RU1838887C - Устройство коммутации широкополосных сигналов - Google Patents

Устройство коммутации широкополосных сигналов

Info

Publication number
RU1838887C
RU1838887C SU874203455A SU4203455A RU1838887C RU 1838887 C RU1838887 C RU 1838887C SU 874203455 A SU874203455 A SU 874203455A SU 4203455 A SU4203455 A SU 4203455A RU 1838887 C RU1838887 C RU 1838887C
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
transistor
electrode
additional
switching
transistors
Prior art date
Application number
SU874203455A
Other languages
English (en)
Inventor
Хофманн Рюдигер
Original Assignee
Сименс АГ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Сименс АГ filed Critical Сименс АГ
Application granted granted Critical
Publication of RU1838887C publication Critical patent/RU1838887C/ru

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04QSELECTING
    • H04Q3/00Selecting arrangements
    • H04Q3/42Circuit arrangements for indirect selecting controlled by common circuits, e.g. register controller, marker
    • H04Q3/52Circuit arrangements for indirect selecting controlled by common circuits, e.g. register controller, marker using static devices in switching stages, e.g. electronic switching arrangements
    • H04Q3/521Circuit arrangements for indirect selecting controlled by common circuits, e.g. register controller, marker using static devices in switching stages, e.g. electronic switching arrangements using semiconductors in the switching stages
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • H03K17/693Switching arrangements with several input- or output-terminals, e.g. multiplexers, distributors
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/353Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of field-effect transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/356Bistable circuits
    • H03K3/356017Bistable circuits using additional transistors in the input circuit
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/353Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of field-effect transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/356Bistable circuits
    • H03K3/356086Bistable circuits with additional means for controlling the main nodes
    • H03K3/356095Bistable circuits with additional means for controlling the main nodes with synchronous operation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Use Of Switch Circuits For Exchanges And Methods Of Control Of Multiplex Exchanges (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Networks Using Active Elements (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к i ехнике св зи. Цель - повышение быстродействи . Устройство содержит матрицу 1, входные линии 2, выходные линии 3,- входные усилители 4, выходные усилители 5, узлы 6 коммутации точек коммутации. При поступлении по одной из входных линий 2 сигнала становитс  провод щим соответствующий узел 6, производ  пропускание входного сигнала. При этом дифференциальный выходной усилитель 5 работает в триггерном режиме. 5 з.п. ф-лы, 6 ил.

