RU165459U1 - Многослойная конструкция светодиодного модуля на кремниевой подложке - Google Patents
Многослойная конструкция светодиодного модуля на кремниевой подложке Download PDFInfo
- Publication number
- RU165459U1 RU165459U1 RU2015153042/28U RU2015153042U RU165459U1 RU 165459 U1 RU165459 U1 RU 165459U1 RU 2015153042/28 U RU2015153042/28 U RU 2015153042/28U RU 2015153042 U RU2015153042 U RU 2015153042U RU 165459 U1 RU165459 U1 RU 165459U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- groove
- drive
- module
- substrate
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 129
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 27
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 27
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 26
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 1
- 230000000877 morphologic effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
1. Многослойная конструкция светодиодного модуля на кремниевой подложке, отличающаяся тем, что содержит слой модуля источника света и слой модуля привода, при этом слой модуля источника света и слой модуля привода наложены друг на друга и соединены припоем;при этом указанный слой модуля источника света содержит верхнюю подложку и светодиодный чип; при этом поверхность указанной верхней подложки, противоположной слою модуля привода, снабжена первым пазом; при этом указанный светодиодный чип расположен в первом пазу; при этом на указанной верхней подложке расположен первый провод; при этом светодиодный чип снабжен штыревым контактом; при этом один конец первого провода и штыревой контакт светодиодного чипа электрически соединены;при этом указанный слой модуля привода содержит нижнюю подложку и привод IC; при этом поверхность указанной нижней подложки, противоположной указанному слою модуля источника света, снабжена вторым пазом; при этом указанный привод IC расположен во втором пазу; при этом на указанной нижней подложке расположен второй провод; при этом привод IC снабжен штыревым контактом; при этом один конец второго провода и штыревой контакт привода IC электрически соединены;при этом припой представляет собой токопроводящий припой; при этом другой конец первого провода на верхней подложке и другой конец второго провода на нижней подложке посредством токопроводящего припоя находятся в электрическом контакте.2. Многослойная конструкция светодиодного модуля на кремниевой подложке по п. 1, отличающаяся тем, что поверхность указанной нижней подложки, противоположной указанному слою модуля источника света, снабжена по меньшей
Description
P15003400RU
МНОГОСЛОЙНАЯ КОНСТРУКЦИЯ СВЕТОДИОДНОГО МОДУЛЯ НА КРЕМНИЕВОЙ ПОДЛОЖКЕ
Область техники
Настоящая полезная модель относится к области светодиодного освещения, в частности, она относится к многослойной конструкции светодиодного модуля на кремниевой подложке и способу изготовления.
Уровень техники
В настоящее время светодиодный модуль представляет собой светодиодные чипы, установленные на опоре; светодиодные чипы и опора электрически соединены золотой проволокой, затем герметизированы кремнием. При сборке лампы светодиодный модуль устанавливается на подложке путем поверхностного монтажа, в результате чего образуется модуль источника света. Модуль источника света, модуль приводной схемы, оболочка и другие оптические компоненты монтируются вместе. Такие комбинации различных компонентов имеют независимую конструкцию, и их комбинирование усложняется тем, что размеры комбинаций не одинаковы; расположение разъемов и соединительные механизмы не нормируются; каждая составляющая комбинации представляет собой полноразмерный компонент, что значительно усложняет уменьшение всей конструкции; кроме того, существующая технология не позволяет осуществить инкапсуляцию модуля источника света и модуля привода в единый модуль.
Из документа CN 1977394, опубликованного 7.07.2007, известен светодиодный модуль, содержащий подложку, по меньшей мере один светодиодный чип, установленный на первой стороне упомянутой подложки, и оптический элемент, покрывающий по меньшей мере один светодиодный чип. При этом указанная подложка снабжена по меньшей мере одним сквозным каналом, проходящим от
первой стороны подложки ко второй, противоположной стороне подложки, при этом указанный сквозной канал снабжен проводящими средствами для электрического соединения указанного по меньшей мере одного светодиодного чипа со схемой управления. Однако, указанное модуль имеет ряд недостатков, в частности, размещение чипа сверху на подложке увеличивает площадь модуля. Кроме того, модуль, раскрытый в Д1, не содержит привод, что усложняет их совместный монтаж при сборке лампы и приводит к дополнительным расходам, а также значительно усложняет уменьшение всей конструкции.
