PL208299B1 - Kompozycja czyszcząca w jednoetapowym procesie element mikroelektroniczny pokryty miedzią i zastosowanie kompozycji - Google Patents

Kompozycja czyszcząca w jednoetapowym procesie element mikroelektroniczny pokryty miedzią i zastosowanie kompozycji

Info

Publication number
PL208299B1
PL208299B1 PL373809A PL37380903A PL208299B1 PL 208299 B1 PL208299 B1 PL 208299B1 PL 373809 A PL373809 A PL 373809A PL 37380903 A PL37380903 A PL 37380903A PL 208299 B1 PL208299 B1 PL 208299B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
weight
composition
residues
compositions
water
Prior art date
Application number
PL373809A
Other languages
English (en)
Other versions
PL373809A1 (pl
Inventor
Chien-Pin Sherman Hsu
Original Assignee
Mallinckrodt Baker Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mallinckrodt Baker Inc filed Critical Mallinckrodt Baker Inc
Publication of PL373809A1 publication Critical patent/PL373809A1/pl
Publication of PL208299B1 publication Critical patent/PL208299B1/pl

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
    • C23G1/00—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts
    • C23G1/02—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with acid solutions
    • C23G1/04—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with acid solutions using inhibitors
    • C23G1/06—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with acid solutions using inhibitors organic inhibitors
    • C23G1/061—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with acid solutions using inhibitors organic inhibitors nitrogen-containing compounds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/20—Organic compounds containing oxygen
    • C11D3/2068—Ethers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/24—Organic compounds containing halogen
    • C11D3/245—Organic compounds containing halogen containing fluorine
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/26—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D3/28—Heterocyclic compounds containing nitrogen in the ring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/26—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D3/33—Amino carboxylic acids
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/34—Organic compounds containing sulfur
    • C11D3/3454—Organic compounds containing sulfur containing sulfone groups, e.g. vinyl sulfones
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/39—Organic or inorganic per-compounds
    • C11D3/3947—Liquid compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/02—Inorganic compounds
    • C11D7/04—Water-soluble compounds
    • C11D7/06—Hydroxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/261—Alcohols; Phenols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/50—Solvents
    • C11D7/5004—Organic solvents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
    • C23G1/00—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts
    • C23G1/14—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with alkaline solutions
    • C23G1/16—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with alkaline solutions using inhibitors
    • C23G1/18—Organic inhibitors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/423—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral acids or salts thereof, containing mineral oxidizing substances, e.g. peroxy compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
    • H01L21/02063—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers the processing being the formation of vias or contact holes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H01L21/02068—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
    • H01L21/02071—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers the processing being a delineation, e.g. RIE, of conductive layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31127—Etching organic layers
    • H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10—Objects to be cleaned
    • C11D2111/14—Hard surfaces
    • C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/28—Organic compounds containing halogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3263—Amides or imides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3281—Heterocyclic compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/34—Organic compounds containing sulfur
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Emergency Medicine (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

