RU2009120030A - Способ изготовления и устройство для изготовления плазменной индикаторной панели - Google Patents
Способ изготовления и устройство для изготовления плазменной индикаторной панели Download PDFInfo
- Publication number
- RU2009120030A RU2009120030A RU2009120030/02A RU2009120030A RU2009120030A RU 2009120030 A RU2009120030 A RU 2009120030A RU 2009120030/02 A RU2009120030/02 A RU 2009120030/02A RU 2009120030 A RU2009120030 A RU 2009120030A RU 2009120030 A RU2009120030 A RU 2009120030A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- manufacturing
- mgo
- layer
- display panel
- plasma display
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/081—Oxides of aluminium, magnesium or beryllium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
- H01J11/10—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma
- H01J11/12—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma with main electrodes provided on both sides of the discharge space
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
- H01J11/20—Constructional details
- H01J11/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
- H01J11/40—Layers for protecting or enhancing the electron emission, e.g. MgO layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
1. Способ изготовления плазменной индикаторной панели (PDP), состоящей из передней подложки, включающей в себя сканирующий электрод, поддерживающий электрод, диэлектрический слой и защитный слой, и задней подложки, включающей в себя адресный электрод, барьерное ребро и фосфор, отличающийся тем, что способ изготовления содержит этапы, на которых: ! формируют, в качестве защитного слоя, пленку MgO, имеющую ориентацию (111), ! и тем, что слой MgO формируют методом осаждения из паровой фазы со скоростью осаждения, составляющей 280 Е /с или более. ! 2. Способ изготовления плазменной индикаторной панели по п.1, отличающийся тем, что слой MgO формируют методом осаждения из паровой фазы при температуре подложки, составляющей 120°С или менее. ! 3. Способ изготовления плазменной индикаторной панели по п.2, отличающийся тем, что слой MgO формируют при давлении осаждения, составляющем от 0,02 до 0,06 Па. ! 4. Способ изготовления плазменной индикаторной панели по п.2, отличающийся тем, что при формировании слоя MgO угол падения MgO относительно передней подложки составляет 30° или менее. ! 5. Устройство для изготовления плазменной индикаторной панели, состоящей из сканирующего электрода, поддерживающего электрода, диэлектрического слоя и защитного слоя, отличающееся тем, что содержит средство формирования, в качестве защитного слоя, слоя MgO, имеющего ориентацию (111), и тем, что средство осаждает слой MgO со скоростью осаждения, составляющей 280 Е/с или более. ! 6. Устройство для изготовления плазменной индикаторной панели по п.5, отличающееся тем, что слой MgO может быть нанесен при температуре подложки, составляющей 120°С или менее. ! 7. Устройство для изготовлен�
Claims (8)
1. Способ изготовления плазменной индикаторной панели (PDP), состоящей из передней подложки, включающей в себя сканирующий электрод, поддерживающий электрод, диэлектрический слой и защитный слой, и задней подложки, включающей в себя адресный электрод, барьерное ребро и фосфор, отличающийся тем, что способ изготовления содержит этапы, на которых:
формируют, в качестве защитного слоя, пленку MgO, имеющую ориентацию (111),
и тем, что слой MgO формируют методом осаждения из паровой фазы со скоростью осаждения, составляющей 280 Е /с или более.
2. Способ изготовления плазменной индикаторной панели по п.1, отличающийся тем, что слой MgO формируют методом осаждения из паровой фазы при температуре подложки, составляющей 120°С или менее.
3. Способ изготовления плазменной индикаторной панели по п.2, отличающийся тем, что слой MgO формируют при давлении осаждения, составляющем от 0,02 до 0,06 Па.
4. Способ изготовления плазменной индикаторной панели по п.2, отличающийся тем, что при формировании слоя MgO угол падения MgO относительно передней подложки составляет 30° или менее.
5. Устройство для изготовления плазменной индикаторной панели, состоящей из сканирующего электрода, поддерживающего электрода, диэлектрического слоя и защитного слоя, отличающееся тем, что содержит средство формирования, в качестве защитного слоя, слоя MgO, имеющего ориентацию (111), и тем, что средство осаждает слой MgO со скоростью осаждения, составляющей 280 Е/с или более.
