RU2011140129A - Iii-нитридный светоизлучающий прибор, включающий бор - Google Patents

Iii-нитридный светоизлучающий прибор, включающий бор Download PDF

Info

Publication number
RU2011140129A
RU2011140129A RU2011140129/28A RU2011140129A RU2011140129A RU 2011140129 A RU2011140129 A RU 2011140129A RU 2011140129/28 A RU2011140129/28 A RU 2011140129/28A RU 2011140129 A RU2011140129 A RU 2011140129A RU 2011140129 A RU2011140129 A RU 2011140129A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
layer
lattice constant
structure according
light
region
Prior art date
Application number
RU2011140129/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2523747C2 (ru
Inventor
Мелвин Б. МАКЛОРИН
Original Assignee
ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи
Конинклейке Филипс Электроникс Н.В.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи, Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. filed Critical ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи
Publication of RU2011140129A publication Critical patent/RU2011140129A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2523747C2 publication Critical patent/RU2523747C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/12—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02538—Group 13/15 materials
    • H01L21/0254—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

1. Структура, содержащая:III-нитридную полупроводниковую структуру, содержащую светоизлучающую область, расположенную между областью n-типа и областью p-типа, при этом:по меньшей мере одним слоем в светоизлучающей области является B(InGa)N, причем 0<x≤0,14;слой B(InGa)N обладает запрещенной энергетической зоной и объемной постоянной решетки, соответствующей постоянной решетки релаксированного слоя с таким же составом, что и светоизлучающий слой B(InGa)N;слой InGaN, обладающий такой же запрещенной энергетической зоной, что и слой B(InGa)N, обладает объемной постоянной решетки, соответствующей постоянной решетки релаксированного слоя с таким же составом, что и слой InGaN; иобъемная постоянная решетки слоя B(InGa)N меньше, чем объемная постоянная решетки слоя InGaN.2. Структура по п.1, причем 0<x≤0,1.3. Структура по п.1, причем упомянутый по меньшей мере один B(InGa)N является светоизлучающим слоем.4. Структура по п.3, причем 0,06≤x≤0,08 и 0,1≤у≤0,14.5. Структура по п.3, причем 0,08≤x≤0,11 и 0,14≤у≤0,18.6. Структура по п.3, причем 0,11≤x≤0,13 и 0,18≤у≤0,22.7. Структура по п.1, причемсветоизлучающая область содержит по меньшей мере два светоизлучающих слоя квантовой ямы, разделенные барьерным слоем; иупомянутый по меньшей мере один слой B(InGa)N является барьерным слоем.8. Структура по п.1, причем по меньшей мере часть одной из области n-типа и области p-типа в непосредственном контакте со светоизлучающей областью имеет градиентный состав.9. Структура по п.1, дополнительно содержащая первый и второй электрические контакты, электрически присоединенные к областям n-типа и p-типа.10. Структура по п.1, причем слой B(InGa)N согласован по параметру решетки с GaN.11. III-нитридная полупроводниковая струк�

Claims (11)

