NL8104332A - Kathode-inrichting voor het verstuiven van materiaal van een doel in een kathodeverstuivingsinrichting. - Google Patents

Kathode-inrichting voor het verstuiven van materiaal van een doel in een kathodeverstuivingsinrichting. Download PDF

Info

Publication number
NL8104332A
NL8104332A NL8104332A NL8104332A NL8104332A NL 8104332 A NL8104332 A NL 8104332A NL 8104332 A NL8104332 A NL 8104332A NL 8104332 A NL8104332 A NL 8104332A NL 8104332 A NL8104332 A NL 8104332A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
target
magnets
cathode
magnet
magnetic
Prior art date
Application number
NL8104332A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Balzers Hochvakuum
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Balzers Hochvakuum filed Critical Balzers Hochvakuum
Publication of NL8104332A publication Critical patent/NL8104332A/nl

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414Targets
    • H01J37/3426Material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3402Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
    • H01J37/3405Magnetron sputtering
    • H01J37/3408Planar magnetron sputtering

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

N.0. 30.442 -1- i ’ ................ ......... i j Kathode-inrichting voor het verstuiven van materiaal van een doel ] in een kathodeverstuivingsinrichting.__ I ! I | ! De uitvinding heeft betrekking op een kathode-inrichting voor jhet verstuiven van materiaal van een doel in een kathodeverstuif-i inrichting, met op de van het te verstuiven oppervlak afgekeerde j i zijde van het doel raamvormig opgestelde magneten. ! i ; 5' Inrichtingen van deze soort zijn bekend, bijvoorbeeld uit het | Amerikaanse octrooischrift 4-166.018, waarbij ter verkrijging van j een zo groot mogelijke plasmadichtheid voor het te verstuiven op- j :pervlak de magneetopstelling zodanig werd uitgevoerd, dat een zo ;groot mogelijk deel van de magnetische krachtlijnen door de doel-10!plaat heen uit de voorkant ervan uittrad en hier weer in terug-keer-jde. Elke krachtlijn vormt derhalve een boog voor het te verstuiven I ioppervlak en de inrichting werd voorts zodanig gemaakt, dat het to- ! itaal van de boogvormige krachtlijnen een in zichzelf gesloten tun- ! inel vormde, waarin bij het verstuiven het plasma was ingesloten. Het; .15jverstuiven kwam voornamelijk tot stand in het gebied van het opper- i ivlak van het doel dat door deze tunnel was bedekt. Het rendement van I ; |de verstuiving kon op deze manier zeer aanzienlijk worden vergroot, i !maar er was nog steeds het nadeel, dat het door verstuiven wegnemen | van materiaal ongelijkmatig plaats vond en dat dientengevolge de ; 20 doelplaten reeds moesten worden vervangen voordat ze volledig waren : :verbruikt. Vanwege de hoge prijs van vele voor de doelplaten gebruik-| i te materialen betekende dit een aanzienlijk verlies.
; Teneinde een betere benutting te verkrijgen werd reeds voorge- .
| |steld een aantal verschillende series van magneten achter de doel- ! 25!plaat zodanig op te stellen, dat de evenwijdig aan het vlak van de i 1 · j !doelplaat lopende component van het magneetveld over een zo groot ! I mogelijk deel van het oppervlak van het doel zo groot mogelijk was; : ! I het was namelijk gebleken, dat de verstuivingssnelheid hoofdzakelijk: I jafhangt van deze parallelle component van het magnetische veld. ί 30; Uit het Amerikaanse octrooischrift 4*180.450 is het bekend aan ; i ide achterkant van de doelplaat behalve een eerste magneet of een i ; ieerste serie magneten ook nog andere magneten zodanig op te stellen,: I dat de magnetiseringsrichting een hoek tussen 45° en 90° maakt met jde magnetiseringsrichting van de eerste magneten. Hiermee kon welis-35!waar een meer gelijkmatige verwijdering van de meeste doelmaterialen I ' 1 :worden verkregen, maar het is gebleken, dat het met deze opstelling,; .....J evenals met andere bekende opstellingen, nauwelijks mogelijk is mag- 8104332 -2- ! I netiseerbare materialen, bijvoorbeeld nikkel of zelfs ijzer te ver- | J stuiven. Dit is zo moeilijk omdat het magnetiseerbare doel de mag- | netische krachtlijnen in verregaande mate kortsluit en in het ontla-| i | dingsgebied voor het doel dan geen magnetisch veld aanwezig is, zo-5J dat geen voldoend sterke ontlading in dit gebied in stand kan worden ! gehouden. De dikte van het doel van magnetiseerbaar materiaal is j ! volgens de bekende stand van de techniek onder de gunstige omstan- ; digheden tot enige tienden van millimeters beperkt. | j Deze beperking vloeit voort uit de ter beschikking staande mag-' 101 netische energie in het actieve gebied. Yoor het verstuiven van fer-: | romagnetische materialen moet deze energie namelijk zo groot zijn, j ! dat het doel magnetisch verzadigd kan worden, teneinde voldoende , ' | . veldlijnen door te laten; de doorgelaten veldlijnen moeten op een ; I afstand van enige millimeters voor het te verstuiven oppervlak een
! I
15! evenwijdig aan dit vlak lopende magnetische veldcomponent opleveren ! van ten minste 100 Gauss.
i i i Het ligt voor de hand en is dan ook voorgesteld dit probleem I i ; | | op te lossen door een geschikte versterking van de magneten. Yolgens' ! ;de huidige stand van de techniek komt hier slechts voor in aanmer- 201 king materiaal voor permanente magneten bestaande uit kostbare en j i : speciale legeringen. Onderdelen van zulke materialen vervaardigd 1 izijn derhalve duur, niet gemakkelijk te bewerken en vanwege de zeer I ;grote werking van de krachten moeilijk tot één systeem samen te voe-] ;gen en te houden.
I 25^ Een andere onvolkomenheid beziÏeü.ekende met magneetvelden ver- !sterks verstuivingsinrichtingen met betrekking tot dikkere doelen, ien ook als de doelen niet uit.magnetische materialen bestaan. Ook in: ! ; dit geval ontstaat tengevolge van de grote dikte aan de voorzijde I I van het doel slechts een onvoldoende, evenwijdig aan de voorzijde 30!lopende magnetische veldsterkte, waardoor hogere ontstekings- en :brandspanningen noodzakelijk worden voor het verkrijgen van een vol- 1 doend grote plasmadichtheid en dientengevolge een grote verstuivings- i snelheid. Men heeft gepoogd het probleem met handhaving van de geo- \ imetrische configuratie van de magneetopstelling en van de veldverde-1 ; I 55! ling weer op te lossen dooraLle magneten van de opstelling eenvoudigr
I > I
I 'weg op overeenkomstige wijze te versterken, hetgeen in principe wel-! j iswaar mogelijk is, maar, zoals reeds is vermeld, een aanzienlijk ;grotere complicatie vormt.
I] De uitvinding heeft ten doel bij een inrichting voor het katho-' j^gjdisch verstuiven van materialen, meer in het bijzonder ook magneti- 8104332 -3- I I sche materialen, de ekonomie te verbeteren doordat de dikte van het j j doel en hierdoor de ter beschikking staande hoeveelheid van in een | processtap verstuifbaar doelmateriaal kunnen worden vergroot, j i Zoals duidelijk zal worden uit de hierna volgende beschrijving 5! van een uitvoeringsvoorbeeld, verkrijgt men met de in conclusie 1 i i gekenmerkte uitvinding een aanzienlijke vergroting van de evenwij- i i dig. aan het doeloppervlak lopende component van het magnetische i ' veld, welke component maatgevend is voor het rendement van de ver- i [ ! | stuiving, terwijl tegelijkertijd het doel goed wordt benut, en dit ! 1ojwordt verrassenderwijze niet bereikt door een gelijkmatige verster- j I king van alle magneten van de opstelling, maar door een geschikte | I verdeling van magnetisch materiaal met een verschillende energie-| inhoud. Doordat hierbij de helft of meer van de benodigde magneti-! sche werkstoffen een lage energie kan hebben en dus aanzienlijk goed-15ikoper zijn, wordt tegelijkertijd een buitengewone besparing verkre- j i gen, ook bij het construeren van de nieuwe inrichting. j ! In de bijgevoegde tekening is: i i i j fig. 1 een schematische weergave van een eenvoudig uitvoerings- 1 voorbeeld waarbij uitsluitend een buitenraam van een magnetische i 1 20 werkstof met grote energie is aangebracht en de magnetiseringsrich- j j J ting van het binnen dit raam aangebrachte werkstof met lage energie ; I een hoek van 90° maakt met de magnetiseringsrichting van de buiten- ! ! j j ste magneten, ! I i fig. 2 een soortgelijke inrichting weergeeft die echter nog ! i j 25 een extra, centraal geplaatste magneet van een werkstof met grote I energie