Opis wynalazku
Przedmiotem wynalazku jest kompozycja czyszcząca w jednoetapowym procesie element mikroelektroniczny pokryty miedzią i zastosowanie kompozycji. Szczególnie korzystne są kompozycje do oczyszczania mikroelektronicznych elementów, szczególnie kompozycje użyteczne i posiadające ulepszoną kompatybilność z elementami zawierającymi ditlenek krzemu, wrażliwe dielektryki o małej lub dużej stałej dielektrycznej oraz metalizowanych miedzią, jak również elementy metalizowane Al lub Al(Cu). Przedmiotem wynalazku jest także zastosowanie takich kompozycji do usuwania fotomaski, usuwania pozostałości z wytworzonych w procesie plazmowym związków organicznych, metaloorganicznych i nieorganicznych, usuwania pozostałości z procesów planaryzacji, takich jak polerowanie chemiczno-mechaniczne (CMP) i stosowanie, jako dodatek w procesie planaryzacji zawiesinowych pozostałości.
Wiele substancji do usuwania fotomaski i pozostałości proponowano do stosowania w mikroelektronice, jako substancje czyszczące we współprądowych i przeciwprądowych liniach produkcyjnych. W procesie produkcyjnym, na płytce osadza się cienką folię fotomaski i następnie na niej odwzorowuje się projekt układu cyfrowego. Po wysuszeniu, pozostałość, która nie uległa polimeryzacji, usuwa się za pomocą wywoływacza fotomaski. Następnie, uzyskany obraz przenosi się na materiał podłoża, którym na ogół jest dielektryk lub metal, poprzez trawienie plazmowe reaktywnymi gazami lub roztworami chemicznymi. Gazy trawiące lub chemiczne roztwory trawiące selektywnie atakują niezabezpieczoną powierzchnię fotomaski.
Ponadto, po zakończeniu etapu trawienia, warstwa ochronna musi zostać usunięta z zabezpieczonej powierzchni płytki tak, aby można było przeprowadzić końcowe operacje. Można to osiągnąć, stosując trawienie plazmowe odpowiednim gazem trawiącym lub wodne, chemiczne substancje czyszczące. Jednak nie jest łatwo znaleźć odpowiednią kompozycję czyszczącą zdolną do usunięcia warstwy ochronnej materiału bez szkodliwego działania, takiego jak np. korodowanie, rozpuszczanie lub matowienie, metalowego zespołu obwodów elektrycznych.
Ponieważ zwiększa się poziom integracji układów mikroelektronicznych i zmniejszają się rozmiary tych urządzeń, coraz częściej stosuje się metalizację miedzią dielektryków o małej lub dużej stałej dielektrycznej. Materiały te wymagają znalezienia odpowiednich kompozycji czyszczących. Wiele kompozycji technologicznych, które uprzednio stosowano do tradycyjnych lub typowych urządzeń półprzewodnikowych, zawierających struktury Al/SiO2 lub Al(Cu)SiO2, nie można stosować do metalizowanych miedzią układów o małej lub dużej stałej dielektrycznej. Kompozycje usuwające powłoki lub pozostałości oparte np. na hydroksyloaminie z powodzeniem stosuje się do oczyszczania urządzeń metalizowanych Al, ale praktycznie nie nadają się do układów metalizowanych miedzią. Podobnie, roztwory do usuwania powłok, stosowane do wielu układów metalizowanych miedzią o małej stałej dielektrycznej K nie są odpowiednie dla urządzeń metalizowanych Al, o ile nie zastosowano istotnych zmian składu kompozycji.
Usunięcie pozostałości po trawieniu plazmowym i/lub procesie spopielania stanowi również poważny problem, szczególnie w przypadku elementów zawierających materiały o niskiej stałej dielektrycznej K i metalizowanych miedzią. Niecałkowite usunięcie lub zneutralizowanie tych pozostałości może prowadzić do absorpcji wody i powstania niepożądanych substancji, które mogą powodować korozję struktury metalu. Materiał zespołu obwodów elektrycznych ulega korozji pod wpływem niepożądanych substancji, powstają nieciągłości w obwodzie elektrycznym i niekorzystnie zwiększa się opór elektryczny.
Dotychczas, do oczyszczania stosowano środki utleniające głównie w postaci roztworów wodnych. Utleniacze, takie jak powszechnie stosowane nadtlenek wodoru i kwasy nadtlenowe, łatwo reagują lub łatwo ulegają rozkładowi, szczególnie w środowisku rozpuszczalników organicznych, które są na ogół stosowane w kompozycjach do usuwania powłok. W takich przypadkach czynnik utleniający zużywa się i nie może spełniać już swojej roli. Ponadto, kompozycje do oczyszczania mikroelektroniki, zawierające środki utleniające, często charakteryzują się słabą trwałością, szczególnie w obecności znaczących ilości 10% wagowych lub więcej rozpuszczalników organicznych oraz przy wyższych wartościach pH i wyższych temperaturach procesu. Ponadto, stosowane w wielu kompozycjach stabilizatory i rozpuszczalniki, często wiążą czynnik utleniający, prowadząc w efekcie do zmniejszenia jego zdolności do przeprowadzenia skutecznej reakcji utleniania/redukcji, stosowanej w procesie oczyszczania.
PL 208 299 B1
Istnieje potrzeba opracowania kompozycji do oczyszczania elementów mikroelektronicznych, odpowiednich do przeciwprądowych operacji oczyszczania, skutecznych środków czyszczących, odpowiednich do usuwania fotomaski i usuwania pozostałości z wytworzonych w procesie plazmowym związków organicznych, metaloorganicznych i nieorganicznych, usuwania pozostałości z procesów planaryzacji, takich jak CMP, przydatnych, jako dodatki, i które można stosować do zaawansowanych, łączących się materiałów, zawierających układy metalizowane miedzią oraz porowate lub nieporowate dielektryki o małej (tj. K = 3 lub mniej) lub dużej (tj. K = 20 lub więcej) wartości stałej dielektrycznej K, jak również przydatne do oczyszczania typowych urządzeń, takich jak układy metalizowane glinem lub glinem (miedzią), zawierające ditlenek krzemu, dielektryki o małej lub dużej wartości stałej dielektrycznej K.
Stwierdzono, że preparaty zawierające czynnik utleniający i pewne polarne rozpuszczalniki organiczne, które, a szczególnie te rozpuszczalniki, które pomagają stabilizować czynnik utleniający, mogą dostarczać szeroko dopuszczalne kompozycje do oczyszczania. Stwierdzono, że rozpuszczalniki charakteryzujące się zdolnością do tworzenia wiązań wodorowych dają takie właśnie preparaty zawierające czynnik utleniający.
Przedmiotem wynalazku jest kompozycja czyszcząca w jednoetapowym procesie element mikroelektroniczny pokryty miedzią i mający niską lub wysoką wartość stałej dielektrycznej z pozostałości o wysokim usieciowaniu lub wysokiej fotoresystywności, pozostałości odczynników do wytrawiania/popiołu w plazmowym procesie, materiałów protektorowych absorbujących światło, powłok przeciwodblaskowych, i zawierających tytan lub tantal, charakteryzująca się tym, że zawiera od 0,1 do 30% wagowych nadtlenku wodoru;
od 30 do 80% wagowych sulfolanu, jako polarnego rozpuszczalnika organicznego o zdolności wiązania wodoru i minimalnie lub bez wykazywania reakcji z czynnikiem utleniającym; od powyżej 0 do 30% wagowych wodorotlenku tetraalkiloamoniowego, jako zasadę alkaliczną;
od 0,1 do 5% wagowych czynnika chelatującego lub kompleksującego metal wybranego z grupy obejmującej kwas trans-1,2-cykloheksanodiaminotetraoctowy i kwas etylenodiaminotetrametylenofosfonowy; i od 15 do 50% wagowych wody.
Korzystnie kompozycja zawiera od 40 do 75% wagowych polarnego rozpuszczalnika organicznego.
Korzystnie kompozycja zawiera sulfolan, wodorotlenek tetrametyloamoniowy, kwas trans-1,2-cykloheksanodiaminotetraoctowy, nadtlenek wodoru i wodę.
Korzystnie kompozycja zawiera sulfolan, wodorotlenek tetrametyloamoniowy, kwas etylenodia minotetrametylenofosfonowy, nadtlenek wodoru i wodę.
Przedmiotem wynalazku jest zastosowanie kompozycji według wynalazku do jednoetapowego czyszczenia elementu mikro-elektronicznego pokrytego miedzią i mającego niską lub wysoką wartość stałej dielektrycznej z pozostałości o wysokim usieciowaniu lub wysokiej fotoresystywności, pozostałości odczynników do wytrawiania/popiołu w plazmowym procesie, materiałów protektorowych absorbujących światło, powłok przeciwodblaskowych, i zawierających tytan lub tantal, przy czym kontaktuje się element mikroelektroniczny z kompozycją czyszczącą w ciągu czasu wystarczającego do usunięcia pozostałości z elementu mikroelektronicznego.