1. Структура, содержащая:
III-нитридную полупроводниковую структуру, содержащую светоизлучающую область, расположенную между областью n-типа и областью p-типа, при этом:
по меньшей мере одним слоем в светоизлучающей области является Bx(InyGa1-y)1-xN, причем 0<x≤0,14;
слой Bx(InyGa1-y)1-xN обладает запрещенной энергетической зоной и объемной постоянной решетки, соответствующей постоянной решетки релаксированного слоя с таким же составом, что и светоизлучающий слой Bx(InyGa1-y)1-xN;
слой InGaN, обладающий такой же запрещенной энергетической зоной, что и слой Bx(InyGa1-y)1-xN, обладает объемной постоянной решетки, соответствующей постоянной решетки релаксированного слоя с таким же составом, что и слой InGaN; и
объемная постоянная решетки слоя Bx(InyGa1-y)1-xN меньше, чем объемная постоянная решетки слоя InGaN.
2. Структура по п.1, причем 0<x≤0,1.
3. Структура по п.1, причем упомянутый по меньшей мере один Bx(InyGa1-y)1-xN является светоизлучающим слоем.
4. Структура по п.3, причем 0,06≤x≤0,08 и 0,1≤у≤0,14.
5. Структура по п.3, причем 0,08≤x≤0,11 и 0,14≤у≤0,18.
6. Структура по п.3, причем 0,11≤x≤0,13 и 0,18≤у≤0,22.
7. Структура по п.1, причем
светоизлучающая область содержит по меньшей мере два светоизлучающих слоя квантовой ямы, разделенные барьерным слоем; и
упомянутый по меньшей мере один слой Bx(InyGa1-y)1-xN является барьерным слоем.
8. Структура по п.1, причем по меньшей мере часть одной из области n-типа и области p-типа в непосредственном контакте со светоизлучающей областью имеет градиентный состав.
9. Структура по п.1, дополнительно содержащая первый и второй электрические контакты, электрически присоединенные к областям n-типа и p-типа.
10. Структура по п.1, причем слой Bx(InyGa1-y)1-xN согласован по параметру решетки с GaN.
11. III-нитридная полупроводниковая структура, содержащая светоизлучающую область, расположенную между областью n-типа и областью p-типа, при этом:
по меньшей мере одним слоем в светоизлучающей области является Bx(InyGa1-y)1-xN;
слой Bx(InyGa1-y)1-xN обладает запрещенной энергетической зоной и объемной постоянной решетки, соответствующей постоянной решетки релаксированного слоя с таким же составом, что и светоизлучающий слой Bx(InyGa1-y)1-xN;
слой InGaN, обладающий такой же запрещенной энергетической зоной, что и слой Bx(InyGa1-y)1-xN, обладает объемной постоянной решетки, соответствующей постоянной решетки релаксированного слоя с таким же составом, что и слой InGaN;
объемная постоянная решетки слоя Bx(InyGa1-y)1-xN меньше, чем объемная постоянная решетки слоя InGaN; и
слой Bx(InyGa1-y)1-xN находится в состоянии сжатия.
RU2011140129/28A 2009-03-04 2010-02-04 Iii-нитридный светоизлучающий прибор, включающий бор RU2523747C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/397,417 US8106403B2 (en) 2009-03-04 2009-03-04 III-nitride light emitting device incorporation boron
US12/397,417 2009-03-04
PCT/IB2010/050520 WO2010100572A1 (en) 2009-03-04 2010-02-04 Iii-nitride light emitting device incorporating boron

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2011140129A true RU2011140129A (ru) 2013-04-20
RU2523747C2 RU2523747C2 (ru) 2014-07-20

Family

ID=42102372

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2011140129/28A RU2523747C2 (ru) 2009-03-04 2010-02-04 Iii-нитридный светоизлучающий прибор, включающий бор

Country Status (8)

Country Link
US (1) US8106403B2 (ru)
EP (1) EP2404311B1 (ru)
JP (1) JP5702739B2 (ru)
KR (1) KR101732524B1 (ru)
CN (1) CN102341887B (ru)
RU (1) RU2523747C2 (ru)
TW (1) TWI497753B (ru)
WO (1) WO2010100572A1 (ru)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5899519B2 (ja) * 2009-11-05 2016-04-06 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 固体撮像装置
US9178108B2 (en) * 2010-05-24 2015-11-03 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device and light emitting device package
EP2408028B1 (en) * 2010-07-16 2015-04-08 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting device
CN104412396B (zh) * 2012-07-05 2021-11-09 亮锐控股有限公司 具有含氮和磷的发光层的发光二极管
US20160376170A1 (en) * 2013-07-03 2016-12-29 Koninklijke Philips N.V. Light guiding member and light emitting arrangement
FR3050872B1 (fr) * 2016-04-27 2019-06-14 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Diode electroluminescente comprenant au moins une couche intermediaire de plus grand gap disposee dans au moins une couche barriere de la zone active
CN108831978A (zh) * 2018-04-24 2018-11-16 华灿光电(苏州）有限公司 一种发光二极管外延片及其制造方法
CN109065679B (zh) * 2018-06-29 2020-05-19 华灿光电（浙江）有限公司 一种发光二极管外延片及其制造方法
CN109065682B (zh) * 2018-06-29 2019-10-08 华灿光电（浙江）有限公司 一种发光二极管外延片及其制造方法
CN109802020B (zh) * 2018-12-26 2020-05-19 华灿光电（浙江）有限公司 一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法
CN109873061B (zh) * 2019-01-08 2020-08-18 华灿光电（浙江）有限公司 一种氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法
CN109888068B (zh) * 2019-01-23 2020-04-14 华灿光电（浙江）有限公司 近紫外发光二极管外延片及其制备方法
CN110061104B (zh) * 2019-02-28 2020-08-14 华灿光电(苏州）有限公司 氮化镓基发光二极管外延片的制造方法
CN112366257B (zh) * 2020-09-27 2022-03-18 华灿光电（浙江）有限公司 发光二极管外延片及其制备方法
CN115050870B (zh) * 2022-08-12 2022-11-08 江西兆驰半导体有限公司 一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法
CN115172555B (zh) * 2022-09-08 2022-11-18 江西兆驰半导体有限公司 高光效发光二极管的外延片及其制备方法、发光二极管
CN116581215B (zh) * 2023-07-10 2023-09-22 江西兆驰半导体有限公司 发光二极管外延片及其制作方法
CN117239025B (zh) * 2023-11-15 2024-02-20 江西兆驰半导体有限公司 GaN基绿光LED外延片及其制备方法、LED