bezit, ' I j fig. 3 een diagram is voor het vergelijken van de uitvinding :met de bekende stand van de techniek, fig. 4 een schema is van een ander uitvoeringsvoorbeeld van de 30‘uitvinding, waarbij de veldrichtingen van respectievelijk het mate- i 1 ; ]riaal met grote energie en het materiaal met lage energie een hoek jvan 45° met elkaar maken, 1 fig. 5 een inrichting weergeeft voor het verstuiven van de bui tenkant van een buis van doelmateriaal, 35: fig. 6 een inrichting weergeeft voor het verstuiven van de bin-j nenkant van een buis van doelmateriaal^. en tenslotte ; fig. 7 een gedetailleerde constructieve uitvoering weergeeft van een zogenaamde planaire magnetron met een vlakke gekoelde doel-! I plaat.
-40ï In de fig. 1 en 2 geeft 1 een plaat aan van het te verstuiven 8104332 -4- ! jmateriaal, bijvoorbeeld een nikkelplaat van 6 mm dikte, waarbij men [aan één (in de tekening de boven) kant van deze plaat een zo gelijk-| matig mogelijke verstuiving in een kathödeverstuivingsinrich- jting wil verkrijgen. Hiertoe zijn op de andere (in de tekeningen 5i de onder) kant van de plaat 1 twee magneten of series van magneten iaangebracht enwel een eerste magneet of serie magneten 2, waardoor j ieen buitenste raam wordt gevormd waarvan de magnetiseringsrichting !loodrecht staat op het te verstuiven vlak, zoals in de figuren is jaangegeven door pijlen en de aanduidingen N + S voor de polen; de 10:magnetiseringsrichtingen kunnen ook worden omgekeerd. De magneet of jmagneten die het buitenste raam vormen bestaan uit permanent magne- |tisch materiaal met een remanente energiedichtheid van ten minste i 5 i40 kJ per m . Zulke materialen zijn commercieel verkrijgbaar, bij-ivoorbeeld bezit een bekende magnetische legering bestaande uit zeld-; 15'zame aarden en kobalt, samengeperst met een uit kunststof bestaand 'bindmiddel, een remanente energiedichtheid van 50 kJ per m en de- i : j zelfde magnetische werkstof in massieve vorm zonder een uit kunst- jstof bestaand bindmiddel bezit zelfs een remanente energiedichtheid | ! 3 ! ;van meer dan 100 kJ per m . Het raam 2 kan bijvoorbeeld ringvormig, i | 20:ovaal of rechthoekig zijn en kan uit één stuk bestaan of uit een aan- ί j tal samengevoegde afzonderlijke magneten. In het,raam 2 is een twee-: i i | ;de magneet of een tweede serie magneten 3 aangebracht die een plaat !(fig. 1) of een ring (fig. 2) vormt en bestaat uit magnetisch mate-Iriaal met een lage energie, waarvan de magnetiseringsrichting een 25!hoek van 90° maakt met de magnetiseringsrichting van het buitenste i raam, zoals in de figuren wordt aangegeven door pijlen en aanduidin- i .
|gen van de polen, en waarbij de bij de buitenste rand van de binnen-:magneten 3 liggende polen (n) en de naar het doel toegekeerde polen ! |van de buitenste magneten 2 die het raam vormenjgelijknamig zijn, 30:in de tekening derhalve de beide noordpolen. De magnetiseringsrich- |
Itingen kunnen ook worden omgekeerd, zodat de beide genoemde polen ! jzuidpolen zijn.
! Met deze opstelling bereikt men, dat de magnetische flux in het! !buitenraam in hoofdzaak in het gebied van de doelschijf is gesloten,! j 35|waardoor de magnetische strooiingsverliezen klein blijven. Ook als ]het doel uit magnetiseerbaar materiaal, zoals bijvoorbeeld nikkel be-j staat en ook als een deel van de magnetische flux daardoor kortgeslo-|ten wordt, vormt het resterende, door de doelplaat heen gaande deel i |van de magnetische flux voor het te vastuiven doeloppervlak een veld -40!met een voldoend sterke evenwijdige component.
8104332 -5- j De in de fig. 1 en 2 schematisch weergegeven inrichtingen kun- ]nen in een gebruikelijke kathodeverstuifinrichting worden aange-]bracht, waarbij de negatieve hoogspanning van enige honderden volt moet worden aangelegd aan de bij de verstuiving als kathode funge-5i rende doelplaat en de positieve kant van de spanningsbron op bekende ίwijze wordt aangesloten aan een afzonderlijke, bijvoorbeeld staaf- i I of ringvormige anode, danwel eenvoudigweg is verbonden met de wand | van de verstuivingskamer.
; i
j In fig. 2 is in het centrum van de doelschijf nog een extra I
