RU2011139104A - Чистящая композиция для микроэлектроники на основе многоцелевого кислотного органического растворителя - Google Patents
Чистящая композиция для микроэлектроники на основе многоцелевого кислотного органического растворителя Download PDFInfo
- Publication number
- RU2011139104A RU2011139104A RU2011139104/04A RU2011139104A RU2011139104A RU 2011139104 A RU2011139104 A RU 2011139104A RU 2011139104/04 A RU2011139104/04 A RU 2011139104/04A RU 2011139104 A RU2011139104 A RU 2011139104A RU 2011139104 A RU2011139104 A RU 2011139104A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- cleaning composition
- acid
- sulfone
- solvent
- composition according
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract 35
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract 30
- 239000002253 acid Substances 0.000 title claims abstract 14
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 title claims abstract 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 title 1
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 30
- -1 aryl alcohol Chemical compound 0.000 claims abstract 14
- 239000006184 cosolvent Substances 0.000 claims abstract 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract 10
- HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N sulfolane Chemical compound O=S1(=O)CCCC1 HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 10
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 9
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 9
- HHVIBTZHLRERCL-UHFFFAOYSA-N sulfonyldimethane Chemical compound CS(C)(=O)=O HHVIBTZHLRERCL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 8
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract 7
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract 7
- MBDUIEKYVPVZJH-UHFFFAOYSA-N 1-ethylsulfonylethane Chemical compound CCS(=O)(=O)CC MBDUIEKYVPVZJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 6
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract 6
- WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N pyrogallol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1O WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 6
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims abstract 5
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 claims abstract 4
- PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N (+/-)-1,3-Butanediol Chemical compound CC(O)CCO PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- AIDFJGKWTOULTC-UHFFFAOYSA-N 1-butylsulfonylbutane Chemical compound CCCCS(=O)(=O)CCCC AIDFJGKWTOULTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- YYDNBUBMBZRNQQ-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-4-methylsulfonylbenzene Chemical compound CC1=CC=C(S(C)(=O)=O)C=C1 YYDNBUBMBZRNQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- QQLILYBIARWEIF-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hydroxyethylsulfonyl)ethanol Chemical compound OCCS(=O)(=O)CCO QQLILYBIARWEIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- JCDWETOKTFWTHA-UHFFFAOYSA-N methylsulfonylbenzene Chemical compound CS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 JCDWETOKTFWTHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- 229940079877 pyrogallol Drugs 0.000 claims abstract 3
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical compound OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims abstract 2
- 238000010668 complexation reaction Methods 0.000 claims abstract 2
- VBQUDDWATQWCPP-UHFFFAOYSA-N ethylsulfonylbenzene Chemical compound CCS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 VBQUDDWATQWCPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract 2
- 150000003966 selones Chemical class 0.000 claims abstract 2
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 claims abstract 2
- YDONNITUKPKTIG-UHFFFAOYSA-N [Nitrilotris(methylene)]trisphosphonic acid Chemical compound OP(O)(=O)CN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O YDONNITUKPKTIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 10
- DUYCTCQXNHFCSJ-UHFFFAOYSA-N dtpmp Chemical compound OP(=O)(O)CN(CP(O)(O)=O)CCN(CP(O)(=O)O)CCN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O DUYCTCQXNHFCSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 claims 4
- NKIJBSVPDYIEAT-UHFFFAOYSA-N 1,4,7,10-tetrazacyclododec-10-ene Chemical compound C1CNCCN=CCNCCN1 NKIJBSVPDYIEAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- BJAJDJDODCWPNS-UHFFFAOYSA-N dotp Chemical compound O=C1N2CCOC2=NC2=C1SC=C2 BJAJDJDODCWPNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 125000004836 hexamethylene group Chemical group [H]C([H])([*:2])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:1] 0.000 claims 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 2
- YACKEPLHDIMKIO-UHFFFAOYSA-N methylphosphonic acid Chemical compound CP(O)(O)=O YACKEPLHDIMKIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-O phosphonium Chemical compound [PH4+] XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims 2