Автор полезной модели провел различные исследования по устранению указанных выше недостатков за счет усовершенствований, которые составляют основу настоящей полезной модели.
Суть полезной модели
Целью настоящей полезной модели является предоставление многослойной конструкции светодиодного модуля с уменьшенной площадью, благодаря которой значительно упрощен монтаж лампы, устранены дополнительные расходы и снижены потери мощности электрических соединений.
Для реализации вышеуказанной цели в настоящей полезной модели предлагается следующее техническое решение: многослойная конструкция светодиодного модуля на кремниевой подложке, содержащая слой модуля источника света и слой модуля привода, при этом слой модуля источника света и слой модуля привода наложены друг на друга и соединены припоем; при этом указанный слой модуля источника света содержит верхнюю подложку и светодиодный чип; при этом поверхность указанной верхней подложки, противоположной слою модуля привода, снабжена первым пазом; при этом указанный светодиодный чип расположен в первом пазу; при этом на указанной верхней подложке расположен первый провод; при этом светодиодный чип снабжен штыревым контактом; при этом один конец первого провода и штыревой контакт светодиодного чипа электрически соединены; при этом указанный слой модуля привода содержит нижнюю подложку и привод IC; при
этом поверхность указанной нижней подложки, противоположной указанному слою модуля источника света, снабжена вторым пазом; при этом указанный привод IC расположен во втором пазу; при этом на указанной нижней подложке расположен второй провод; при этом привод IC снабжен штыревым контактом; при этом один конец второго провода и штыревой контакт привода IC электрически соединены; при этом припой представляет собой токопроводящий припой; при этом другой конец первого провода на верхней подложке и другой конец второго провода на нижней подложке посредством токопроводящего припоя находятся в электрическом контакте.
При этом, существенными отличительными отличиями заявленной многослойной конструкции светодиодного модуля является то, что она состоит из слоя модуля источника света и слоя модуля привода, при этом указанные слой модуля источника света и слой модуля привода соединены припоем, при этом слой модуля источника света состоит из верхней подложки и светодиодного чипа, при этом светодиодный чип расположен в первом пазу верхней подложки; слой модуля привода состоит из нижней подложки и привода IC, при этом привод IC расположен во втором пазу нижней подложки; при этом верхняя подложка и нижняя подложка накладываются друг на друга.
Благодаря указанным выше существенным отличительным признакам обеспечивается гибкость полезной модели, значительно снижается площадь модуля, значительно упрощается монтаж лампы, снижаются потери мощности электрических соединений, уменьшается площадь всей системы, устраняются дополнительные расходы на кронштейны и корпуса, снижаются потери в электрических соединениях при выходе на рабочую мощность, снижается сопротивление для повышения охлаждающего эффекта механических соединений.
Кроме того, поверхность указанной нижней подложки, противоположной указанному слою модуля источника света, снабжена по меньшей мере одним
третьим пазом; при этом в третьем пазу расположен указанный токопроводящий припой.
Кроме того, указанный третий паз представляет собой несколько пазов; при этом в поперечном сечении нижней подложки указанные несколько третьих пазов образуют зубчатую конфигурацию.
Кроме того, указанная верхняя подложка вдоль направления толщины снабжена сквозным отверстием, сквозь которое проходит указанный первый провод; при этом нижняя поверхность верхней подложки, снабженной сквозным отверстием, снабжена указанным четвертым пазом.
Кроме того, в указанном втором пазу расположен наполнитель; при этом в наполнителе расположен привод IC.