Kompozycje do oczyszczania według wynalazku mogą również ewentualnie zawierać wodę i/lub kompatybilne kwasy lub zasady alkaliczne, środki chelatujące, współrozpuszczalniki, środki stabilizujące czynnik utleniający, inhibitory korozji metali, surfaktanty i związki fluoru. Chociaż zasada alkaliczna jest ewentualnym składnikiem kompozycji do oczyszczania według wynalazku, korzystnie jest jeśli kompozycje do oczyszczania posiadają alkaliczne pH. Zasada alkaliczna może występować w ilości od 0 do 30% wagowych, korzystnie w ilości od 0,1 do 10% wagowych. Procenty wagowe przedstawione w tym opisie odnoszą się do całkowitej wagi kompozycji oczyszczającej.
Kompozycja według wynalazku do oczyszczania przeciwprądowego będzie zawierać jeden lub więcej dowolnych czynników utleniających i polarne rozpuszczalniki organiczne. Kompozycje do oczyszczania można tworzyć w środowisku wysoko wodnym, półwodnym lub rozpuszczalnika organicznego. Kompozycje do oczyszczania można stosować same, tylko z innymi rozpuszczalnikami, lub można je łączyć z zasadami i kwasami. Kompozycje do oczyszczania według wynalazku można stosować w szerokim zakresie warunków pH i temperatury procesu/operacji, oraz można je stosować do skutecznego usuwania fotomaski, pozostałości po plazmowym trawieniu/spopieleniu, protektorowych, absorbujących światło materiałów i przeciwodblaskowych powłok (ARC). Ponadto stwierdzono, że bardzo trudne do oczyszczenia próbki, takie jak wysoko usieciowane lub utwardzone fotomaski i struktury zawierające tytan (takie jak tytan, tlenek tytanu i azotek tytanu) lub tantal (takie jak tantal, tlenek tantalu i azotek tantalu) można łatwo oczyścić kompozycjami do oczyszczania według wynalazku.
PL 208 299 B1
Kompozycje według wynalazku mogą zawierać dowolny czynnik utleniający odpowiedni do zastosowania w kompozycjach do oczyszczania elementów mikroelektronicznych. Jako przykłady takich czynników utleniających można wymienić, np. nadtlenki, szczególnie nadtlenek wodoru, cząsteczkowe związki addycyjne peroksyhydratów z nadtlenkiem wodoru i oksykwasami, octan cyrkonylu i azozwiązki, np. nadwęglan sodu, nadborany sodu, jak również nadjodany(IO4-), nadtlenoborowodory, nadtlenomanganiany (MnO4-), nadtlenowodorosiarczany, nadtlenosiarczany i alkilooksyhalogenki, np. t-BuOCl. Można również stosować, lecz mniej korzystnie, inne związki nadtlenowe, powstałe w wyniku reakcji podstawienia H2O2 i cząsteczek organicznych. Przykłady obejmują alkilonadtlenki, kwasy nadtlenowe, diacylonadtlenki i ketononadtlenki. Podobne produkty reakcji podstawienia H2O2 cząsteczkami nieorganicznymi, takie jak kwas nadtlenosiarkowy, mogą także być stosowane. Czynnik utleniający jest stosowany w kompozycjach do oczyszczania według wynalazku w ilości od 0,1 do 30% wagowych, korzystnie od 0,1 do 5% wagowych i najkorzystniej w ilości od 1 do 5% wagowych. Uprzywilejowanym środkiem utleniającym jest nadtlenek wodoru (H2O2), korzystnie stosowany w postaci 3 do 30% wodnego roztworu.
Rozpuszczalnikiem organicznym jest polarny rozpuszczalnik organiczny ze zdolnością do tworzenia wiązań wodorowych i minimalnie bądź wcale niereagujący z czynnikiem utleniającym. Do takich rozpuszczalników organicznych należą: amidy, sulfony, sulfoleny, selenony i nasycone alkohole. Pośród korzystnych rozpuszczalników można wymienić: sulfolan (1,1-ditlenek tetrahydrotiofenu), 3-metylosulfolan, sulfon n-propylowy, sulfon n-butylowy, sulfolen (1,1-ditlenek 2,5-dihydrotiofenu), 3-metylosulfolen, amidy takie jak 1-(2-hydroksyetylo)-2-pirolidynon (HEP), dimetylopiperydon (DMPD), N-metylopirolidynon (NMP) i dimetyloacetamid (DMAc), dimetyloformamid (DMF), oraz nasycone alkohole takie jak etanol, propanol, butanol, heksanol, glikol etylenowy, glikol propylenowy, glicerol i heksafluoroizopropanol. Rozpuszczalnik organiczny - składowa kompozycji może obejmować jeden lub więcej rozpuszczalników i na ogół występuje w ilości od 1 do 99,9% wagowych, korzystnie w ilości od 10 do 90% wagowych i najkorzystniej w ilości od 30 do 80% wagowych. Rozpuszczalniki te są odporne na kwasowe i alkaliczne środowisko i nie wiążą się ze środkiem utleniającym zbyt mocno. Ponadto, są zdolne do stabilizacji środka utleniającego, takiego jak nadtlenek wodoru, poprzez tworzenie trwałych kompleksów, dzięki wzajemnemu oddziaływaniu jak wiązanie wodorowe.
Woda może występować w kompozycjach oczyszczających w ilości od 0,1 do 98% wagowych, korzystnie w ilości od 10 do 60% wagowych, najkorzystniej w ilości od 15 do 50% wagowych. Woda może być częścią składową innych składników i/lub może być dodana dodatkowo.
Zasada alkaliczna może ewentualnie występować w kompozycjach, ale na ogół jest korzystnym składnikiem kompozycji do oczyszczania według wynalazku. Zasada alkaliczna może występować w ilość od 0 do 30% wagowych, korzystnie w iloś ci od 0,1 do 10% wagowych, najkorzystniej w iloś ci od 0,1 do 5% wagowych. W kompozycjach do oczyszczania można stosować dowolną odpowiednią zasadę alkaliczną. Korzystnymi zasadami są wodorotlenek amonu lub zasada będąca lub nie pochodną amoniaku.
Jeśli kompozycja ma być stosowana do oczyszczania struktur metalizowanych miedzią korzystną zasadą jest ta, która nie jest pochodną amoniaku i jeśli kompozycja ma być stosowana do oczyszczania struktur zawierających glin, bardziej pożądaną zasadą alkaliczną będzie wodorotlenek amonu, zasady będące lub nie pochodnymi amoniaku w połączeniu z hamującym korozję współrozpuszczalnikiem i/lub czynnikiem hamującym korozję, jak ujawniono poniżej. Jako przykłady odpowiednich zasad nie pochodzących od amoniaku można wymienić wodorotlenki tetraalkiloamoniowe, takie jak te o wzorze R4N+OH-, gdzie każdy R oznacza niezależnie podstawione lub niepodstawione grupy alkilowe, zawierające korzystnie 1 do 22 atomów węgla i korzystniej 1 do 4 atomów węgla. Pośród alkalicznych zasad pochodzących stosowanych w kompozycjach można wymienić, np. wodorotlenek tetrametyloamoniowy, wodorotlenek tertrabutyloamoniowy, wodorotlenek choliny itp. Jako zasady alkaliczne można także stosować zasady nieorganiczne, takie jak np. wodorotlenek potasu, wodorotlenek sodu itp.
Jak zaznaczono wcześniej, kompozycję do oczyszczania według wynalazku można także stosować przy kwasowych wartościach pH i dowolny, odpowiedni kwasowy składnik, taki jak np. HCl lub HF, można stosować w ilości wystarczającej do wytworzenia kwasowego pH kompozycji.
Kompozycja do oczyszczania może również ewentualnie zawierać jeden lub więcej hamujących korozję współrozpuszczalników. Korzystne hamujące korozję współrozpuszczalniki stosowane w kompozycjach wedł ug wynalazku posiadają nastę pują cy wzór ogólny
W-[CR1R2]n-Y
PL 208 299 B1 w którym R1 i R2 niezależnie od siebie oznaczają podstawnik wybrany spośród takich jak H-alkil, korzystnie alkil zawierający od 1 do 6 atomów węgla, aryl, korzystnie aryl zawierający od 3 to 14 atomów węgla, OR3 i SO2R4; n oznacza cyfrę od 2 do 6, korzystnie 2 lub 3; W i Y niezależnie od siebie oznaczają podstawnik wybrany spośród takich jak OR3 i SO2R4 oraz R3 i R4 niezależnie od siebie oznaczają podstawnik wybrany spośród takich jak H-alkil, korzystnie alkil zawierający od 1 do 6 atomiów węgla i aryl, korzystnie aryl zawierający od 3 do 14 atomów węgla. Jako przykłady takich hamujących korozję współrozpuszczalników można wymienić, np. glikol etylenowy, glikol propylenowy i glicerol itp. Jeśli wymaganym polarnym rozpuszczalnikiem organicznym - składnikiem kompozycji oczyszczającej nie jest nasycony alkohol spełniający powyższy wzór, to może on występować jako współrozpuszczalnik. Współrozpuszczalniki mogą występować w kompozycji w ilości od 0 do 80% wagowych, korzystnie od 1 do 50% wagowych, najkorzystniej od 1 do 30% wagowych.
Kompozycje według wynalazku mogą także zawierać inne środki hamujące korozję, korzystnie związki arylowe zawierając dwie lub więcej grup OH, OR6, i/lub SO2R6R7 związanych bezpośrednio z pierścieniem aromatycznym, w którym R6, R7 i R8 niezależnie od siebie oznaczają alkil, korzystnie alkil zawierający od 1 do 6 atomów węgla lub aryl, korzystnie aryl zawierający od 6 do 14 atomów węgla. Przykładami takich korzystnych środków hamujących korozję są katechol, pirogalol, kwas galusowy, rezorcyna itp. Powyższe środki hamujące korozję mogą występować w ilości od 0 do 15% wagowych, korzystnie od 0,1 do 10% wagowych, najkorzystniej od 0,5 do 5% wagowych.
