NL8701997A - Geintegreerde halfgeleiderschakeling met ontkoppelde dc bedrading. - Google Patents
Geintegreerde halfgeleiderschakeling met ontkoppelde dc bedrading. Download PDFInfo
- Publication number
- NL8701997A NL8701997A NL8701997A NL8701997A NL8701997A NL 8701997 A NL8701997 A NL 8701997A NL 8701997 A NL8701997 A NL 8701997A NL 8701997 A NL8701997 A NL 8701997A NL 8701997 A NL8701997 A NL 8701997A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- wiring
- insulating layer
- semiconductor
- integrated semiconductor
- semiconductor circuit
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 52
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/5222—Capacitive arrangements or effects of, or between wiring layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S257/00—Active solid-state devices, e.g. transistors, solid-state diodes
- Y10S257/915—Active solid-state devices, e.g. transistors, solid-state diodes with titanium nitride portion or region
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
η i « * PBN 12.234 1 N.V. Philips* Gloeilampenfabrieken.
"Geïntegreerde halfgeleiderschakeling met ontkoppelde DC bedrading".
De uitvinding heeft betrekking op een geïntegreerde halfgeleiderschakeling met een aan een oppervlak van een halfgeleiderlichaam grenzend halfgeleidergebied dat bedekt is met een elektrisch isolerende laag, waarbij in het halfgeleidergebied een aantal 5 halfgeleiderschakelelementen is aangebracht die onderling verbonden zijn door op de isolerende laag gelegen geleidersporen die de bedrading van de schakeling vormen, waarbij een deel van de bedrading alléén bestemd is voor het bevatten van gelijkspanningsinformatie en de gelijkspanningsbedrading vormt.
10 Bij het ontwerpen van geïntegreerde halfgeleiderschakelingen heeft men vrijwel steeds te maken met het probleem van hoogfrequentstoring. De hoogfrequente elektrische velden die hiervan de oorzaak zijn kunnen afkomstig zijn van hoogfrequente stoorsignalen op de voedingslijnen, maar ook van schakelverschijnselen 15 die optreden in de tot de schakeling behorende halfgeleiderschakelelementen. De hierdoor in de diverse bedradingsdelen opgewekte hoogfrequente stoorsignalen geven aanleiding tot ruis en vervorming.
Om dit tegen te gaan kan men ontkoppelcapaciteiten 20 aanbrengen. Deze kunnen geheel of voor een deel in het halfgeleiderlichaam van de geïntegreerde schakeling worden ondergebracht, doch nemen daarop dan in het algemeen extra halfgeleideroppervlak in beslag.
De onderhavige uitvinding beoogt onder meer, de genoemde 25 hoogfrequentstoring te verminderen zonder dat daarvoor extra halfgeleideroppervlak nodig is.
Volgens de uitvinding heeft een geïntegreerde halfgeleiderschakeling van de in de aanhef beschreven soort het kenmerk, dat de isolerende laag onder althans een belangrijk deel van de 30 gelijkspanningsbedrading aanmerkelijk dunner is dan onder de bedradingsdelen welke niet tot de gelijkspanningsbedrading behoren, welk dunner deel gelegen is op een deel van het halfgeleideroppervlak 8701997 f * PHN 12.234 2 dat verbonden is met een aansluitgeleider.
Doordat de gelijkspanningsbedrading volgens de uitvinding via de dunne delen van de isolerende laag een grote capaciteit naar het onderliggende halfgeleideroppervlak vormt kan, wanneer dit aan een 5 referentiepotentiaal wordt gelegd, een goede relatieve ontkoppeling van de gelijkspanningsbedrading met betrekking tot de hoogfrequent-delen van de schakeling bereikt worden.
Over het algemeen wordt bij het ontwerpen van geïntegreerde schakelingen, en in het bijzonder van 10 hoogfrequentschakelingen, vermeden om de bedrading over relatief dunne delen van de isolerende laag aan te brengen, aangezien zodoende een grote capaciteit tussen de bedrading en het onderliggend halfgeleidergebied ontstaat.
