RU2009120030A - Способ изготовления и устройство для изготовления плазменной индикаторной панели - Google Patents

Способ изготовления и устройство для изготовления плазменной индикаторной панели Download PDF

Info

Publication number
RU2009120030A
RU2009120030A RU2009120030/02A RU2009120030A RU2009120030A RU 2009120030 A RU2009120030 A RU 2009120030A RU 2009120030/02 A RU2009120030/02 A RU 2009120030/02A RU 2009120030 A RU2009120030 A RU 2009120030A RU 2009120030 A RU2009120030 A RU 2009120030A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
manufacturing
mgo
layer
display panel
plasma display
Prior art date
Application number
RU2009120030/02A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2425174C2 (ru
Inventor
Эйити ИИДЗИМА (JP)
Эйити ИИДЗИМА
Мунето ХАКОМОРИ (JP)
Мунето ХАКОМОРИ
Original Assignee
Улвак, Инк. (Jp)
Улвак, Инк.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Улвак, Инк. (Jp), Улвак, Инк. filed Critical Улвак, Инк. (Jp)
Publication of RU2009120030A publication Critical patent/RU2009120030A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2425174C2 publication Critical patent/RU2425174C2/ru

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08Oxides
    • C23C14/081Oxides of aluminium, magnesium or beryllium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08Oxides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/568Transferring the substrates through a series of coating stations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/10AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma
    • H01J11/12AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma with main electrodes provided on both sides of the discharge space
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/20Constructional details
    • H01J11/34Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
    • H01J11/40Layers for protecting or enhancing the electron emission, e.g. MgO layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02Manufacture of electrodes or electrode systems

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

1. Способ изготовления плазменной индикаторной панели (PDP), состоящей из передней подложки, включающей в себя сканирующий электрод, поддерживающий электрод, диэлектрический слой и защитный слой, и задней подложки, включающей в себя адресный электрод, барьерное ребро и фосфор, отличающийся тем, что способ изготовления содержит этапы, на которых: ! формируют, в качестве защитного слоя, пленку MgO, имеющую ориентацию (111), ! и тем, что слой MgO формируют методом осаждения из паровой фазы со скоростью осаждения, составляющей 280 Е /с или более. ! 2. Способ изготовления плазменной индикаторной панели по п.1, отличающийся тем, что слой MgO формируют методом осаждения из паровой фазы при температуре подложки, составляющей 120°С или менее. ! 3. Способ изготовления плазменной индикаторной панели по п.2, отличающийся тем, что слой MgO формируют при давлении осаждения, составляющем от 0,02 до 0,06 Па. ! 4. Способ изготовления плазменной индикаторной панели по п.2, отличающийся тем, что при формировании слоя MgO угол падения MgO относительно передней подложки составляет 30° или менее. ! 5. Устройство для изготовления плазменной индикаторной панели, состоящей из сканирующего электрода, поддерживающего электрода, диэлектрического слоя и защитного слоя, отличающееся тем, что содержит средство формирования, в качестве защитного слоя, слоя MgO, имеющего ориентацию (111), и тем, что средство осаждает слой MgO со скоростью осаждения, составляющей 280 Е/с или более. ! 6. Устройство для изготовления плазменной индикаторной панели по п.5, отличающееся тем, что слой MgO может быть нанесен при температуре подложки, составляющей 120°С или менее. ! 7. Устройство для изготовлен�

Claims (8)