Organiczne lub nieorganiczne środki chelatujące lub kompleksujące metale nie są wymagane ale zapewniają istotne korzyści, takie jak np. ulepszona trwałość produktu. Przykładami odpowiednich środków chelatujących lub kompleksujących mogą być między innymi: kwas trans-1,2-cykloheksanodiaminotetraoctowy (CyDTA), kwas etylenodiaminotetraoctowy (EDTA), cyniany, pirofosforany, pochodne kwasu alkilidenodifosfonowego (np. etano-1-hydroksy-1,1-difosfonian), fosfoniany zawierające reszty funkcyjne pochodzące od etylenodiaminy, dietylenotriaminy lub trietylenotetraminy np. kwas etylenodiaminotetrametylenofosfonowy (EDTMP), kwas dietylenotriaminopentametylenofosfonowy, kwas trietylenotetraaminoheksametylenofosfonowy. Czynnik chelatujący będzie występował w kompozycji w ilości od 0 do 5% wagowych, korzystnie od 0,1 do 2% wagowych. Różne fosfoniany, środki chelatujące lub kompleksujące metal, takie jak kwas etylenodiaminotetrametylenofosfonowy (EDTMP) umożliwiają znacznie większą stabilizację kompozycji do oczyszczania według wynalazku, zawierającej czynnik utleniający w środowisku kwasowym i alkalicznym, tak więc są na ogół korzystne.
Jeśli istnieje potrzeba, w kompozycjach do oczyszczania według wynalazku, można także stosować inne stabilizatory czynników utleniających. Stabilizatory te można stosować w ilości od 0 do 10% wagowych, korzystnie od 0,1 do 5% wagowych. Przykładami takich stabilizatorów mogą być między innymi acetanilid i krzemiany, korzystnie krzemiany nie zawierające jonów metalu, takie jak krzemiany tetraalkiloamoniowe (zawierające grupy hydroksy- i alkoksyalkilowe), gdzie grupa alkilowa, korzystnie zawiera od 1 do 4 atomów węgla. Do takich krzemianów należą tetraetyloortokrzemian, krzemian tetrametyloamoniowy, tetrakis(2-hydroksyetylo)ortokrzemian itp.
Można stosować również inne inhibitory korozji metali, takie jak benzotriazol, w ilości od 0 do 5% wagowych, korzystnie od 0,1 do 2% wagowych.
Kompozycje do oczyszczania mogą ewentualnie zawierać surfaktanty, takie jak np. dimetyloheksynol (Surfynol-61), etoksytetrametylodecynediol (Surfynol-465), politetrafluoroetylenoacetoksypropylobetaina (Zonyl FSK), Zonyl FSH itp. Surfaktant na ogół będzie występował w ilości od 0 do 5% wagowych, korzystnie 0,1 do 3% wagowych.
Kompozycje do oczyszczania mogą również ewentualnie zawierać związki fluoru, takie jak np. fluorek tetrametyloamoniowy, fluorek tetrabutyloamoniowy oraz fluorek amonu. Inne odpowiednie związki fluoru obejmują, np. fluoroborany, fluoroborany tetrabutyloamoniowe, heksafluorki glinu, fluorek antymonu itp. Związki fluoru będą występować w ilości od 0 do 10% wagowych, korzystnie od 0,1 do 5% wagowych.
Przykłady kompozycji do oczyszczania według wynalazku przedstawiono w tablicach 1 do 9.
Stosowane w tablicach skróty oznaczają.
HEP = 1-(2-hydroksyetylo)-2-pirolidynon
TMAH = wodorotlenek tetrametyloamoniowy
TMAF = fluorek tetrametyloamoniowy
ACA = acetanilid
CyDTA = kwas trans-1,2-cykloheksanodiaminotetraoctowy
TEOS = tetraetyloortokrzemian
PL 208 299 B1
DMPD = dimetylopiperydon
SFL = sulfolan
TMAS = krzemian tetrametyloamoniowy
EG = glikol etylenowy
CAT = katechol
EHDP = etano-1-hydroksy-1,1-difosfonian
EDTMP = kwas etylenodiaminotetrametylenofosfonowy
IN HCl = 1 normalny kwas chlorowodorowy
NH4OH = wodorotlenek amonu
CH = wodorotlenek choliny
Woda = dodatkowa woda, oprócz tej, którą zawiera roztwór wodny składników.
Również w poniższych tablicach, kompozycje XM-188, XM-188A i XM-191 odnoszą się do następujących kompozycji, w których wyszczególnione składniki występują w częściach wagowych wskazanych w nawiasach.
XM-188= SFL (300), woda (75), 25% TMAH (25), CyDTA (2,3) XM-188A= SFL (150), woda (60), 25% TMAH (17,5), EDTMP (1,8) XM-191= SFL (150), woda (60), 25% TMAH (17,5), EDTMP (1,8), EG (30)
T a b l i c a 1
Kompozycje/części wagowe w górnej części kratki oraz poniżej procenty wagowe
Składnik A B C D E F G
1 2 3 4 5 6 7 8
HEP 30 30 30 30 60
60,36% 59,41% 59,41% 60,61% 59,76%
25% TMAH 2 2,6 2 2 2 5 5
4,02% 5,14% 3,96% 4,04% 4,04% 4,98% 4,98%
ACA 0,2 0,2
0,40% 0,40%
CyDTA 0,2 0,4 0,4
0,40% 0,39% 0,39%
TEOS 1
1,98%
DMPD 30 60
60,61% 59,76%
SFL
EG
CAT
60% EHDP
EDTMP
TMAF
10% TMAS
29% NH4OH
30% H2O2 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 5 5
5,03% 4,95% 4,95% 5,05% 5,05% 4,98% 4,98%
PL 208 299 B1 cd. tablicy 1
1 2 3 4 5 6 7 8
Woda 15 15 15 15 15 30 30
30,19% 29,70% 29,70% 30,30% 30,30% 29,89% 29,89%
XM-188
XM-188A
XM0191
1N HCl
20% CH
SUMA składników kompozycji 49,7 50,5 50,5 49,5 49,5 100,4 100,4
100% 100% 100% 100% 100% 100% 100%
T a b l i c a 2
Kompozycje/części wagowe w górnej części kratki oraz poniżej procenty wagowe
Składnik H I J K L M N
1 2 3 4 5 6 7 8
HEP 30
61,22%
25% TMAH 1 10 8,8 4 3 4,9
2,04% 4,98% 15,28% 5,84% 8,39% 8,84%
ACA
CyDTA 0,92 0,35 0,24
0,46% 0,51% 0,43%
TEOS
DMPD
SFL 120 50 30 37
59,73% 72,94% 83,94% 66,75%
EG 10
14,59%
CAT
60% EHDP 0,24 0,29
0,67% 0,52%
EDTMP
TMAF
10% TMAS 1
2,04%
29% NH4OH
30% H2O2 2 10 8,8 2,55, 4,26, 2,5 4
4,08% 4,98% 15,28% 88% 12% 7,00% 7,22%
Woda 15 60 9
30,62% 29,85% 16,24%
PL 208 299 B1 cd. tablicy 2
1 2 3 4 5 6 7 8
XM-188 40 69,44% 40 94,12%
XM-188A
XM-191
1N HCl
20% CH
SUMA składników kompozycji 49 100% 200,92 100% 57,6 100% 42,5 100% 68,55 100% 35,74 100% 55,43 100%
T a b l i c a 3
Kompozycje/części wagowe w górnej części kratki oraz poniżej
Składnik O P Q R S T U
1 2 3 4 5 6 7 8
HEP
25% TMAH 5 20 4,4 7,8
2,04% 6,42% 6,30% 11,96%
ACA
CyDTA
TEOS
DMPD
SFL 200 37,5 42,5
64,25% 53,66% 65,18%
EG 10,3 15
19,14% 24,19%
CAT
60% EHDP 1,5 2,6
0,61% 0,84%
EDTMP 0,68
0,97%
TMAF 2
3,23%
10% TMAS
29% NH4OH
30% H2O2 19,2 18,7 4,8 5 4,3 5
7,81% 6,01% 6,87% 8,01% 6,60% 8,06%
Woda 20 70 22,5 10,6 3,5
8,14% 22,48% 32,20% 16,26% 6,51%
XM-188 200 40
81,40% 74,35%
PL 208 299 B1 cd. tablicy 3
1 2 3 4 5 6 7 8
XM-188A 57,4 40
91,99% 64,52%
XM-191
1N HCl
20% CH
SUMA składników 245,7 311,3 69,88 62,4 65,2 53,8 62
kompozycji 100% 100% 100% 100% 100% 100% 100%
T a b l i c a 4
Kompozycje/części wagowe w górnej części kratki oraz poniżej
Składnik V W X Y Z AA BB
HEP
25% TMAH
ACA
CyDTA 0,39 0,39
0,55% 0,2%
TEOS
DMPD
SFL 50 50 50 50 40
70,73% 62,74% 67,12% 60,46% 48,95%
EG 15 15
23,51% 24,79%
CAT 3 3,5 3,5 1,5
4,70% 4,70% 4,23% 1,84%
60% EHDP
EDTMP 0,6 0,6 0,6
0,75% 0,73% 0,73%
TMAF
10% TMAS
29% NH4OH 1,4 1,9 1,4 1,9 2
1,98% 2,38% 1,88% 2,30% 2,45%
30% H2O2 6,4 5,8 5,5 7,2 6,7 6,7 7,6
9,05% 9,09% 9,09% 9,03% 8,99% 8,10% 9,30%
Woda 12,5 20 12,5 20 30
17,69% 25,10% 16,79% 24,18% 36,73%
XM-188 40 40
62,70% 66,12%
XM-188A
XM-191
1N HCl
20% CH
SUMA składników 70,69 63,80 60,50 79,70 74,49 82,70 81,70
kompozycji 100% 100% 100% 100% 100% 100% 100%
PL 208 299 B1
T a b l i c a 5
Kompozycje/części wagowe w górnej części kratki oraz poniżej
Składnik CC DD EE FF CG HH II
HEP
25% TMAH 2 3,12%
ACA
CyDTA 0,39 0,54%
TEOS
DMPD
SFL 50 69,84% 50 62,42% 60 92,30% 60 89,28%
EG 50 90,90%
CAT
60% EHDP
EDTMP 0,6 0,74%
TMAF
10% TMAS
29% NH4OH 1,7 2,37% 2,2 2,74%
30% H2O2 7 9,77% 7,3 9,11% 5 7,81% 5 7,70% 5 9,10% 6,2 9,22% 2,5 5,88%
Woda 12,5 17,48% 20 24,99%
XM-188 40 94,12%
XM-188A 57 89,07%
XM-191
1N HCl 1 1,50%
20% CH
SUMA składników kompozycji 71,59 100% 80,10 100% 64 100% 65 100% 55 100% 67,2 100% 42,5 100%
PL 208 299 B1
T a b l i c a 6
Kompozycje/części wagowe w górnej części kratki oraz poniżej procenty wagowe
Składnik JJ KK LL MM NN 00
HEP
2 5% TMAH 5 5 6 5 6
6,71% 6,12% 6,52% 6,71% 6,45%
ACA
CyDTA
TEOS
DMPD
SFL
EG
CAT
60% EHDP
EDTMP
TMAF
10% TMAS
29% NH4OH
30% H2O2 7 7,5 6 2,5 7 6
9,39% 9,14% 6,52% 5,88% 9,39% 6,45%
Woda 5
6,09%
XM-188 80 40 80
86,96% 94,12% 86,02%
XM-18 8A
XM-191 62,5 64,5 62,5
83,90% 78,65% 83,90%
1N HCl 1
1,08%
20% CH/
SUMA składników 74,50 82 92 42,5 74,5 93
kompozycji 100% 100% 100% 100% 100% 100%
T a b l i c a 7
Kompozycje/części wagowe w górnej części kratki oraz poniżej procenty wagowe
