PT95436B - Processo de producao de uma pelicula depositada e de producao de um dispositivo semicondutor - Google Patents

Processo de producao de uma pelicula depositada e de producao de um dispositivo semicondutor Download PDF

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Description

Campo da, invenção
O presente invento refere-se a um processo para a produção de uma película depositada e a um processo para a produção de um dispositivo semicondutor. Particularmente, refere-se a um processo para a produção de uma película depositada de Mo, preferível mente, aplicável â formação de um circuito eléctrico de um dispositivo semicondutor, etc, e ao processo de produção de um dispositivo semicondutor, usando a deposição selectiva de película de Mo.
Arte anterior relacionada
Na arte anterior, em dispositivos electronicos ou em circuitos integrados, para uso em semicondutores, para eléctrodos e para circuitos elêctricos têm-se usado, principalmente, alumínio (Al) ou Al-Si, etc. O Al ê barato e tem uma electrocondutividade elevada, e pode-se formar sobre a superfície uma película oxidada densa. Deste modo, tem muitas vantagens, tais como o facto de a porção interior poder ser protegida, para ser estabilizada, e de a adesão ao Si ser boa.
Contudo, por outro lado, com uma maior integração, a técnica de auto-alinhamento, na qual ê desnecessária a máscara que se ajusta entre o eléctrodo de porta e a camada de difusão, é indispensável. Não se pode usar nenhum metal com um ponto de fusão baixo tal como o alumínio. No MOS-LSI da arte anterior, como circuito eléctrico do eléctrodo de porta capaz de se auto alinhar, tem-se usado bastante um Si policristalino dopado com uma concentração elevada de impurezas. No entanto, com o desenvolvimento de uma integração ainda mais elevada, surge o problema de a resistência eléctrica do circuito de Si policristalino fino se tornar mais ele vada. Isto é vital para a alta velocidade de actuação do dispositi vo. Deste modo, tem sido requerido ter-se um metal de ponto de fusão elevado que tenha uma resistividade de volume menor do que a d
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Si policristalino, mas que seja ainda capaz de se auto-alinhar. Também, basicamente, mesmo quando se pode utilizar Al, o Si e o Al do circuito elêctrico reagem um com o outro, durante o tratamento térmico, na porção de elêctrodo de contacto com a camada de Si, pelo que ocorre a ruptura do condutor ou se provoca uma maior resistência do circuito elêctrico. Por esta razão tem-se usado um metal com um ponto de fusão mais elevado e uma resistência eléctrica mais baixa, como material para o circuito elêctrico do elêctrod-o, e como metal de barreira que evita a reacção entre o Si e o Al na região de contacto. Particularmente, o Mo estã a atrair atenções devido ao seu ponto de fusão suficientemente elevado (26209C) e â sua resistividade eléctrica baixa (4,9 ttÂcm) .
Os processos de deposição de acordo com o processo de deposição com feixe de electrões e com o processo de pulverização catódica, têm sido utilizados em películas de Mo usadas em circuitos de eléctrodos de Mo, etc., da arte anterior. Com a produção de películas de dimensões mais finas, devida a um maior grau de integração, a superfície do LSI, etc., é submetida a desnivelamento excessivo devido a oxidação, difusão, deposição de películas finas, gravação, etc. Por exemplo, o metal para eléctrodos ou para o circuito elêctrico tem de ser depositado sobre a superfície com desnivelamen tos em degrau, ou tem de ser depositado num orifício de pequenas di mensões, em diâmetro e em profundidade. Na DRAM (RAM dinâmica) de 4 Mbit ou de 16 Mbit, etc., a razão dimensional do orifício (profun didade do orifício/diâmetro do orifício) no qual se pretende deposi tar um metal para um circuito elêctrico, é de 1,0 ou mais, e o próprio diâmetro do orifício é de 1,0 μ ou inferior. Deste modo, mesmo para um orifício com uma grande razão dimensional, é necessária uma técnica que possa depositar um metal para circuitos eléctricos.
Particularmente, para realizar uma ligação eléctrica segura ao dispositivo, sob uma película isolante tal como uma de SiC^, etc, em vez da formação de uma película é necessário a deposição de um metal de modo a embeber apenas o orifício do dispositivo. Neste caso, ê necessário um processo de deposição de um metal para circui to elêctrico apenas sobre a superfície de Si ou de metal e não so71 612
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bre uma película isolante tal como uma âe SiC^, etc.
É difícil conseguir esta deposição e crescimento selectivo pelo processo de deposição de feixe de eletrões ou de pulverização catódica usado no passado. O processo de pulverização catódica ê um processo de deposição física que ê realizado espalhando as partículas pulverizadas, sob vácuo. Deste modo, a espessura da película torna-se muito fina na porção em degrau e na parede lateral da película isolante e, num caso extremo, pode-se provocar a ruptura de um condutor eléctrico. Adicionalmente, o desnivelamento da espessura de uma película e a ruptura dum condutor eléctrico provocam a degradação notável da fiabilidade do LSI.
Por outro lado, tem sido desenvolvido o processo de pulverização catódica com polarização, no qual se aplica uma polarização sobre um substrato e a deposição é realizada de modo a embeber Al, liga de Al ou silicieto de Mo, apenas no orifício utilizando a acção de gravação por pulverização e a acção de deposição sobre a superfície de substrato. Contudo, uma vez que se aplica no substrato uma voltagem de polarização de 100 V ou superior, verifica-se uma influência prejudicial devido a danos provocados por partículas carregadas, tais como modificações do valor limiar de MQS-FET, etc. Também, devido â presença da acção de gravação e da acção de deposição, existe o problema de não se poder melhorar, substancialmente, a velocidade de deposição.
De modo a resolver problemas tais como os que anteriormente se descreveram, têm sido propostos vários tipos de processos de CVD (deposição química de vapor). Nestes processos utiliza-se, de alguma forma, a reaeção química de um gãs de partida. No CVD de pias ma ou no CVD ôptico, a decomposição do gãs de partida ocorre na fase gasosa e as espécies activas formadas reagem, adicionalmente, sobre o substrato dando origem à formação de uma película. Nestes processos de CVD a cobertura da superfície, relativamente a desnivelamentos, ê boa, uma vez que a reaeção ocorre numa fase gasosa. Contudo, os átomos de carbono contidos na molécula de gás de partida são incorporados na película. Particularmente, no CVD de plasma, permanece o problema de se verificarem danos provocados por parti71 612 como no
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Pp cuias carregadas (os, assim chamados, danos de plasma) tal caso do processo de pulverização.
processo de CVD térmico, no qual a pelicula cresce através de uma reacção de superfície, principalmente, sobre a superfície do substrato, ê bom relativamente à cobertura da superfície sobre desnivelamentos, tais como a porção em degrau da superfície, etc. Pode-se também esperar que a deposição no orifício ocorra facilmente. Adicionalmente, pode-se evitar a ruptura do condutor eléctrico na porção desnivelada em degrau.
