с малой активностью,
и кондуктивный охладитель (61 содержит контактные поверхности (6с) для контакта с лазерной активной средой (2).
2. Твердотельный лазер (1) по п.1, в котором лазерная активная среда (2) имеет площадь поперечного сечения меньше 7,5 мм2.
3. Твердотельный лазер (1) по п.2, в котором контактные поверхности (6с) располагаются симметрично относительно продольной оси (L) лазерной активной среды (2).
4. Твердотельный лазер (1) по п.3, в котором кондуктивный охладитель (6) содержит полость (6d) охладителя, расположенную около лазерной активной среды (2) и расположенную напротив боковой поверхности (2а), в котором рефлектор (7) света накачки располагается в полости (6d) охладителя.
5. Твердотельный лазер (1) по п.4, в котором диодный лазер (5) и рефлектор (7) располагаются таким образом относительно продольной оси (L), что существует равное расстояние (D1, D2) между продольной осью (L) и каждым из диодных лазеров (5) и рефлектором (7), так чтобы длина оптической траектории между источником (5) накачки и продольной осью (L) была той же самой или почти той же самой, что и длина оптической траектории между продольной осью (L) и рефлектором (7).
6. Твердотельный лазер (1) по п.1, в котором обе торцевые поверхности (4) содержат лазерное зеркало (4а, 4b), в котором одно из лазерных зеркал является лазерным зеркалом (4а) с высоким коэффициентом отражения, в частности, имеет коэффициент отражения от 99% до 100%, и в котором другое лазерное зеркало (4b) является выходным устройством связи.
7. Твердотельный лазер (1) по п.1, в котором структура (3) лазерного резонатора излучает на длине волны в диапазоне от 1700 нм до 3200 нм.
8. Твердотельный лазер (1) по п.7, в котором выходное устройство (4b) связи имеет коэффициент отражения в диапазоне между 92,5% и 99%.
9. Твердотельный лазер (1) по п.1, в котором лазерная активная среда (2) имеет свободные концы (2d), которые располагаются не внутри охладителя (6), за счет чего длина свободных концов (2d) в направлении продольной оси L предпочтительно равна приблизительно 2 мм и, наиболее предпочтительно, приблизительно равна 1 мм.
10. Твердотельный лазер (1) по п.1, в котором лазерная активная среда (2) содержит легированнный редкоземельными металлами базового кристалла YAG или YSGG или YLF с легированием неодимом, иттербием, эрбием, тулием, хромом и/или гольмием.
11. Твердотельный лазер (1) по п.1, в котором длина волны диодного лазера (5) выбирается такой, что основная длина волны диодного лазера (5) смещается относительно области пика поглощения лазерной активной среды (2).
12. Твердотельный лазер (1) по п.11, в котором длина волны светового пучка (5а) накачки выбирается соответствующей низкому коэффициенту поглощения лазерной активной среды (2).
13. Твердотельный лазер (1) по п.1, в котором кондуктивный охладитель (6) содержит контактные поверхности (6 с), контактирующие с лазерной активной средой (2) и также поддерживающие лазерную активную среду (2), причем кондуктивный охладитель (6) состоит из металлического, керамического или кристаллического материала.
14. Твердотельный лазер (1) по п.13, содержащий две контактные поверхности (6), в котором контактные поверхности (6с) располагаются симметрично продольной оси (L) лазерной активной среды (2), напротив друг друга.
15. Твердотельный лазер (1) по п.1, в котором кондуктивный охладитель (6) содержит внешний трубчатый элемент (6b), расположенный концентрически относительно продольной оси (L), а наружная поверхность (2с) лазерной активной среды (2) и внешний трубчатый элемент (6b) определяют внутреннее пространство (6а) для охлаждающей текучей среды.
16. Твердотельный лазер (1) по п.1, содержащий, по меньшей мере, два источника (5) накачки, пространственно разнесенных относительно друг друга в круговом направлении относительно продольной оси (L), и дополнительно содержащий соответствующий рефлектор (7) света накачки, расположенный напротив боковой поверхности (2а) относительно продольной оси (L).
