RU188584U1 - Устройство для изготовления нанометровых прозрачных пленок - Google Patents
Устройство для изготовления нанометровых прозрачных пленок Download PDFInfo
- Publication number
- RU188584U1 RU188584U1 RU2018133799U RU2018133799U RU188584U1 RU 188584 U1 RU188584 U1 RU 188584U1 RU 2018133799 U RU2018133799 U RU 2018133799U RU 2018133799 U RU2018133799 U RU 2018133799U RU 188584 U1 RU188584 U1 RU 188584U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- substrate
- vacuum chamber
- evaporator
- control substrate
- transparent films
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 78
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 31
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 18
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 13
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 12
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 45
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 18
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 16
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 abstract description 5
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 abstract description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 abstract description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 abstract description 2
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 16
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 2
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 208000032837 Ring chromosome 16 syndrome Diseases 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N germanium monoxide Inorganic materials [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten(VI) oxide Inorganic materials O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
- B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Полезная модель относится к устройствам для изготовления нанометровых прозрачных пленок полупроводников, диэлектриков и оксидов металлов и может быть использована при вакуумном нанесении пленок из ZnS, ZnSe, MgF, CaF, SiO, GeO, WO, MoO, SnO. Техническим результатом заявляемого решения является упрощение способа изготовления нанометровых прозрачных пленок. Указанный технический результат достигается тем, что предложено устройство для изготовления нанометровых прозрачных пленок, содержащее вакуумную камеру, источник излучения, испаритель материала, контрольную подложку, оптическое окно вакуумной камеры, рабочую подложку, при этом источник излучения видимого диапазона длин волн, установлен внутри вакуумной камеры ниже плоскости отверстия испарителя материала, а контрольная подложка, расположена выше плоскости отверстия испарителя материала и доступна как для осаждения испаряемого материала, так и для наблюдения ее поверхности через оптическое окно вакуумной камеры, контрольная подложка закреплена на цилиндрическом кварцевом элементе и выполнена из железной фольги. Для осуществления процесса изготовления нанометровых прозрачных пленок с толщинами в интервале 9,6÷19,5 нм с помощью заявляемого устройства не требуется использования дополнительного сложного оборудования кроме традиционной установки для получения тонких пленок методом термовакуумного напыления типа УВН-2М1, в которой расстояние от испарителя до рабочей подложки составляет 250 мм.
Description
Полезная модель относится к устройствам для изготовления нанометровых прозрачных пленок полупроводников, диэлектриков и оксидов металлов и может быть использована при вакуумном нанесении пленок из ZnS, ZnSe, MgF2, CaF2, SiO, GeO, WO3, MoO3, SnO2.
Известно устройство для вакуумного нанесения нанометровых прозрачных пленок, например, TiO2 и SiO2, использованное в патенте РФ №2527670, данное устройство является наиболее близким по технической сущности к заявляемой полезной модели и принято за прототип.Устройство содержит: источник излучения; волоконно-оптические кабели; линзу для заведения излучения в камеру; линзу для вывода излучения из камеры; корпус вакуумной камеры; испарители материалов с различными показателями преломления; входное/выходное оптическое окно камеры напыления; рабочие подложки, на которые наносится целевое многослойное покрытие; контрольную подложку доступную для напыления; скрытые от напыления контрольные подложки; спектрометр.
Недостатком указанного устройства является сложность его изготовления и функциональная сложность, а также сложность его применения для случая однослойных нанометровых прозрачных пленок.
Технической задачей, заявляемого решения является упрощение конструкции устройства.
Техническим результатом заявляемого решения является упрощение способа изготовления нанометровых прозрачных пленок.
Указанный технический результат достигается тем, что предложено устройство для изготовления нанометровых прозрачных пленок, содержащее вакуумную камеру с оптическим окном и расположенные в ней: источник излучения видимого диапазона длин волн, испаритель материала, контрольная подложка и рабочая подложка, согласно решения, источник излучения установлен ниже плоскости отверстия испарителя материала, а контрольная подложка установлена выше плоскости отверстия испарителя материала, с обеспечением осаждения испаряемого материала и наблюдения ее поверхности через оптическое окно вакуумной камеры, при этом контрольная подложка закреплена на цилиндрическом кварцевом элементе и выполнена из железной фольги.