Por esta razão, têm-se efectuado vários estudos sobre o processo de CVD térmico, como processo para a produção de uma película de Mo. Por exemplo, existem o processo de redução por hidrogénio de MoClg e o processo de redução por Si de MoFg, de acordo com CVD a pressão normal ou CVD a pressão reduzida, tal como foram apresentados no Capítulo 4 de Handotai Kenkyu (Pesquisa de Semicondutores) Vol. 20 (Kogyo Chosakai, 1983). Contudo, no processo de redução por hidrogénio de MoCl^, por vezes, podem-se formar uma pluralidade de halogenetos de molibdénio, tais como MoC13 e outros, que não Mo, em zonas de substrato que não a superfície de substrato aquecida no dispositivo para produção da película. Deste modo, é difícil controlar a produção da película. Além disso, ainda que possa ser possível a produção de película, não se consegue qualquer deposição selectiva.
Por outro lado, por exemplo, na publicação da EP 147913 (A3) ou na USP 3785862, mostra-se um processo para a produção de película de Mo usando MoFg gasoso, hidrogénio gasoso e um gãs inerte .
No entanto, no processo de redução por Si de MoFg, o MoFg reage na presença de Si para precipitar o Mo, pelo que o Si é gravado. Deste modo, existe o receio de o circuito electrónico, sobre a bolacha de Si, poder ser danificado. 0 SiC>2 ê também gravado. Con tudo, por esta razão, no processo de redução por Si de MoFg, a deposição ocorre, principalmente, sobre o substrato de Si e a deposição da película de Mo não ocorre sobre S1O2 de modo algum, mas na
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USP 3 785 862 afirma-se, claramente, gue a película de Mo se deposita, também, sobre SiO2> Isto sugere que a deposição selectiva de Mo não é tão completa. Adicionalmente, tal como anteriormente se descreve, o Si e o SiO2 são ambos sujeitos a gravação, e, neste estado, existe o receio de poderem estar envolvidos problemas práticos relativos â lisura da superfície e ã mistura de impurezas, etc. Como outro processo existe um exemplo de um processo de CVD, a pressão normal, de Mo(CO)g tal como se descreve em Thin solid films, Vol. 63 (.1979), pág. 169. Neste processo pode-se depositar uma película de Mo sobre o substrato pelo uso de CVD a pressão normal, com Ar como gãs transportador. Contudo, neste processo, podem também, por vezes, ser incorporadas quantidades consideravelmente grandes de oxigénio e de carbono na película de Mo, como impurezas, e por esta razão existe o receio de a resistência eléctrica da película depositada poder ser aumentada. Também, de acordo com este processo, a deposição selectiva pode ser realizada com dificuldade.
Tal como anteriormente se descreveu, o processo de deposição de película de Mo da arte anterior tinha muitos problemas a melhorar, tais como o facto de a cobertura da superfície desnivelada em degrau, da superfície do LSI ser pobre, de a superfície de Si do LSI ser desnecessariamente gravada, de se verificarem danos do SiO2 de a reacção de deposição poder ser controlada com dificuldade ou de se misturar uma grande quantidade de impurezas com a película de Mo.
SUMÃRIQ DA INVENÇÃO
Um primeiro objectivo do presente invento é proporcionar um processo de deposição de película de Mo sem provocar danos na bolacha de Si ou de SiO2·
Um segundo objectivo do presente invento ê proporcionar um processo de deposição de uma película de Mo com cobertura de grandes desnivelamentos da superfície de LSI.
Um terceiro objectivo do presente invento ê proporcionar um processo de deposição selectiva de uma película de Mo, eficaz
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CFO 7071 PT (MO/TN/rs) ,iC3CJBStSa» para embeber orifícios, etc.
Um quarto objectivo do presente invento ê proporcionar um processo de deposição de uma película de Mo, no qual se possa depositar película de Mo de um modo bem controlável.
Urn quinto objectivo do presente invento ê proporcionar um processo de produção de um dispositivo semicondutor, com características tais como uma excelente lisura da superfície, resistância â migração, etc., usando o processo de deposição selectiva de uma película de Mo para a formação do circuito eléctrico e dos elêctrodos.
Um sexto objectivo do presente invento ê proporcionar um processo para produção de uma película depositada, compreendendo os passos de:
(a) alimentar um gãs de um composto organometálico conten do um átomo de molibdénio e hidrogénio gasoso a um substrato possuindo uma superfície doadora de electrões, e (b) manutenção da temperatura da referida superfície doadora de electrões a uma temperatura compreendida entre a temperatura de decomposição do referido composto organometálico, ou inferior e 80Q°C, ou inferior, para formar uma película de molibdénio sobre a referida superfície doadora de electrões.
Um sétimo objectivo do presente invento é proporcionar um processo para a produção de uma película depositada, compreendendo os passos de:
(a) alimentar um gãs de um composto organometálico conten do um ãtomo de molibdénio e hidrogénio gasoso a um substrato possuindo uma superfície doadora de electrões e uma superfície não doadora de electrões, e (b) manutenção da temperatura da referida superfície doadora de electrões a uma .temperatura compreendida entre a temperatura de decomposição do referido composto organometálico, ou inferior e 800°C, ou inferior, para formar uma película de molibdénio, selectivamente, sobra a referida superfície doadora de electrões.
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Um oitavo objectivo do presente invento é um processo para a produção de um dispositivo semicondutor, compreendendo os passos de:
formação de uma película, compreendendo um material isolante sobre um material semicondutor, formação de uma abertura na referida película de modo a ter-se o referido material semicondutor exposto, embeber um material electrocondutor na referida abertura, para constituir o circuito eléctrico, caracterizado por a reacção se realizar entre um gãs de um composto organometálico, contendo um ãtomo de molibdénio, e hidrogénio gasoso a uma temperatura compreendida entre a temperatura de decomposição do referido composto organometálico,ou inferior, e 800°C, ou inferior, para depositar, selectivamente, molibdénio sobre a referida abertura, formando-se uma parte do referido circuito eléctrico.
BREVE DESCRIÇÃO DOS DESENHOS
A Fig. 1 mostra uma perspectiva esquemática ilustrando um exemplo de um aparelho para a produção de uma película de deposição que ê possível aplicar ao presente invento.
A Fig. 2 mostra uma perspectiva transversal esquelãtica ilustrando um processo para a produção de uma película de deposição de acordo com o presente invento.