Składnik PP QQ RR SS TT UU W
1 2 3 4 5 6 7 8
HEP
25% TMAH 25 25 20 25 17,5 17,5 2,5
6,17% 6,09% 4,94% 6,11% 6,13% 6,64% 3,90%
ACA
CyDTA 3 3 2,5 1,5 0,23
0,74% 0,73% 0,61% 0,36% 0,35%
PL 208 299 B1 cd. tablicy 7
1 2 3 4 5 6 7 8
TEOS
DMPD
SFL 300 300 300 300 150 150 30
74,11% 73,11% 74,22% 73,40% 52,57% 56,96% 46,85%
EG 5 40 20 15
1,23% 14,02% 7,59% 23,42%
CAT 3
4,68%
60% EHDP
EDTMP 1,8 1,8
0,63% 0,68%
TMAF
10% TMAS
29% NH4OH
30% H2O2 36,8 37,3 36,7 37,2 26 24 5,8
9,09% 9,09% 9,07% 9,10% 9,11% 9,11% 9,05%
Woda 35 45 45 45 50 50 7,5
8,66% 10,98% 11,16% 11,03% 17,54% 19,02% 11,75%
XM-188
XM-188A
XM-191
1N HCl
20% CH
SUMA 404,8 410,3 404,2 408,7 285,3 263,3 64,03
składników kompo- 100% 100% 100% 100% 100% 100% 100%
zycji
T a b l i c a 8
Kompozycje/części wagowe w górnej części kratki oraz poniżej
Składnik WW XX YY ZZ AAA BBB CCC
1 2 3 4 5 6 7 8
HEP
2 5% TMAH 3,1 2,35% 7,5 13,69%
ACA
CyDTA 0,39 0,52% 0,39 0,55% 0,28 0,21% 1,2 2,19% 0,8 0,63%
TEOS
DMPD 7,5 13,69%
PL 208 299 B1 cd. tablicy 8
1 2 3 4 5 6 7 8
SFL 50 50 50 50 74 75
67,03% 59,81% 70,73% 62,70% 56,03% 59,15%
EG
CAT 3,5 3,5
4,69% 4,19%
60% EHDP
EDTMP 0,6 0,6
0,72% 0,75%
TMAF
1,0% TMAS
29% NH4OH 1,4 1,9 1,4 1,9
1,88% 2,27% 1,98% 2,38%
30% H2O2 6,8 7,6 6,4 7,25 14,7 13,6 14
9,12% 9,09% 9,05% 9,09% 11,13% 24,82% 11,04%
Woda 12,5 20 12,5 20 40 25 25
16,76% 23,92% 17,69% 25,08% 30,28% 45,61% 19,72%
XM-188
XM-188A
XM-191
1N HCl
20% CH 12
9,46%
SUMA 74,59 83,6 70,69 79,75 132,08 54,8 126,8
składników kompozycji 100% 100% 100% 100% 100% 100% 100%
T a b l i c a 9
Kompozycje/części wagowe w górnej części kratki oraz poniżej procenty wagowe
Składnik ODD EEE
1 2 3
HEP 75 61,32%
25% TMAH 6,25 5,20% 7,5 6,13%
ACA
CyDTA 0,6 0,50% 1,2 0,98%
TEOS
DMPD
SFL
EG 75 62,37%
PL 208 299 B1 cd. tablicy 9
1 2 3
CAT
60% EHDP
EDTMP
TMAF
10% TMAS
29% NH4OH
30% H2O2 13,4 13,6
11,14% 11,12%
Woda 25 25
20,79% 20,45%
XM-188
XM-188A
XM-191
1N HCl
SUMA 120,25 122,3
Składników kompozycji 100% 100%
Kompozycja SFL Woda 25%TMAH CyDTA EDTMP EG SUMA składni-
ków kompozycji
XM-188 300 75 25 2,3 402,3
74,5 18,64% 6,21% 0,58% 100%
7%
XM-188A 150 60 17,5 1,8 229,3
65,4 26,17% 7,63% 0,79% 100%
1%
XM-191 150 60 17,5 1,8 30 259,3
57,8 23,13% 6,74% 0,69% 11,6 100%
4% 0%
Szybkości trawienia miedzi i glinu przez kompozycje do oczyszczania według wynalazku przedstawiono w tablicy 10. Szybkość trawienia oznaczono wykorzystując następującą procedurę.
Do badań stosowano kawałki folii aluminiowej lub miedzianej o przybliżonych wymiarach 13 x 50 mm. Grubości kawałków folii zostały zmierzone. Oczyszczone 2-propanolem, wodą destylowaną oraz acetonem kawałki folii osuszono w suszarni wysokotemperaturowej. Oczyszczone i osuszone kawałki folii wprowadzono następnie do luźno zamkniętych butelek, zawierających ogrzane kompozycje do oczyszczania według wynalazku i umieszczono w piecu próżniowym na okres dwóch do czterech godzin we wskazanej temperaturze. Po powyższej obróbce, oczyszczone kawałki folii wyjęto z suszarni i butelek, przepłukano dużą ilością wody destylowanej, suszono w suszarni wysokotemperaturowej przez około 1 godzinę i pozostawiono do ochłodzenia do temperatury pokojowej, następnie szybkość trawienia określono na podstawie utraty lub zmiany masy.
PL 208 299 B1
T a b l i c a 10
Kompozycja wg tablic 1 do 6 Szybkość trawienia Al w temperaturze 45°C (A/min) Szybkość trawienia Al w temperaturze 65°C (A/min) Szybkość trawienia Cu w temperaturze 45°C(A/min) Szybkość trawienia Cu w temperaturze 65°C (A/min)
V 6 39
w 3 12
Y 8 39
Z 21 70
AA 9 18
BB 20
CC 19
DD 29
II 3
EE 8
JJ <1
KK <1
LL 1,2
MM 2,6
Kompozycja do usuwania powłok oparta na hydroksyloaminie (EKC-265) Kompatybilny Kompatybilny Niekompatybilny Niekompatybilny
Szybkości trawienia międzywarstw dielektryka (ILD) przez kompozycje JJ i NN (tablica 6) według wynalazku, wobec różnych dielektryków, oszacowano stosując następującą procedurę.
Grubość folii na kawałkach płytek mierzy się stosując Interferometer Rudolph. Kawałki płytek (z międzywarstwami dielektryka ILD osadzonymi na płytkach krzemowych) zanurzono we wskazanych kompozycjach do oczyszczania w określonej temperaturze na okres 30 minut, po czym przepłukano wodą dejonizowaną i wysuszono w strumieniu azotu. Następnie ponownie zmierzono grubości i szybkości trawienia obliczono w oparciu o zmianę grubości folii, spowodowaną wskazaną obróbką.
Szybkości trawienia IDL były następujące dla kompozycji: JJ (tablica 11), NN (tablica 12), HH (tablica 13), FF (tablica 14) i GG (tablica 15).
T a b l i c a 11
Dielektryk Szybkość trawienia w temperaturze 70°C (A/min)
Tlenek domieszkowany węglem (CDO) <1
Azotek krzemu (SiN) <1
Tetraetyloortokrzemian (pTEOS) <1
Polimer organiczny SILK™ <1
Fluorowane szkło krzemianowe (FSG) <1
Zawiesina tlenku FOx-16™ <1
Tlenek domieszkowany węglem Coral™ 3
Tlenek domieszkowany węglem Black Diamond™ 9,5
PL 208 299 B1
T a b l i c a 12
Dielektryk Szybkość trawienia w temperaturze 70°C (A/min)
Tlenek domieszkowany węglem (CDO) <1
Azotek krzemu (SiN) <1
Tetraetyloortokrzemian (pTEOS) <1
Polimer organiczny SILK™ <1
T a b l i c a 13
Dielektryk Szybkość trawienia w temperaturze 60°C (A/min)
Tlenek domieszkowany węglem (CDO) n=1,40 <1
Azotek krzemu (SiN) n=2,0 3
Tetraetyloortokrzemian (pTEOS) n=1,46 1
Polimer organiczny SiLK™ n=1,63 <1
T a b l i c a 14
Dielektryk Szybkość trawienia w temperaturze 60°C (A/min)
Tlenek domieszkowany węglem (CPO) n=1,40 <1
Azotek krzemu (SiN) n=2,0 2
Tetraetyloortokrzemian (pTEOS) n=1,46 1
Polimer organiczny SiLK™ n=1,63 <1
T a b l i c a 15
Dielektryk Szybkość trawienia w temperaturze 60°C (A/min)
Tlenek domieszkowany węglem (CPO) n=1,40 <1
Azotek krzemu (SiN) n=2,0 2
Tetraetyloortokrzemian (pTEOS) n=1,46 1
Polimer organiczny SILKTM n=1,63 <1
Zdolność kompozycji według wynalazku do oczyszczania, ilustrują następujące testy, w których układ mikroelektroniczny składający się z płytki o strukturze: fotomaska/tlenek domieszkowany węglem/azotek krzemu/miedź z podziurkowaną warstwą azotku krzemu odsłaniającą miedź, zanurzono w roztworach do oczyszczania w okreś lonej temperaturze i na wskazany okres czasu, następnie przepłukano wodą, osuszono i stopień oczyszczenia określono za pomocą pomiarów SEM. Wyniki przedstawiono w tablicy 16.
PL 208 299 B1
T a b l i c a 16
Kompozycja G H OO
Warunki oczyszczania i wyniki 35°C/30 minut 100% czystości 55°C/20 minut 100% czystości 70°C/20 minut 100% czystości
Zdolność kompozycji według wynalazku do oczyszczania, ilustrują również następujące testy, w których układ mikroelektroniczny składający się z glinowej płytki o strukturze: mianowicie TiN/Al/TiN/Ti/Si, zostały zanurzone w roztworach do oczyszczania w określonej temperaturze i na wskazany okres czasu, następnie przepłukane wodą, osuszone i stopień oczyszczenia określono za pomocą pomiarów SEM. Wyniki przedstawiono w tablicy 17.
T a b l i c a 17
Kompozycja W
Warunki oczyszczania i wyniki 55°C/20 minut 100% czystości z doskonałą kompatybilnością substratu-
Szybkości trawienia glinu przez kompozycje do oczyszczania według wynalazku są pokazane w tablicy 18. Szybkość trawienia oznaczono stosując nastę pującą procedurę.
Do pomiarów stosowano kawałki folii aluminiowej o przybliżonych wymiarach 13 x 50 mm. Grubości kawałków folii zmierzono. Oczyszczone 2-propanolem, wodą destylowaną i acetonem kawałki folii osuszono w suszarni wysokotemperaturowej. Oczyszczone i osuszone kawałki folii następnie umieszczono w luźno zamkniętych butelkach zawierających ogrzane kompozycje do oczyszczania według wynalazku i umieszczono w piecu próżniowym na okres dwóch do czterech godzin we wskazanej temperaturze.
Po powyższej obróbce, oczyszczone kawałki folii wyjęto z suszarni i butelek, przepłukano dużą ilością wody destylowanej, suszono w suszarni wysokotemperaturowej przez około 1 godzinę i pozostawiono do ochłodzenia do temperatury pokojowej, następnie szybkość trawienia określono na podstawie utraty lub zmiany masy.
T a b l i c a 18
Kompozycja wg tablic 7 18 Szybkość trawienia Al w temperaturze 45°C (A/min)
W 3
WW 21
XX 9
YY 6
ZZ 8
Zastrzeżenia patentowe