Для получения вышеуказанной многослойной конструкции светодиодного модуля на кремниевой подложке согласно настоящей полезной модели предлагается способ изготовления многослойной конструкции светодиодного модуля на кремниевой подложке, включающий:
этап получения слоя модуля источника света, включающий: a1 - выбор кремниевой подложки в качестве верхней подложки; применение технологии микрообработки к поверхности верхней подложки для получения первого паза; а2 - применение технологии микрообработки к верхней подложке согласно разным электроцепям для размещения первого провода; а3 - применение технологии микрообработки к первому пазу для расположения светодиодного чипа; электрическое соединение штыревого контакта светодиодного чипа с одним концом первого провода;
этап получения слоя модуля привода, включающий: b1 - выбор кремниевой подложки в качестве нижней подложки; применение технологии микрообработки к поверхности нижней подложки для получения второго паза; b2 - применение технологии микрообработки к нижней подложке согласно разным электроцепям для размещения второго провода; расположение во втором
пазу привода IC; электрическое соединение штыревого контакта привода IC с одним концом второго провода;
этап наложения слоя модуля источника света и слоя модуля привода друг на друга, включающий: c1 - расположение на поверхности полученного на нижней подложке второго паза токопроводящего элемента припоя, предназначенного для других концов электрических проводов, предусмотренных на верхней и нижней подложках; с2 - совмещение друг с другом задней поверхности первого паза верхней подложки полученного слоя модуля источника света и поверхности полученного второго паза нижней подложки; плавление токопроводящего элемента припоя для электрического соединения электрических проводов на верхней и нижней подложках слоя модуля источника света и слоя модуля привода.
Кроме того, на указанном этапе b1 также на верхней поверхности указанной нижней подложки получают по меньшей мере один третий паз; при этом в третьем пазу располагают указанный токопроводящий элемент припоя.
Кроме того, указанный третий паз представляет собой несколько пазов; при этом в поперечном сечении нижней подложки несколько третьих пазов представлены зубцеобразными.
Кроме того, на указанном этапе a1 указанную верхнюю подложку вдоль направления толщины снабжают сквозным отверстием, сквозь которое проходит указанный первый провод; при этом нижнюю поверхность верхней подложки, противоположную нижней подложке и снабженную сквозным отверстием, снабжают указанным четвертым пазом.
Кроме того, на указанном этапе b2 после размещения в указанном втором пазу привода IC во второй паз помещают наполнитель, обволакивающий указанный привод IC.
Кроме того, в способе изготовления многослойной конструкции светодиодного модуля на кремниевой основе применяют микроскопическую обработку,
проводку и инкапсулирование в отношении соответствующего светодиодного чипа и привода IC; и так как требуется точность до микрометра, полученный посредством такой технологии модуль можно получать с контролем точности микроразмеров и монтажа светодиодного чипа и привода IC, при этом окончательный размер можно еще уменьшить.
Описание графических материалов
Фиг. 1 представляет собой схематическое изображение поперечного сечения многослойной конструкции светодиодного модуля на кремниевой подложке согласно настоящей полезной модели.
Фиг. 2 представляет собой схематическое изображение последовательности операций способа изготовления многослойной конструкции светодиодного модуля на кремниевой подложке согласно настоящей полезной модели.
Описание ссылочных позиций: 1. верхняя подложка; 11. светодиодный чип; 12. первый паз; 13. сквозное отверстие; 14. четвертый паз; 2. нижняя подложка; 21. привод IC; 22. второй паз; 23. третий паз; 3. припой; 4. токопроводящий металл.
Конкретный пример осуществления
Подробное описание сути полезной модели, характеристики конструкции, а также результаты реализации приведены в примере осуществления ниже со ссылкой на прилагаемые графические материалы.