A Fig. 3 mostra uma perspectiva esquemática, ilustrando outro exemplo de um aparelho para a produção de uma película de deposição que é possível aplicar ao presente invento.
A Fig. 4 mostra uma perspectiva esquemática ilustrando um processo para a produção de um dispositivo semicondutor de acordo com o presente invento.
DESCRIÇÃO DETALHADA DAS CONCRETIZAÇÕES PREFERIDAS
Um processo preferido para produção da película depositada
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- 9 do presente invento ê o que a seguir se descreve.
O processo para produção da película depositada do presente invento e caracterizado por se formar uma película de molibdénio , sobre uma superfície doadora de electrões, através da reaeção com um gãs de um composto organometálico, contendo um ãtomo de molibdénio, e hidrogénio gasoso.
Por outro lado, um processo preferido para a produção do dispositivo semicondutor do presente invento ê o que a seguir se descreve.
processo para produção do.dispositivo semicondutor do presente invento ê caracterizado por o molibdénio se depositar, selectivamente, através da reaeção entre um gãs de um composto organometãlico, contendo um ãtomo de molibdénio, e hidrogénio gasoso sobre uma superfície de semicondutor à qual se removeu uma película isolante, para constituir, assim, uma parte do circuito elêctrico.
A película de Mo obtida pelo processo de produção de película depositada, de acordo com o presente invento, contem poucas impurezas, tais como carbono, etc., e tem também uma resistência eléctrica suficienteraente baixa. O substrato estã também não danificado e ê bem controlável.
De acordo com o processo de produção de uma película depositada do presente invento, pode-se depositar, selectivamente sobre o substrato, uma película de Mo densa, de baixa resistência.
Adieionalmente, usando o processo de produção do dispositivo semicondutor do presente invento, pode-se produzir um excelente dispositivo semicondutor usando uma película de Mo de baixa resistência, densa e lisa na porção do circuito eléctrico e do elêctrodo.
No presente invento, como gases de partida para a produção da película depositada, usam-se um composto de Mo orgânico e í^, na forma gasosa. Sublimando Mo(CO)g, Mo(.CH3)g, etc., como composto de
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Mo orgânico, que são sólidos a temperatura ambiente e por reacção num gãs transportador, tal como H2, Ar, etc., sobre um substrato aquecido, deposita-se película de Mo. O mecanismo detalhado da reacção não estã necessariamente classificado, mas pode-se considerar, que ο Μο(00)θ, etc., reage com H2 gasoso sobre uma superfície de substrato doador de electroes, tal como um metal ou um semicondutor, aquecido, para formar Mo. Uma vez que esta reacção ocorre com dificuldade no local onde a superfície de substrato é não doadora de electroes, pode-se considerar que a deposição da película ocorre com dificuldade sobre a superfície não doadora de electroes.
Descreve-se agora aqui, em detalhe, um material doador de electroes característico.
A expressão material doador de electroes refere-se a um material que possui electroes livres existentes ou no qual se formaram, intencionalmente, electroes livres, por exemplo, um material possuindo uma superfície sobre a qual a reacção química é promovida através de trocas de electroes com as moléculas de gãs de partida, ligadas à superfície de substrato. Por exemplo, de um modo geral, os metais e os semicondutores correspondem a este material. Incluem-se, também, aqueles materiais possuindo uma película oxidada muito fina sobre a superfície de metal ou de semicondutor. Com esta película fina pode ocorrer a reacção química entre o substrato e as moléculas de gãs de partida ligadas.
Especificamente, podem-se incluir semicondutorres tais como silício cristalino simples, silício policristalino, silício amorfo, etc., sistemas binários, ternários ou quaternários de compostos semicondutores dos grupos III-V compreendendo combinações de Ga, In e Al como elemento do grupo III e de P, As e N como elemento do grupo V, ou semicondutores de compostos dos grupos II-VI, ou os próprios metais tais como tungsténio, molibdênio, tântalo, alumínio, titânio, cobre, etc., ou silicietos dos metais anteriores tais como o silicieto de tungsténio, silicieto de molibdênio, silicieto de tântalo, silicieto de alumínio, silicieto de titânio, etc., e ainda metais contendo qualquer um dos constituintes dos metais an71 612
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teriores tais como, alumínio-silício, alumínio-titânio, alumínio-cobre, alumínio-tântalo, ãlumínio-silício-cobre, aluminio-silício-titânio, alumínio-palãdio, nitreto de titânio, etc.
Por contraste, os materiais para constituir a superfície sobre a qual o Mo não se deposita selectivamente, nomeadamente o material não doador de electrões, são materiais isolantes convencionais, silício oxidado produzido por oxidação térmica, CVD, etc., vidro ou película oxidada tal como BSG, PSG, BPSG, etc., película nitrificada termicamente, película nitrificada de silício, obtida por CDV de plasma, CVD a baixa pressão, processo ECR-CVD, etc.
A pirólise do gás de partida a ser usado no presente invento, por exemplo, O Mo(CO)g simples, ocorre a cerca de 400°C e a decomposição parcial ocorre também a 300°C. Se a pressão parcial é elevada e não existe qualquer estes produtos de compostos depositam-se sobre o substrato sem selectividade. Além disso, nesta altura, são incorporados na película de Mo quantidades consideravelmente grandes de carbono e de oxigénio, pelo que a resistência elêctrica se torna mais elevada. Deste modo, também para evitar a mistura de impurezas na película, ê indispensável gasoso durante a reacção. Para uma temperatura de substrato de 300°C ou superior, quando a pressão do gás de reacção é mais elevada, a deposição da película ocorre, também, sobre uma superfície não doadora de electrões tal como uma superfície de SiC^, A^O^, etc., pelo que se diminui a selectividade de deposição. Deste modo, não ocrre qual quer deposição selectiva a não ser que a pressão de reacção (pressão parcial de composto organometálico) seja de 100 Torr ou inferior e, na prática, é desejável que seja de 10 Torr ou inferior.
Se a temperatura do substrato ê muito elevada, verifica-se a pirõlise abundante do Mo(CO)& e do sem o auxílio de uma superfície doadora de electrões, pelo que se aumentam, de -novo, as impurezas na película e perde-se, também, a selectividade da deposição. Também não se pode utilizar uma temperatura superior a 800°C e a temperatura de substrato desejável é, adequadamente, 600°C, ou inferior. A gama de temperaturas de substrato mais desejável ê de 450 a 550°C. É conhecido o processo pelo qual se reduzem MoCl^, MoFg ou
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compostos similares, com ou com Si, mas nestes processos, podem-se misturar elementos de halogénio na película, e verificam-se danos tais como gravação do substrato de Si ou da película de SiO2, o que deteriora as caracteristicas do substrato. Por esta razão, pelo uso deste processo, mesmo as caracteristicas do dispositivo podem ser, por vezes, diminuídas. Por outro lado, de acordo com o processo do presente invento, uma vez que não se usa qualquer elemento de halogéneo, é possível a deposição selectiva da película de Mo sem qualquer dos problemas anteriormente mencionados. Como gãs de partida, para além do Mo(.CO)g, pode-se usar MotCH^g. 0 MoCCH^lg ê mais desejável do que o Mo(CO)θ na obtenção de uma película de pureza mais elevada. Contudo, os compostos orgânicos de Mo não estão limitados a estes compostos.