17. Твердотельный лазер (1) по п.1, содержащий линзу (8а, 8b) и содержащий оптоволокно (9), имеющее диаметра между 100 мкм и 250 мкм, в котором линза (8а, 8b) выполнена с возможностью фокусировки лазерного пучка (В) твердотельного лазера (1) в оптоволокно (9).
18. Твердотельный лазер (1) по п.1, в котором лазерная активная среда (2) имеет цилиндрическую форму или эллиптическо-цилиндрическую форму.
19. Твердотельный лазер (1) по п.1, в котором, по меньшей мере, частично отражающее лазерное зеркало (4а, 4b) осаждается на торцевой поверхности (4) лазерной активной среды (3), в котором слой, нанесенный на нее, имеет плотность упаковки больше 0,9, предпочтительно больше 0,95, и наиболее предпочтительно больше 0,99.
20. Твердотельный лазер (1) по п.1, в котором источник (5) накачки имеет длину волны между 955 нм и 985 нм.
21. Твердотельный лазер (1) по п.1, в котором источник (5) накачки имеет длину волны между 760 нм и 815 нм.
22. Твердотельный лазер (1) по п.1, в котором источник (5) накачки имеет длины волны между 1600 нм и 2050 нм.
23. Твердотельный лазер (1) по п.1, в котором световой пучок (5а) накачки подается через боковую поверхность (2а) в лазерную активную среду (2), в которой приблизительно 30-70% и, предпочтительно, 30-50% светового пучка (5а) накачки выходит из лазерной активной среды (2) к противоположной боковой поверхности (2b) в качестве выходного светового пучка (5b) накачки, и в котором выходной световой пучок (5b) накачки отражается рефлектором (7), так что отраженный световой пучок (5с) накачки повторно входит в лазерную активную среду (2) у противоположной боковой поверхности (2b).
24. Твердотельный лазер (1) по п.1, в котором источник (5) накачки осуществляется как лазерная диодная матрица, расположенная параллельно продольной оси (L).
25. Твердотельный лазер (1) по п.1, в котором материалом с низкой активностью усиления является лазерная активная среда с поперечным сечением стимулированной эмиссии, равным или меньшим, чем для Er:YAG, а именно ≤3,0·10-20 см2.
26. Твердотельный лазер (1) по п.1, в котором, благодаря монолитной конструкции лазеров, лазерный рефлектор (4а) с высоким коэффициентом отражения осаждается непосредственно на активную среду (2), и выходное устройство (4b) связи осаждается непосредственно на противоположный конец активной среды (2).
27. Способ работы монолитного твердотельного лазера (1) с боковой накачкой по одному из пп.1-26, содержащий структуру (3) лазерного резонатора, содержащую лазерную активную среду (2), имеющую продольную ось (L), в котором световой пучок (5а) накачки подается через боковую поверхность (2а) в лазерную активную среду (2), отличающийся тем, что часть светового пучка (5а) накачки выходит из лазерной активной среды (2) на противоположной боковой поверхности (2b) в качестве выходного светового пучка (5b) накачки, и в котором выходной световой пучок (5b) накачки отражается рефлектором (7) в качестве отраженного светового пучка (5с) накачки, так что отраженный световой пучок (5с) накачки повторно входит в лазерную активную среду (2) у противоположной боковой поверхности (2b).
28. Способ работы твердотельного лазера (1) по п.27, в котором лазерная активная среда (2) охлаждается симметрично относительно продольной оси (L) лазерной активной среды (2), так что в лазерной активной среде (2) относительно продольной оси (L) имеет место симметричное тепловое распределение.
29. Способ работы твердотельного лазера (1) по одному из пп.27 и 28, в котором основная длина волны светового пучка (5а) накачки смещается относительно области пика поглощения лазерной активной среды (2).
30. Устройство обработки, содержащее:
твердотельный лазер (1), расположенный в корпусе (44) и излучающий лазерный пучок (21),
оптическое устройство (46) связи, направляющее падающий лазерный пучок в световодный элемент (45), гибкий шланг (49), соединяющий твердотельный лазер (1) с переносным устройством (50) и содержащий световодный элемент (45), причем переносное устройство (50) содержит выходной порт (53) в качестве конца световодного элемента (45) для направления лазерного пучка на целевую поверхность, отличающееся тем, что твердотельный лазер (1) осуществляется по одному из пп.1-26.