De uitvinding berust echter op het inzicht, dat dit voor 15 bedradingsdelen waar alléén DC informatie op komt geen bezwaar oplevert, en dat de zo verkregen betere relatieve ontkoppeling tussen HF-en DC bedradingsdelen de hierboven genoemde ruis en vervorming in aanmerkelijke mate vermindert.
Het genoemde dunnere gedeelte van de isolerende laag dat 20 onder de gelijkspanningsbedrading is gelegen kan met voordeel zonder extra processtappen worden verkregen door gebruik te maken van het feit dat zich boven reeds in de schakeling aanwezige gediffundeerde of geïmplanteerde oppervlaktezones in het algemeen slechts een dunne oxydelaag bevindt. Volgens een voorkeursuitvoering is daarom het dunnere 25 gedeelte van de isolerende laag gelegen boven een in het halfgeleidergebied aangebrachte hooggedoteerde oppervlaktezone die via ten minste één opening in de isolerende laag verbonden is met de genoemde aansluitgeleider. Daarbij is bij voorkeur deze hooggedoteerde oppervlaktezone van hetzelfde geleidingstype als het onderliggende 30 halfgeleidergebied. Een dergelijke oppervlaktezone is namelijk in de meeste geïntegreerde halfgeleiderschakelingen aanwezig in de vorm van een substraatcontactzone, waarop op verschillende plaatsen via vensters in de isolerende laag substraatcontacten op het genoemde halfgeleidergebied worden gerealiseerd.
35 Het dunnere deel van de isolerende laag kan zich uitstrekken praktisch alléén onder de gelijkstroombedrading. In het bijzonder wanneer de gelijkstroombedrading boven een hooggedoteerde 8701997 Ί t PHN 12.234 3 oppervlaktezone is aangebracht verdient het de voorkeur dat een belangrijk gedeelte van het dunnere deel van de isolerende laag (met bijbehorende gedoteerde oppervlaktezone) ook buiten de gelijkspanningsbedrading wordt aangebracht. De weerstand naar het 5 onderliggende halfgeleidergebied wordt daardoor aanzienlijk verkleind.
Om een behoorlijke relatieve ontkoppeling van de over het dikkere deel van de isolerende laag lopende hoogfreguentbedrading te verkrijgen zal de dikte van het dunnere deel van de isolerende laag bij voorkeur minder dan een derde gedeelte van die van het overige deel 10 van de isolerende laag bedragen.
De dikte van het dunnere deel van de isolerende laag zal, om een goede isolatie tussen gelijkspanningsbedrading en halfgeleideroppervlak te waarborgen, bij voorkeur tenminste 10 nm bedragen, terwijl deze dikte om een voldoend grote ontkoppelcapaciteit 15 te verkrijgen bij voorkeur ten hoogste 500 nm bedraagt.
De uitvinding zal nu nader worden toegelicht aan de hand van een uitvoeringsvoorbeeld en de tekening, waarin
Figuur 1 schematisch in bovenaanzicht een deel van een geïntegreerde halfgeleiderschakeling volgens de uitvinding toont, 20 Figuur 2,3 en 4 schematisch dwarsdoorsneden van de geïntegreerde schakeling van Figuur 1 weergeven, volgens respectievelijk de lijnen II-II, III-III en IV-IV, en
Figuur 5,6 en 7 details van andere uitvoeringsvormen van de uitvinding tonen.
25 De figuren zijn zuiver schematisch en niet op schaal getekend, waarbij in het bijzonder, ter wille van de duidelijkheid, de afmetingen in de dikterichting sterk zijn overdreven.
Overeenkomstige delen zijn in de figuren met dezelfde verwijzingscijfers aangeduid. In de dwarsdoorsneden zijn 30 halfgeleidergebieden van hetzelfde geleidingstype in dezelfde richting gearceerd.