1. Способ изготовления плазменной индикаторной панели (PDP), состоящей из передней подложки, включающей в себя сканирующий электрод, поддерживающий электрод, диэлектрический слой и защитный слой, и задней подложки, включающей в себя адресный электрод, барьерное ребро и фосфор, отличающийся тем, что способ изготовления содержит этапы, на которых:
формируют, в качестве защитного слоя, пленку MgO, имеющую ориентацию (111),
и тем, что слой MgO формируют методом осаждения из паровой фазы со скоростью осаждения, составляющей 280 Е /с или более.
2. Способ изготовления плазменной индикаторной панели по п.1, отличающийся тем, что слой MgO формируют методом осаждения из паровой фазы при температуре подложки, составляющей 120°С или менее.
3. Способ изготовления плазменной индикаторной панели по п.2, отличающийся тем, что слой MgO формируют при давлении осаждения, составляющем от 0,02 до 0,06 Па.
4. Способ изготовления плазменной индикаторной панели по п.2, отличающийся тем, что при формировании слоя MgO угол падения MgO относительно передней подложки составляет 30° или менее.
5. Устройство для изготовления плазменной индикаторной панели, состоящей из сканирующего электрода, поддерживающего электрода, диэлектрического слоя и защитного слоя, отличающееся тем, что содержит средство формирования, в качестве защитного слоя, слоя MgO, имеющего ориентацию (111), и тем, что средство осаждает слой MgO со скоростью осаждения, составляющей 280 Е/с или более.
6. Устройство для изготовления плазменной индикаторной панели по п.5, отличающееся тем, что слой MgO может быть нанесен при температуре подложки, составляющей 120°С или менее.
7. Устройство для изготовления плазменной индикаторной панели по п.6, отличающееся тем, что слой MgO формируют при давлении осаждения, составляющем от 0,02 до 0,06 Па.
8. Устройство для изготовления плазменной индикаторной панели по п.6, отличающееся тем, что при формировании слоя MgO угол падения MgO относительно передней подложки составляет 30° или менее.
RU2009120030/02A 2006-10-27 2007-10-18 Способ изготовления и устройство для изготовления плазменной индикаторной панели RU2425174C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006-292962 2006-10-27
JP2006292962 2006-10-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2009120030A true RU2009120030A (ru) 2010-12-10
RU2425174C2 RU2425174C2 (ru) 2011-07-27

Family

ID=39324460

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2009120030/02A RU2425174C2 (ru) 2006-10-27 2007-10-18 Способ изготовления и устройство для изготовления плазменной индикаторной панели

Country Status (6)