Claims (5)

1. Kompozycja czyszcząca w jednoetapowym procesie element mikroelektroniczny pokryty miedzią i mający niską lub wysoką wartość stałej dielektrycznej z pozostałości o wysokim usieciowaniu lub wysokiej fotoresystywności, pozostałości odczynników do wytrawiania/popiołu w plazmowym procesie, materiałów protektorowych absorbujących światło, powłok przeciwodblaskowych, i zawierających tytan lub tantal, znamienna tym, że zawiera od 0,1 do 30% wagowych nadtlenku wodoru;
od 30 do 80% wagowych sulfolanu jako polarnego rozpuszczalnika organicznego o zdolności wiązania wodoru i minimalnie lub bez wykazywania reakcji z czynnikiem utleniającym; od powyżej 0 do 30% wagowych wodorotlenku tetraalkiloamoniowego jako zasadę alkaliczną ;
od 0,1 do 5% wagowych czynnika chelatującego lub kompleksującego metal wybranego z grupy obejmującej kwas trans-1,2-cykloheksanodiaminotetraoctowy i kwas etylenodiaminotetrametylenofosfonowy; i od 15 do 50% wagowych wody.
PL 208 299 B1
2. Kompozycja według zastrz. 1, znamienna tym, że zawiera od 40 do 75% wagowych polarnego rozpuszczalnika organicznego.
3. Kompozycja według zastrz. 2, znamienna tym, że zawiera sulfolan, wodorotlenek tetrametyloamoniowy, kwas trans-1,2-cykloheksanodiaminotetraoctowy, nadtlenek wodoru i wodę.
4. Kompozycja według zastrz. 2, znamienna tym, że zawiera sulfolan, wodorotlenek tetrametyloamoniowy, kwas etylenodiaminotetrametylenofosfonowy, nadtlenek wodoru i wodę.
5. Zastosowanie kompozycji określonej w zastrz. 1 do jednoetapowego czyszczenia elementu mikroelektronicznego pokrytego miedzią i mającego niską lub wysoką wartość stałej dielektrycznej z pozostałości o wysokim usieciowaniu lub wysokiej fotoresystywności, pozostałości odczynników do wytrawiania/popiołu w plazmowym procesie, materiałów protektorowych absorbujących światło, powłok przeciwodblaskowych, i zawierających tytan lub tantal, przy czym kontaktuje się element mikroelektroniczny z kompozycją czyszczącą w ciągu czasu wystarczającego do usunięcia pozostałości z elementu mikroelektronicznego.
PL373809A 2002-06-07 2003-05-27 Kompozycja czyszcząca w jednoetapowym procesie element mikroelektroniczny pokryty miedzią i zastosowanie kompozycji PL208299B1 (pl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US38680002P 2002-06-07 2002-06-07