Description

Изобретение относитс  к технике св зи и может быть использовано в узлах коммутации .
Цель изобретени  - повышение быстродействи .
На фиг, 1 представлена структурна  электрическа  схема устройства коммутации широкополосных сигналов; на фиг. 2-4 - примеры реализации элемента коммутации; на фиг. 5 - структурна  электрическа  схема выходного дифференциального усилител  с триггерной характеристикой; на фиг. 6 - временные диаграммы работы устройства .
Устройство коммутации широкополосных сигналов содержит матрицу 1 точек коммутации , входные линии 2, выходные линии 3, входные усилители 4, выходные дифференциальные усилители 5, узлы 6 коммутации точек коммутации, каждый из которых содержит схему 7 управлени  и элемент 8 коммутации, содержащий переключающий транзистор 9, дополнительный транзистор
10, второй дополнительный транзистор 14 и дополнительный переключающий транзистор 15. Элемент коммутации содержит также считывающий транзистор 11, транзистор 12 предварительного зар да, дополнительный транзистор 13 предварительного зар да и источник 16 питани .
Входной дифференциальный усилитель 15 (фиг. 5) содержит инверторы 17, каждый из которых содержит первые транзисторы 18, вторые транзисторы 19, блок 20 управлени , содержащий третьи транзисторы 21 и четвертые транзисторы 22.
Во врем  предварительной фазы pv оба сигнальных провода выходных линий 3 матрицы зар жаютс  через соответствующий транзистор 12 или 13 предварительного зар да до рабочего потенциала (фиг. 6,в), дл  чего выполненные на основе р-канальных транзисторов транзисторы 12 и 13 предварительного зар да станов тс  провод щими в результате сигнала О тактового импульса. Одновременно образованные пСП
с
00
ioo со
00
00
х|
00
канальными транзисторами считывающие транзисторы 11 управл ютс  противоположно с помощью того же сигнала О тактового импульса, т.е. запираютс  так, что зар дка обоих сигнальных проводов выходных линий 3 матрицы 1 может осуществл тьс  независимо от управлени  соответствующими переключающими транзисторами 9 и 15 и каждого из дополнительных транзисторов 10 и 14 отдельных пар элементов 8 коммутации на входной линии 2. При этом иногда может создаватьс  соответствующий каждому коммутируемому биту потенциал (или удерживатьс ), как это показано на фиг. 6,6.
Во врем  последующей основной фазы ph c помощью сигнала 1 тактового импульса (фиг. 6,г) производитс  запирание предварительно зар женных транзисторов 12, 13 и одновременно деблокирование считывающего транзистора 11. Если начинают проводить переключающие транзисторы 9 и 15 в результате прикладываемого к управл ющему входу (в данном примере 1)комму- тационного (фиг. 6,а) сигнала (точка св зи находитс  в состо нии пропуска), то в соответствующих пропускаемому биту и существующих на обоих сигнальных проводах соответствующей входной линии 2 состо ни х сигнала производитс  разр дка сигнальных проводов выходной линии 3, св занной с этой входной линией 2 через соответствующий элемент 8 коммутации, или остаетс  уровень установленного во врем  предварительной фазы ph потенциала.
Если на сигнальном проводе соответствующей входной линии 2 устанавливаетс  состо ние сигнала О (фиг. 6,6) и в соответствии с этим заперт (п-канальный) дополни- тельный транзистор 10 или 14 соответствующей пары элементов 8, то .соответствующий сигнальный провод выходной линии 3 не разр жаетс  через задействованный элемент 8, а удерживает, если нет никаких других подвод щих к этой выходной линии 3 точек св зи, наход щихс  в состо нии пропускани .
Если, напротив, на только что рассмотренном сигнальном проводе входной линии 2 имеетс  состо ние сигнала 1 (фиг. 6,6) и, следовательно, дополнительный транзистор 10 или 14 рассмотренной пары элементов 8.становитс  провод щим так же, как и переключательный транзистор 9 или 14 и соответствующий считывающий транзистор 11, то разр жаетс  соответствующий сигнальный провод выходной линии 3 через этот элемент 8 коммутации и приводитс  к потенциалу О.
Через деблокированный по своему управл ющему входу узел 6 производитс  пропускание соответствующего входного сигнала в инвертированном виде.

Claims (6)

