RU2005132409A - Светоизлучающее устройство и способ его изготовления - Google Patents

Светоизлучающее устройство и способ его изготовления Download PDF

Info

Publication number
RU2005132409A
RU2005132409A RU2005132409/28A RU2005132409A RU2005132409A RU 2005132409 A RU2005132409 A RU 2005132409A RU 2005132409/28 A RU2005132409/28 A RU 2005132409/28A RU 2005132409 A RU2005132409 A RU 2005132409A RU 2005132409 A RU2005132409 A RU 2005132409A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
specified
cover element
semiconductor crystal
cavity
shape
Prior art date
Application number
RU2005132409/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Владимир АБРАМОВ (RU)
Владимир Абрамов
Дмитрий Агафонов (RU)
Дмитрий Агафонов
Александр ШИШОВ (RU)
Александр ШИШОВ
Валентин Щербаков (RU)
Валентин Щербаков
Николай ЩЕРБАКОВ (RU)
Николай Щербаков
Original Assignee
Акол Текнолоджис С.А. (Ch)
Акол Текнолоджис С.А.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Акол Текнолоджис С.А. (Ch), Акол Текнолоджис С.А. filed Critical Акол Текнолоджис С.А. (Ch)
Publication of RU2005132409A publication Critical patent/RU2005132409A/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48471—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area being a ball bond, i.e. wedge-to-ball, reverse stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Claims (26)

1. Светоизлучающее устройство, отличающееся тем, что оно содержит покровный элемент, по меньшей мере один светоизлучающий полупроводник, элемент основания и люминофорный состав, перемешанный и равномерно распределенный в мягком и пластичном связующем материале, причем покровный элемент и элемент основания совместно формируют полость, в которой размещен указанный по меньшей мере один светоизлучающий полупроводник, а также люминофор и связующее.
2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что покровный элемент содержит твердый оптически прозрачный пластик, такой как поликарбонат.
3. Устройство по п.2, отличающееся тем, что покровный элемент является формованным изделием.
4. Устройство по п.3, отличающееся тем, что покровный элемент прикреплен к указанному элементу основания.
5. Устройство по п.3, отличающееся тем, что покровный элемент содержит линзу, отражатель, нижнюю поверхность и средства позиционирования.
6. Устройство по п.5, отличающееся тем, что указанная линза образована поверхностью раздела воздух/пластмасса сферической формы.
7. Устройство по п.5, отличающееся тем, что указанная линза является линзой дифракционного типа, такой как линза Френеля.
8. Устройство по п.5, отличающееся тем, что указанный отражатель образован поверхностью вращения, имеющей осевую симметрию.
9. Устройство по п.8, отличающееся тем, что указанная поверхность вращения является конусообразной секцией.
10. Устройство по п.9, отличающееся тем, что указанный отражатель образован металлической пленкой, размещенной на поверхности покровного элемента.
11. Устройство по п.9, отличающееся тем, что указанный отражатель характеризуется полным внутренним отражением.
12. Устройство по п.8, отличающееся тем, что указанный отражатель расположен концентрически с указанной линзой и указанной нижней поверхностью.
13. Устройство по п.5, отличающееся тем, что указанная нижняя поверхность покровного элемента и указанный элемент основания совместно образуют полость, имеющую форму, соответствующую форме пространства, занятого указанным по меньшей мере одним указанным полупроводником.
14. Устройство по п.5, отличающееся тем, что указанная нижняя поверхность формирует вогнутое пространство размещения гелеобразного материала.
15. Устройство по п.14, отличающееся тем, что указанная нижняя поверхность соединена с указанным элементом основания с образованием закрытой полости.
16. Устройство по п.5, отличающееся тем, что указанные средства позиционирования установлены с возможностью совмещение относительно друг друга указанных покровного элемента и элемента основания.
17. Устройство по п.5, отличающееся тем, что оно содержит группу полупроводников, пространственно удаленных друг от друга с образованием диодной матрицы.
18. Устройство по п.17, отличающееся тем, что указанная нижняя поверхность и элемент основания совместно образуют полость, имеющую форму, соответствующую форме пространства заполненного группой полупроводников.
19. Устройство по п.17, отличающееся тем, что по меньшей мере два из указанных полупроводников имеют излучение света различных длин волн.
20. Устройство по п.17, отличающееся тем, что диоды расположены с осевой симметрией на в основном плоском участке.
21. Способ изготовления светоизлучающего устройства, отличающийся тем, что формируют из прозрачного пластика покровный элемент, имеющий нижнюю поверхность, образующую часть полости с формой, соответствующей полупроводниковому кристаллу, соединяют по меньшей мере один полупроводниковый кристалл и подложку с образованием электрического соединения, формируют второй электрический контакт в верхней части указанного кристалла, подготавливают мягкий пластичный или гелеобразный материал, частично содержащий люминофор или подобный люминофору состав, затем размещают указанный материал между указанными полупроводниковым кристаллом и покровным элементом, и прижимают покровный элемент на указанной подложке с размещением указанного материала в указанной полости с приданием ему ее формы и непосредственным контактом с покровным элементом и полупроводниковым кристаллом.
22. Способ по п.21, отличающийся тем, что покровный элемент формируют из твердого пластика, такого как поликарбонат.
23. Способы по п.22, отличающееся тем, что покровный элемент формируют посредством формования.
24. Способ по п.21, отличающийся тем, что формируют нижнюю поверхность покровного элемента соответствующую по форме области, занятой по меньшей мере одним полупроводниковым кристаллом, посредством чего при установке покровного элемента на полупроводниковый кристалл образуют полость с подобной формой.
25. Способ по п.21, отличающийся тем, что при установке покровного элемента на подложке используют средства позиционирования и механического крепления, посредством чего покровный элемент плотно прикрепляют к указанной подложке выровненным относительно нее.
26. Способ по п.25, отличающийся тем, что указанный мягкий пластичный или гелеобразный материал зажимают между нижней поверхностью покровного элемента и подложкой с присоединенным полупроводниковым кристаллом с обеспечением оптического контакта указанного материала с полупроводниковым кристаллом и указанной нижней поверхностью.
RU2005132409/28A 2003-03-20 2004-02-11 Светоизлучающее устройство и способ его изготовления RU2005132409A (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/393,337 2003-03-20
US10/393,337 US20040183081A1 (en) 2003-03-20 2003-03-20 Light emitting diode package with self dosing feature and methods of forming same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2005132409A true RU2005132409A (ru) 2006-02-27