As concretizações preferidas do presente invento são agora explicadas por referência aos desenhos.
A Fig. 1 ê uma perspectiva esquemática que mostra um aparelho para produção de uma película de deposição, para aplicação do presente invento.
Aqui, o número 1 indica um substrato para formação da película de Mo. O substrato 1 está montado num suporte de substratos 3 disposto no interior do tubo de reacção 2 constituindo um espaço para produção de uma película depositada que ê substancialmente fechado, tal como se mostra na Fig. 1. Como material constituinte do tubo de reacção ê preferível o quartzo, mas este pode também ser construído em metal. Adicionalmente, ê preferível arrefecer o tubo de reacção. O suporte de substratos 3 ê construído em metal e está provido de um aquecedor 4 de modo a que o substrato aí montado possa ser aquecido, e ê constituído de modo a que a temperatura do substrato possa ser controlada controlando a temperatura de produção de calor do aquecedor 4.
sistema de alimentação de gases ê constituído como a seguir se descreve.
O número 5 indica um misturador de gãs, no qual se mistu71 612
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ram o gãs de partida e o gãs de reacção, e a mistura é alimentada ao tubo de reacção 2. O numero 6 é um gaseificador do gãs de partida, proporcionado para a gaseificação de um organometâlico como gãs de partida.
O organometâlico a ser usado no presente invento é sólido, à temperatura ambiente, e ê transformado em vapor saturado por sublimação do organometâlico, fazendo passar um gãs transportador através do organometâlico, no gaseificador 6, gue por sua vez é introduzido no misturador 5.
Nesta altura, a sublimação ê notavelmente acelerada por aquecimento do próprio gãs ou do organometâlico.
O sistema de evacuação ê constituído como a seguir se descreve.
O número 7 ê uma válvula de comporta que é aberta quando se realiza a evacuação de um grande volume, tal como na evacuação do interior do tubo de reacção antes da formação da película depositada. O número 8 indica uma válvula de controlo fino, que ê usada quando se realiza a evacuação de um pequeno volume, tal como quando se controla a pressão no interior do tubo de reacção 2 durante a formação da película depositada. O número 9 ê uma unidade de evacuação, que é constituída por uma bomba de evacuação tal como uma bomba turbo-molecular.
O sistema de transporte do substrato 1 ê constituído como a seguir se descreve.
O número 10 indica uma câmara de transporte do substrato que pode conter o substrato antes e apõs a formação da película depositada, que é evacuada abrindo a válvula 11. O número 12 indica uma unidade de evacuação que é constituída por uma bomba de evacuação tal como uma bomba turbo-molecular.
A válvula 13 apenas é aberta quando o substrato é transferido entre a câmara de reacção e o espaço para transporte.
Como se mostra na Fig. 1 na câmara de produção de gãs 6,
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para formar o gãs de partida, por exemplo, a câmara de produção de gãs 6 é mantida â temperatura ambiente e faz-se borbulhar ou Ar ou outro gãs inerte através do composto de Mo orgânico, sólido, aquecido, como gãs transportador para formar o composto de Mo orgânico gasoso, que ê transportado para o misturador 5. O gasoso, usado como gãs de reacção, ê transportado para o misturador 5 por outra via. Os caudais dos gases são controlados de modo a que as pressões parciais, respectivas, possam ter os valores desejados.
Como gãs de partida preferem-se o Mo(CO)< ou o Mo(CHo)r.
o 3 6
Podem-se também usar o Mo(.CO)g e o Mo(CH^)g misturados.
As Figs. 2A a 2E são perspectivas esquemáticas que mostram o estado de crescimento de uma película de Mo, no caso em que se usa o presente invento para formação selectiva da película de Mo.
A Fig. 2A é uma ilustração que mostra, esquematicamente, a secção transversal do substrato antes da formação da película depositada de Mo, de acordo com o presente invento. O número 90 indica o substrato compreendendo um material doador de electrões, e 91 uma película fina compreendendo um material não doador de electrões .
Quando se alimentam Mo (.CO) g, como gãs de partida, e uma mistura gasosa contendo como gãs de reacção, ao substrato, aquecido a uma temperatura compreendida entre a temperatura de decomposição do Mo (CO.) g, ou inferior, e 800°C, ou inferior, o Mo é precipitado sobre o susbtrato 90 e não na película fina 91 compreendendo o material não doador de electrões, formando-se uma película contínua de Mo como se mostra na Fig. 2B. Neste caso a pressão no „ -3 interior do tubo de reacçao 2 devera ser, desejavelmente, 10 a
760 Torr, e a pressão parcial de Mo(CO),- devera ser, preferivelmen-5 -3 b ~ te, 1,0 x 10 a 1,5 x 10 vezes a pressão no interior do tubo de reacção anterior.
Quando se continua a deposição de Mo nas condições anteriores, através do estado que se mostra na Fig. 2C, a película de
Mo cresce até ao nível de porção superior da película fina 91 como se mostra na Fig. 2D.
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Como resultado da analise por espectroscopia electrõnica de Auger ou espectroscopia fotoelectrica, verifica-se que não está presente nesta película de Mo qualquer impureza, tal como carbono ou oxigénio.
A película depositada assim formada tem uma resistividade o de, por exemplo, para uma espessura de película de 600A, de 8-30 /xAcm, â temperatura ambiente, que é bastante próximo da resistividade global do Mo e que ê menor do que a resistividade do Si policristalino, e é uma película contínua e lisa. A reflectãncia na região de comprimentos de onda do visível ê aproximadamente 70-80%, e pode-se depositar una película fina com uma excelente lisura da sua superfície.
Na produção da película depositada, a temperatura do substrato deverá ser, desejavelmente, a temperatura de decomposição do gás de partida contendo Mo ou superior, p.e., entre 350°C,ou superior, e 800°C ou inferior, tal como anteriormente se mencionou, mas especificamente, no caso do Mo(CO)g, é desejável uma temperatura de substrato de 400 a 600°C e no caso do MoíCH^g ê desejável uma temperatura de substrato de 350-550QC.