Как видно на фиг. 1 и фиг. 2, в варианте осуществления представлена многослойная конструкция светодиодного модуля на кремниевой подложке, содержащая слой модуля источника света и слой модуля привода; при этом слой модуля источника света и слой модуля привода накладываются друг на друга и соединяются припоем; при этом указанный слой модуля источника света содержит верхнюю подложку 1 и светодиодный чип 11; при этом поверхность указанной верхней подложки 1, противоположной слою модуля привода, снабжена первым пазом 12; при этом указанный светодиодный чип 11
расположен в первом пазу 12; при этом на указанной верхней подложке 1 расположен первый провод; при этом светодиодный чип 11 снабжен штыревым контактом; при этом один конец первого провода и штыревой контакт светодиодного чипа 11 электрически соединены; при этом указанный слой модуля привода содержит нижнюю подложку 2 и привод IC 21; при этом поверхность указанной нижней подложки 2, противоположной указанному слою модуля источника света, снабжена вторым пазом 22; при этом указанный привод IC 21 расположен во втором пазу 22; при этом на указанной нижней подложке 2 расположен второй провод; при этом привод IC 21 снабжен штыревым контактом; при этом один конец второго провода и штыревой контакт привода IC электрически соединены; при этом припой 3 представляет собой токопроводящий припой; при этом другой конец первого провода на верхней подложке 1 и другой конец второго провода на нижней подложке 2 посредством токопроводящего припоя 3 находятся в электрическом контакте. Согласно полезной модели светодиодный чип непосредственно соединен с подложкой, что значительно улучшает термический КПД; привод IC встроен в нижнюю подложку, можно использовать внешний источник питания; не требуется внешний привод, что увеличивает удобство использования; способ наложения слоя модуля источника света и слоя модуля привода значительно снижает площадь изделия для экономии места; кроме того, многослойная конструкция светодиодного модуля на кремниевой подложке, в которую входит уменьшенный корпус-опора для комплекта светодиодов, уменьшенный привод и выпрямитель, значительно снижает стоимость изделия.
В примере осуществления поверхность указанной нижней подложки 2, противоположной указанному слою модуля источника света, снабжается по меньшей мере одним третьим пазом 23; при этом в третьем пазу 23 расположен указанный токопроводящий припой 3; таким образом, когда слой модуля источника света и слой модуля привода соединяются путем пайки для наложения друг на друга, обеспечивается удобное расположение припоя и повышаться прочность пайки; кроме того, указанный третий паз 23 представляет собой несколько пазов, при этом в поперечном сечении нижней подложки 2
указанные несколько третьих пазов 23 образуют зубчатую конфигурацию; таким образом, также повышается прочность пайки; в примере осуществления указанный припой 3 расположен в соответствии с конкретной проводкой, согласно конкретной проводке, и припой электрически соединен с проводом между слоем модуля источника света и слоем модуля привода; таким образом, можно удобно осуществлять электрическое соединение слоя модуля источника света и слоя модуля привода и одновременно можно повышать скорость изготовления.
В примере осуществления указанная верхняя подложка 1 вдоль направления толщины снабжена сквозным отверстием 13, сквозь которое проходит указанный первый провод; нижняя поверхность верхней подложки 1, снабженной сквозным отверстием 13, снабжена указанным четвертым пазом 14; посредством четвертого паза 14 и сквозного отверстия 13 можно удобно электрически соединять первый провод на верхней подложке 1, проходящий сквозь сквозное отверстие 13, и второй провод на нижней подложке 2, и посредством четвертого паза 14 можно укрепить первый электрический провод, а также одновременно можно повышать прочность пайки верхней и нижней подложек. Также в примере осуществления указанные первый провод и второй провод, в целом представляющие собой токопроводящий металл 4, согласно разным электроцепям непосредственно располагаются на верхней и нижней подложках, затем токопроводящий металл 4 на верхней подложке посредством сквозного отверстия 13 охватывает поверхность нижней подложки 2 около верхней подложки 1 и посредством токопроводящего припоя 3 электрически соединяется с токопроводящим металлом 4 на нижней подложке 2.
В примере осуществления в указанном втором пазу 22 расположен наполнитель, при этом привод IC 21 находится в наполнителе, и, таким образом, можно защитить привод IC 21.