- WEAYCYAIVOIUMG-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-4-(4-methylphenyl)sulfonylbenzene Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(C)C=C1 WEAYCYAIVOIUMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XMUIKZODBRYDCK-UHFFFAOYSA-N 2,3,4,5,6,9-hexahydro-1h-1,4,7-triazonine Chemical compound C1CNCC=NCCN1 XMUIKZODBRYDCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims 1
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 claims 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims 1
- KZTYYGOKRVBIMI-UHFFFAOYSA-N diphenyl sulfone Chemical compound C=1C=CC=CC=1S(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 KZTYYGOKRVBIMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/02—Inorganic compounds
- C11D7/04—Water-soluble compounds
- C11D7/08—Acids
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/50—Solvents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
- C11D7/261—Alcohols; Phenols
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/34—Organic compounds containing sulfur
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/50—Solvents
- C11D7/5004—Organic solvents
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
- H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
- H01L21/02063—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers the processing being the formation of vias or contact holes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
- H01L21/02068—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/36—Organic compounds containing phosphorus
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Emergency Medicine (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
Abstract
1. Чистящая композиция для очистки микроэлектронных или наноэлектронных устройств, где чистящая композиция включает:HF в качестве единственной кислоты, отличающейся от фосфорной кислоты - ингибитора соединения в композиции;по меньшей мере один основной растворитель, выбранный из группы, состоящей из сульфонов и селенонов;по меньшей мере один полигидроксилалкильный или арильный спирт в качестве сорастворителя, имеющий центры, способные к комплексообразованию или связыванию с ионом металла;воду и,необязательно, по меньшей мере одно соединение фосфониевой кислоты, ингибирующего коррозию,причем указанная чистящая композиция не содержит амины, основания и другие соли и имеет рН≤5,5.2. Чистящая композиция по п.1, в которой основной растворитель выбирают из группы, состоящей из сульфолана, метилсульфона, этилсульфона, диметилсульфона, диэтилсульфона, дибутилсульфона, метилфенилсульфона, 2,2'-сульфонилдиэтанола, 4-(метилсульфонил)толуола, этилфенилсульфона, ди-п-толуилсульфона.3. Чистящая композиция по п.2, в которой по меньшей мере одним основным растворителем является сульфолан.4. Чистящая композиция по п.1, в которой по меньшей мере один сорастворитель, полигидроксильный алкильный или арильный спирт, выбирают из группы, состоящей из этиленгликоля, диэтиленгликоля, пропиленгликоля, бутиленгликоля, кахетола или пирогаллола.5. Чистящая композиция по п.4, в которой по меньшей мере одним сорастворителем полигидроксилалкильным или арильным спиртом является этилен-гликоль.6. Чистящая композиция по п.1, в которой, необязательно, присутствует по меньшей мере одно соединение фосфониевой кислоты, ингибирующего коррозию, вы
Claims (17)
1. Чистящая композиция для очистки микроэлектронных или наноэлектронных устройств, где чистящая композиция включает:
HF в качестве единственной кислоты, отличающейся от фосфорной кислоты - ингибитора соединения в композиции;
по меньшей мере один основной растворитель, выбранный из группы, состоящей из сульфонов и селенонов;
по меньшей мере один полигидроксилалкильный или арильный спирт в качестве сорастворителя, имеющий центры, способные к комплексообразованию или связыванию с ионом металла;
воду и,
необязательно, по меньшей мере одно соединение фосфониевой кислоты, ингибирующего коррозию,
причем указанная чистящая композиция не содержит амины, основания и другие соли и имеет рН≤5,5.
2. Чистящая композиция по п.1, в которой основной растворитель выбирают из группы, состоящей из сульфолана, метилсульфона, этилсульфона, диметилсульфона, диэтилсульфона, дибутилсульфона, метилфенилсульфона, 2,2'-сульфонилдиэтанола, 4-(метилсульфонил)толуола, этилфенилсульфона, ди-п-толуилсульфона.
3. Чистящая композиция по п.2, в которой по меньшей мере одним основным растворителем является сульфолан.
4. Чистящая композиция по п.1, в которой по меньшей мере один сорастворитель, полигидроксильный алкильный или арильный спирт, выбирают из группы, состоящей из этиленгликоля, диэтиленгликоля, пропиленгликоля, бутиленгликоля, кахетола или пирогаллола.
5. Чистящая композиция по п.4, в которой по меньшей мере одним сорастворителем полигидроксилалкильным или арильным спиртом является этилен-гликоль.