На фиг. 1 представлен общий вид устройства для изготовления нанометровых прозрачных пленок.
Устройство для изготовления нанометровых прозрачных пленок, содержит вакуумную камеру - 1, источник излучения видимого диапазона длин волн - 2, испаритель материала - 3, контрольную подложку - 4, оптическое окно вакуумной камеры - 5, рабочую подложку - 6, при этом источник излучения видимого диапазона длин волн, установлен внутри вакуумной камеры - 1 ниже плоскости отверстия испарителя материала - 4, а контрольная подложка - 4, расположена выше плоскости отверстия испарителя материала - 3 и доступна как для осаждения испаряемого материала, так и для наблюдения ее поверхности через оптическое окно вакуумной камеры - 5.
На фиг. 2 представлен подробный вид устройства в составе вакуумной установки. Заявляемое устройства работает в составе вакуумной установки, которая содержит также: каркас - 7, на котором смонтированы вакуумная камера - 1 и вакуумная откачная система. В состав вакуумной откачной системы входят: механический форвакуумный насос - 8, высоковакуумный паромасляный насос - 9 с электронагревателем - 10 и переключатель линий откачки - 11, который соединяет с помощью трубопроводов - 12 форвакуумный насос - 8 либо с паромасляным насосом - 9, либо с вакуумной камерой - 1. Между базовой плитой - 13 и верхним фланцем паромасляного насоса - 9 установлена ловушка паров масла - 14, содержащая систему охлаждения. Вакуумная камера - 1 состоит из базовой плиты - 13 и цилиндрического колпака. Колпак снабжен оптическим окном - 5. Напуск воздуха в рабочую камеру выполняют вакуумным клапаном - 15. В опущенном состоянии колпака вакуумная камера герметизируется на базовой плите - 13 уплотняющей кольцевой прокладкой - 16 из вакуумной резины. Датчики давления - 17 остаточных газов подключены к отверстиям в базовой плите и в вакуумных трубопроводах. Кроме того в вакуумной камере - 1 установлены: подвижная заслонка - 18, которая в одном из двух положений перекрывает поток испаряемых частиц в направлениях к поверхности рабочей подложки 6; держатель подложек - 19, установленный над заслонкой - 18; электрический нагреватель - 20 подложек, расположенный над подложкой - 6; термопара - 21, расположенная между электронагревателем и подложкой; высоковольтный катодный электрод - 22, используемый при ионной очистке поверхности подложки - 6 в плазме самостоятельного газового разряда; металлический экран - 23, для удобства крепления контрольная подложка установлена на цилиндрическом кварцевомподложка установлена на цилиндрическом кварцевом элементе - 24 в виде отрезка кварцевой трубы, который установлен в вакуумной камере так, что его нижнее основание находится в плоскости отверстия испарителя материала - 3, при этом контрольная подложка - 4, выполненная из железной фольги, расположена внутри кварцевого элемента - 24 выше плоскости отверстия испарителя материала и доступна как для осаждения испаряемого материала, так и для наблюдения ее поверхности через оптическое окно - 5 вакуумной камеры, а источник излучения видимого диапазона длин волн - 2 установлен внутри вакуумной камеры ниже плоскости отверстия испарителя материала - 3 и состоит из вольфрамовой лампы накаливания - 25 и металлического отражателя излучения - 26; металлический экран - 27 перекрывает потоки света и молекул испаряемого материала в направлениях от испарителя - 3 к окну - 5.