6. Устройство для изготовления плазменной индикаторной панели по п.5, отличающееся тем, что слой MgO может быть нанесен при температуре подложки, составляющей 120°С или менее.
7. Устройство для изготовления плазменной индикаторной панели по п.6, отличающееся тем, что слой MgO формируют при давлении осаждения, составляющем от 0,02 до 0,06 Па.
8. Устройство для изготовления плазменной индикаторной панели по п.6, отличающееся тем, что при формировании слоя MgO угол падения MgO относительно передней подложки составляет 30° или менее.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006-292962 | 2006-10-27 | ||
JP2006292962 | 2006-10-27 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2009120030A true RU2009120030A (ru) | 2010-12-10 |
RU2425174C2 RU2425174C2 (ru) | 2011-07-27 |
Family
ID=39324460
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2009120030/02A RU2425174C2 (ru) | 2006-10-27 | 2007-10-18 | Способ изготовления и устройство для изготовления плазменной индикаторной панели |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP2093306B1 (ru) |
JP (1) | JP5078903B2 (ru) |
KR (1) | KR101168180B1 (ru) |
CN (1) | CN101522939A (ru) |
RU (1) | RU2425174C2 (ru) |
WO (1) | WO2008050662A1 (ru) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5202250B2 (ja) * | 2008-11-26 | 2013-06-05 | 株式会社アルバック | 成膜装置、成膜方法 |
RU2442842C2 (ru) * | 2010-02-25 | 2012-02-20 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Северо-Осетинский государственный университет имени Коста Левановича Хетагурова" | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОРАЗМЕРНОЙ ПЛЕНКИ MgO (111) НА МЕТАЛЛИЧЕСКОЙ ПОДЛОЖКЕ |
JPWO2011122411A1 (ja) * | 2010-03-29 | 2013-07-08 | 株式会社アルバック | スパッタ装置 |
JP6068491B2 (ja) * | 2011-11-08 | 2017-01-25 | インテヴァック インコーポレイテッド | 基板処理システムおよび基板処理方法 |
JP6196078B2 (ja) * | 2012-10-18 | 2017-09-13 | 株式会社アルバック | 成膜装置 |
US9856578B2 (en) | 2013-09-18 | 2018-01-02 | Solar-Tectic, Llc | Methods of producing large grain or single crystal films |
CN111748786A (zh) | 2015-12-17 | 2020-10-09 | 株式会社爱发科 | 真空处理装置 |
CN108884561B (zh) | 2016-11-02 | 2019-08-06 | 株式会社爱发科 | 真空处理装置 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3149249B2 (ja) * | 1992-02-25 | 2001-03-26 | 富士通株式会社 | Ac型プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
JP3207842B2 (ja) * | 1992-02-25 | 2001-09-10 | 富士通株式会社 | Ac型プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
JPH0618908A (ja) * | 1992-07-02 | 1994-01-28 | Ricoh Co Ltd | 液晶表示装置 |
JP3080515B2 (ja) * | 1993-06-11 | 2000-08-28 | キヤノン株式会社 | ロール・ツー・ロール型マイクロ波プラズマcvd装置 |
JPH07252643A (ja) * | 1994-03-15 | 1995-10-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 蒸着方法および真空蒸着装置 |
JP2663909B2 (ja) | 1995-04-11 | 1997-10-15 | 日本電気株式会社 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
JPH1018026A (ja) * | 1996-07-04 | 1998-01-20 | Ulvac Japan Ltd | 酸化物膜の作製方法 |
JPH10106441A (ja) | 1996-10-02 | 1998-04-24 | Fujitsu Ltd | プラズマディスプレイパネル |
JP3906536B2 (ja) * | 1997-11-14 | 2007-04-18 | 松下電器産業株式会社 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
JPH11213869A (ja) * | 1998-01-21 | 1999-08-06 | Asahi Glass Co Ltd | 交流型プラズマディスプレイパネルの保護膜の形成方法ならびにその装置 |