6. Чистящая композиция по п.1, в которой, необязательно, присутствует по меньшей мере одно соединение фосфониевой кислоты, ингибирующего коррозию, выбранное из группы, состоящей из аминотриметиленфосфониевой кислоты, диэтилентриаминпента(метиленфосфониевой кислоты) (DETPA), N,N,N',N'-этилендиаминтетра(метиленфосфоний)-1,5,9-триазациклододекан-N,N',N''-трис(метиленфосфониевой кислоты) (DOTRP), 1,4,7,10-тетраазациклододекан-N,N',N'',N'''-тетракис(метилфосфониевой кислоты) (DOTP), нитрилотрис(метилен)-трифосфониевой кислоты, диэтилентриаминпента(метиленфосфониевой кислоты) (DETAP), аминотри(метиленфосфониевой кислоты), 1-гидроксиэтилен-1,1-дифосфониевой кислоты, бис(гексаметилен)триаминфосфониевой кислоты и 1,4,7-триазациклононан-N,N',N"-трис(метиленфосфониевой кислоты) (NOTP).
7. Чистящая композиция по п.6, в которой соединением фосфониевой кислоты - ингибитором коррозии является аминотриметиленфосфониевая кислота.
8. Чистящая композиция по п.1, в которой по меньшей мере один основной растворитель выбран из группы, состоящей из сульфолана, метилсульфона, этилсульфона, диметилсульфона, диэтилсульфона, дибутилсульфона, метилфенилсульфона, 2,2'-сульфонилдиэтанола, 4-(метилсульфонил)толуола, этилфенилсульфона, ди-п-толуилсульфона, по меньшей мере один сорастворитель полигидроксилалкильный или арильный спирт выбран из группы, состоящей из этиленгликоля, диэтиленгликоля, пропиленгликоля, бутиленгликоля, кахетола или пирогаллола, и, необязательно, присутствует по меньшей мере один ингибитор коррозии - соединение фосфониевой кислоты, выбранное из группы, состоящей из аминотриметиленфосфониевой кислоты, диэтилентриаминпента(метилен-фосфониевой кислоты) (DETPA), N,N,N',N'-этилендиаминтетра (метиленфосфо-ний)-1,5,9-триазациклододекан-N,N',N''-трис(метиленфосфониевой кислоты) (DOTRP), 1,4,7,10-тетраазациклододекан-N,N',N'',N'''-тетракис(метилфосфониевой кислоты) (DOTP), нитрилотрис(метилен)-трифосфониевой кислоты, диэтилентриаминпента(метиленфосфониевой кислоты) (DETAP), аминотри(метилен-фосфониевой кислоты), 1-гидроксиэтилен-1,1-дифосфониевой кислоты, бис(гексаметилен)триаминфосфониевой кислоты и 1,4,7-триазациклононан-N,N',N''-трис(метиленфосфониевой кислоты) (NOTP).
9. Чистящая композиция по п.8, в которой по меньшей мере одним основным растворителем является сульфолан, по меньшей мере одним сорастворителем является этиленгликоль и соединением фосфониевой кислоты - ингибитором коррозии является аминотриметиленфосфониевая кислота.
10. Чистящая композиция по п.1, включающая от 0,01 до 10% HF, от примерно 20 до примерно 60% основного растворителя, примерно от 20 до 70% сорастворителя и от примерно 0,1 до примерно 40% воды, где проценты являются массовыми процентами в расчете на общую массу композиции.
11. Чистящая композиция по п.1, включающая от 0,01 до 10% HF, от примерно 20 до примерно 60% основного растворителя, примерно от 20 до 70% сорастворителя и от примерно 0,1 до примерно 40% воды и от примерно 0,01 до примерно 5% соединения фосфониевой кислоты, где проценты являются массовыми процентами в расчете на общую массу композиции.
12. Чистящая композиция по п.1, включающая от 0,01 до 10% HF, от примерно 20 до примерно 60% сульфолана, от примерно 20 до примерно 70% этиленгликоля и от примерно 0,1 до примерно 40% воды, где проценты являются массовыми процентами в расчете на общую массу композиции.
13. Чистящая композиция по п.1, включающая от 0,01 до 10% HF, примерно от 20 до 60% сульфолана, от примерно 20 до примерно 70% этиленгликоля, от примерно 0,1 до примерно 40% воды и от примерно 0,01 до примерно 5% аминотриметиленфосфониевой кислоты, где проценты являются массовыми процентами в расчете на общую массу композиции.