Family

ID=32988128

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2005132409/28A RU2005132409A (ru) 2003-03-20 2004-02-11 Светоизлучающее устройство и способ его изготовления

Country Status (6)

Country Link
US (2) US20040183081A1 (ru)
EP (1) EP1604408A2 (ru)
CN (1) CN1799148A (ru)
CA (1) CA2519080A1 (ru)
RU (1) RU2005132409A (ru)
WO (1) WO2004084316A2 (ru)

Families Citing this family (78)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1605524B1 (en) * 2003-03-18 2010-06-30 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Light emitting element mounting member, and semiconductor device using the same
EP1678442B8 (en) 2003-10-31 2013-06-26 Phoseon Technology, Inc. Led light module and manufacturing method
WO2005091392A1 (en) 2004-03-18 2005-09-29 Phoseon Technology, Inc. Micro-reflectors on a substrate for high-density led array
US7534633B2 (en) 2004-07-02 2009-05-19 Cree, Inc. LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same
DE102004051379A1 (de) * 2004-08-23 2006-03-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Vorrichtung für ein optoelektronisches Bauteil und Bauelement mit einem optoelektronischen Bauteil und einer Vorrichtung
US20060044806A1 (en) * 2004-08-25 2006-03-02 Abramov Vladimir S Light emitting diode system packages
JP3875247B2 (ja) * 2004-09-27 2007-01-31 株式会社エンプラス 発光装置、面光源装置、表示装置及び光束制御部材
DE102004047640A1 (de) * 2004-09-30 2006-04-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Gehäuse für ein optoelektronisches Bauelement
DE102004056252A1 (de) * 2004-10-29 2006-05-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungseinrichtung, Kfz-Scheinwerfer und Verfahren zur Herstellung einer Beleuchtungseinrichtung
US7419839B2 (en) * 2004-11-12 2008-09-02 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Bonding an optical element to a light emitting device
WO2006089450A2 (de) * 2005-02-28 2006-08-31 Lucea Ag Wey & Spiess Treuhand- Und Revisionsgesellschaft Lichtquelle
DE102005033709B4 (de) * 2005-03-16 2021-12-16 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Lichtemittierendes Modul
WO2006109113A2 (en) * 2005-04-12 2006-10-19 Acol Technologies Sa Primary optic for a light emitting diode
WO2006111805A1 (en) * 2005-04-16 2006-10-26 Acol Technologies Sa Optical light source having displaced axes
KR20060132298A (ko) * 2005-06-17 2006-12-21 삼성전기주식회사 발광소자 패키지
US20070080364A1 (en) * 2005-10-06 2007-04-12 Bear Hsiung White light emitting device capable of adjusting color temperature
JP4945112B2 (ja) * 2005-10-28 2012-06-06 スタンレー電気株式会社 Ｌｅｄ照明装置
US7808004B2 (en) * 2006-03-17 2010-10-05 Edison Opto Corporation Light emitting diode package structure and method of manufacturing the same
JP2009530841A (ja) * 2006-03-21 2009-08-27 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 発光ダイオードモジュール及びこのようなｌｅｄモジュールの製造方法
KR100799864B1 (ko) * 2006-04-21 2008-01-31 삼성전기주식회사 Ｌｅｄ 패키지
JP2009535784A (ja) 2006-05-02 2009-10-01 スーパーバルブス・インコーポレイテッド Ｌｅｄ電球用熱除去設計
EA200870494A1 (ru) * 2006-05-02 2009-06-30 Супербалбс, Инк. Пластмассовая светодиодная лампа