1. Устройство коммутации широкополосных сигналов, содержащее матрицу точек коммутации, узлы коммутации точек коммутации, содержащие схему управлени 
и элемент коммутации, содержащий основной переключающий транзистор и первый дополнительный транзистор, при этом управл ющий электрод основного переключающего транзистора соединен со схемой
управлени , а управл ющий электрод первого дополнительного транзистора - с сигнальным проводом соответствующей входной линии матрицы, первый лектрод основного переключающего транзистора
соединен с первым электродом первого дополнительного транзистора, второй электрод которого соединен через считывающий транзистор с одкч1м полюсом источника питани , управл ющий электрод считывающего транзистора соединен с управл ющим электродом транзистора предварительного зар да, первый электрод которого соединен с другим полюсом источника питани , а второй электрод - с вторым электродом основного переключающего транзистора и с сигнальным проводом выходной линии, о т- личающеес  тем, что, с целью повышени  быстродействи , введены дополнительный переключающий транзистор и второй
дополнительный транзистор, первый электрод которого соединен с.первым электродом дополнительного переключающего транзистора, второй электрод второго дополнительного транзистора - с вторым
электродом первого дополнительного транзистора , второй электрод дополнительного переключающего транзистора соединен с первым электродом дополнительного транзистора предварительного зар да и с вто
рым сигнальным проводом выходной линии,
управл ющий электрод второго дополнительного транзистора соединен с вторым сигнальным проводом входной линии, а управл ющий и второй электроды дополнительного транзистора предварительного зар да соединены соответственно с управл ющим и вторым электродами транзистора предврительного р да, при этом провода выходной линии соединены с входами выходного дифференцильного усилител , провода входной линии-с дифференциальными выходами входного усилител , а управл ющий электрод дополнительного переключающего транзистора соединен с
управл ющим электродом первого переключающего транзистора.
2. Устройство по п. 1, о т л и ч а ю щ е е- с   тем. что вторые электроды дополнительных транзисторов объединены вертикалью.
3. Устройство по п. 1, о т л и ч а ю щ е е- с   тем, что вторые электроды дополнительных транзисторов объединены горизонталью .
4. Устройство по п, 1, о т л и ч а ю щ е е- с   тем, что основной и дополнительный переключающие транзисторы, первый и второй дополнительные транзисторы, а также считывающий транзистор  вл ютс  транзисторами n-типа, а основной и дополнительный транзисторы предварительного зар да  вл ютс  транзисторами р-типа.
5. Устройство поп. 1, о т л и ч а ю щ е е- с   тем, что псе транзисторы  вл ютс  транзисторами п-типа,
6. Устройство по п. 1, о т л и ч а ю щ е е- с   тем, что выходной усилитель содержит два перекрестно соединенных инвертора, каждый из которых содержит два последовательно соединенных первых транзистора, управл ющие входы которых соединены через соответствующие вторые транзисторы с одним полюсом источника питани , и соединенный с инверторами блок управлени , содержащий две пары третьих транзисторов, соединенных с другим полюсом источника питани , к которому подключены четвертые
транзисторы, управл ющие электроды которых подключены к тактовому входу.
0
фс/г.{
Фи г. I
11
Ч
16
1838887 16 16 t 16 16
Фи а 5
SU874203455A 1986-10-07 1987-10-06 Устройство коммутации широкополосных сигналов RU1838887C (ru)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3634154 1986-10-07

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU1838887C true RU1838887C (ru) 1993-08-30

Family

ID=6311239

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU874203455A RU1838887C (ru) 1986-10-07 1987-10-06 Устройство коммутации широкополосных сигналов

Country Status (10)

Country Link
US (1) US4897645A (ru)
EP (1) EP0264046B1 (ru)
JP (1) JPH0834609B2 (ru)
AT (1) ATE70686T1 (ru)
CA (1) CA1296796C (ru)
DE (1) DE3775328D1 (ru)
HU (1) HU197817B (ru)
LU (1) LU86915A1 (ru)
RU (1) RU1838887C (ru)
UA (1) UA19682A (ru)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4897641A (en) * 1986-12-04 1990-01-30 Pascom Pty. Ltd. Space switch
LU87431A1 (de) * 1988-06-08 1989-06-14 Siemens Ag Breitbandsignal-koppeleinrichtung
DE3886042D1 (de) * 1988-08-08 1994-01-13 Siemens Ag Breitbandsignal-Koppeleinrichtung.
US5221922A (en) * 1988-08-08 1993-06-22 Siemens Aktiengesellschaft Broadband signal switching matrix network
LU87566A1 (de) * 1989-03-22 1990-01-08 Siemens Ag Breitbandsignal-koppeleinrichtung
ATE97290T1 (de) * 1989-03-31 1993-11-15 Siemens Ag Breitbandsignal-koppeleinrichtung.
FR2650452B1 (fr) * 1989-07-27 1991-11-15 Sgs Thomson Microelectronics Point de croisement pour matrice de commutation
EP0417336B1 (de) * 1989-09-11 1994-05-11 Siemens Aktiengesellschaft Breitbandsignal-Koppeleinrichtung
DE4010283C3 (de) * 1990-03-30 1997-02-06 Detlef Dr Clawin Koppelfeldmatrixschaltung
ATE115817T1 (de) * 1990-04-12 1994-12-15 Siemens Ag Breitbandsignal-koppeleinrichtung.
DE69223772D1 (de) * 1991-12-26 1998-02-05 Altera Corp Eprom-basierte kreuzschienenschalter mit nullruheleistungsaufnahme
JPH05199255A (ja) * 1992-01-18 1993-08-06 Mitsubishi Electric Corp 電子クロスポイントスイッチ装置
DE4237000C2 (de) * 1992-01-18 1999-01-14 Mitsubishi Electric Corp Elektronische Kreuzungspunkt-Schaltvorrichtung
GB2300330B (en) * 1995-04-28 1999-11-03 Northern Telecom Ltd Crosspoint matrix switch arrangement
US6984870B2 (en) * 2002-10-18 2006-01-10 M/A-Com, Inc. High speed cross-point switch using SiGe HBT technology