31. Устройство обработки по п.30, в котором корпус (44) содержит источник электропитания с высокоточным буфером накопителя большой емкости.
32. Устройство обработки по п.30 или 31, в котором корпус (44) содержит устройство создания газа (47) под давлением, в частности, с положительным и/или отрицательным относительным давлением.
33. Устройство обработки по п.30, в котором корпус (44) содержит устройство создания жидкости под давлением.
34. Устройство обработки по п.30, в котором гибкий шланг (49) содержит, по меньшей мере, один канал (51) для передачи жидкого или газообразного носителя к переносному устройству (50) и/или от него.
35. Устройство обработки по п.30, в котором корпус (44) содержит съемное средство (57) соединителя.
36. Устройство обработки по п.30, в котором переносное устройство (50) содержит съемное средство (57) соединителя.
37. Устройство обработки по п.30, в котором переносное устройство (50) содержит блок формирования и/или отклонения пучка.
38. Устройство обработки по п.30, в котором переносное устройство (50) содержит электроакустический преобразователь, в частности, ультразвуковой электроакустический преобразователь.
39. Устройство по п.30, в котором переносное устройство (50) содержит световодный расщепляющий блок.
40. Устройство обработки по п.30, в котором переносное устройство (50) содержит оптическое средство (65) получения изображения.
41. Устройство обработки по п.30, в котором переносное устройство (50) содержит радиочастотный передатчик.
42. Устройство обработки по п.30, в котором гибкий шланг (49) содержит кабель источника электропитания.
43. Устройство обработки по п.30, в котором гибкий шланг (50) содержит, по меньшей мере, одну линию передачи данных.
44. Устройство обработки по п.30, в котором световодный элемент (45) осуществляется как однооптоволоконный световодный элемент.
45. Устройство обработки по п.30, в котором световодный элемент (45) осуществляется как многооптоволоконный световодный элемент.
46. Устройство обработки по п.34, в котором выходной порт (53) содержит выходное отверстие (62, 63), соединяющееся с каналом (51).
47. Устройство обработки по п.30, в котором конец (45) световодного элемента располагается, по меньшей мере, частично вокруг выходного отверстия (53).
48. Устройство обработки по п.30, в котором выходное отверстие (53) располагается, по меньшей мере, частично вокруг конца () световодного элемента(45).
49. Устройство обработки, содержащее переносное устройство (20) с твердотельным лазером (1), излучающим лазерный пучок (21), лазер (1), дополнительно содержащий блок (29) охлаждения, блок (32) управления, электрически возбуждаемый источник (5) накачки твердотельного лазера (1), блок (24) формирования и отклонения лазерного пучка, контактное окно (25) для излучения сформированного лазерного пучка (26) из переносного устройства (20) на целевую поверхность (23), причем контактное окно (25) содержит прозрачное покрытие (27), причем оптическая траектория (22) содержит твердотельный лазер (1), блок (24) формирования и отклонения лазерного пучка и контактное окно (25), и стендовый блок, содержащий источник электропитания, гибкий шланг (37), соединяющий стендовый блок с переносным устройством (20), причем гибкий шланг (37) дополнительно содержит соединение для подключения электропитания, отличающееся тем, что твердотельный лазер (1) осуществляется по одному из пп.1-26,
блок (29) охлаждения содержит полость (30), гибкий шланг (37) содержит, по меньшей мере, две трубки (31) подачи охлаждающей жидкости, соединяющих полость (30) охлаждения с системой циркуляции охлаждающей жидкости стендового блока, и блок (32) управления содержит один высокоточный буферный накопитель (33) большой емкости.