Пример
Устройства для изготовления нанометровых прозрачных пленок испаритель - 3, закрепленный в массивных контактных зажимах, имеет форму трубки с диаметром 6÷6,5 мм и длиной 4,5÷5 мм с отверстием диаметром 4÷4,5 мм на поверхности трубки на одинаковых расстояниях от ее концов и выполнен из танталовой фольги толщиной 0,1 мм. Испаряемым материалом является монооксид кремния (SiO) в виде гранул с диаметром 3÷4 мм. Расстояние между отверстием испарителя - 3 и центром рабочей подложки - 16 равно 200÷250 мм, при этом отверстие испарителя - 3 расположено на перпендикуляре к центру подложки - 6. Цилиндрический кварцевый элемент - 24 выполнен в виде отрезка кварцевой трубы длиной 35÷36 мм с внутренним диаметром 66÷67 мм и внешним диаметром 71÷72 мм. Контрольная подложка - 4 выполнена из железной фольги с толщиной 0,2÷0,25 мм, полученной из покрытой слоями олова железной фольги (используемой в пищевой промышленности) путем удаления слоев олова в 40% водном растворе гидрооксида калия (КОН) при температуре (80÷90)°С, в который (в процессе удаления олова) добавляется 30% перекись водорода (Н2О2). Поверхность контрольной подложки - 4, обращенная к испарителю - 3, является цилиндрической поверхностью с радиусом, равным радиусу внутренней цилиндрической поверхности кварцевого элемента - 24. Высота контрольной подложки - 4 равна 50÷52 мм, а расстояние между ее линейными границами равно 60÷62 мм. Контрольная подложка - 4 снабжена, по крайней мере, двумя элементами для ее крепления внутри кварцевого элемента - 24, которые выполнены путем резки контрольной подложки - 4 параллельно ее линейных границ на расстоянии 5÷6 мм от границ на глубину 15÷16 мм и последующей гибки подрезанных участков подложки - 4 относительно верхнего края кварцевого элемента - 24.
Устройство для изготовления нанометровых прозрачных пленок работает следующим образом. Перед началом работы закрепляют испаритель - 3 в массивных контактных зажимах, обеспечивающих пропускание по испарителю - 3 электрического тока с измеряемой величиной 50÷200 А, и заполняют испаритель - 3 гранулами испаряемого материала (SiO). Подготовленные рабочие подложки - 6 помещают в держатель подложек - 19. Цилиндрический кварцевый элемент - 24 с закрепленной внутри его контрольной подложкой - 4 устанавливают в вакуумной камере так, чтобы основания кварцевого элемента - 24 и подложки - 6 находились в плоскости отверстия испарителя материала - 3, а контрольная подложка - 4 была доступна как для осаждения испаряемого материала, так и для наблюдения ее поверхности через оптическое окно - 5 вакуумной камеры. После этого откачивают воздух из вакуумной камеры до давления (10-3÷10-4) Па, включают источник излучения видимого диапазона длин волн, установленный внутри вакуумной камеры ниже плоскости отверстия испарителя материала - 3, открывают заслонку - 18 и производят нагрев испаряемого материала до температуры его испарения: в случае SiO - (1050÷1100)°С. При этом испаренные молекулы испаряемого материала конденсируются как на поверхности контрольной подложки - 4, обращенной к испарителю - 3, так и на рабочих подложках - 6, образуя на них нанометровые прозрачные пленки.
Процесс осаждения нанометровых пленок контролируют путем наблюдения за появляющимся цветом окраски поверхности контрольной подложки - 4, обращенной к испарителю - 3, через оптическое окно - 5 вакуумной камеры. Начало осаждения нанометровой пленки испаряемого материала фиксируют по возникновению интерференционной окраски (рыжевато-коричневого цвета) пленки на участке поверхности (в виде полосы) в нижней области контрольной подложки - 4. По мере осаждения и увеличения толщины осаждаемой прозрачной пленки на поверхности контрольной подложки - 4 происходит изменение цветов интерференционной окраски прозрачной пленки в последовательности: коричневый-фиолетовый-синий-зеленый-желтый-оранжевый-красный. В качестве реперной точки измерения толщины выбирают толщину пленки, которой соответствует зеленый цвет окраски пленки, так как этому цвету соответствует максимум кривой видности среднего нормального человеческого глаза, который имеет место на длине волны излучения λ=0,55 мкм. Для расчета толщины прозрачной пленки в области окраски зеленого цвета можно использовать формулу для максимума интенсивности излучения, отраженного от среды оптически более плотной:
где h - толщина прозрачной пленки,
n - показатель преломления материала прозрачной пленки, i1 - угол падения излучения на пленку,
λ0 - длина волны излучения,
m - целое число, которое называется порядком интерференционного максимума.