10; magneet 6 met grote energie aangebracht, waarvan de magnetiserings- ! ; I richting tegengesteld is aan die van de buitenste magneten 1. Met i [ · ideze extra magneet met grote energie verkrijgt men een verdere ver- ; groting van de magnetische flux, zodat nog dikkere doelen met de ! i |
!inrichting volgens fig. 1 kunnen worden verstoven. I
i '
15i In het diagram van fig. 3 is op de ordinaat de magnetische in- I
! !duktie evenwijdig aan het oppervlak'van het doel en op een afstand I i ; ;van ongeveer 16 mm van het magnetensysteem uitgezet in Gauss, enwel ! j afhankelijk van de afstand van het meetpunt tot een fictieve as die |door het centrum van de doelplaat gaat. De kromme 7 heeft betrekking; 20: op een bekende inrichting die in de aanhef is besproken. Hiermee I ;wordt, zoals uit het diagram blijkt, in een zone op een afstand van ; |ca, 2 - 3j5 cm van het midden van de plaat een sterkte van 250 Gauss : bereikt van het parallelle magneetveld. Als bij de- : !ze inrichting in plaats van de tot nu toe gebruikelijke magneten ; 25;met geringe energie magneten 2 met grote energie worden aangebracht, ;dan verkrijgt men een ietwat sterkere parallelle component van ca* ;300 Gauss. Daarentegen kan met de inrichting volgens de uitvinding | !die is geconstrueerd volgens fig. 2, een aanzienlijk hogere paral- |lelie veldsterkte van 600 Gauss worden verkregen. De inrichting vol- ;50|gens fig. 2 maakt het derhalve mogelijk aanzienlijk dikkere doelen i ; |te verstuiven.
| Verdere onderzoekingen hebben aangetoond, dat afhankelijk van i ! ihet materiaal en de dikte van de doelplaat een van 90° afwijkende ! i ! ionderlinge oriëntering van de magnetische richtingen van de binnen- > 35jste magneten met lage energie ten opzichte van de buitenmagneten met; ;grote energie voordelen kan bieden voor het verkrijgen van een nog j j ;betere benutting van het doelmateriaal.
| j In fig. 4 is schematisch het geval weergegeven met een oriënta- ! |tie van 45° en met magnetiseringsrichtingen volgens de pijlen.
j 40; De uitvinding is niet beperkt tot het verstuiven van vlakke doel- [ ! ................. , .. i 8104332 “ -6- I oppervlakken. In de fig. 5 en 6 zijn twee gevallen weergegeven die j ! aangeven hoe verstuiving van cilindrische oppervlakken mogelijk is. j J In deze heide figuren geeft 11 een buisvormig doel aan waarvan de j buitenkant (fig. 5)>oq. de binnenkant (fig. 6) een verstuiving moet 5i ondergaan. Hiertoe zijn telkens op de andere, niet te verstuiven jkant van het doel, dus aan de binnen (fig. 5)3°¾ de buitenkant i (fig· 6) van de buis ringvormige magneten 12 met lage energie en j i radiaal gemagnetiseerde magneten 13 met grote energie aangebracht, ! , ' i i waarbij de magnetiseringsrichtingen van de beide magneetsystemen 10! met elkaar een hoek; tussen 45° en 90° insluLten; in de fig. 5 en 6 is ! het geval voor 90° getekend. Verder kan zulk een geconstrueerde ci-
1 J
j: lindrische kathode-opstelling in een verstuivingsinichting worden j j toegepast op een wijze die overeenkomt met het hierboven beschreven ! geval met een vlakke doelplaat.
15i Fig. 7 toont weer een inrichting met een vlakke doelplaat. Hier- [bij is 20 een houder voor een magneetopstelling overeenkomende met i
i . I
i die van fig. 2, die is opgebouwd uit buitenmagneten 21 met grote | energie en binnenmagneten 22 met lage energie. De magneten zijn af- | gedekt door een koelplaat 23 die op zijn beurt de doelplaat 24 ! 1 : 20| draagt. Voor het koelen van de laatste zijn in de plaat 23 kanalen ! 25 aangebracht waardoor bij het in bedrijf zijn een koelmiddel kan ! worden geleid. Aan de omtrek wordt de doelplaat door een ring 27 i omgeven die tezamen met de plaat 23 op de houder 20 is geschroefd.
!Voor het in bedrijf zijn is een niet in de tekening weergegeven lei- i 1 25; ding voor het toevoeren van spanning aan de doelplaat 24 aangebracht, iDe houder 20 is omgeven door een huis dat met zijn opening 29 uit-I sluitend de voorkant van het doelvlak voor verstuiving vrijlaat. De i afstand tussen de binnenwanden van het huis 28 en de buitenkant van ; !de houder 20 moet op bekende wijze kleiner worden bemeten dan de 30: gemiddelde vrije weglengte van de elektronen bij de ontladingsdruk. , ! ; ί ί : i j ί ;
j I
! : j’ Ί ! 8104332