Uma temperatura de substrato mais preferível é de 450°C a 550°C no caso de Mo(CO)g e de 400°C a 500°C no caso do Mo(CHg)g.
A película de Mo depositada nestas condições não contem qualquer carbono e oxigénio e tem uma resistência suficientemente baixa.
No aparelho que se mostra na Fig. 1, apenas se pode depositar Mo numa única folha de susbtrato por operação de deposição. Ainda que se consiga obter uma velocidade de deposição de aproximaO damente 100A/min., esta e ainda insuficiente para realizar a deposição num grande número de folhas durante um intervalo de tempo curto.
Como aparelho para a produção de uma película de deposição, para melhorar este aspecto, existe o aparelho de CVD a baixa pressão que pode depositar Mo por montagem simultânea de um grande número de folhas de bolacha. Uma vez que a deposição de Mo, de acor
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do com o presente invento utiliza, a reaeção de superfície da superfície de substrato doador de electrões aquecida, por exemplo no processo CVD de baixa pressão, do tipo de parede quente no qual ape nas o substrato ê aquecido, um composto de Mo pode ser, desejavelmente, depositado· com Mo(CO) g e com H2·
Como condições para a produção da película depositada, a pressão no tubo de reacçao pode ser 10 a 760 Torr, desejavelmente, 0,1 a 5 Torr, a temperatura-do substrato de 350°C a 800°C, desejavelmente, de 400°C a 600°C, a pressão parcial de Mo(CO),- de
-5 -3 b x 10 vezes a 1,5 x 10 vezes a pressão no tubo de reaeção e, nestas condições pode-se depositar Mo apenas sobre o substrato doaor de electrões.
A Fig. 3 é uma perspectiva esquemática que mostra um aparelho de produção de película depositada ao qual o presente invento ê aplicável.
O número 57 indica um substrato para formação de uma película de Mo. 0 numero 50 indica um tubo de reaeção exterior construído em quartzo, que constitui um espaço para a formação da película depositada, que é substancialmente fechado em relação ao exterior. O número 51 indica um tubo de reaeção interior, construído em quartzo, colocado de modo a efectuar a separação do fluxo gasoso no interior do tubo de reaeção exterior 50, 54 indica uma flange de metal para abertura e fecho da abertura do tubo de reaeção exterior 50, e o substrato 57 estã localizado no membro de suporte de substratos 56, disposto no interior do tubo de reaeção interior 51. 0 membro de suporte de substratos 56 deverã, desejavelmente, ser de quartzo.
No presente aparelho, também se pode controlar a temperatura do substrato usando o aquecedor 59. É constituído de modo a que a pressão no interior do tubo de reaeção 50 seja controlável pelo sistema de evacuação através da conduta de evacuação de gãs 53 presente aparelho tem um primeiro sistema de gãs, um segundo sistema de gâs e um misturador (.nenhum dos quais se mostra)
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λ
similarmente ao aparelho que se mostra na Fig. 1 e os gases de partida são introduzidos no tubo de reacção 50 através da conduta 52 de introdução do gãs de partida. Os gases de partida reagem sobre a superfície do substrato 57 quando passam através da porção interior do tubo de reacção interior 51, como se mostra pela seta 58 na Fig. 3, para depositar Mo sobre a superfície de substrato 57. Apés a reacção os gases passam através do intervalo formado pelo tubo de reacção interior 51 e pelo tubo de reacção exterior 50 e são descarregados através da conduta de descarga de gãs 53.
Para montar e desmontar o substrato sobe-se ou desce-se a flange de metal 54, usando um elevador (que não se mostra) conjuntamente com o membro de suporte de substratos 56 e move-se o substrato atê uma posição, predeterminada, onde se faz a montagem e a desmontagem do substrato.
Produzindo uma película, depositada nas condições anteriormente referidas, usando este aparelho, pode-se produzir uma película de Mo de boa qualidade, simultaneamente, em todas as bolachas no aparelho.
Seguidamente, o presente invento é explicado utilizando
Exemplos.
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EXEMPLO 1
Primeiramente, o procedimento para a produção de uma película de Mo ê o seguinte. Usando o dispositivo que se mostra na Fig. 1, evacua-se o interior do tubo de reacção 2 até, aproximadamente, 1 x 10 Torr, usando a unidade de evacuação 9. Contudo, pode-se produzir também uma película de Mo, mesmo se o grau de vãcuo no tubo de reacção 2 for pior do que 1 x 10 Torr. Após lavagem do substrato, tal como uma bolacha de Si, põe-se a câmara de transporte 10 â pressão atmosférica e monta-se a bolacha de Si na câmara de transporte. Evacua-se a câmara de transporte atê, aproximadamente, 1 x 10 Torr e, depois, abre-se a vãlvula de comporta 13 e monta-se o substrato no suporte de bolachas 3. Seguidamente, fecha-se a vãlvula de ccmporta 13 e evacua-se a câmara de reacção 2 atê
- —8 um grau de vãcuo de, aproximadamente, 1 x 10 orr.
Neste exemplo, sublima-se Mo(CO)g que ê alimentado através da primeira conduta de gãs. Como gás transportador do Mo(CO)g utiliza-se Η2· A segunda conduta de gãs ê usada para o H2«
Fazendo passar H2 através da segunda conduta de gãs, ajusta-se a pressão no interior do tubo de reacção 2, atê um valor predeterminado, controlando a abertura da vãlvula de controlo fino 8. Depois, aquece-se o substrato por passagem de corrente no aquecedor 4. Após a temperatura do substrato ter atingido uma temperatura predeterminada, introduz-se o Mo(CO)g no tubo de reacção, através da conduta de Mo(CO)g. A pressão total ê de, aproximadamente,
1,5 Torr no interior do tubo de reacção e a pressão parcial de
- . -4
Mo(.CO)g e ajustada a, aproximadamente, 1,5 x 10 Torr. Depois, quando se introduz Mo(CO)g no tubo de reacção 2, deposita-se Mo. Após um período de deposição predeterminado pãra-se a alimentação de Mo(CO)g. Depois, pára-se o aquecimento do aquecedor 4 para arrefecer a bolacha. Pãra-se a alimentação de H2 gasoso e, apôs evacuar o interior do tubo de reacção 2, transfere-se o substrato para a câmara de transporte e apenas a câmara de transporte é colocada a pressão atmosférica antes de retirar o substrato. O esboço do processo de produção da película de Mo ê o que anteriormente se descreveu.