EP2013919A2 (en) 2006-05-02 2009-01-14 Superbulbs, Inc. Method of light dispersion and preferential scattering of certain wavelengths of light for light-emitting diodes and bulbs constructed therefrom
US7804147B2 (en) * 2006-07-31 2010-09-28 Cree, Inc. Light emitting diode package element with internal meniscus for bubble free lens placement
US20080029720A1 (en) 2006-08-03 2008-02-07 Intematix Corporation LED lighting arrangement including light emitting phosphor
KR100774218B1 (ko) * 2006-09-28 2007-11-08 엘지전자 주식회사 렌즈, 그 제조방법 및 발광 소자 패키지
US7769066B2 (en) 2006-11-15 2010-08-03 Cree, Inc. Laser diode and method for fabricating same
TWI320608B (en) * 2006-12-06 2010-02-11 Chipmos Technologies Inc Light emitting chip package and light source module
US7834367B2 (en) 2007-01-19 2010-11-16 Cree, Inc. Low voltage diode with reduced parasitic resistance and method for fabricating
DE102007006349A1 (de) * 2007-01-25 2008-07-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anordnung zur Erzeugung von Mischlicht und Verfahren zur Herstellung einer solchen Anordnung
DE102007004807A1 (de) * 2007-01-31 2008-08-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Licht emittierende Einrichtung mit optischem Körper
TW200839378A (en) * 2007-03-21 2008-10-01 Chi Mei Optoelectronics Corp Light emitting element, backlight module and plane display apparatus
WO2009045438A1 (en) 2007-10-03 2009-04-09 Superbulbs, Inc. Glass led light bulbs
US9012937B2 (en) 2007-10-10 2015-04-21 Cree, Inc. Multiple conversion material light emitting diode package and method of fabricating same
KR20100110770A (ko) 2007-10-24 2010-10-13 슈퍼불브스, 인크. Ｌｅｄ 광원용 확산기
JP2009206246A (ja) * 2008-02-27 2009-09-10 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置
US20120092853A1 (en) * 2009-06-23 2012-04-19 Koito Manufacturing Co., Ltd. Light emitting module
DE102010006465A1 (de) * 2010-02-01 2011-08-04 Vossloh-Schwabe Optoelectronic GmbH & Co. KG, 47475 LED-Baueinheit mit gehäuseintegrierten Linsen
CN102155635A (zh) * 2010-02-11 2011-08-17 亿光电子工业股份有限公司 发光二极管模组
KR101055383B1 (ko) * 2010-03-15 2011-08-08 (주)포인트엔지니어링 광소자 디바이스 및 그 제조 방법
CN101894897A (zh) * 2010-06-13 2010-11-24 东南大学 发光二极管的高性能玻璃封装方法
TWI408836B (zh) * 2010-07-06 2013-09-11 良盟塑膠股份有限公司 發光二極體裝置
CN102338292A (zh) * 2010-07-15 2012-02-01 良盟塑胶股份有限公司 发光二极管装置
EP2421039B1 (en) * 2010-08-19 2014-10-22 Liang Meng Plastic Share Co. Ltd. Light emitting apparatus
US8614539B2 (en) 2010-10-05 2013-12-24 Intematix Corporation Wavelength conversion component with scattering particles
JP6069205B2 (ja) 2010-10-05 2017-02-01 インテマティックス・コーポレーションＩｎｔｅｍａｔｉｘ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ フォトルミネッセンス波長変換を備える発光装置及び波長変換コンポーネント
US9546765B2 (en) 2010-10-05 2017-01-17 Intematix Corporation Diffuser component having scattering particles
US8610341B2 (en) 2010-10-05 2013-12-17 Intematix Corporation Wavelength conversion component
US8604678B2 (en) 2010-10-05 2013-12-10 Intematix Corporation Wavelength conversion component with a diffusing layer