Claims (1)

  1. 2. Inrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk!, i ! I dat het verschil tussen de energie-inhoud van de beide magnetische ! 15! materialen ten minste 10 kJ/m^ bedraagt. i i : 3· Inrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk!, ! i dat in de raamvormige magneet (2, 21) behalve de magneet (3, 22) van! ; I ! | materiaal met een lage energie nog een extra, centraal opgestelde i 'magneet (6, 21) is aangebracht met een energiedichtheid groter dan : 20 40 kJ/m^. |! 4· Inrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk, | 'dat de magnetiseringsrichting van de magneet van materiaal met een i |grote energie een hoek van 90° maakt met de magnetiseringsrichting | van de magneet van materiaal met een lage energie.' 25' 5· Inrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk, 'dat de magneetopstelling en het doel (1, 11, 24) ten opzichte van 'elkaar kunnen worden bewogen. i i j | J ! I , ! ^ i ! j ί . i I ! I ' ' ! I i I ; ; ! " j ! ! , i 8104332 i
NL8104332A 1980-10-14 1981-09-21 Kathode-inrichting voor het verstuiven van materiaal van een doel in een kathodeverstuivingsinrichting. NL8104332A (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CH763780 1980-10-14
CH7637/80A CH648690A5 (de) 1980-10-14 1980-10-14 Kathodenanordnung zur abstaeubung von material von einem target in einer kathodenzerstaeubungsanlage.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL8104332A true NL8104332A (nl) 1982-05-03

Family

ID=4328223

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8104332A NL8104332A (nl) 1980-10-14 1981-09-21 Kathode-inrichting voor het verstuiven van materiaal van een doel in een kathodeverstuivingsinrichting.