Figuur 1 toont schematisch in bovenaanzicht een deel van een geïntegreerde halfgeleiderschakeling volgens de uitvinding. De schakeling omvat een halfgeleiderlichaam met een halfgeleidergebied 1 35 dat grenst aan een oppervlak 6 (zie Figuur 2) en bedekt is met een elektrisch isolerende laag 2. In het halfgeleidergebied 1 zijn een aantal halfgeleiderschakelelementen aangebracht waarvan althans een deel 8701997 r PHN 12.234 4 bij hoge frequentie werkt. Deze schakelelementen, die als zodanig voor de uitvinding niet van belang zijn en daarom in de tekening niet nader zijn aangegeven, zijn onderling verbonden door op de isolerende laag 2 gelegen geleidersporen 5, meestal metaalsporen, die de bedrading van de 5 schakeling vormen. Daarbij is een deel van de bedrading, in de figuren met DC aangeduid, alleen bestemd voor het bevatten van gelijkspanningsinformatie; dit deel wordt in deze aanvrage de gelijkspanningsbedrading genoemd. Tengevolge van hoogfrequente stoorsignalen op de voeding en/of van hoogfrequente signalen afkomstig 10 van andere delen van de schakeling kunnen hoogfrequentstoringen worden geïnduceerd die aanleiding kunnen geven tot ruis en/of vervorming.
Volgens de uitvinding wordt deze hoogfrequentstoring op de gelijkspanningsdelen van de schakeling onderdrukt doordat de isolerende laag 2 onder althans een belangrijk deel van de 15 gelijkspanningsbedrading (DC) aanmerkelijk dunner is dan onder de bedradingsdelen (HF) welke niet tot de gelijkspanningsbedrading behoren, welk dunner deel (2A) van de isolerende laag gelegen is op een deel van het halfgeleideroppervlak dat verbonden is met een aansluitgeleider 7.
Door de geringe dikte van de isolerende laagdelen 2A, en 20 doordat de gelijkspanningsbedrading voor een aanmerkelijk deel over deze dunne gedeelten 2A verloopt wordt een grote capaciteit tussen DC bedrading en halfgeleideroppervlak gerealiseerd zonder dat daarvoor extra halfgeleideroppervlak nodig is. Wanneer de aansluitgeleider 7 aan een referentiepotentiaal (in dit voorbeeld de systeemaarde) wordt 25 gelegd, wordt een praktisch volledige ontkoppeling tussen de HF- en DC-delen van de bedrading bereikt.
In dit voorbeeld is het dunnere gedeelte 2A van de isolerende laag gelegen boven een in het halfgeleidergebied 1 aangebrachte hooggedoteerde oppervlaktezone 4, die via de openingen 3 30 (zie Figuur 1) in de isolerende laag 2 verbonden is met de aansluitgeleider 7. De zone 4 is hier van hetzelfde geleidingstype als het halfgeleidergebied 1. In dit voorbeeld is het halfgeleidergebied 1 een p-type siliciumsubstraat en is de zone 4 dus sterk p-type geleidend, terwijl via de aansluitgeleider(s) 7 het substraat 1 wordt 35 gecontacteerd. In alle geïntegreerde halfgeleiderschakelingen waarbij het substraat aan de bovenzijde wordt gecontacteerd zijn dergelijke substraatcontactzones 4 aanwezig, zodat toepassing van de uitvinding 8701997 o ¾ PHN 12.234 5 geen extra processtappen vereist. De hooggedoteerde zone 4 strekt zich overal onder het dunne deel 2A van de laag 2 uit, dus in dit voorbeeld ook buiten de gelijkspanningsbedrading, en zorgt zodoende voor een lage weerstand naar het gebied 1.
5 In dit uitvoeringsvoorbeeld bestaat de isolerende laag 2 uit siliciuaoxyde, terwijl de dunne delen 2A een dikte van ongeveer 0,08 pa en de dikkere delen 2B een dikte van ongeveer 1,5 pm hebben. De dunnere delen 2A hebben dus een dikte van minder dan 1/3, in dit voorbeeld van ongeveer 1/20, maal de dikte van de dikkere delen 2B.