Country Link
EP (1) EP2093306B1 (ru)
JP (1) JP5078903B2 (ru)
KR (1) KR101168180B1 (ru)
CN (1) CN101522939A (ru)
RU (1) RU2425174C2 (ru)
WO (1) WO2008050662A1 (ru)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5202250B2 (ja) * 2008-11-26 2013-06-05 株式会社アルバック 成膜装置、成膜方法
RU2442842C2 (ru) * 2010-02-25 2012-02-20 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Северо-Осетинский государственный университет имени Коста Левановича Хетагурова" СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОРАЗМЕРНОЙ ПЛЕНКИ MgO (111) НА МЕТАЛЛИЧЕСКОЙ ПОДЛОЖКЕ
JPWO2011122411A1 (ja) * 2010-03-29 2013-07-08 株式会社アルバック スパッタ装置
JP6068491B2 (ja) * 2011-11-08 2017-01-25 インテヴァック インコーポレイテッド 基板処理システムおよび基板処理方法
JP6196078B2 (ja) * 2012-10-18 2017-09-13 株式会社アルバック 成膜装置
US9856578B2 (en) 2013-09-18 2018-01-02 Solar-Tectic, Llc Methods of producing large grain or single crystal films
CN111748786A (zh) 2015-12-17 2020-10-09 株式会社爱发科 真空处理装置
CN108884561B (zh) 2016-11-02 2019-08-06 株式会社爱发科 真空处理装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3149249B2 (ja) * 1992-02-25 2001-03-26 富士通株式会社 Ac型プラズマディスプレイパネル及びその製造方法
JP3207842B2 (ja) * 1992-02-25 2001-09-10 富士通株式会社 Ac型プラズマディスプレイパネルの製造方法
JPH0618908A (ja) * 1992-07-02 1994-01-28 Ricoh Co Ltd 液晶表示装置
JP3080515B2 (ja) * 1993-06-11 2000-08-28 キヤノン株式会社 ロール・ツー・ロール型マイクロ波プラズマcvd装置
JPH07252643A (ja) * 1994-03-15 1995-10-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 蒸着方法および真空蒸着装置
JP2663909B2 (ja) 1995-04-11 1997-10-15 日本電気株式会社 プラズマディスプレイパネルの製造方法
JPH1018026A (ja) * 1996-07-04 1998-01-20 Ulvac Japan Ltd 酸化物膜の作製方法
JPH10106441A (ja) 1996-10-02 1998-04-24 Fujitsu Ltd プラズマディスプレイパネル
JP3906536B2 (ja) * 1997-11-14 2007-04-18 松下電器産業株式会社 プラズマディスプレイパネルの製造方法
JPH11213869A (ja) * 1998-01-21 1999-08-06 Asahi Glass Co Ltd 交流型プラズマディスプレイパネルの保護膜の形成方法ならびにその装置
JP4570232B2 (ja) * 2000-10-20 2010-10-27 株式会社アルバック プラズマディスプレイ保護膜形成装置および保護膜形成方法
JP4242114B2 (ja) * 2002-06-05 2009-03-18 株式会社アルバック 蒸着被膜の形成方法
JP2004095233A (ja) * 2002-08-29 2004-03-25 Mitsubishi Materials Corp 有機elディスプレイ吸湿膜およびその製造方法
JP2005113202A (ja) * 2003-10-08 2005-04-28 Mitsubishi Shoji Plast Kk プラズマcvd成膜装置
JP4457809B2 (ja) * 2004-08-25 2010-04-28 パナソニック株式会社 真空成膜装置
JP4977143B2 (ja) * 2006-09-22 2012-07-18 株式会社アルバック 真空処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090038913A (ko) 2009-04-21
EP2093306A1 (en) 2009-08-26
EP2093306B1 (en) 2017-11-29
CN101522939A (zh) 2009-09-02
JP5078903B2 (ja) 2012-11-21
WO2008050662A1 (en) 2008-05-02
RU2425174C2 (ru) 2011-07-27
EP2093306A4 (en) 2010-03-03
KR101168180B1 (ko) 2012-07-24
JPWO2008050662A1 (ja) 2010-02-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2009120030A (ru) Способ изготовления и устройство для изготовления плазменной индикаторной панели
WO2009066424A1 (ja) プラズマディスプレイパネル
JP2009071291A5 (ru)
SG165307A1 (en) Glass substrate for electronic device and method of producing electronic device
TW200743830A (en) PDP filter having multi-layer thin film and method of manufacturing the same
WO2012093807A3 (ko) 내지문 코팅 방법 및 장치
WO2008081805A1 (ja) 配線膜の形成方法、トランジスタ、及び電子装置
TW200720452A (en) Siox:si sputtering targets and method of making and using such targets
TW200732489A (en) Sputtering device and method for manufacturing film
CN103606535A (zh) 软性显示器组件的制作方法及其制作的软性显示器组件
MY148663A (en) Glass article having a zinc oxide coating and method for making same
WO2008129775A1 (ja) プラズマディスプレイパネルとその製造方法
WO2009075072A1 (ja) プラズマディスプレイパネル
JP2010001535A (ja) ガスバリア膜の形成方法およびガスバリア膜
TW201411724A (zh) 透明導電膜及其製造方法
JP2011153373A5 (ja) 薄膜形成装置
WO2009066427A1 (ja) プラズマディスプレイパネル
US20120125803A1 (en) Device housing and method for making the same
ATE512454T1 (de) Plasmaanzeigetafel
WO2012093808A3 (ko) 내지문 코팅 방법 및 장치
WO2008117605A1 (ja) 大面積透明導電膜およびその製造方法
Kang et al. Effects of Sn concentration on ultrathin ITO films deposited using DC magnetron sputtering
TW200614861A (en) Image display unit and production method for the same
WO2009066426A1 (ja) プラズマディスプレイパネルの製造方法
CN107689430A (zh) 柔性oled面板的制作方法及柔性oled面板

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20191019