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3903364A (en) * 1974-08-23 1975-09-02 Ibm High resolution line scanner
JPH11261105A (ja) 1998-03-11 1999-09-24 Toshiba Corp 半導体発光素子
US6274924B1 (en) 1998-11-05 2001-08-14 Lumileds Lighting, U.S. Llc Surface mountable LED package
JP2000196194A (ja) * 1998-12-25 2000-07-14 Sanyo Electric Co Ltd 半導体発光素子
JP2000277860A (ja) * 1999-03-24 2000-10-06 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ素子
US6903364B1 (en) * 1999-03-26 2005-06-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor structures using a group III-nitride material system with reduced phase separation and method of fabrication
US6838705B1 (en) * 1999-03-29 2005-01-04 Nichia Corporation Nitride semiconductor device
EP2149906A3 (en) * 2002-08-29 2014-05-07 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light-emitting device having light-emitting diodes
US7323721B2 (en) * 2004-09-09 2008-01-29 Blue Photonics Inc. Monolithic multi-color, multi-quantum well semiconductor LED
JP2009027022A (ja) * 2007-07-20 2009-02-05 Rohm Co Ltd 窒化物半導体発光素子

Also Published As

Publication number Publication date
WO2010100572A1 (en) 2010-09-10
JP2012519953A (ja) 2012-08-30
TW201041180A (en) 2010-11-16
JP5702739B2 (ja) 2015-04-15
CN102341887B (zh) 2015-09-30
EP2404311B1 (en) 2017-04-12
CN102341887A (zh) 2012-02-01
RU2523747C2 (ru) 2014-07-20
US20100224852A1 (en) 2010-09-09
TWI497753B (zh) 2015-08-21
US8106403B2 (en) 2012-01-31
KR20110124337A (ko) 2011-11-16
KR101732524B1 (ko) 2017-05-04
EP2404311A1 (en) 2012-01-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2011140129A (ru) Iii-нитридный светоизлучающий прибор, включающий бор
KR100604406B1 (ko) 질화물 반도체 소자
US9048364B2 (en) Nitride semiconductor structure and semiconductor light emitting device including the same
CN105870283B (zh) 一种具有复合极性面电子阻挡层的发光二极管
CN103247728A (zh) 一种半导体紫外光源器件
CN105990478A (zh) 一种氮化镓基发光二极管外延结构
KR20110062128A (ko) 발광 소자, 발광 소자 패키지 및 발광 소자 제조방법
KR101111749B1 (ko) 다층구조 양자장벽을 사용한 질화물 반도체 발광소자
KR20090058364A (ko) 질화갈륨계 반도체 발광소자
KR20110090118A (ko) 반도체 발광소자
KR102224116B1 (ko) 발광소자 및 조명시스템
CN108565319B (zh) 氮化物半导体结构及半导体发光元件
US20150179874A1 (en) Light emitting diode structure
CN206401345U (zh) 一种发光二极管外延片
US20150179880A1 (en) Nitride semiconductor structure
CN102637793A (zh) 三族氮化合物半导体紫外光发光二极管
KR101507130B1 (ko) 초격자층을 갖는 발광 다이오드
CN103311389B (zh) 发光二极管外延片及其制造方法
KR102409201B1 (ko) 자외선 발광소자 및 조명시스템
KR101392218B1 (ko) 반도체 발광소자
KR101357254B1 (ko) 반도체 발광소자
CN206921847U (zh) 一种发光二极管
KR20160139920A (ko) 자외선 발광소자
KR102224164B1 (ko) 발광소자 및 이를 구비하는 조명 시스템
CN111326616A (zh) 一种半导体发光元件

Legal Events

Date Code Title Description
PD4A Correction of name of patent owner
PD4A Correction of name of patent owner
PC41 Official registration of the transfer of exclusive right

Effective date: 20190111

PD4A Correction of name of patent owner