Для конкретного примера выполнения предлагаемого устройства для изготовления нанометровых прозрачных пленок эта формула приводит к значению толщины пленки h=147 нм при значениях остальных параметров в этой формуле: λ0=0,55 мкм, m=1, nSiO=1,996, i1=45°. В случае использования малого плоского испарителя толщину h осажденной пленки рассчитывают по формуле:
где
Ме - масса испаренного материала, ρ - плотность испаренного материала,
r - расстояние от отверстия испарителя до рассматриваемой точки на подложке,
α - угол испарения (между нормалью к плоскости отверстия испарителя и направлением на рассматриваемую точку на подложке),
β - угол падения испаряемых молекул на подложку в рассматриваемой точке (отсчитываемый от нормали к подложке в этой точке).
Используя формулу (2) для заявляемого устройства, можно получить формулу для отношения толщины h2 пленки в центре рабочей подложки - 6 к толщине h1 пленки в рассматриваемой точке на контрольной подложке - 4:
где r2 - расстояние между отверстием испарителя - 3 и центром рабочей подложки - 6, r1 - расстояние от отверстия испарителя - 3 до рассматриваемой точки на контрольной подложке - 4,
α1 и β1 - углы испарения и падения (соответственно) для контрольной подложки - 4.
При получении формулы (3) учтено, что для рабочей подложки - 6 угол испарения α2=0 и угол падения β2=0, и поэтому имеют место равенства: cosα2=1 и cosβ2=1.
Если для оценки толщины h2 пленки в центре рабочей подложки 6 использовать зеленую полосу интерференционной окраски, соответствующую первому порядку интерференции (m=1), на поверхности контрольной подложки - 4 в ее нижней области, то в этой области толщина пленки h1=147 нм. Если b - расстояние от середины зеленой полосы до нижнего основания подложки - 4, a r - радиус подложки - 4, то расстояние r1 от отверстия испарителя - 3 до середины зеленой полосы на подложке - 4 можно определить по формуле: 
Формула (3) приводит к значению толщины пленки h2=19,5 нм в центре рабочей подложки - 6 при следующих значениях остальных параметров в этой формуле: r1=33,84 мм (если b=7,5 мм, r=33 мм), cosα=0,2216, cosβ=0,9751, r2=200 мм, h1=147 нм. Если в этом примере расчета толщины h2 пленки в центре рабочей подложки - 6 увеличить величину r2 до значения r2=250 мм, не изменяя значения остальных параметров, то величина h2 будет уменьшена до значения h2=12,5 нм.
При уменьшении внутреннего радиуса контрольной подложки - 4 до 30 мм расчет по формуле (3) дает значение толщины пленки h2=14,9 нм в центре рабочей подложки - 6 при следующих значениях остальных параметров в этой формуле: r1=30,92 мм (если b=7,5 мм, r=30 мм), cosα=0,2425, cosβ=0,9701, r2=200 мм, h1=147 нм. Такое уменьшение внутреннего радиуса r контрольной подложки - 4 можно выполнить либо путем замены кварцевого элемента - 24 с контрольной подложкой - 4 с внутренним радиусом 33 мм другим кварцевым элементом - 24 с контрольной подложкой - 4, имеющих внутренний радиус 30 мм, либо путем смещения кварцевого элемента - 24 с контрольной подложкой - 4, имеющих r=33 мм, по горизонтальной поверхности металлического экрана - 27 в сторону уменьшения расстояния от отверстия испарителя - 3 до контрольной подложки - 4 на величину, равную 3 мм. Если во втором примере расчета толщины h2 пленки в центре рабочей подложки - 6 увеличить величину r2 до значения r2=250 мм, не изменяя значения остальных параметров, то величина h2 будет уменьшена до значения h2=9,6 нм.