10 De gelijkspanningsbedrading (DC) kan alleen uit verbindingsgeleiders bestaan, doch kan ook passieve schakelelementen bevatten, zoals bijvoorbeeld een ohmse weerstand R (zie Figuur 1).
Door toepassing van de onderhavige uitvinding is het mogelijk, het aantal externe ontkoppelingscapaciteiten te beperken.
15 Bovendien kan in sommige schakelingen zoals bijvoorbeeld A/D converters de lineariteit bij hoge frequenties verbeterd worden wegens de vermindering van vervorming door stoorsignalen.
Het zal duidelijk zijn dat de uitvinding niet beperkt is tot het hier gegeven uitvoeringsvoorbeeld, maar dat binnen het kader van 20 de uitvinding voor de vakman vele variaties mogelijk zijn. Zo behoeft bijvoorbeeld de hooggedoteerde oppervlaktezone 4 geen enkelvoudige zone te zijn. Zie Figuur 5, waar schematisch in dwarsdoorsnede een substraatcontactzone 4 is weergegeven samengesteld uit een diepe, lager gedoteerde deelzone 4A en een ondiepe, hoger gedoteerde deelzone 4B.
25 Daarbij kan ook de isolerende laag 2, in plaats van uitsluitend uit siliciuaoxyde te bestaan, uit een samengestelde laag bestaan waarbij bijvoorbeeld de dunne delen 2A door een oxydelaag 10, en de dikkere delen 2B door deze oxydelaag 10 tezamen met een daarop gelegen siliciumnitridelaag 11 worden gevormd, zie Figuur 5.
30 Ook behoeft de hooggedoteerde oppervlaktezone 4 niet hetzelfde geleidingstype te hebben als het halfgeleider(substraat)gebied 1 waarin de halfgeleiderschakelelementen zijn aangegebracht. De zone 4 kan ook (zie Figuur 6) een zone van tegengesteld type zijn die met het omringende gebied 1 een pn-overgang 12 vormt, en verbonden is met een 35 aansluitgeleider 7 die aan een referentiepotentiaal ligt.
Verder kunnen het dunne gedeelte 2A van de isolerende laag 2 en de hooggedoteerde oppervlaktezone 4 ook alléén onder de 8701997 t PHN 12.234 6 » * t gelijkspanningsbedrading, en niet daarbuiten, worden aangebracht. Zie Figuur 7, waarin de doorsnede van Figuur 3 getekend is voor het geval dat de zone 4 en het dunne oxydelaagdeel 2A alleen onder de gelijkspanningsbedrading liggen.
5 Tenslotte kan onder omstandigheden de oppervlaktezone 4 ook geheel of gedeeltelijk worden weggelaten, waarbij de DC bedrading via het dunne laagdeel 2A tezamen met het onderliggende gebied 1 de ontkoppelcapaciteit vormt.
8701997
Claims (7)
1. Geïntegreerde halfgeleiderschakeling net een aan een oppervlak van een halfgeleiderlichaam grenzend halfgeleidergebied dat bedekt is net een elektrisch isolerende laag, waarbij in het halfgeleidergebied een aantal halfgeleiderschakelelenenten is 5 aangebracht die onderling verbonden zijn door op de isolerende laag gelegen geleidersporen die de bedrading van de schakeling vormen, waarbij een deel van de bedrading alléén bestend is voor het bevatten van gelijkspanningsinfornatie en de gelijkspanningsbedrading vormt, net het kennerk, dat de isolerende laag onder althans een 10 belangrijk deel van de gelijkspanningsbedrading aannerkelijk dunner is dan onder de bedradingsdelen welke niet tot de gelijkspanningsbedrading behoren, welk dunner deel gelegen is op een deel van het halfgeleideroppervlak dat verbonden is met een aansluitgeleider.
2. Geïntegreerde halfgeleiderschakeling volgens conclusie 15. met het kenmerk, dat het dunnere gedeelte van de isolerende laag gelegen is boven een in het halfgeleidergebied aangebrachte hooggedoteerde oppervlaktezone die via ten minste één opening in de isolerende laag verbonden is met de aansluitgeleider.