14. Чистящая композиция по п.1, включающая примерно 0,2% HF, примерно 36,4% сульфолана, примерно 45,4% этиленгликоля и примерно 18% воды, где проценты являются массовыми процентами в расчете на общую массу композиции.
15. Чистящая композиция согласно п.1, включающая примерно 0,2% HF, примерно 36,3% сульфолана, примерно 45,4% этиленгликоля, примерно 18% воды и примерно 0,1% аминотриметиленфосфониевой кислоты, где проценты являются массовыми процентами в расчете на общую массу композиции.
16. Способ очистки микроэлектронного или наноэлектронного устройства, включающий контактирование микроэлектронного или наноэлектронного устройства с чистящей композицией по любому одному из пп.1-15 в течение времени и при температуре, достаточных для удаления фоторезиста.
17. Способ согласно п.16, в котором очищаемое устройство имеет фоторезист, металлизацию медью, диэлектрик с низкой диэлектрической проницаемостью и по меньшей мере один другой элемент, выбранный из твердосплавного шаблона из Ti или TiN, антиотражающего покрытия или CoWP металлического защитного слоя.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US15530909P | 2009-02-25 | 2009-02-25 | |
US61/155,309 | 2009-02-25 | ||
PCT/US2010/020974 WO2010098899A1 (en) | 2009-02-25 | 2010-01-14 | Multipurpose acidic, organic solvent based microelectronic cleaning composition |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2011139104A true RU2011139104A (ru) | 2013-04-10 |
Family
ID=42077359
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2011139104/04A RU2011139104A (ru) | 2009-02-25 | 2010-01-14 | Чистящая композиция для микроэлектроники на основе многоцелевого кислотного органического растворителя |
Country Status (16)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8557757B2 (ru) |
EP (1) | EP2401655B1 (ru) |
JP (1) | JP2014132094A (ru) |
KR (1) | KR101831452B1 (ru) |
CN (1) | CN102334069B (ru) |
AU (1) | AU2010218426A1 (ru) |
BR (1) | BRPI1007989A2 (ru) |
CA (1) | CA2753399A1 (ru) |
IL (1) | IL214728A (ru) |
MX (1) | MX2011008787A (ru) |
MY (1) | MY152051A (ru) |
RU (1) | RU2011139104A (ru) |
SG (1) | SG173834A1 (ru) |
TW (1) | TWI500760B (ru) |
WO (1) | WO2010098899A1 (ru) |
ZA (1) | ZA201106933B (ru) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8754021B2 (en) | 2009-02-27 | 2014-06-17 | Advanced Technology Materials, Inc. | Non-amine post-CMP composition and method of use |
SG182081A1 (en) * | 2010-12-13 | 2012-07-30 | Rohm & Haas Elect Mat | Electrochemical etching of semiconductors |
CN103958640B (zh) * | 2011-10-21 | 2016-05-18 | 安格斯公司 | 无胺cmp后组合物及其使用方法 |
US8951950B2 (en) * | 2012-03-12 | 2015-02-10 | Ekc Technology | Aluminum post-etch residue removal with simultaneous surface passivation |
TW201713751A (zh) * | 2015-10-06 | 2017-04-16 | 聯華電子股份有限公司 | 酸槽補酸系統與方法 |
CN108251895A (zh) * | 2016-12-29 | 2018-07-06 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种氟化氢气相腐蚀设备及方法 |
CN115799063A (zh) * | 2023-01-31 | 2023-03-14 | 广州粤芯半导体技术有限公司 | 一种氧化物层的刻蚀方法 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3629124A (en) * | 1969-08-27 | 1971-12-21 | Monsanto Co | Bleaching sterilizing disinfecting and deterging compositions |
US4215005A (en) | 1978-01-30 | 1980-07-29 | Allied Chemical Corporation | Organic stripping compositions and method for using same |