Чтобы получить вышеуказанную многослойную конструкцию светодиодного модуля на кремниевой подложке, в полезной модели раскрывается способ
изготовления многослойной конструкции светодиодного модуля на кремниевой подложке, включающий:
этап получения слоя модуля источника света, включающий: a1 - выбор кремниевой подложки в качестве верхней подложки 1; применение технологии микрообработки к поверхности верхней подложки 1 для получения первого паза 12; одновременное сверление в верхней подложке 1 проходящего вдоль направления толщины сквозного отверстия 13, сквозь которое проходит указанный первый провод; получение на поверхности нижней подложки четвертого паза напротив выполненного в верхней подложке сквозного отверстия; а2 - применение технологии микрообработки к верхней подложке 1 согласно разным электроцепям для размещения первого провода; а3 - применение технологии микрообработки к первому пазу 12 для расположения светодиодного чипа 11; электрическое соединение штыревого контакта светодиодного чипа 11 с одним концом первого провода, и введение другого конца в указанное сквозное отверстие 13;
этап получения слоя модуля привода, включающий: b1 - выбор кремниевой подложки в качестве нижней подложки 2; применение технологии микрообработки к поверхности нижней подложки 2 для получения второго паза 22; одновременное получение по меньшей мере одного третьего паза 23; b2 - применение технологии микрообработки к нижней подложке 2 согласно разным электроцепям для размещения второго провода; расположение во втором пазу 22 привода IC 21; электрическое соединение штыревого контакта привода IC 21 с одним концом второго провода; последующее введение во второй паз 22 наполнителя, обволакивающего указанный привод IC;
этап наложения слоя модуля источника света и слоя модуля привода друг на друга, включающий: c1 - расположение предназначенного для других концов первого и второго электрических проводов, предусмотренных на верхней и нижней подложках, токопроводящего элемента припоя (формы припоя 3) на поверхности полученного на нижней подложке 2 второго паза 22; в варианте
осуществления третий паз 23 и четвертый паз 14 равномерно снабжены токопроводящим элементом припоя; с2 - совмещение друг с другом задней поверхности первого паза 12 верхней подложки 1 полученного слоя модуля источника света и поверхности полученного второго паза 22 нижней подложки 2; плавление токопроводящего элемента припоя для электрического соединения электрических проводов на верхней и нижней подложках слоя модуля источника света и слоя модуля привода; в процессе спаивания применяют припой натяжение поверхности способ наложения с самовыравниванием.
В примере осуществления указанный третий паз 23 представляет собой несколько пазов; при этом в поперечном сечении нижней подложки 2 несколько третьих пазов представлены зубцеобразными, таким образом, также повышается прочность пайки.
В примере осуществления полученные первый паз 12, второй паз 22, третий паз 23 и четвертый паз 14 верхней и нижнее подложек в равной мере получены технологией микрообработки; при этом проводка указанных первого провода и второго провода на верхней и нижней подложках также осуществляется с применением технологии микрообработки; аналогично монтаж светодиодного чипа и привода IC также осуществляется посредством технологии микрообработки, при этом технология микрообработки (Micromachining) является технологией изготовления, основывающейся на микроэлектромеханических системах (Micro Electro-Mechanical System, MEMS), похожей на технологию производства полупроводников, например микрообработка поверхности, микрообработка конструкций и т.д. Точность изготовления в целом составляет микрометры, поэтому полученный посредством такой технологии модуль можно получать с контролем точности микроразмеров и осуществлять монтаж посредством соответственных маленьких элементов, при этом окончательный размер можно еще уменьшить.
Согласно полезной модели при наложении и пайке верхней и нижней подложки поверхностное натяжение используемого в процессе пайки токопроводящего
припоя используется как способ самовыравнивания поверхности; это - простой и точный способ самовыравнивания поверхности; при этом способ самовыравнивания поверхности припоя благодаря поверхностному натяжению припоя является самым распространенным способом самовыравнивания при пайке. При нагреве до 200-300 градусов по Цельсию припой переходит в жидкую форму, поверхностное натяжение припоя в жидкой форме стремится минимизировать морфологическую деформацию поверхности припоя; благодаря поверхностному натяжению припоя можно выравнивать и верхнюю, и нижнюю контактную площадку, таким образом можно исправить некоторые огрехи перед окончательной пайкой, что значительно упрощает процесс пайки.
Согласно полезной модели способ изготовления многослойной конструкции светодиодного модуля на кремниевой подложке, способ наложения подложек и принцип соединения светодиодного чипа и привода IC позволяют увеличить гибкость многослойной конструкции светодиодного модуля на кремниевой подложке, также позволяют установить необходимою по проекту электрику в первом пазу или во втором пазу; поскольку уменьшается количество точек соединения линии и используется только пайка токопроводящим припоем, снижаются потери в электрических соединениях при выходе на рабочую мощность, увеличивается мощность, экономится электроэнергия; устраняются дополнительные расходы на кронштейны и корпуса, снижается сопротивление для повышения охлаждающего эффекта механических соединений.