US8957585B2 (en) 2010-10-05 2015-02-17 Intermatix Corporation Solid-state light emitting devices with photoluminescence wavelength conversion
KR20120054484A (ko) * 2010-11-19 2012-05-30 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이의 제조방법
TW201227920A (en) * 2010-12-31 2012-07-01 Siliconware Precision Industries Co Ltd LED package substrate and fabrication method thereof
KR20120079666A (ko) * 2011-01-05 2012-07-13 삼성엘이디 주식회사 발광소자 패키지
US9029887B2 (en) * 2011-04-22 2015-05-12 Micron Technology, Inc. Solid state lighting devices having improved color uniformity and associated methods
US8525190B2 (en) 2011-06-15 2013-09-03 Cree, Inc. Conformal gel layers for light emitting diodes
US8957430B2 (en) * 2011-06-15 2015-02-17 Cree, Inc. Gel underfill layers for light emitting diodes
US8591069B2 (en) 2011-09-21 2013-11-26 Switch Bulb Company, Inc. LED light bulb with controlled color distribution using quantum dots
DE102011114641B4 (de) * 2011-09-30 2021-08-12 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
WO2013160802A1 (en) 2012-04-25 2013-10-31 Koninklijke Philips N.V. Color correcting optical element
US9638397B2 (en) 2012-06-06 2017-05-02 Philips Lighting Holding B.V. Lighting apparatus and method for emitting light having different color temperatures
US20140168975A1 (en) * 2012-12-14 2014-06-19 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd Lighting fixture with flexible lens sheet
TWI463705B (zh) * 2012-12-18 2014-12-01 玉晶光電股份有限公司 Light emitting device
DE102012024977A1 (de) * 2012-12-20 2014-06-26 GM Global Technology Operations LLC (n. d. Ges. d. Staates Delaware) Leuchte, insbesondere Außenleuchte für ein Kraftfahrzeug, und Verfahren zum Herstellen einer solchen Leuchte
US20140185269A1 (en) 2012-12-28 2014-07-03 Intermatix Corporation Solid-state lamps utilizing photoluminescence wavelength conversion components
CN105121951A (zh) 2013-03-15 2015-12-02 英特曼帝克司公司 光致发光波长转换组件
JP6207236B2 (ja) * 2013-05-28 2017-10-04 三菱電機株式会社 点光源、面状光源装置および表示装置
CN103579459A (zh) * 2013-11-08 2014-02-12 桂林机床电器有限公司 一种led封装方法
JP6295777B2 (ja) * 2014-03-28 2018-03-20 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置を収容するためのエンボスキャリアテープ
JP2015216153A (ja) * 2014-05-08 2015-12-03 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR20160054666A (ko) * 2014-11-06 2016-05-17 삼성전자주식회사 광원 모듈 및 조명 장치
USD826871S1 (en) * 2014-12-11 2018-08-28 Cree, Inc. Light emitting diode device
CN105870310A (zh) * 2016-04-22 2016-08-17 江门市迪司利光电股份有限公司 一种照明范围大色温均匀的led封装结构
JP1566954S (ru) * 2016-04-28 2017-01-16
US10396117B2 (en) * 2016-10-14 2019-08-27 Waymo Llc Optical receiver systems and devices with detector array including a plurality of substrates disposed in an edge to edge array
KR102341997B1 (ko) * 2019-11-28 2021-12-22 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 차량용 램프
CN111638468B (zh) * 2020-06-05 2022-04-19 深圳市长方集团股份有限公司 用于检测led封装缺陷的在线测试设备
US11841586B1 (en) 2022-07-21 2023-12-12 Dell Products L.P. Position-adjustable backlight
DE102022123050A1 (de) 2022-09-09 2024-03-14 Schott Ag Beleuchtungseinrichtung