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4448653A (nl)
JP (1) JPS5926665B2 (nl)
CH (1) CH648690A5 (nl)
DE (1) DE3135208A1 (nl)
FR (1) FR2492163A1 (nl)
GB (1) GB2090872B (nl)
NL (1) NL8104332A (nl)

Families Citing this family (71)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3331406A1 (de) * 1983-08-31 1985-03-14 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Zerstaeubungskatode
US4517070A (en) * 1984-06-28 1985-05-14 General Motors Corporation Magnetron sputtering cathode assembly and magnet assembly therefor
CH665057A5 (de) * 1984-07-20 1988-04-15 Balzers Hochvakuum Targetplatte fuer kathodenzerstaeubung.
US4629548A (en) * 1985-04-03 1986-12-16 Varian Associates, Inc. Planar penning magnetron sputtering device
JPS6274073A (ja) * 1985-09-26 1987-04-04 Hitachi Ltd スパツタ装置
DE3624480A1 (de) * 1986-07-19 1988-01-28 Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg Zerstaeubungskatode fuer vakuum-beschichtungsanlagen
US4892633A (en) * 1988-11-14 1990-01-09 Vac-Tec Systems, Inc. Magnetron sputtering cathode
US4865708A (en) * 1988-11-14 1989-09-12 Vac-Tec Systems, Inc. Magnetron sputtering cathode
JPH0774439B2 (ja) * 1989-01-30 1995-08-09 三菱化学株式会社 マグネトロンスパッタ装置
JPH02118750U (nl) * 1989-03-08 1990-09-25
US5032205A (en) * 1989-05-05 1991-07-16 Wisconsin Alumni Research Foundation Plasma etching apparatus with surface magnetic fields
DE4025077A1 (de) * 1990-08-08 1992-02-20 Leybold Ag Magnetronkathode
US5262028A (en) * 1992-06-01 1993-11-16 Sierra Applied Sciences, Inc. Planar magnetron sputtering magnet assembly
US5597459A (en) * 1995-02-08 1997-01-28 Nobler Technologies, Inc. Magnetron cathode sputtering method and apparatus
US5865970A (en) * 1996-02-23 1999-02-02 Permag Corporation Permanent magnet strucure for use in a sputtering magnetron
DE19819785A1 (de) * 1998-05-04 1999-11-11 Leybold Systems Gmbh Zerstäubungskathode nach dem Magnetron-Prinzip
CN1109127C (zh) * 1998-10-09 2003-05-21 北京振涛国际钛金技术有限公司 非平衡平面磁控溅射阴极及其镀膜装置
US20020046945A1 (en) * 1999-10-28 2002-04-25 Applied Materials, Inc. High performance magnetron for DC sputtering systems
US8096427B2 (en) * 2002-05-17 2012-01-17 Rtc Industries, Inc. Product management display system
US8627965B2 (en) 2001-05-17 2014-01-14 Rtc Industries, Inc. Multi-component display and merchandise systems
DE60202864T2 (de) * 2001-05-17 2005-06-30 RTC Industries, Inc., Rolling Meadows Warenpräsentations-und verwaltungssystem
US7931156B2 (en) 2001-05-17 2011-04-26 Rtc Industries, Inc. Product management display system with retaining wall
US7792711B2 (en) 2004-02-03 2010-09-07 Rtc Industries, Inc. System for inventory management
US8047385B2 (en) 2004-02-03 2011-11-01 Rtc Industries, Inc. Product securement and management system
US9706857B2 (en) 2004-02-03 2017-07-18 Rtc Industries, Inc. Product securement and management system
US9375100B2 (en) 2004-02-03 2016-06-28 Rtc Industries, Inc. Product securement and management system
US9818148B2 (en) 2013-03-05 2017-11-14 Rtc Industries, Inc. In-store item alert architecture
US8938396B2 (en) 2004-02-03 2015-01-20 Rtc Industries, Inc. System for inventory management
US9898712B2 (en) 2004-02-03 2018-02-20 Rtc Industries, Inc. Continuous display shelf edge label device
US10339495B2 (en) 2004-02-03 2019-07-02 Rtc Industries, Inc. System for inventory management
US11375826B2 (en) 2004-02-03 2022-07-05 Rtc Industries, Inc. Product securement and management system
US11344138B2 (en) 2005-09-12 2022-05-31 Rtc Industries, Inc. Product management display system
US9750354B2 (en) 2005-09-12 2017-09-05 Rtc Industries, Inc. Product management display system
US11259652B2 (en) 2005-09-12 2022-03-01 Rtc Industries, Inc. Product management display system
US10285510B2 (en) 2005-09-12 2019-05-14 Rtc Industries, Inc. Product management display system
US8967394B2 (en) 2005-09-12 2015-03-03 Rtc Industries, Inc. Product management display system with trackless pusher mechanism