С учетом описанный выше предпочтительный вариант осуществления настоящей полезной модели и без ограничения им объема настоящей полезной модели любое использование содержания настоящего описания и прилагаемых графических материалов, а также созданных в соответствии с ними конструкций или аналогичных процессов, либо прямое или косвенное использование их в смежных областях техники, входит в объем защиты настоящей полезной модели.
Claims (5)
1. Многослойная конструкция светодиодного модуля на кремниевой подложке, отличающаяся тем, что содержит слой модуля источника света и слой модуля привода, при этом слой модуля источника света и слой модуля привода наложены друг на друга и соединены припоем;
при этом указанный слой модуля источника света содержит верхнюю подложку и светодиодный чип; при этом поверхность указанной верхней подложки, противоположной слою модуля привода, снабжена первым пазом; при этом указанный светодиодный чип расположен в первом пазу; при этом на указанной верхней подложке расположен первый провод; при этом светодиодный чип снабжен штыревым контактом; при этом один конец первого провода и штыревой контакт светодиодного чипа электрически соединены;
при этом указанный слой модуля привода содержит нижнюю подложку и привод IC; при этом поверхность указанной нижней подложки, противоположной указанному слою модуля источника света, снабжена вторым пазом; при этом указанный привод IC расположен во втором пазу; при этом на указанной нижней подложке расположен второй провод; при этом привод IC снабжен штыревым контактом; при этом один конец второго провода и штыревой контакт привода IC электрически соединены;
при этом припой представляет собой токопроводящий припой; при этом другой конец первого провода на верхней подложке и другой конец второго провода на нижней подложке посредством токопроводящего припоя находятся в электрическом контакте.
2. Многослойная конструкция светодиодного модуля на кремниевой подложке по п. 1, отличающаяся тем, что поверхность указанной нижней подложки, противоположной указанному слою модуля источника света, снабжена по меньшей мере одним третьим пазом; при этом в третьем пазу расположен указанный токопроводящий припой.
3. Многослойная конструкция светодиодного модуля на кремниевой подложке по п. 2, отличающаяся тем, что указанный третий паз представляет собой несколько пазов; при этом в поперечном сечении нижней подложки указанные несколько третьих пазов образуют зубчатую конфигурацию.
4. Многослойная конструкция светодиодного модуля на кремниевой подложке по п. 2, отличающаяся тем, что указанная верхняя подложка вдоль направления толщины снабжена сквозным отверстием, сквозь которое проходит указанный первый провод; при этом нижняя поверхность верхней подложки, снабженной сквозным отверстием, снабжена указанным четвертым пазом.
5. Многослойная конструкция светодиодного модуля на кремниевой подложке по п. 1, отличающаяся тем, что в указанном втором пазу расположен наполнитель; при этом в наполнителе расположен привод IC.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310296592.1 | 2013-07-15 | ||
| CN201310296592.1A CN103367351B (zh) | 2013-07-15 | 2013-07-15 | 基于硅基的led模组多层叠加结构及制作方法 |
| PCT/CN2013/079509 WO2015006936A1 (zh) | 2013-07-15 | 2013-07-17 | 基于硅基的led模组多层叠加结构及制作方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU165459U1 true RU165459U1 (ru) | 2016-10-20 |
Family
ID=49368369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2015153042/28U RU165459U1 (ru) | 2013-07-15 | 2013-07-17 | Многослойная конструкция светодиодного модуля на кремниевой подложке |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103367351B (ru) |