US6368421B1 (en) | 1998-07-10 | 2002-04-09 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Composition for stripping photoresist and organic materials from substrate surfaces |
US6562726B1 (en) | 1999-06-29 | 2003-05-13 | Micron Technology, Inc. | Acid blend for removing etch residue |
US6531436B1 (en) | 2000-02-25 | 2003-03-11 | Shipley Company, L.L.C. | Polymer removal |
CN1282896C (zh) * | 2000-04-24 | 2006-11-01 | 日东电工株式会社 | 包含o型和e型偏光片的液晶显示器 |
WO2001081525A1 (fr) * | 2000-04-26 | 2001-11-01 | Daikin Industries, Ltd. | Composition de detergent |
CN1218222C (zh) | 2000-07-10 | 2005-09-07 | Ekc技术公司 | 用于清洁半导体设备上有机残余物和等离子蚀刻残余物的组合物 |
US6799589B2 (en) | 2000-11-08 | 2004-10-05 | Sony Corporation | Method and apparatus for wet-cleaning substrate |
CN102061228B (zh) * | 2002-06-07 | 2013-02-13 | 安万托特性材料股份有限公司 | 包含氧化剂和有机溶剂的微电子清洁组合物 |
AU2003240827A1 (en) * | 2002-06-07 | 2003-12-22 | Mallinckrodt Baker Inc. | Cleaning compositions for microelectronic substrates |
JP2004029346A (ja) | 2002-06-25 | 2004-01-29 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | レジスト剥離液組成物 |
US7166419B2 (en) * | 2002-09-26 | 2007-01-23 | Air Products And Chemicals, Inc. | Compositions substrate for removing etching residue and use thereof |
EP1664935B1 (en) * | 2003-08-19 | 2007-10-17 | Mallinckrodt Baker, Inc. | Stripping and cleaning compositions for microelectronics |
JP4620680B2 (ja) * | 2003-10-29 | 2011-01-26 | マリンクロッド・ベイカー・インコーポレイテッド | ハロゲン化金属の腐食阻害剤を含有するアルカリ性のプラズマエッチング/灰化後の残渣の除去剤およびフォトレジスト剥離組成物 |
CA2555665C (en) * | 2004-02-11 | 2012-10-02 | Mallinckrodt Baker Inc. | Microelectronic cleaning composition containing halogen oxygen acids, salts and derivatives thereof |
DE602005024772D1 (de) * | 2004-03-01 | 2010-12-30 | Mallinckrodt Baker Inc | Nanoelektronik- und mikroelektronik-reinigungsmittel |
ATE471537T1 (de) * | 2004-07-15 | 2010-07-15 | Mallinckrodt Baker Inc | Nichtwässrige mikroelektronische reinigungszusammensetzungen mit fructose |
JP2006041446A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-09 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 電子部品洗浄液 |
US8178482B2 (en) * | 2004-08-03 | 2012-05-15 | Avantor Performance Materials, Inc. | Cleaning compositions for microelectronic substrates |
KR20060064441A (ko) * | 2004-12-08 | 2006-06-13 | 말린크로트 베이커, 인코포레이티드 | 비수성 비부식성 마이크로전자 세정 조성물 |
WO2006065256A1 (en) * | 2004-12-10 | 2006-06-22 | Mallinckrodt Baker, Inc. | Non-aqueous, non-corrosive microelectronic cleaning compositions containing polymeric corrosion inhibitors |
TW200734482A (en) * | 2005-03-18 | 2007-09-16 | Applied Materials Inc | Electroless deposition process on a contact containing silicon or silicide |
KR101251594B1 (ko) * | 2006-03-23 | 2013-04-08 | 주식회사 동진쎄미켐 | 레지스트 스트리퍼 제거용 케미칼 린스 조성물 |
TW200916571A (en) * | 2007-08-02 | 2009-04-16 | Advanced Tech Materials | Non-fluoride containing composition for the removal of residue from a microelectronic device |
-
2010
- 2010-01-14 MY MYPI2011003956 patent/MY152051A/en unknown
- 2010-01-14 BR BRPI1007989A patent/BRPI1007989A2/pt not_active Application Discontinuation
- 2010-01-14 MX MX2011008787A patent/MX2011008787A/es active IP Right Grant
- 2010-01-14 KR KR1020117022263A patent/KR101831452B1/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-01-14 SG SG2011061033A patent/SG173834A1/en unknown