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3789151A (en) * 1972-03-06 1974-01-29 Stromberg Carlson Corp Solid state crosspoint switch
DE2421002C3 (de) * 1974-04-30 1980-07-03 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Nachrichtenvermittlungssystem
JPS5233405A (en) * 1975-09-10 1977-03-14 Oki Electric Ind Co Ltd Semiconductor device
US4247791A (en) * 1978-04-03 1981-01-27 Rockwell International Corporation CMOS Memory sense amplifier
JPS5951072B2 (ja) * 1979-02-26 1984-12-12 日本電気株式会社 半導体メモリ装置
DE3028754C2 (de) * 1980-07-29 1982-10-28 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Dynamischer Leseverstärker für MOS-Halbleiterspeicher
DE3101932A1 (de) * 1981-01-22 1982-09-02 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt "koppelfeld in matrixform fuer signalfrequenzen im megahertzbereich"
US4446552A (en) * 1981-12-21 1984-05-01 Gte Laboratories Incorporated Wideband switch crosspoint and switching matrix
DE3339985A1 (de) * 1983-11-04 1985-05-23 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Schaltungsanordnung zur zaehlung von 1-belegungen in (0,1)-vektoren
LU86790A1 (de) * 1986-09-17 1987-07-24 Siemens Ag Breitbandsignal-koppeleinrichtung

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Патент СССР по за вке № 4203355/09, приоритет 17.09.86. полож.реш.30.05.90 г. *

Also Published As

Publication number Publication date
UA19682A (ru) 1997-12-25
HUT44885A (en) 1988-04-28
EP0264046B1 (de) 1991-12-18
LU86915A1 (de) 1987-11-11
JPS63102489A (ja) 1988-05-07
JPH0834609B2 (ja) 1996-03-29
HU197817B (en) 1989-05-29
US4897645A (en) 1990-01-30
ATE70686T1 (de) 1992-01-15
EP0264046A1 (de) 1988-04-20
DE3775328D1 (de) 1992-01-30
CA1296796C (en) 1992-03-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU1838887C (ru) Устройство коммутации широкополосных сигналов
SU1738105A3 (ru) Устройство коммутации широкополосных сигналов
US4553052A (en) High speed comparator circuit with input-offset compensation function
EP0168030B1 (en) Contact type image sensor and driving method therefor
JPH0779396A (ja) 電子装置
KR950014821B1 (ko) 불휘발성 반도체 기억 장치용 센스 증폭기
US3714638A (en) Circuit for improving operation of semiconductor memory
RU2103831C1 (ru) Устройство коммутации широкополосных сигналов
US4763197A (en) Charge detecting circuit
RU2105431C1 (ru) Устройство коммутации широкополосных сигналов
RU2105428C1 (ru) Способ коммутации широкополосных сигналов и устройство для его реализации
US4379345A (en) Dynamic read amplifier for metal-oxide-semiconductor memories
US3397325A (en) Sensor array coupling circuits
EP0865684B1 (en) Charge measurement circuit
US5978101A (en) Image detection device
US4656361A (en) NMOS digital imaging circuit
RU2106755C1 (ru) Устройство коммутации широкополосных сигналов
RU2103832C1 (ru) Устройство коммутации широкополосных сигналов
RU2105430C1 (ru) Устройство коммутации широкополосных сигналов
GB1333931A (en) Selector switches
US3579189A (en) Coupling and driving circuit for matrix array
JPS5857855A (ja) イメ−ジセンサ駆動回路
JPH01144884A (ja) 広帯域信号結合装置
RU2013877C1 (ru) Устройство связи широкополосных сигналов
FR2402920A1 (fr) Module de registre comportant des cellules de memoire bipolaires