JP4570232B2 (ja) * | 2000-10-20 | 2010-10-27 | 株式会社アルバック | プラズマディスプレイ保護膜形成装置および保護膜形成方法 |
JP4242114B2 (ja) * | 2002-06-05 | 2009-03-18 | 株式会社アルバック | 蒸着被膜の形成方法 |
JP2004095233A (ja) * | 2002-08-29 | 2004-03-25 | Mitsubishi Materials Corp | 有機elディスプレイ吸湿膜およびその製造方法 |
JP2005113202A (ja) * | 2003-10-08 | 2005-04-28 | Mitsubishi Shoji Plast Kk | プラズマcvd成膜装置 |
JP4457809B2 (ja) * | 2004-08-25 | 2010-04-28 | パナソニック株式会社 | 真空成膜装置 |
JP4977143B2 (ja) * | 2006-09-22 | 2012-07-18 | 株式会社アルバック | 真空処理装置 |
-
2007
- 2007-10-18 EP EP07830048.0A patent/EP2093306B1/en not_active Not-in-force
- 2007-10-18 JP JP2008540957A patent/JP5078903B2/ja active Active
- 2007-10-18 CN CNA2007800338177A patent/CN101522939A/zh active Pending
- 2007-10-18 KR KR1020097003493A patent/KR101168180B1/ko active IP Right Grant
- 2007-10-18 WO PCT/JP2007/070314 patent/WO2008050662A1/ja active Application Filing
- 2007-10-18 RU RU2009120030/02A patent/RU2425174C2/ru not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20090038913A (ko) | 2009-04-21 |
EP2093306A1 (en) | 2009-08-26 |
EP2093306B1 (en) | 2017-11-29 |
CN101522939A (zh) | 2009-09-02 |
JP5078903B2 (ja) | 2012-11-21 |
WO2008050662A1 (en) | 2008-05-02 |
RU2425174C2 (ru) | 2011-07-27 |
EP2093306A4 (en) | 2010-03-03 |
KR101168180B1 (ko) | 2012-07-24 |
JPWO2008050662A1 (ja) | 2010-02-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2009120030A (ru) | Способ изготовления и устройство для изготовления плазменной индикаторной панели | |
WO2009066424A1 (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
JP2009071291A5 (ru) | ||
SG165307A1 (en) | Glass substrate for electronic device and method of producing electronic device | |
TW200743830A (en) | PDP filter having multi-layer thin film and method of manufacturing the same | |
WO2012093807A3 (ko) | 내지문 코팅 방법 및 장치 | |
WO2008081805A1 (ja) | 配線膜の形成方法、トランジスタ、及び電子装置 | |
TW200720452A (en) | Siox:si sputtering targets and method of making and using such targets | |
TW200732489A (en) | Sputtering device and method for manufacturing film | |
CN103606535A (zh) | 软性显示器组件的制作方法及其制作的软性显示器组件 | |
MY148663A (en) | Glass article having a zinc oxide coating and method for making same | |
WO2008129775A1 (ja) | プラズマディスプレイパネルとその製造方法 | |
WO2009075072A1 (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
JP2010001535A (ja) | ガスバリア膜の形成方法およびガスバリア膜 | |
TW201411724A (zh) | 透明導電膜及其製造方法 | |
JP2011153373A5 (ja) | 薄膜形成装置 | |
WO2009066427A1 (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
US20120125803A1 (en) | Device housing and method for making the same | |
ATE512454T1 (de) | Plasmaanzeigetafel | |
WO2012093808A3 (ko) | 내지문 코팅 방법 및 장치 | |
WO2008117605A1 (ja) | 大面積透明導電膜およびその製造方法 | |
Kang et al. | Effects of Sn concentration on ultrathin ITO films deposited using DC magnetron sputtering | |
TW200614861A (en) | Image display unit and production method for the same | |
WO2009066426A1 (ja) | プラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
CN107689430A (zh) | 柔性oled面板的制作方法及柔性oled面板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20191019 |