- 2010-01-14 CN CN2010800093059A patent/CN102334069B/zh active Active
- 2010-01-14 CA CA2753399A patent/CA2753399A1/en not_active Abandoned
- 2010-01-14 WO PCT/US2010/020974 patent/WO2010098899A1/en active Application Filing
- 2010-01-14 US US13/138,467 patent/US8557757B2/en active Active
- 2010-01-14 EP EP10704029.7A patent/EP2401655B1/en not_active Not-in-force
- 2010-01-14 AU AU2010218426A patent/AU2010218426A1/en not_active Abandoned
- 2010-01-14 RU RU2011139104/04A patent/RU2011139104A/ru unknown
- 2010-01-28 TW TW099102451A patent/TWI500760B/zh active
-
2011
- 2011-08-18 IL IL214728A patent/IL214728A/en not_active IP Right Cessation
- 2011-09-22 ZA ZA2011/06933A patent/ZA201106933B/en unknown
-
2014
- 2014-04-14 JP JP2014082906A patent/JP2014132094A/ja not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102334069A (zh) | 2012-01-25 |
IL214728A (en) | 2015-10-29 |
JP5730790B2 (ja) | 2015-06-10 |
AU2010218426A1 (en) | 2011-10-20 |
JP2014132094A (ja) | 2014-07-17 |
CA2753399A1 (en) | 2010-09-02 |
ZA201106933B (en) | 2012-05-30 |
TWI500760B (zh) | 2015-09-21 |
EP2401655B1 (en) | 2014-03-12 |
IL214728A0 (en) | 2011-11-30 |
CN102334069B (zh) | 2013-07-10 |
KR20110136820A (ko) | 2011-12-21 |
US8557757B2 (en) | 2013-10-15 |
MX2011008787A (es) | 2011-09-29 |
TW201035308A (en) | 2010-10-01 |
WO2010098899A1 (en) | 2010-09-02 |
BRPI1007989A2 (pt) | 2016-03-01 |
SG173834A1 (en) | 2011-09-29 |
EP2401655A1 (en) | 2012-01-04 |
KR101831452B1 (ko) | 2018-02-22 |
JP2012518715A (ja) | 2012-08-16 |
MY152051A (en) | 2014-08-15 |
US20110306534A1 (en) | 2011-12-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2011139104A (ru) | Чистящая композиция для микроэлектроники на основе многоцелевого кислотного органического растворителя | |
US20040137736A1 (en) | Aqueous phosphoric acid compositions for cleaning semiconductor devices | |
JP4272677B2 (ja) | ポリマー腐食阻害剤含有、非水性非腐食性マイクロエレクトロニクス洗浄組成物 | |
JP4208924B2 (ja) | 非水性、非腐食性マイクロエレクトロニクス洗浄組成物 | |
ES2345616T3 (es) | Composiciones de limpieza no acuosas para microelectronica que contienen fructosa. | |
WO2010091045A2 (en) | Non-fluoride containing composition for the removal of polymers and other organic material from a surface | |
JP6412143B2 (ja) | フォトレジスト除去用ストリッパー組成物およびこれを利用したフォトレジストの剥離方法 | |
RU2011149551A (ru) | Композиции для удаления резиста и способы изготовления электрических устройств | |
CN101755240A (zh) | 一种光刻胶清洗剂 | |
TWI500762B (zh) | 用於電子裝置之清潔液組成物 | |
CN103975052B (zh) | 具有铜/唑类聚合物抑制作用的微电子衬底清洁组合物 | |
US7393819B2 (en) | Ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compositions with improved substrate compatibility | |
WO2010060274A1 (zh) | 一种光刻胶清洗剂组合物 | |
US7799749B2 (en) | Stabilized, non-aqueous cleaning compositions for microelectronics substrates | |
RU2011139105A (ru) | Композиции для удаления фоторезиста для очистки ионно-имплантированного фоторезиста с пластин полупроводниковых устройств | |
KR101880305B1 (ko) | 전자재료용 세정액 조성물 | |
KR20130019729A (ko) | 평판표시장치용 세정액 조성물 및 평판표시장치의 세정 방법 | |
CN112470079A (zh) | 清洗方法 | |
WO2001078129A1 (en) | Inhibition of titanium corrosion | |
KR101880297B1 (ko) | 평판표시장치용 세정제 조성물 | |
JP2011516620A5 (ru) | ||
TW201741782A (zh) | 洗淨液及洗淨方法 | |
JP7395795B1 (ja) | 処理液およびその使用方法 | |
CN1920672B (zh) | 用于去除透明导电膜及光致抗蚀剂的剥离液组合物 | |
TWI434928B (zh) | Wash the liquid composition |