50. Устройство обработки, содержащее переносное устройство (39) с твердотельным лазером (1), излучающее лазерный пучок (1), причем лазер (1) дополнительно содержит блок (29) охлаждения, блок (32) управления, электрически возбуждаемый твердотельный лазер (1), блок (24) формирования и отклонения лазерного пучка, контактное окно (25) для излучения сформированного лазерного пучка (26) из переносного устройства (39) на целевую поверхность (23), причем контактное окно (25) содержит прозрачное покрытие (27), оптическая траектория (22) содержит твердотельный лазер (1), блок (1) формирования и отклонения пучка и контактное окно (25), отличающееся тем, что твердотельный лазер (1) осуществляется по одному из пп.1-31, блок (29) охлаждения осуществляется как твердотельное устройство (40) охлаждения, блок (32) управления содержит один высокоточный буферный накопитель (33) большой емкости и переносное устройство (39) содержит средство (41) хранения электроэнергии.
51. Устройство обработки по п.49 или 50, в котором оптическая траектория (22) герметизирована относительно окружающей среды, используя герметизирующие элементы или гладкие плоскости, подогнанные друг к другу.
52. Устройство обработки по п.49 или 50, в котором переносное устройство (20, 39) содержит, по меньшей мере, два высокоточных буферных накопителя (33) большой емкости и блок переключения для индивидуального подключения одного из высокоточных буферных накопителей (33) к блоку (32) управления.
53. Устройство обработки по п.49 или 50, в котором переносное устройство (20, 39) содержит интерфейс (35, 43) пользователя, содержащий дисплейный блок и устройство ввода данных.
54. Устройство обработки по п.49 или 50, в котором переносное устройство (20, 39) содержит блок получения изображений и блок анализа изображения.
55. Устройство обработки по п.49, в котором переносное устройство (20) может отсоединяться от стендового блока.
56. Устройство обработки по п.49 или 50, в котором прозрачное покрытие (27) может сниматься с переносного устройства (20, 39).
57. Устройство обработки по п.50, в котором твердотельное устройство (40) охлаждения является материалом с изменением фазового состояния.
RU2012101319/28A 2009-06-15 2010-06-15 Монолитный твердотельный лазер с боковой накачкой и его применение RU2012101319A (ru)

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP2009057398 2009-06-15
EP09/57398 2009-06-15
EP10/050458 2010-01-15
EP2010050458 2010-01-15
EP10/051825 2010-02-13
PCT/EP2010/051825 WO2010145855A1 (en) 2009-06-15 2010-02-13 Monolithic, side pumped solid-state laser and method for operating the same
PCT/EP2010/003586 WO2010145802A1 (en) 2009-06-15 2010-06-15 A monolithic, side pumped solid-state laser and applications thereof

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2012101319A true RU2012101319A (ru) 2013-07-27

Family

ID=42107897

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012101319/28A RU2012101319A (ru) 2009-06-15 2010-06-15 Монолитный твердотельный лазер с боковой накачкой и его применение

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9368931B2 (ru)
JP (1) JP5744860B2 (ru)
KR (1) KR101742740B1 (ru)
CA (1) CA2766958A1 (ru)
RU (1) RU2012101319A (ru)
WO (1) WO2010145855A1 (ru)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2862611C (en) 2011-02-24 2020-11-03 Eximo Medical Ltd. Hybrid catheter for tissue resection
EP3552571A3 (en) 2014-05-18 2019-11-27 Eximo Medical Ltd. System for tissue ablation using pulsed laser