US10952546B2 (en) 2005-09-12 2021-03-23 Rtc Industries, Inc. Product management display system with trackless pusher mechanism
US8739984B2 (en) 2005-09-12 2014-06-03 Rtc Industries, Inc. Product management display system with trackless pusher mechanism
US9265358B2 (en) 2005-09-12 2016-02-23 RTC Industries, Incorporated Product management display system
US8863963B2 (en) 2005-09-12 2014-10-21 Rtc Industries, Inc. Product management display system with trackless pusher mechanism
US9060624B2 (en) 2005-09-12 2015-06-23 Rtc Industries, Inc. Product management display system with rail mounting clip
US9138075B2 (en) 2005-09-12 2015-09-22 Rtc Industries, Inc. Product management display system
US8312999B2 (en) * 2005-09-12 2012-11-20 Rtc Industries, Inc. Product management display system with trackless pusher mechanism
US11583109B2 (en) 2005-09-12 2023-02-21 Rtc Industries, Inc. Product management display system with trackless pusher mechanism
US9173504B2 (en) 2005-09-12 2015-11-03 Rtc Industries, Inc. Product management display system
US9265362B2 (en) 2005-09-12 2016-02-23 RTC Industries, Incorporated Product management display system
US9259102B2 (en) 2005-09-12 2016-02-16 RTC Industries, Incorporated Product management display system with trackless pusher mechanism
US9486088B2 (en) 2005-09-12 2016-11-08 Rtc Industries, Inc. Product management display system
US8978904B2 (en) 2005-09-12 2015-03-17 Rtc Industries, Inc. Product management display system with trackless pusher mechanism
US8453850B2 (en) * 2005-09-12 2013-06-04 Rtc Industries, Inc. Product management display system with trackless pusher mechanism
US8322544B2 (en) * 2005-09-12 2012-12-04 Rtc Industries, Inc. Product management display system with trackless pusher mechanism
US7823734B2 (en) 2005-09-12 2010-11-02 Rtc Industries, Inc. Product management display system with trackless pusher mechanism
US9232864B2 (en) 2005-09-12 2016-01-12 RTC Industries, Incorporated Product management display system with trackless pusher mechanism
US7628282B2 (en) * 2005-10-25 2009-12-08 Rtc Industries, Inc. Product management display system
US9349576B2 (en) * 2006-03-17 2016-05-24 Angstrom Sciences, Inc. Magnetron for cylindrical targets
RU2448388C2 (ru) * 2006-05-16 2012-04-20 Эрликон Трейдинг Аг, Трюббах Электродуговой источник и магнитное приспособление
US8056734B2 (en) 2006-10-23 2011-11-15 Rtc Industries, Inc. Merchandising system with flippable column and/or item stop
US20080121515A1 (en) * 2006-11-27 2008-05-29 Seagate Technology Llc Magnetron sputtering utilizing halbach magnet arrays
US8951394B2 (en) * 2010-01-29 2015-02-10 Angstrom Sciences, Inc. Cylindrical magnetron having a shunt
TWI384510B (zh) * 2010-11-12 2013-02-01 Ind Tech Res Inst 均勻磁場產生設備及其磁場產生單元
DE112012001988T5 (de) * 2011-05-30 2014-02-20 Hitachi Metals Ltd. Racetrack-förmige Magnetfeld-erzeugende Vorrichtung für Magnetron-Sputtern
US10357118B2 (en) 2013-03-05 2019-07-23 Rtc Industries, Inc. Systems and methods for merchandizing electronic displays
USD801734S1 (en) 2014-12-01 2017-11-07 Retail Space Solutions Llc Shelf management parts
US10154739B2 (en) 2013-12-02 2018-12-18 Retail Space Solutions Llc Universal merchandiser and methods relating to same
US11182738B2 (en) 2014-11-12 2021-11-23 Rtc Industries, Inc. System for inventory management
US11109692B2 (en) 2014-11-12 2021-09-07 Rtc Industries, Inc. Systems and methods for merchandizing electronic displays
US9955802B2 (en) 2015-04-08 2018-05-01 Fasteners For Retail, Inc. Divider with selectively securable track assembly
EP3402371B1 (en) 2016-01-13 2020-03-04 RTC Industries, Inc. Merchandise display system with an anti-splay device
US10959540B2 (en) 2016-12-05 2021-03-30 Retail Space Solutions Llc Shelf management system, components thereof, and related methods
CA3058797A1 (en) 2017-04-27 2018-11-01 Retail Space Solutions Llc Shelf-mounted tray and methods relating to same
WO2018232271A1 (en) 2017-06-16 2018-12-20 Rtc Industries, Inc. Product management display system with trackless pusher mechanism