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Após preparar substratos de Si monocristalino como amostras, depositaram-se películas de Mo para várias temperaturas de substrato, de acordo com o procedimento que anteriormente se descreveu nas condições seguintes:
Pressão total: 1,5 Torr
Pressão parcial de Mo(CO)g 1,5 x 10
Torr
Analisaram-se as películas de Mo, depositadas usando várias temperaturas de substrato, utilizando vários métodos de ensaio Os resultados são apresentados na Tabela 1.
A partir destes resultados, confirmou-se que ter Mo de muito boa qualidade na gama de temperaturas se pode obde 400 a
600°C.
EXEMPLO 2
Produziu-se a película de Mo de acordo com o procedimento seguinte. Evacua-se o interior do tubo de reacção 2 até, aproximao damente, 1 x 10 Torr, usando a unidade de evacuação 9.
Após lavagem do substrato, tal como uma bolacha de Si, põe
-se a câmara de transporte 10 a pressão atmosférica e monta-se a bolacha de Si na câmara de transporte. Evacua-se a câmara de trans-* ”6 porte até, aproximadamente, 1 x 10 Torr e, depois, abre-se a válvula de comporta 13 e monta-se a bolacha no suporte de bolachas 3.
Seguidamente, fecha-se a válvula de comporta 13 e evacua-se a câmara de reacção 2 até um grau de vácuo de, aproximadamente, _o x 10 Torr.
Neste exemplo, usa-se a primeira conduta de gás para o Mo(CO)g. Como gás transportador do Μο(ΟΘ)θ utiliza-se Ar de um modo diferente do Exemplo 1. A segunda conduta de gás é usada para o H2.
Fazendo passar H2 através da segunda conduta de gás, ajusta-se a pressão no interior do tubo de reacção 2, até um valor predeterminado, controlando a abertura da válvula de controlo fino δ.
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Neste exemplo, uma pressão típica e de, aproximadamente, 1,5 orr. Depois, aquece-se a bolacha por passagem de corrente no aquecedor 4. Apôs a temperatura da bolacha ter atingido uma temperatura predeterminada, introduz-se o Mo(CO)g no tubo de reacção, através da conduta de Mo(CO)g. A pressão total ê de, aproximadamente, 1,5 orr no interior do tubo de reacção e a pressão parcial de Mo(CO), ê -4 b ajustada a, aproximadamente, 1,5 x 10 Torr. A pressão parcial de Ar é ajustada a 0,5 Torr. Depois, quando se introduz Mo(CO)g no tubo de reacção 2, deposita-se Mo. Apés um período de deposição predeterminado pãra-se a alimentação de Mo(CO)g. Depois, pára-se o aquecimento do aquecedor 4 para arrefecer a bolacha. Para-se a alimentação de H2 gasoso e, após evacuar o interior do tubo de reacção 2, transfere-se a bolacha para a câmara de transporte e apenas a câmara de transporte é colocada â pressão atmosférica antes de retirar a bolacha. Quando se usa, deste modo, Ar como gãs transportador, a resistividade e o teor em carbono da película de Mo produzida são um pouco elevadas. Esta película não tem, praticamente problemas e pela sua analise obtêm-se resultados similares aos do Exem pio 1.
EXEMPLO 3
Usando o aparelho de CVD de baixa pressão que se mostra na Fig. 3 produziu-se a película de Mo sobre o substrato com a constituição que a seguir se descreve.
Como material de superfície de substrato possuindo propriedades de doador de electrões utilizaram-se, silício monocristalino (Si monocristalino), silício policristalino (Si policristalino), tungsténio (W), molibdênio (Mo), tântalo (Ta), silicieto de tungsténio (WSi), silicieto de titânio (TiSi), alumínio (Al), alumínio-silício (Al-Si), titânio-alumínio (Al-Ti), nitreto de titânio (TiN), cobre (Cu), alumínio-silício-cobre (Al-Si-Cu), alumínio-paládio (Al-Pd), titânio (Ti), silicieto de molibdênio (MoSi) e silicieto de tântalo (TaSi). Colocaram-se estas amostras, substratos de A12O3 θ substratos de vidro SiO2, no dispositivo de CVD de baixa pressão,
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que se mostra na Fig. 3, e produziram-se películas de Mo na mesma operação. As condições de produção da película foram uma pressão do tubo de reacção de 0,2 Torr, uma pressão parcial de Mo(CO)fi de
-5 °
1,0 x 10 Torr e uma temperatura de substrato de 450°C.
Como resultado da produção da película nestas condições,a deposição da película de Mo ocorreu apenas sobre amostras possuindo a superfície de substrato doador de electrões. Verificou-se que a qualidade de película da película de Mo depositada era muito boa, exibindo esta as mesmas propriedades que uma preparada com uma temperatura de substrato de 450°C, que se mostra no Exemplo 1. Por outro lado, tanto no substrato de A^O^ como no substrato de vidro de SiC^, que são não doadores de electrões, nao se depositou qualquer película de Mo.
EXEMPLO 4
Produziram-se películas, depositadas de acordo com o mesmo procedimento que se mostra no Exemplo 1, usando Mo(CH_), como b
gãs de partida, e ajustando as condições como a seguir se indica:
Pressão total 2,0 Torr
Pressão parcial de MoCCH^)^ 2 x 10 Torr
Como resultado, na gama de temperaturas de substrato de 350°C a 550°C, depositaram-se películas finas de Mo, contendo muito poucas impurezas de carbono e possuindo uma resistência eléctrica baixa, com uma boa seleotividade sobre o substrato, similarmente ao Exemplo 1.
EXEMPLO 5
Seguidamente, descreve-se a preparação das amostras para este exemplo.
Sujeitaram-se os substratos de Si (Tipo N, 1-2 ohm.cm) a oxidação térmica, a uma temperatura de 1000°C, de acordo com o sistema de combustão de hidrogénio (I^: 3 litros/M, O2: 2 litros/M).
< + ° τ
A espessura de pelicula era de 7000 a -500 A, e o índice de
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- 22 - tf
U retracção era de 1,46. Revestiu-se todo o substrato de Si comum revestimento fotossensível e produziu-se um padrão desejado usando uma máquina de exposição. 0 padrão usado foi tal que se produziram vãrios orifícios de 0,25/x x 0,25/1 a lOOyx x lOOyt. Após o desenvolvimento do revestimento, usando o revestimento fotossensível como máscara, gravou-se o SiO2 usando a técnica de gravação com ião reactivo (RIE) de modo a ter-se o substrato de Si parcialmente exposto. Prepararam-se amostras possuindo orifícios de SiO2 de várias dimensões de 0,25 μ x 0,25 tt a 100 μ x 100 μ. A película depositada foi assim produzida de um modo similar ao do Exemplo 1. Especificamente, variou-se a temperatura do substrato e depositou-se película de Mo de acordo com o procedimento que anteriormente se descreveu nas condições seguintes:
Pressão total 1,5 Ibrr
Pressão parcial de MoíCH^g 1,5 x 10 Torr
Analisaram-se as películas de Mo, depositadas para várias temperaturas de substrato, usando vários métodos de ensaio. Os resultados são apresentados na Tabela 2.