3. Geïntegreerde halfgeleiderschakeling volgens conclusie 20. met het kenmerk, dat de hooggedoteerde oppervlaktezone van hetzelfde geleidingstype is als het halfgeleidergebied.
4. Geïntegreerde halfgeleiderschakeling volgens een der voorgaande conclusies met het kenmerk, dat een belangrijk deel van de isolerende laag zich ook buiten de gelijkspanningsbedrading uitstrekt.
5. Geïntegreerde halfgeleiderschakeling volgens een der voorgaande conclusies met het kenmerk, dat de dikte van het dunnere deel van de isolerende laag minder dan een derde van die van het overige deel van de isolerende laag bedraagt.
6. Geïntegreerde halfgeleiderschakeling volgens een der 30 voorgaande conclusies met het kenmerk, dat de dikte van het dunnere deel van de isolerende laag ten minst 10 nm en ten hoogste 500 nm bedraagt.
7. Geïntegreerde halfgeleiderschakeling volgens een der voorgaande conclusies met het kenmerk, dat de aansluitgeleider verbonden is met een referentiepotentiaal. 8701997
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8701997A NL8701997A (nl) | 1987-08-26 | 1987-08-26 | Geintegreerde halfgeleiderschakeling met ontkoppelde dc bedrading. |
| EP88201774A EP0305001A1 (en) | 1987-08-26 | 1988-08-18 | Integrated semiconductor circuit with decoupled D.C. wiring |
| JP63207478A JPS6469034A (en) | 1987-08-26 | 1988-08-23 | Semiconductor integrated circuit with decoupled d.c. wiring |
| KR1019880010682A KR890004416A (ko) | 1987-08-26 | 1988-08-23 | 집적 반도체회로 |
| US07/483,290 US5008731A (en) | 1987-08-26 | 1990-02-16 | Integrated semiconductor circuit with decoupled D.C. wiring |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8701997 | 1987-08-26 | ||
| NL8701997A NL8701997A (nl) | 1987-08-26 | 1987-08-26 | Geintegreerde halfgeleiderschakeling met ontkoppelde dc bedrading. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL8701997A true NL8701997A (nl) | 1989-03-16 |
Family
ID=19850502
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL8701997A NL8701997A (nl) | 1987-08-26 | 1987-08-26 | Geintegreerde halfgeleiderschakeling met ontkoppelde dc bedrading. |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5008731A (nl) |
| EP (1) | EP0305001A1 (nl) |
| JP (1) | JPS6469034A (nl) |
| KR (1) | KR890004416A (nl) |
| NL (1) | NL8701997A (nl) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5136357A (en) * | 1989-06-26 | 1992-08-04 | Micron Technology, Inc. | Low-noise, area-efficient, high-frequency clock signal distribution line structure |
| EP0480580A3 (en) * | 1990-09-10 | 1992-09-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrode structure of semiconductor device and method for manufacturing the same |
| JP3390875B2 (ja) * | 1992-11-12 | 2003-03-31 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | 半導体装置 |
| JP3906809B2 (ja) * | 2002-04-08 | 2007-04-18 | 日本電気株式会社 | 線路素子及び半導体回路 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6020899B2 (ja) * | 1977-10-18 | 1985-05-24 | ソニー株式会社 | 半導体装置 |
| US4190854A (en) * | 1978-02-15 | 1980-02-26 | National Semiconductor Corporation | Trim structure for integrated capacitors |
| DE2926417A1 (de) * | 1979-06-29 | 1981-01-22 | Siemens Ag | Dynamische halbleiterspeicherzelle und verfahren zu ihrer herstellung |
| US4656058A (en) * | 1980-08-08 | 1987-04-07 | Stark William C | Paint shields and painting methods |
| JPS5780828A (en) * | 1980-11-07 | 1982-05-20 | Hitachi Ltd | Semiconductor integrated circuit device |