| RU (1) | RU165459U1 (ru) |
| WO (1) | WO2015006936A1 (ru) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103646620B (zh) * | 2013-12-25 | 2016-01-20 | 深圳市洲明科技股份有限公司 | Led显示模组及其制造方法 |
| CN109084216B (zh) * | 2017-07-19 | 2021-12-21 | 广州超维光电科技有限责任公司 | 基于类舞台结构的整体封装式行单元 |
| CN113359248B (zh) * | 2021-06-02 | 2022-11-15 | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 | 一种光模块 |
| CN115547206A (zh) * | 2022-09-29 | 2022-12-30 | 上海天马微电子有限公司 | 发光模组及其制作方法、背光源、显示面板、显示装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7008820B2 (en) * | 2004-06-10 | 2006-03-07 | St Assembly Test Services Ltd. | Chip scale package with open substrate |
| CN1977394A (zh) * | 2004-06-29 | 2007-06-06 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发光二极管模块 |
| KR100646094B1 (ko) * | 2005-07-04 | 2006-11-14 | 엘지전자 주식회사 | 표면 실장형 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법 |
| KR100817075B1 (ko) * | 2006-11-09 | 2008-03-26 | 삼성전자주식회사 | 멀티스택 패키지 및 그 제조 방법 |
| CN102011952A (zh) * | 2009-09-04 | 2011-04-13 | 佛山市国星光电股份有限公司 | Led光源模块的制造方法及该方法的产品 |
| CN202100964U (zh) * | 2011-03-11 | 2012-01-04 | 义乌市菲莱特电子有限公司 | 一种宽光谱led节能灯管 |
| CN203386751U (zh) * | 2013-07-15 | 2014-01-08 | 广东洲明节能科技有限公司 | 基于硅基的led模组多层叠加结构 |
-
2013
- 2013-07-15 CN CN201310296592.1A patent/CN103367351B/zh active Active
- 2013-07-17 WO PCT/CN2013/079509 patent/WO2015006936A1/zh active Application Filing
- 2013-07-17 RU RU2015153042/28U patent/RU165459U1/ru active IP Right Revival
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103367351B (zh) | 2015-12-30 |
| WO2015006936A1 (zh) | 2015-01-22 |
| CN103367351A (zh) | 2013-10-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102332362B1 (ko) | 초박형 임베디드 반도체 소자 패키지 및 그 제조 방법 | |
| US9445490B2 (en) | Film system for LED applications | |
| CN105557074B (zh) | 用于电子应用的柔性电路板、包含柔性电路板的光源以及制造方法 | |
| RU165459U1 (ru) | Многослойная конструкция светодиодного модуля на кремниевой подложке | |
| KR20160073934A (ko) | 전반 조명을 위한 led 리드 프레임 어레이 | |
| US8575756B2 (en) | Power package module with low and high power chips and method for fabricating the same | |
| KR101130137B1 (ko) | 발광다이오드 모듈 | |
| US8371715B2 (en) | LED illuminator module with high heat-dissipating efficiency and manufacturing method therefor | |
| TW200950153A (en) | Optoelectronic device submount | |
| US7884385B2 (en) | Light emitting diode device | |
| TWM498387U (zh) | 熱電分離的發光二極體封裝模組及電連接模組 | |
| US20160141235A1 (en) | Printed circuit board assembly with image sensor mounted thereon | |
| CN203386751U (zh) | 基于硅基的led模组多层叠加结构 | |
| CN103337496B (zh) | 基于双面硅基板的led集成封装结构及制作方法 | |
| EP2058860A2 (en) | Fully testable surface mount die package configured for two-sided cooling | |
| KR101448165B1 (ko) | 금속 본딩 회로 패턴을 독립적으로 구성하고，어레이가 형성되어 직병렬 연결 구조가 가능하게 한 ｃｏｂ 또는 ｃｏｍ 형태의 ｌｅｄ 모듈 | |
| KR20150031029A (ko) | 반도체 패키지 및 그 제조 방법 | |
| DE102012006924A1 (de) | LED-Beleuchtungsmodul mit gleichförmiger Lichtabgabe | |
| US9999140B2 (en) | Light emitting diode light engine | |
| CN103606545A (zh) | 一种led软板光源模组及其制造方法 | |
| JP6509837B2 (ja) | 少なくとも１つの光源を電力供給システムに電気的に接続するためのシステム | |
| US9917213B2 (en) | Photovoltaic module and method for producing a photovoltaic module | |
| CN103904552A (zh) | 投影用激光芯片封装结构 | |
| US20150228625A1 (en) | Semiconductor package and method of manufacturing the same | |
| US20160049380A1 (en) | Wire bonds for electronics |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM9K | Utility model has become invalid (non-payment of fees) |
Effective date: 20180718 |
|
| NF9K | Utility model reinstated |
Effective date: 20190515 |