Como resultado da formação da película não se depositou Mo sobre SiO2, para uma gama de temperaturas de 400°C a 600°C, apenas se depositou Mo sobre a região com aberturas no SiO2, isto ê, na região com o Si exposto.
EXEMPLO 6
Usando o aparelho de CVD de pressão reduzida, que se mostra na Fig. 3, produziram-se películas de Mo sobre os substratos com as constituições que a seguir se descrevem (amostras 8-1 a 8-179).
Preparação da amostra 8-1
Em silício monocristalino, como primeiro material de superfície do substrato doador de electrões, produziu-se uma película de SiO2 oxidado termicamente, como segundo material de superfície do substrato, não doador de electrões, e efectuou-se a formação
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do padrão de acordo com os passos fotolitográficos, como se mostra no Exemplo 5, para se ter a superfície de silício monocristalino parcialmente exposta.
Verificou-se que a espessura de película da película de SÍO2 oxidada termicamente era de 7000 sendo a dimensão da porção exposta de silício monocristalino, nomeadamente da abertura, μ x 3 /ι. Preparou-se, assim, a amostra 8-1. (Esta amostra ê aqui depois designada por SiC^ oxidado termicamente (abreviadamente, T-SiC^)/silício monocristalino).
Preparação das amostras 8-2 a 8-179
A amostra 8-2 ê uma película oxidada produzida por CVD de pressão normal (aqui depois designada, abreviadamente, por SiC^) / silício monocristalino.
A amostra 8-3 é uma película oxidada, dopada com boro, pro duzida por CVD de pressão normal (aqui depois designada, abreviadamente, por BSG) /silício monocristalino.
A amostra 8-4 ê uma película oxidada, dopada com fósforo, produzida por CVD de pressão normal (aqui depois designada, abrevia damente, por PSG) /silício monocristalino.
A amostra 8-5 é uma película oxidada, dopada com fósforo e boro, produzida por CVD de pressão normal (aqui depois designada, abreviadamente, por BSPG) / silício monocristalino.
A amostra 8-6 ê uma película nitrifiçada, produzida por CVD de plasma (aqui depois designada, abreviadamente, por P-S:N) / silício monocristalino.
A amostra 8-7 é uma película nitrifiçada termicamente, (aqui depois designada, abreviadamente, por T-S:N) /silício monocristalino.
A amostra 8-8 ê uma película nitrifiçada, produzida por
CVD a baixa pressão (aqui depois designada, abreviadamente, por
LP-S:N) / silício monocristalino.
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A amostra 8-9 é uma película nitrifiçada produzida num aparelho ECR (aqui depois designada, abreviadamente, por ECR-SiN)/ silício monocristalino.
Adicionalmente, por combinações do primeiro material de superfície do substrato doador de electroes e do segundo material de superfície de substrato não doador de electroes, prepararam-se as amostras 8-11 a 8-179 que se mostram na Tabela 3. Como primeiro material de superfície de substrato utilizaram-se, silício monocristalino (Si monocristalino), silício policristalino (Si policristalino) , tungsténio (W), molibdênio (Mo), tântalo (Ta), silicieto de tungsténio (.WSi) , silicieto de titânio (TiSi) , alumínio (Al) , alumínio-silício (Al-Si), titânio-alumínio (Al-Ti), nitreto de titânio (TiN), cobre (Cu), alumínio-silício-cobre (Al-Si-Cu), alumínio-palãdio (Al-Pd), titânio (Ti), silicieto de molibdênio (MoSi) e silicieto de tântalo (TaSi). Colocaram-se estas amostras, substratos de A12O2 e substratos de vidro de SiO2, no dispositivo de CVD de baixa pressão, que se mostra na Fig. 3, e produziram-se películas de Mo na mesma operação. As condições de produção da película foram uma pressão do tubo de reacção de 0,2 Torr, uma pressão parcial de Mo(CO)g de 1,0 x 10 Torr e uma temperatura de substrato de 450°C.
Como resultado da produção da película nestas condições, relativamente a todas as amostras âs quais se aplicou o padrão, desde a amostra 8-1 a 8-179, a deposição da película de Mo ocorreu apenas, na superfície do primeiro substrato doador de electroes, embebendo completamente a abertura com uma profundidade de 7000 A. Verificou-se que a qualidade de película da película de Mo era muito boa, exibindo esta as mesmas propriedades que uma preparada para uma temperatura de substrato de 450°C, que se mostra no Exemplo 5.
Por outro lado, sobre a superfície do segundo substrato, que é não doador de electroes, não se depositou qualquer película de Mo, pelo que se obteve uma selectividade total. Tanto no substrato de Al2O2 como no substrato de vidro de SiO2, que são não doadores de electroes, não se depositou qualquer película de Mo.
EXEMPLO 7
Usando o dispositivo de CVD de baixa pressão, que se mos71 612
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tra na Fig. 3, produziram-se películas de Mo, sobre substratos com a constituição que se descreve a seguir.
Primeiramente, usou-se uma película oxidada termicamente como segundo material de superfície de substrato, não doador de electrões. Formou-se um Si policristalino, como primeiro material de superfície de substrato doador de electrões, sobre a película oxidada termicamente. Seguidamente, efectuou-se a formação de padrão, de acordo com so passos fotolitogrãficos, como se mostra no Exemplo 5, para se ter a superfície da película, oxidada termicamen· te parcialrnente exposta. Neste caso, a espessura de película do silício policristalino era de 2000 sendo o tamanho da porção exposta da película oxidada termicamente, nomeadamente da abertura, de 3 u. x 3 U-. Esta amostra foi designada por 9-1. Por combinações dos segundes materiais de superfície do substrato não doador de electrões (T-SiO2, CVD-SiO2, BSG, PSG, BPSG, P-SiN, T-SiN, LP-SiN, ECR-SiN) e dos primeiros materiais de superfície de substrato doador de electrões (Si policristalino, Si monocristalino, Al, W, Mo, Ta, WSi, TiSi, TaSi, Al-Si, Al-Ti, TiN, Cu, Al-Si-Cu, Al-Pd, Ti, Mo-Si), prepararam-se as amostras 9-1 a 9-169 que se mostram na Tabela 4. Estas amostras foram colocadas no dispositivo de CVD de baixa pressão, que se mostra na Fig. 3, e produziram-se películas de Mo na mesma operação. As condições de produção da película foram uma pressão do tubo de reacção de 0,2 Torr, uma pressão parcial de Mo(CO)g de 1,0 x 10 Torr e uma temperatura de substrato de 450°C. Como resultado da produção da película nestas condições, em todas as amostras 9-1 a 9-169, a película de Mo não se depositou sobre a abertura, possuindo o segundo substrato, não doador de elec trões, exposta, mas depositou-se Mo, com cerca de 5000 a apenas sobre a superfície do primeiro substrato doador de electrões, pelo que se obteve uma selectividade total. Verificou-se que a qualidade de película da película de Mo era muito boa, exibindo esta as mesmas propriedades que uma preparada para uma temperatura de substrato de 450°C, que se mostra no Exemplo 5.