US20150342782A1 (en) * 2014-05-30 2015-12-03 Strathspey Crown Holdings, LLC Treatment Systems for Vitreous Floaters
EP2961012A1 (en) * 2014-06-26 2015-12-30 Light Speed Marker, S.L. Laser system for modifying objects
DE102015008127A1 (de) * 2015-06-24 2016-12-29 Wavelight Gmbh Vorrichtung für die Augenlaserchirurgie und Verfahren zur Durchführung einer transepithelialen photorefraktiven Keratektomie
CN105233424A (zh) * 2015-11-09 2016-01-13 温州大学 一种可见波段多功能激光医疗机
US11684420B2 (en) 2016-05-05 2023-06-27 Eximo Medical Ltd. Apparatus and methods for resecting and/or ablating an undesired tissue
JP2017220652A (ja) * 2016-06-10 2017-12-14 大学共同利用機関法人自然科学研究機構 レーザ装置とその製造方法
WO2017214925A1 (zh) * 2016-06-16 2017-12-21 深圳大学 二维半导体可饱和吸收镜及其制备方法、脉冲光纤激光器
EP3471645B1 (en) * 2016-06-20 2023-09-20 University of North Texas Laser-assisted machining (lam) of non-monolithic composite bone material
AU2017339894B2 (en) 2016-10-04 2022-12-15 Boston Scientific Scimed, Inc. Tailored laser pulses for surgical applications
EP3309913A1 (en) * 2016-10-17 2018-04-18 Universität Stuttgart Radiation field amplifier system
US9787048B1 (en) * 2016-10-17 2017-10-10 Waymo Llc Fiber encapsulation mechanism for energy dissipation in a fiber amplifying system
EP3309914A1 (en) 2016-10-17 2018-04-18 Universität Stuttgart Radiation field amplifier system
RU2703934C1 (ru) * 2017-02-17 2019-10-22 Акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха" Лазер с поперечной диодной накачкой
US10593843B2 (en) * 2017-02-28 2020-03-17 Nichia Corporation Method of manufacturing optical component
US20190101748A1 (en) * 2017-10-04 2019-04-04 Dornier Medtech Laser Gmbh Method for Operating a Pulsed Laser System
CA3096021A1 (en) 2018-04-03 2019-10-10 Convergent Dental, Inc. Laser system for surgical applications
IL259535A (en) * 2018-05-22 2018-06-28 Sheintop Uzziel Q-switched laser system
US10962792B2 (en) * 2018-09-16 2021-03-30 Richard Redpath Laser light striping apparatus
WO2020111514A1 (ko) * 2018-11-26 2020-06-04 비손메디칼 주식회사 출력향상된 툴륨 및 홀뮴 레이저 출력 장치
US11929593B2 (en) 2021-07-13 2024-03-12 National Tsing Hua University Laser pumping device and system including geometric light concentrator and thermal insulator
DE102021211227A1 (de) 2021-10-05 2023-04-06 Carl Zeiss Meditec Ag Zwischenspeicher zur zyklischen Leistungsglättung und ophthalmologischen Lasertherapiesystem mit einem Zwischenspeicher
CN114512297B (zh) * 2022-01-17 2022-12-02 华中科技大学 一种基于平顶脉冲磁场的磁增益开关及方法
CN114775056B (zh) * 2022-04-25 2024-02-27 同济大学 一种掺铬钇钪近红外波段超快超强激光晶体及其制备方法和应用
US12038322B2 (en) 2022-06-21 2024-07-16 Eximo Medical Ltd. Devices and methods for testing ablation systems
CN114883895B (zh) * 2022-07-08 2022-11-08 中国工程物理研究院应用电子学研究所 一种超紧凑轻量复合冷却式浸入式高能激光***
CN115021070A (zh) * 2022-08-03 2022-09-06 度亘激光技术（苏州）有限公司 侧泵模块及半导体激光器
CN115430912B (zh) * 2022-11-09 2023-02-07 中国科学院新疆理化技术研究所 一种激光熔接装置

Family Cites Families (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4808789A (en) * 1987-02-04 1989-02-28 Muncheryan Hrand M Diode-pumped-laser instrumentation system
JP2664392B2 (ja) * 1988-02-10 1997-10-15 三菱電機株式会社 レーザ装置
FR2670623A1 (fr) * 1990-12-18 1992-06-19 Europ Agence Spatiale Laser a barreau actif hexagonal.
EP0530574B1 (de) * 1991-08-28 1997-11-05 Siemens Aktiengesellschaft Vorrichtung zur Lasermaterialbearbeitung biologischer Hartsubstanz, insbesondere Zahnhartsubstanz
US5311528A (en) * 1991-08-30 1994-05-10 Hoya Corporation Solid-state laser device capable of stably producing an output laser beam at high power
FR2681988A1 (fr) 1991-09-27 1993-04-02 Thomson Csf Laser de puissance a deflexion.