| EP0072690A3 (en) * | 1981-08-17 | 1983-11-09 | Fujitsu Limited | A mis device and a method of manufacturing it |
| JPS6080264A (ja) * | 1983-10-07 | 1985-05-08 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPS60192359A (ja) * | 1984-03-14 | 1985-09-30 | Nec Corp | 半導体メモリ装置 |
| JPH0770685B2 (ja) * | 1985-04-25 | 1995-07-31 | 日本電信電話株式会社 | 相補形ｍｉｓ半導体集積回路 |
| JPH0669040B2 (ja) * | 1985-05-13 | 1994-08-31 | 株式会社東芝 | 光半導体装置 |
| US4737830A (en) * | 1986-01-08 | 1988-04-12 | Advanced Micro Devices, Inc. | Integrated circuit structure having compensating means for self-inductance effects |
| JPS62243345A (ja) * | 1986-04-15 | 1987-10-23 | Toshiba Corp | 半導体集積回路装置 |
-
1987
- 1987-08-26 NL NL8701997A patent/NL8701997A/nl not_active Application Discontinuation
-
1988
- 1988-08-18 EP EP88201774A patent/EP0305001A1/en not_active Ceased
- 1988-08-23 JP JP63207478A patent/JPS6469034A/ja active Pending
- 1988-08-23 KR KR1019880010682A patent/KR890004416A/ko not_active Application Discontinuation
-
1990
- 1990-02-16 US US07/483,290 patent/US5008731A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5008731A (en) | 1991-04-16 |
| JPS6469034A (en) | 1989-03-15 |
| KR890004416A (ko) | 1989-04-21 |
| EP0305001A1 (en) | 1989-03-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4755910A (en) | Housing for encapsulating an electronic circuit | |
| US4454529A (en) | Integrated circuit device having internal dampening for a plurality of power supplies | |
| US4559579A (en) | Device for the protection of an electronic component and/or circuit against the disturbances (voltages) generated by an external electromagnetic field | |
| US5461542A (en) | Multi-board electrical control device | |
| CA1213079A (en) | Microwave semiconductor device working together with another semiconductor device for reference potential | |
| US4853826A (en) | Low inductance decoupling capacitor | |
| KR0143950B1 (ko) | 부표면 입력/출력 패드를 갖는 인쇄 회로 카드 | |
| US5497031A (en) | Semiconductor device having semiconductor chip with backside electrode | |
| JPH0418471B2 (nl) | ||
| US5892275A (en) | High performance power and ground edge connect IC package | |
| US4840573A (en) | Mechanism for connecting shielding caps of multi-pole plugs to the ground potential layers of a mother board | |
| KR19990082575A (ko) | 스트립 또는 패널을 형성하고 상부에 다수의 캐리어 엘리먼트가형성된 비도전성 기판 | |
| JP3164658B2 (ja) | 電子回路装置 | |
| NL8701997A (nl) | Geintegreerde halfgeleiderschakeling met ontkoppelde dc bedrading. | |
| KR100256284B1 (ko) | 스태킹 커넥터를 통해 연결되는 인쇄 회로 보드구조 | |
| US5726474A (en) | Field effect controlled semiconductor component with integrated resistance therein | |
| US4992851A (en) | Characteristic impedance-correct chip carrier for microwave semiconductor components | |
| NL8701032A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met interconnecties die zowel boven een halfgeleidergebied als boven een daaraan grenzend isolatiegebied liggen. | |
| GB2038554A (en) | Thyristor | |
| US5894411A (en) | Stackable data carrier arrangement | |
| NL8203323A (nl) | Geintegreerde weerstand. | |
| GB2060253A (en) | MIS Capacitors | |
| JP2705237B2 (ja) | Ｍｉｍキャパシタを具備した半導体装置 | |
| JP4152533B2 (ja) | モジュール式充填構造体を備えた集積半導体チップ | |
| KR19990023655A (ko) | 집적 회로 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A1B | A search report has been drawn up | ||
| BV | The patent application has lapsed |