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL373809A1 PL373809A1 (pl) 2005-09-19
PL208299B1 true PL208299B1 (pl) 2011-04-29

Family

ID=29736216

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL373809A PL208299B1 (pl) 2002-06-07 2003-05-27 Kompozycja czyszcząca w jednoetapowym procesie element mikroelektroniczny pokryty miedzią i zastosowanie kompozycji

Country Status (17)

Country Link
US (1) US7419945B2 (pl)
EP (2) EP2034365A3 (pl)
JP (1) JP4304154B2 (pl)
KR (1) KR100958069B1 (pl)
CN (2) CN1659481A (pl)
AU (1) AU2003238773A1 (pl)
BR (1) BR0311827A (pl)
CA (1) CA2488735A1 (pl)
IL (1) IL165580A (pl)
IN (1) IN2004CH02761A (pl)
MY (1) MY139208A (pl)
NO (1) NO20050076L (pl)
PL (1) PL208299B1 (pl)
RS (1) RS50930B (pl)
TW (1) TWI322827B (pl)
WO (1) WO2003104900A2 (pl)
ZA (1) ZA200409621B (pl)

Families Citing this family (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MY143399A (en) * 2001-07-09 2011-05-13 Avantor Performance Mat Inc Microelectronic cleaning compositons containing ammonia-free fluoride salts for selective photoresist stripping and plasma ash residue cleaning
TW200505975A (en) * 2003-04-18 2005-02-16 Ekc Technology Inc Aqueous fluoride compositions for cleaning semiconductor devices
BRPI0418529A (pt) * 2004-02-11 2007-05-15 Mallinckrodt Baker Inc composições de limpeza para microeletrÈnicos contendo ácidos de halogênio oxigenados, sais e derivados dos mesmos
EP1840659A3 (en) * 2004-02-11 2009-12-02 Mallinckrodt Baker, Inc. Composition for cleaning microelectronic substrates containing halogen oxygen acids and derivatives thereof
ATE488570T1 (de) * 2004-03-01 2010-12-15 Mallinckrodt Baker Inc Nanoelektronik- und mikroelektronik- reinigungsmittel
JP4524744B2 (ja) * 2004-04-14 2010-08-18 日本電気株式会社 有機マスクの形成方法及び該有機マスクを利用したパターン形成方法
US7867779B2 (en) 2005-02-03 2011-01-11 Air Products And Chemicals, Inc. System and method comprising same for measurement and/or analysis of particles in gas stream
SG161211A1 (en) * 2005-04-04 2010-05-27 Mallinckrodt Baker Inc Compositions for cleaning ion implanted photoresist in front end of line applications
US7754668B2 (en) * 2005-05-06 2010-07-13 Mallinckrodt Baker. Inc Compositions for the removal of post-etch and ashed photoresist residues and bulk photoresist
CN1862392B (zh) * 2005-05-13 2011-08-03 安集微电子（上海）有限公司 一种去除光阻层的组合物及其使用方法
CN1862391B (zh) * 2005-05-13 2013-07-10 安集微电子（上海）有限公司 除光阻层的组合物及其使用方法
US20090215269A1 (en) * 2005-06-06 2009-08-27 Advanced Technology Materials Inc. Integrated chemical mechanical polishing composition and process for single platen processing
TWI622639B (zh) * 2005-06-07 2018-05-01 恩特葛瑞斯股份有限公司 金屬及介電相容犠牲抗反射塗層清洗及移除組成物
KR101221560B1 (ko) * 2005-09-02 2013-01-14 주식회사 동진쎄미켐 변성된 포토레지스트 제거를 위한 반도체 소자용 박리액조성물
KR101444468B1 (ko) * 2005-10-05 2014-10-30 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 에칭후 잔류물을 제거하기 위한 산화성 수성 세정제
EP1946358A4 (en) 2005-11-09 2009-03-04 Advanced Tech Materials COMPOSITION AND METHOD FOR RECYCLING SEMICONDUCTOR WAFERS WITH LOW DIELECTRICITY CONSTANT MATERIALS
KR101319113B1 (ko) * 2006-04-13 2013-10-17 동우 화인켐 주식회사 금속용 세정제
TWI611047B (zh) * 2006-12-21 2018-01-11 恩特葛瑞斯股份有限公司 用以移除蝕刻後殘餘物之液體清洗劑
CN101632042B (zh) * 2007-03-16 2012-06-13 三菱瓦斯化学株式会社 洗涤用组合物、半导体元件的制造方法
JP4952375B2 (ja) 2007-05-23 2012-06-13 株式会社明電舎 レジスト除去方法及びその装置
US8110508B2 (en) * 2007-11-22 2012-02-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming a bump structure using an etching composition for an under bump metallurgy layer
CN101952485A (zh) * 2007-11-22 2011-01-19 出光兴产株式会社 蚀刻液组合物
WO2009072402A1 (ja) 2007-12-04 2009-06-11 Meidensha Corporation レジスト除去方法及びその装置
CN101359189B (zh) * 2008-09-17 2011-04-27 电子科技大学 正性光敏聚酰亚胺光刻胶用显影液
US20100178887A1 (en) 2009-01-13 2010-07-15 Millam Michael J Blast shield for use in wireless transmission system
MX2011008789A (es) * 2009-02-25 2011-09-29 Avantor Performance Mat Inc Composiciones removedoras para limpiar polimero fotosensible implantado ionicamente de obleas de dispositivos semiconductores.
WO2010098899A1 (en) * 2009-02-25 2010-09-02 Mallinckrodt Baker, Inc. Multipurpose acidic, organic solvent based microelectronic cleaning composition
US8754021B2 (en) 2009-02-27 2014-06-17 Advanced Technology Materials, Inc. Non-amine post-CMP composition and method of use
US8669189B2 (en) 2009-06-25 2014-03-11 Lam Research Ag Method for treating a semiconductor wafer
WO2010150134A2 (en) * 2009-06-25 2010-12-29 Lam Research Ag Method for treating a semiconductor wafer
EP2348142B1 (en) * 2010-01-25 2018-12-05 Westinghouse Electric Company Llc Method and composition for removing scale deposits formed on a metal surface within a steam generating system
KR101664951B1 (ko) 2010-01-26 2016-10-11 도미니온 엔지니어링 인코포레이티드 증착물들을 제거하기 위한 방법 및 조성물
CN101908503A (zh) * 2010-07-21 2010-12-08 河北工业大学 超大规模集成电路多层铜布线化学机械抛光后的洁净方法
US8921295B2 (en) 2010-07-23 2014-12-30 American Sterilizer Company Biodegradable concentrated neutral detergent composition
CN101968610A (zh) * 2010-08-12 2011-02-09 武汉华灿光电有限公司 一种全湿刻蚀后去胶的方法
CN103958640B (zh) * 2011-10-21 2016-05-18 安格斯公司 无胺cmp后组合物及其使用方法
JP6066552B2 (ja) * 2011-12-06 2017-01-25 関東化學株式会社 電子デバイス用洗浄液組成物
EP2814895A4 (en) * 2012-02-15 2015-10-07 Entegris Inc POST-CMP DISPOSAL USING COMPOSITIONS AND USE PROCESSES
KR101827756B1 (ko) * 2012-12-03 2018-02-12 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 반도체소자용 세정액 및 이를 이용한 세정방법
WO2015002272A1 (ja) * 2013-07-05 2015-01-08 和光純薬工業株式会社 エッチング剤、エッチング方法およびエッチング剤調製液
JP2015108041A (ja) * 2013-12-03 2015-06-11 ダイキン工業株式会社 洗浄用組成物
US11127587B2 (en) 2014-02-05 2021-09-21 Entegris, Inc. Non-amine post-CMP compositions and method of use
CN103955123A (zh) * 2014-04-11 2014-07-30 武汉高芯科技有限公司 一种离子注入后晶片的湿法去胶液及光刻胶去除方法
US9567493B2 (en) * 2014-04-25 2017-02-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. CMP slurry solution for hardened fluid material
US9908821B2 (en) 2015-09-29 2018-03-06 Winfield Solutions, Llc Micronutrient compositions and systems and methods of using same
US9938201B1 (en) 2016-02-25 2018-04-10 Winfield Solutions, Llc Micronutrient compositions containing zinc and systems and methods of using same
KR102152665B1 (ko) 2016-03-31 2020-09-07 후지필름 가부시키가이샤 반도체 제조용 처리액, 및 패턴 형성 방법
JP6880085B2 (ja) 2017-02-20 2021-06-02 富士フイルム株式会社 薬液、薬液収容体、及び、パターン形成方法
AT519943A1 (de) * 2017-04-29 2018-11-15 Thonhauser Gmbh Zusammensetzung
CN107338126A (zh) * 2017-06-23 2017-11-10 昆山欣谷微电子材料有限公司 一种水基微电子剥离和清洗液组合物
CN107357143B (zh) 2017-07-25 2018-06-19 上海新阳半导体材料股份有限公司 一种清洗剂、其制备方法和应用
WO2020146748A1 (en) 2019-01-11 2020-07-16 Versum Materials Us, Llc Hafnium oxide corrosion inhibitor
JP7271993B2 (ja) * 2019-02-19 2023-05-12 三菱ケミカル株式会社 セリウム化合物除去用洗浄液、洗浄方法及び半導体ウェハの製造方法
TWI824299B (zh) * 2020-09-22 2023-12-01 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 蝕刻劑組合物
CN112430508B (zh) * 2020-12-09 2021-10-19 淄博鑫欧瑞环保科技有限公司 一种消毒粉雾化装置清洁剂、应用及其清洁方法
US20230033363A1 (en) * 2021-07-23 2023-02-02 Ascend Performance Materials Operations Llc Aqueous solutions containing amino carboxylic acid chelators