JPH05335662A (ja) 1992-05-27 1993-12-17 Hoya Corp 固体レーザ装置
US5643252A (en) 1992-10-28 1997-07-01 Venisect, Inc. Laser perforator
US5381431A (en) 1993-08-13 1995-01-10 Massachusetts Institute Of Technology Picosecond Q-switched microlasers
DE69424910T2 (de) 1993-10-05 2001-01-18 S.L.T. Japan Co., Ltd. Laser Ballon-Katheter
US5555254A (en) * 1993-11-05 1996-09-10 Trw Inc. High brightness solid-state laser with zig-zag amplifier
FR2712742B1 (fr) 1993-11-15 1995-12-15 Commissariat Energie Atomique Microlaser solide, monolithique, autoaligné, à déclenchement passif par absorbant saturable et son procédé de fabrication.
US5394413A (en) 1994-02-08 1995-02-28 Massachusetts Institute Of Technology Passively Q-switched picosecond microlaser
US5554153A (en) 1994-08-29 1996-09-10 Cell Robotics, Inc. Laser skin perforator
US5947957A (en) 1994-12-23 1999-09-07 Jmar Technology Co. Portable laser for blood sampling
US5868731A (en) 1996-03-04 1999-02-09 Innotech Usa, Inc. Laser surgical device and method of its use
WO1996028212A1 (en) 1995-03-09 1996-09-19 Innotech Usa, Inc. Laser surgical device and method of its use
WO1996033538A1 (en) 1995-04-17 1996-10-24 Coherent, Inc. High repetition rate erbium: yag laser for tissue ablation
GB2300964B (en) 1995-05-13 1999-11-10 I E Optomech Limited Monolithic laser
US5636239A (en) * 1995-05-15 1997-06-03 Hughes Electronics Solid state optically pumped laser head
US6251102B1 (en) 1996-03-04 2001-06-26 Innotech, Usa, Inc. Laser surgical device and method of its use
US5761233A (en) * 1996-04-10 1998-06-02 Hughes Electronics Corporation Monolithic pump cavity and method
US5928220A (en) * 1997-06-10 1999-07-27 Shimoji; Yutaka Cordless dental and surgical laser
JPH11284253A (ja) 1998-03-30 1999-10-15 Fanuc Ltd Ｌｄ励起固体レーザ発振装置
JP2000012932A (ja) 1998-06-19 2000-01-14 Toshiba Corp 固体レーザ装置
US6377593B1 (en) 1999-06-21 2002-04-23 Northrop Grumman Corporation Side pumped Q-switched microlaser and associated fabrication method
US6219361B1 (en) 1999-06-21 2001-04-17 Litton Systems, Inc. Side pumped, Q-switched microlaser
US6330259B1 (en) * 1999-06-24 2001-12-11 Jonathan S. Dahm Monolithic radial diode-pumped laser with integral micro channel cooling
US6366596B1 (en) 2000-01-21 2002-04-02 Photonics Industries International, Inc. High power laser
US6373864B1 (en) 2000-01-21 2002-04-16 Nanolase S.A. Sub-nanosecond passively q-switched microchip laser system
US6714574B2 (en) * 2001-07-31 2004-03-30 Bookham Technology, Plc Monolithically integrated optically-pumped edge-emitting semiconductor laser
US20070060917A1 (en) 2002-06-21 2007-03-15 Biolase Technology, Inc. High-efficiency, side-pumped diode laser system
US7149231B2 (en) * 2002-10-04 2006-12-12 Spectra Systems Corporation Monolithic, side-pumped, passively Q-switched solid-state laser
JP4047131B2 (ja) * 2002-10-18 2008-02-13 株式会社オーク製作所 固体レーザ装置
US6898231B2 (en) * 2002-11-21 2005-05-24 Coherent, Inc. Off-peak optical pumping of yttrium orthovanadate
JP2004179412A (ja) * 2002-11-27 2004-06-24 Nec Corp 半導体レーザ励起固体レーザ装置並びにその製造方法
WO2004075721A2 (en) 2003-02-25 2004-09-10 Spectragenics, Inc. Self-contained, diode-laser-based dermatologic treatment apparatus and metod