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3609475A (en) * 1970-05-04 1971-09-28 Hewlett Packard Co Light-emitting diode package with dual-colored plastic encapsulation
JPS48102585A (ru) * 1972-04-04 1973-12-22
JPS6333879A (ja) * 1986-07-28 1988-02-13 Mitsubishi Cable Ind Ltd 発光ダイオ−ド構造物
US6365920B1 (en) * 1997-03-18 2002-04-02 Korvet Lights Luminescent diode
US6340824B1 (en) * 1997-09-01 2002-01-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device including a fluorescent material
US6252254B1 (en) * 1998-02-06 2001-06-26 General Electric Company Light emitting device with phosphor composition
US5959316A (en) * 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
DE29820384U1 (de) * 1998-11-06 1999-01-14 Opto-System GmbH, 12555 Berlin Leucht- oder Anzeigeelement mit mischfarbigen, insbesondere weißem Licht
DE19918370B4 (de) * 1999-04-22 2006-06-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Weißlichtquelle mit Linse
JP3503131B2 (ja) * 1999-06-03 2004-03-02 サンケン電気株式会社 半導体発光装置
AU7617800A (en) * 1999-09-27 2001-04-30 Lumileds Lighting U.S., Llc A light emitting diode device that produces white light by performing complete phosphor conversion
EP1187226B1 (en) * 2000-09-01 2012-12-26 Citizen Electronics Co., Ltd. Surface-mount type light emitting diode and method of manufacturing same
US6541800B2 (en) * 2001-02-22 2003-04-01 Weldon Technologies, Inc. High power LED
US6607286B2 (en) * 2001-05-04 2003-08-19 Lumileds Lighting, U.S., Llc Lens and lens cap with sawtooth portion for light emitting diode
JP4789350B2 (ja) * 2001-06-11 2011-10-12 シチズン電子株式会社 発光ダイオードの製造方法
TW552726B (en) * 2001-07-26 2003-09-11 Matsushita Electric Works Ltd Light emitting device in use of LED
JP3948650B2 (ja) * 2001-10-09 2007-07-25 アバゴ・テクノロジーズ・イーシービーユー・アイピー（シンガポール）プライベート・リミテッド 発光ダイオード及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP1604408A2 (en) 2005-12-14
CA2519080A1 (en) 2004-09-30
US20050233485A1 (en) 2005-10-20
WO2004084316A3 (en) 2005-04-28
CN1799148A (zh) 2006-07-05
US20040183081A1 (en) 2004-09-23
WO2004084316A2 (en) 2004-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2005132409A (ru) Светоизлучающее устройство и способ его изготовления
RU2488195C2 (ru) Комплект светодиодной выводной рамки, светодиодная группа, использующая данную рамку, и способ изготовления светодиодной группы
TWI393841B (zh) 背光用發光二極體之寬發光透鏡
JP4886033B2 (ja) 多重屈折率レンズを備えるパッケージ化された発光デバイスおよびその作製方法
JP5632824B2 (ja) Ｌｅｄダイ上のオーバーモールドレンズ
US8783915B2 (en) Surface-textured encapsulations for use with light emitting diodes
US8120048B2 (en) LED unit
US8368093B2 (en) LED unit
US20080142822A1 (en) Light emitting diode package and method of manufacturing the same
US20060044806A1 (en) Light emitting diode system packages
KR100648628B1 (ko) 발광 다이오드
US20110110098A1 (en) Led unit
US8253154B2 (en) Lens for light emitting diode package
KR101575366B1 (ko) 발광소자 패키지
KR20120027320A (ko) Ｌｅｄ 광 엔진 및 그 제조 방법
US20080273332A1 (en) Light Device
US20090316399A1 (en) Light emitting diode
JP2002118290A (ja) 光源装置及びその製造方法
CN101303982B (zh) 表面黏着型发光二极管的支架组件制造方法及结构
JP2010505253A (ja) 光学素子、ビーム放射性デバイスおよび光学素子を製造する方法
CN201383500Y (zh) 发光二极管的封装结构
US8710529B2 (en) Light-emitting device package structure
JP4226338B2 (ja) 発光ダイオードおよびｌｅｄライト
TW200841486A (en) Structure of supporting assembly for surface mount device LED and manufacturing method thereof
KR200368807Y1 (ko) 발광 다이오드의 증광 구조

Legal Events

Date Code Title Description
FA93 Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination)

Effective date: 20070212