Таким образом, из приведенных примеров оценки толщины h2 пленки в центре рабочей подложки - 6 следует, что заявляемое устройство для изготовления нанометровых прозрачных пленок позволяет осаждать на рабочей подложке - 6 нанометровые пленки с толщинами в интервале 9,6÷19,5 нм, если для контроля толщины пленки на рабочей подложке - 6 использовать зеленую полосу интерференционной окраски, соответствующую первому порядку интерференции (m=1), на поверхности контрольной подложки - 4 в ее нижней области. Для получения более толстых нанометровых прозрачных пленок на рабочей подложке - 6 следует продолжить осаждение испаряемого материала, контролируя процесс осаждения и увеличения толщины пленок путем наблюдения изменения цветов интерференционной окраски прозрачной пленки на поверхности контрольной подложки - 4. При этом зеленая полоса интерференционной окраски будет периодически появляться на поверхности контрольной подложки - 4 в ее нижней области, соответствуя второму, третьему и четвертому порядку интерференционного максимума (m=2, m=3, m=4)в формуле (1).
Следует отметить, что для осуществления описанного выше процесса изготовления нанометровых прозрачных пленок не требуется использования дополнительного сложного оборудования кроме традиционной установки для получения тонких пленок методом термовакуумного напыления типа УВН-2М1, в которой расстояние от испарителя до рабочей подложки составляет 250 мм.
Claims (2)
1. Устройство для изготовления нанометровых прозрачных пленок, содержащее вакуумную камеру с оптическим окном, расположенные в вакуумной камере источник излучения видимого диапазона длин волн, испаритель материала с отверстием, рабочую подложку, контрольную подложку, отличающееся тем, что источник излучения установлен ниже плоскости отверстия испарителя материала, а контрольная подложка – выше плоскости упомянутого отверстия с обеспечением осаждения испаряемого материала и наблюдения ее поверхности через оптическое окно вакуумной камеры.
2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что контрольная подложка выполнена из железной фольги.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018133799U RU188584U1 (ru) | 2018-09-24 | 2018-09-24 | Устройство для изготовления нанометровых прозрачных пленок |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018133799U RU188584U1 (ru) | 2018-09-24 | 2018-09-24 | Устройство для изготовления нанометровых прозрачных пленок |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU188584U1 true RU188584U1 (ru) | 2019-04-17 |
Family
ID=66168799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2018133799U RU188584U1 (ru) | 2018-09-24 | 2018-09-24 | Устройство для изготовления нанометровых прозрачных пленок |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU188584U1 (ru) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2761594C1 (ru) * | 2021-09-24 | 2021-12-10 | Общество с ограниченной ответственностью "НПК-РУСАР" | Способ получения тонких пленок тугоплавких, или среднеплавких металлов, или их соединений тепловой энергией самораспространяющегося высокотемпературного синтеза |
| RU2775978C1 (ru) * | 2022-04-06 | 2022-07-12 | Сарик Жорикович Есаян | Устройство для получения тонких пленок металлов тепловой энергией самораспространяющегося высокотемпературного синтеза в наземных условиях и в условиях невесомости |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1990014682A1 (en) * | 1989-05-22 | 1990-11-29 | Hanks Charles W | Magnetic structure for electron-beam heated evaporation source |
| EP0928977A1 (en) * | 1997-05-16 | 1999-07-14 | Hoya Kabushiki Kaisha | Plastic optical component having a reflection prevention film and mechanism for making reflection prevention film thickness uniform |
| RU2457277C1 (ru) * | 2011-03-09 | 2012-07-27 | Российская Федерация в лице Министерства промышленности и торговли Российской Федерации | Вакуумно-плазменная установка для нанесения многофункциональных покрытий |