US8109981B2 (en) 2005-01-25 2012-02-07 Valam Corporation Optical therapies and devices
WO2006111200A1 (en) 2005-04-18 2006-10-26 Pantec Biosolutions Ag Microporator for creating a permeation surface
US20090306576A1 (en) 2005-04-18 2009-12-10 Pantec Biosolutions Ag System for Transmembrane Administration of a Permeant and Method for Administering a Permeant
WO2006111201A1 (en) 2005-04-18 2006-10-26 Pantec Biosolutions Ag Laser microporator
WO2006111199A1 (en) 2005-04-18 2006-10-26 Pantec Biosolutions Ag Microporator for parating a biological membran and integrated permeant administering system
US8965334B2 (en) 2005-12-19 2015-02-24 Alcatel Lucent Methods and devices for defending a 3G wireless network against malicious attacks
WO2007074400A2 (en) * 2005-12-28 2007-07-05 Kilolambda Technologies Ltd. Diode-pumped cavity
AT503451B8 (de) 2006-06-13 2008-05-15 Ctr Carinthian Tech Res Ag Festkörperlaser
JP2010507627A (ja) 2006-10-25 2010-03-11 パンテック バイオソリューションズ アクチェンゲゼルシャフト 皮膚に関連した症状の広域疑似全身的治療
WO2009150210A2 (en) 2008-06-11 2009-12-17 Pantec Biosolutions Ag Apparatus and method for the deflection of electromagnetic radiation, in particular of a laser beam

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120098989A (ko) 2012-09-06
US9368931B2 (en) 2016-06-14
WO2010145855A1 (en) 2010-12-23
US20120165801A1 (en) 2012-06-28
JP5744860B2 (ja) 2015-07-08
KR101742740B1 (ko) 2017-06-15
CA2766958A1 (en) 2010-12-23
JP2012530364A (ja) 2012-11-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2012101319A (ru) Монолитный твердотельный лазер с боковой накачкой и его применение
JP2012530364A5 (ru)
US9651017B2 (en) Laser ignition device for an internal combustion engine and operating method therefor
US7653100B2 (en) Solid laser module, optical amplifier, and laser oscillator
US4979180A (en) Modular interchangeable laser system
NO843902L (no) Fiberoptisk forsterker
JP2000513156A (ja) １つまたは複数のポンプ光源を備えた固体レーザ
US6665328B1 (en) Diode-pumped laser with funnel-coupled pump source
WO2014138433A1 (en) Ultra high power single mode fiber laser system with non-uniformly configured fiber-to-fiber rod multimode amplifier
JP2013168435A (ja) ロッド型ファイバレーザ増幅器およびロッド型ファイバレーザ発振器
CN103050870B (zh) 可光纤输出的微片激光器
US5548608A (en) Laser head and telescopic cavity for diode-pumped solid-state lasers
WO2002013338A2 (en) Method and apparatus relating to pumping optical fiber
JP2002042731A (ja) 光源一体型集光発光装置
CN210201150U (zh) 激光器
JPWO2017204355A1 (ja) 固体レーザ装置
US9525263B2 (en) Laser diode side pumping of an elongated solid-state laser without focusing/optics
KR100348998B1 (ko) 방사형으로 배치된 여러 개의 직선형 다이오드 레이저를이용한 고체레이저 발생장치.
CN103840368A (zh) 用散热窗口片作为滤波元件的小型化单频光泵浦垂直外腔面发射激光器
CN218983540U (zh) 一种微型激光装置
RU2382458C1 (ru) Компактный твердотельный лазер с продольной полупроводниковой накачкой
CN213753435U (zh) 基于Er的大能量2940纳米脉冲碟片激光器
CN105024264A (zh) 一种矢量光场输出激光器
CN114204385A (zh) 固体激光装置
EP2994961A1 (en) Solid state laser system

Legal Events

Date Code Title Description
FA92 Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted)

Effective date: 20150624