EXEMPLO 8
Realizou-se a deposição, de acordo com o mesmo procedimen71 612
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to que se mostra no Exemplo 5, usando MoíCH^Jg como gãs de partida, nas condições seguintes:
Pressão total 2,0 Torr
Pressão parcial de Mo(CH3)g 3 x 10 Torr na gama de temperaturas de substrato de 350°C a 550°C. Como resultado, depositaram-se películas finas de Mo, contendo muito poucas impurezas de carbono e possuindo uma resistência eléctrica baixa, com uma boa selectividade sobre a substrato, similarmente ao Exemplo 5.
EXEMPLO 9
Como exemplo da produção de eléctrodos fonte e dreno de um transístor do tipo de porta isolada, realizou-se a formação do eléctrodo num orifício de contacto, sobre uma fonte e sobre um dreno, usando o processo para a produção de película do presente invento. Este é a seguir descrito por referência à Fig. 4.
Primeiramente, sobre uma bolacha de silício do tipo p 501, usando o processo de oxidação selectiva convencional, produziram-se sobre a bolacha 501 (Fig. 4A), uma película oxidada de campo espesso e uma película fina, oxidada termicamente, 502. Subsequentemente, usando SiH^ gasoso como gãs de partida, produziu-se uma camada de silício policristalino pelo processo CVD térmico e produziu-se um eléctrodo de porta 504, de silício policristalino, pelo processo fotolitográfico. Simultaneamente, injectou-se fósforo de um modo auto-ajustado, usando a película oxidada de campo espesso e o eléctrodo porta 504 como máscara, para formar uma região difun—8 “3 dida com impurezas 505 de 1 x 10 cm (Fig. 4B). Depois, produziu -se uma película de silício oxidado 508, usando o processo CVD térmico (Fig. 4C). Usando o processo litográfico, produziu-se um orifício de contacto 509 com uma dimensão de 0,5 μ. x 0,5 u. (fig. 4D) . Transferiu-se o substrato assim obtido para o dispositivo que se mostra na Fig. 1, para produzir uma película de Mo. Nesta altura, ajustou-se a temperatura do substrato a 450°C. Usando Mo(C0)g como gãs de partida e como gãs transportador, produziu-se uma película de Mo nas condições de uma pressão parcial de Mo(CO)g de 1,5 x
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Torr e de uma pressão total de 1,5 Torr.
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Após a produção da película de Mo estar completa, retirou-se o transistor do dispositivo de produção de película e observou-se para verificar que a película de Mo 510 estava depositada apenas sobre o Si 505, no qual se tinha difundido fósforo no orifício de contacto 509, e que não se tinha depositado sobre a película oxidada 508 (Fig. 4E). Adicionalmente, verificou-se que a superfície da película de Mo 510 era muito lisa. Quando se examinaram as características do transistor obtido, verificou-se que este exibia características extremamente boas.
Foi também possível produzir uma película de Mo fina, apenas no fundo do orifício de contacto 509, e depois produzir, sobre a película fina de Mo, uma película de Al como material de elêctrodo. Foi ainda possível usar a película de Mo como material de barreira.
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Nota: os números indicam o n? de amostras

Claims (11)

  1. R Ε I V Γ N D I C Ã Ç Ό E S
    1 - Processo de produção de uma película depositada caracterizado por compreender os pasos de;
    (a) alimentar um gãs de um composto organometálico contendo átomos de molibdénio e hidrogénio gasoso a um substrato possuindo uma superfície doadora de electrões, e (b) manutenção da temperatura da referida superfície doadora de electrões na gama desde a temperatura de decomposição do referido composto, organometálico, ou inferior, e 800°, ou inferior, para formar uma película de molibdénio sobre a referida superfície doadora de electrões.
  2. 2 - Processo de acordo cora a reivindicação 1, caracterizado por o referido composto organometálico ser o Mo(CO)g.
  3. 3 - Processo de acordo com a reivindicação 1 caracterizado por o referido composto organometálico ser o Mo(CHg)g.
  4. 4 - Processo de acordo com a reivindicação 1, caracterizado por a referida superfície doadora de electrões compreender um semicondutor.
  5. 5 - Processo de produção de uma película depositada caracterizado por compreender os passos de:
    (a) alimentar um gãs de um composto organometálico contendo átomos de molibdénio e hidrogénio gasoso a um substrato possuindo uma superfície doadora de electrões e uma superfície não doadora de electrões, e (b) manutenção da temperatura da referida superfície doadora de electrões na gama desde a temperatura de decomposição do referido composto organometálico, ou inferior, e 800°, ou inferior, para formar uma película de molibdénio sobre a referida superfície doadora de electrões.
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  6. 6 - Processo de acordo com a reivindicação 5, caracterizado por o referido composto organometálico ser o Mo (CO)θ.
  7. 7 - Processo de acordo com a reivindicação 5, caracterizado por o referido composto organometálico ser o MoíCH^Íg.
  8. 8 - Processo de acordo com a reivindicação 5, caracterizado por a pressão parcial do referido composto organometálico ser de 100 Torr ou inferior.
  9. 9 - Processo de produção de um dispositivo semicondutor compreendendo os passos de:
    formar uma película, compreendendo um material isolador, sobre um material semicondutor, formar uma abertura na referida película, de modo que o referido material semicondutor fique descoberto, embutir um material condutor electricamente para formar uma parte física de um circuito eléctrico, caracterizado por se realizar a reaeção entre um composto organometálico contendo átomo de molibdénio e hidrogénio gasoso a uma temperatura desde a temperatura de decomposição do referido composto organometálico, ou inferior, e 800°, ou inferior, para depositar selectivamente molibdénio na referida abertura, formando assim uma parte física do referido circuito eléctrico.
  10. 10 - Processo de acordo com a reivindicação 9, caracterizado por o referido composto organometálico ser o Mo(CO)g.
  11. 11 - Processo de acordo com a reivindicação 9
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