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4166018A (en) * 1974-01-31 1979-08-28 Airco, Inc. Sputtering process and apparatus
US4265729A (en) * 1978-09-27 1981-05-05 Vac-Tec Systems, Inc. Magnetically enhanced sputtering device
GB2028377B (en) * 1978-08-21 1982-12-08 Vac Tec Syst Magnetically-enhanced sputtering device
US4180450A (en) * 1978-08-21 1979-12-25 Vac-Tec Systems, Inc. Planar magnetron sputtering device
US4162954A (en) * 1978-08-21 1979-07-31 Vac-Tec Systems, Inc. Planar magnetron sputtering device
US4219379A (en) * 1978-09-25 1980-08-26 Mostek Corporation Method for making a semiconductor device
US4198283A (en) * 1978-11-06 1980-04-15 Materials Research Corporation Magnetron sputtering target and cathode assembly
HU179482B (en) * 1979-02-19 1982-10-28 Mikroelektronikai Valalat Penning pulverizel source
US4391697A (en) * 1982-08-16 1983-07-05 Vac-Tec Systems, Inc. High rate magnetron sputtering of high permeability materials

Also Published As

Publication number Publication date
FR2492163B1 (nl) 1985-02-22
DE3135208A1 (de) 1982-06-09
JPS5926665B2 (ja) 1984-06-29
GB2090872B (en) 1984-10-31
JPS57131365A (en) 1982-08-14
CH648690A5 (de) 1985-03-29
GB2090872A (en) 1982-07-21
US4448653A (en) 1984-05-15
FR2492163A1 (fr) 1982-04-16
DE3135208C2 (nl) 1988-12-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL8104332A (nl) Kathode-inrichting voor het verstuiven van materiaal van een doel in een kathodeverstuivingsinrichting.
US4810346A (en) Magnetron type sputtering cathode
US4180450A (en) Planar magnetron sputtering device
US4239611A (en) Magnetron sputtering devices
US4892633A (en) Magnetron sputtering cathode
US5174880A (en) Magnetron sputter gun target assembly with distributed magnetic field
US4601806A (en) Magnetron cathode for sputtering ferromagnetic targets
US4391697A (en) High rate magnetron sputtering of high permeability materials
JPH07507360A (ja) プレーナ型マグネトロン・スパッタ用磁石構造体の改良
KR100216900B1 (ko) 마그네트론 스퍼터링장치
GB1403172A (en) Miniaturized microwave beam tube
GB666907A (en) Improvements in and relating to cathode ray tubes
US6432285B1 (en) Planar magnetron sputtering apparatus
GB2051877A (en) Magnetically Enhanced Sputtering Device and Method
GB2147916A (en) Cathodic evaporation of ferromagnetic targets
GB1083693A (en) Improvements in or relating to magnetic focussing arrangements of the kind comprising an electric beam discharge tube
CA2008934C (en) Magnetron sputtering apparatus
GB1493276A (en) Magnetrons
JPH0525625A (ja) マグネトロンスパツタカソード
GB2209769A (en) Sputter coating
JP4489868B2 (ja) カソード電極装置及びスパッタリング装置
GB2241710A (en) Magnetron sputtering of magnetic materials in which magnets are unbalanced
JPH03183123A (ja) スパッタリング装置
JPH0734244A (ja) マグネトロン型スパッタカソード
JPH04358064A (ja) マグネトロンスパッタカソード

Legal Events

Date Code Title Description
A1A A request for search or an international-type search has been filed
BB A search report has been drawn up
A85 Still pending on 85-01-01
BC A request for examination has been filed
BV The patent application has lapsed