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3673099A (en) * 1970-10-19 1972-06-27 Bell Telephone Labor Inc Process and composition for stripping cured resins from substrates
BE789090A (fr) * 1971-09-22 1973-01-15 Western Electric Co Procede et solution d'attaque de semi-conducteurs
US4096243A (en) * 1976-02-09 1978-06-20 Clairol Incorporated Composition for lightening hair containing an oxidizing agent and certain quaternary amines
FR2372904A1 (fr) * 1976-11-19 1978-06-30 Ibm Composition de decapage du silicium polycristallin contenant de l'hydroxyde de tetramethylammonium et procede d'application
JPS60203944A (ja) * 1984-03-28 1985-10-15 Mitsubishi Gas Chem Co Inc ポジ型フオトレジストの除去法
US4744834A (en) * 1986-04-30 1988-05-17 Noor Haq Photoresist stripper comprising a pyrrolidinone, a diethylene glycol ether, a polyglycol and a quaternary ammonium hydroxide
US5037724A (en) 1988-02-25 1991-08-06 Hoya Corporation Peeling solution for photo- or electron beam-sensitive resin
US5002687A (en) * 1989-04-13 1991-03-26 Lever Brothers Company, Division Of Conopco, Inc. Fabric washing compositions
EP0482275B1 (en) * 1990-10-22 1996-07-10 The Procter & Gamble Company Stable liquid detergent compositions containing bleach
TW263531B (pl) * 1992-03-11 1995-11-21 Mitsubishi Gas Chemical Co
JP3183310B2 (ja) * 1992-09-25 2001-07-09 三菱瓦斯化学株式会社 半導体基板の洗浄液
US5308745A (en) * 1992-11-06 1994-05-03 J. T. Baker Inc. Alkaline-containing photoresist stripping compositions producing reduced metal corrosion with cross-linked or hardened resist resins
US5498293A (en) * 1994-06-23 1996-03-12 Mallinckrodt Baker, Inc. Cleaning wafer substrates of metal contamination while maintaining wafer smoothness
US5885362A (en) * 1995-07-27 1999-03-23 Mitsubishi Chemical Corporation Method for treating surface of substrate
US5911836A (en) * 1996-02-05 1999-06-15 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Method of producing semiconductor device and rinse for cleaning semiconductor device
US6096138A (en) * 1997-04-30 2000-08-01 Bausch & Lomb Incorporated Method for inhibiting the deposition of protein on contact lens
US5989353A (en) * 1996-10-11 1999-11-23 Mallinckrodt Baker, Inc. Cleaning wafer substrates of metal contamination while maintaining wafer smoothness
US5993685A (en) * 1997-04-02 1999-11-30 Advanced Technology Materials Planarization composition for removing metal films
JPH11121418A (ja) * 1997-10-14 1999-04-30 Kao Corp 洗浄剤組成物及び洗浄方法
KR100610387B1 (ko) * 1998-05-18 2006-08-09 말린크로트 베이커, 인코포레이티드 초소형 전자 기판 세정용 실리케이트 함유 알칼리성 조성물
JP2000056478A (ja) * 1998-08-04 2000-02-25 Showa Denko Kk サイドウォール除去液
JP2000202617A (ja) * 1999-01-06 2000-07-25 Nippon Steel Corp 溶融金属容器の調心・傾転装置
EP1039518A1 (en) * 1999-03-24 2000-09-27 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw Chemical solution and method for reducing the metal contamination on the surface of a semiconductor substrate
JP4224652B2 (ja) * 1999-03-08 2009-02-18 三菱瓦斯化学株式会社 レジスト剥離液およびそれを用いたレジストの剥離方法
JP2002113431A (ja) * 2000-10-10 2002-04-16 Tokyo Electron Ltd 洗浄方法
US6599370B2 (en) * 2000-10-16 2003-07-29 Mallinckrodt Inc. Stabilized alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates
JP2003005383A (ja) * 2000-11-30 2003-01-08 Tosoh Corp レジスト剥離剤
KR100822236B1 (ko) * 2000-11-30 2008-04-16 토소가부시키가이샤 레지스트 박리제
JP4267359B2 (ja) * 2002-04-26 2009-05-27 花王株式会社 レジスト用剥離剤組成物

Also Published As

Publication number Publication date
EP2034365A3 (en) 2009-11-11
WO2003104900A2 (en) 2003-12-18
CN102061228A (zh) 2011-05-18
TWI322827B (en) 2010-04-01
CN1659481A (zh) 2005-08-24
WO2003104900A3 (en) 2004-02-19
PL373809A1 (pl) 2005-09-19
US20050239673A1 (en) 2005-10-27
RS50930B (sr) 2010-08-31
EP2034365A2 (en) 2009-03-11
TW200407419A (en) 2004-05-16
EP1520211A2 (en) 2005-04-06
BR0311827A (pt) 2005-03-29
ZA200409621B (en) 2006-07-26
CA2488735A1 (en) 2003-12-18
NO20050076L (no) 2005-01-06
IL165580A0 (en) 2006-01-15
JP4304154B2 (ja) 2009-07-29
MY139208A (en) 2009-08-28
US7419945B2 (en) 2008-09-02
KR100958069B1 (ko) 2010-05-17
IN2004CH02761A (pl) 2006-02-10
AU2003238773A1 (en) 2003-12-22
JP2005529487A (ja) 2005-09-29
KR20050019103A (ko) 2005-02-28
IL165580A (en) 2009-05-04
CN102061228B (zh) 2013-02-13
RS106204A (en) 2007-02-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
PL208299B1 (pl) Kompozycja czyszcząca w jednoetapowym procesie element mikroelektroniczny pokryty miedzią i zastosowanie kompozycji
US8906838B2 (en) Microelectronic cleaning and arc remover compositions
JP4393553B2 (ja) ハロゲン酸素酸、その塩及び誘導体含有、マイクロエレクトロニクス洗浄組成物
US7393819B2 (en) Ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compositions with improved substrate compatibility
KR100642185B1 (ko) 프럭토스를 함유하는 비-수성 마이크로전자 세정 조성물
IL159762A (en) Ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compositions with improved substrate compatibility
JP4177758B2 (ja) 基板適合性が改善されたアンモニア不含アルカリ性マイクロエレクトロニクス洗浄組成物
KR20170028525A (ko) 세정액 조성물

Legal Events

Date Code Title Description
RECP Rectifications of patent specification
LAPS Decisions on the lapse of the protection rights

Effective date: 20120527