| RU2471883C1 (ru) * | 2011-11-23 | 2013-01-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") | Устройство для вакуумного нанесения материала |
| RU2527670C2 (ru) * | 2012-01-10 | 2014-09-10 | Владимир Александрович Лабусов | Способ измерения толщин нанометровых слоев многослойного покрытия, проводимого в процессе его напыления |
-
2018
- 2018-09-24 RU RU2018133799U patent/RU188584U1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1990014682A1 (en) * | 1989-05-22 | 1990-11-29 | Hanks Charles W | Magnetic structure for electron-beam heated evaporation source |
| EP0928977A1 (en) * | 1997-05-16 | 1999-07-14 | Hoya Kabushiki Kaisha | Plastic optical component having a reflection prevention film and mechanism for making reflection prevention film thickness uniform |
| RU2457277C1 (ru) * | 2011-03-09 | 2012-07-27 | Российская Федерация в лице Министерства промышленности и торговли Российской Федерации | Вакуумно-плазменная установка для нанесения многофункциональных покрытий |
| RU2471883C1 (ru) * | 2011-11-23 | 2013-01-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") | Устройство для вакуумного нанесения материала |
| RU2527670C2 (ru) * | 2012-01-10 | 2014-09-10 | Владимир Александрович Лабусов | Способ измерения толщин нанометровых слоев многослойного покрытия, проводимого в процессе его напыления |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2761594C1 (ru) * | 2021-09-24 | 2021-12-10 | Общество с ограниченной ответственностью "НПК-РУСАР" | Способ получения тонких пленок тугоплавких, или среднеплавких металлов, или их соединений тепловой энергией самораспространяющегося высокотемпературного синтеза |
| RU2775978C1 (ru) * | 2022-04-06 | 2022-07-12 | Сарик Жорикович Есаян | Устройство для получения тонких пленок металлов тепловой энергией самораспространяющегося высокотемпературного синтеза в наземных условиях и в условиях невесомости |
| RU2818099C1 (ru) * | 2023-07-10 | 2024-04-24 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский федеральный университет" | Подвижная заслонка подложки для формирования тонких ступенчатых пленок |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2204153C2 (ru) | Покрытия, способы и устройство для уменьшения отражения от оптических подложек | |
| CN206741013U (zh) | 一种以锗为基底的中长波红外增透膜 | |
| KR20080018799A (ko) | 반사 방지층을 포함하는 발광 디바이스 | |
| Zoeller et al. | Plasma-ion-assisted-deposition: a novel technique for the production of optical coatings | |
| US3356523A (en) | Polystyrene film containing an antireflection coating | |
| CN108627889A (zh) | 一种锗基底宽光谱红外增透光学窗口 | |
| US11365471B2 (en) | Method of fabricating anisotropic optical interference filter | |
| RU188584U1 (ru) | Устройство для изготовления нанометровых прозрачных пленок | |
| Pawlewicz et al. | Recent developments in reactively sputtered optical thin films | |
| CN104035146B (zh) | 二氧化碲基底上的一种中短波红外增透膜 | |
| JP4713461B2 (ja) | アルミニウム及びアルミニウム酸化物の少なくとも一方を有し、ルチル構造を具えるチタン酸化物透明被膜 | |
| JPS5860701A (ja) | 反射防止膜 | |
| JP2006515827A5 (ru) | ||
| JP2006519926A (ja) | ルチル構造を有する透明チタン酸化物被膜の製造方法 | |
| CN112501557A (zh) | 一种蓝宝石基底1-5μm超宽带增透膜及其制备方法 | |
| Boudaden et al. | Multilayered Al2O3/SiO2 and TiO2/SiO2 coatings for glazed colored solar thermal collectors | |
| CN203965648U (zh) | 一种以二氧化碲为基底的中短波红外增透膜 | |
| CN101752028A (zh) | 透明导电膜及其制备方法 | |
| CN219625736U (zh) | 一种可调谐中红外高反射膜*** | |
| Scobey et al. | Stable ultranarrow bandpass filters | |
| Glebov et al. | Optical properties of complex fluoride films obtained using vacuum electron-beam evaporation | |
| US3421811A (en) | Coated optical devices | |
| JP4235997B2 (ja) | 光学膜厚計測方法及び装置 | |
| Gibson et al. | High performance optical coatings deposited using closed field magnetron sputtering | |
| CN110221368A (zh) | 单元素多层红外高反膜及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM9K | Utility model has become invalid (non-payment of fees) |
Effective date: 20200925 |