NL2000410C2 - Werkwijzen voor het bepalen van de kwaliteit van een lichtbron. - Google Patents
Werkwijzen voor het bepalen van de kwaliteit van een lichtbron. Download PDFInfo
- Publication number
- NL2000410C2 NL2000410C2 NL2000410A NL2000410A NL2000410C2 NL 2000410 C2 NL2000410 C2 NL 2000410C2 NL 2000410 A NL2000410 A NL 2000410A NL 2000410 A NL2000410 A NL 2000410A NL 2000410 C2 NL2000410 C2 NL 2000410C2
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- addresses
- intensity
- light source
- intensities
- circle
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 81
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 claims description 108
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 6
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 12
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 5
- 238000001444 catalytic combustion detection Methods 0.000 description 3
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 3
- 235000012489 doughnuts Nutrition 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000010606 normalization Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000006187 pill Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 1
- 238000011426 transformation method Methods 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70133—Measurement of illumination distribution, in pupil plane or field plane
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/4257—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors applied to monitoring the characteristics of a beam, e.g. laser beam, headlamp beam
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70125—Use of illumination settings tailored to particular mask patterns
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
Werkwijzen voor het bepalen van de kwaliteit van een lichtbron
Achtergrond van de uitvinding Gebied van de uitvinding
De onderhavige uitvinding heeft betrekking op werkwijzen voor het bepalen van een kwaliteit van een lichtbron, en meer in het bijzonder betrekking op werkwijzen van het bepalen van een kwaliteit van een lichtbron toegepast op een fo-5 tolithografisch proces.
Beschrijving van de verwante techniek
Met de vooruitgang van elektronische producten, is de halfgeleidertechnologie breed toegepast in fabricage van ge-10 heugens, centrale verwerkingseenheden (CPU's), weergave inrichtingen, licht uitzendende diodes (LED's), laser diodes en andere inrichtingen of chipsamenstellingen. Om specificaties te bereiken van hoge integratie en hoge snelheid, zijn afmetingen van geïntegreerde halfgeleiders schakelingen verkleind 15 en zijn verschillende materialen uit technieken voorgesteld om deze doelen te bereiken en om obstakels tijdens de fabricage te ondervangen. Om afmetingen van geïntegreerde inrichtingen en schakelingen te verkleinen, speelt de fotolithografische technologie, bijvoorbeeld het belichtingsproces, een belang-20 rijke rol.
Het belichtingsproces omvat een lichtbron die de resolutie van kenmerkende afmetingen van geïntegreerde schakelingen domineert. De gewenste resolutie kan worden verkregen door een vergroten van de scherptediepte (DOF) van een licht-25 bron, de kwaliteit van een lichtbron of andere condities van de belichtingsstap. Derhalve zijn werkwijzen voorgesteld voor het bepalen van de kwaliteit van de lichtbron.
Figuren IA en 1B zijn plaatjes van pupilafbeeldingen. Een pupilafbeelding is een beeld van licht van een lichtbron 30 die valt op een beeldsensor rij, die wordt gebruikt om te bepalen of de lichtbron aanvaardbaar is om te worden toegepast op een fotolithografisch proces. Om de pupilafbeelding te genereren wordt licht verschaft van een lichtbronmodule. Het 2 00 0 4 1 0 - 2 - licht gaat door een scherm en wordt geprojecteerd op een rij van lading gekoppelde organen (CCD). De CCD rij omvat een veelvoud van CCD's. Elk van de CCD's neemt een bijbehorende intensiteit waar (grijs niveau waarde) en vertegenwoordigt een 5 adres in de CCD rij. Aldus creëert de CCD rij het beeld van de pupilafbeelding die daarmee overeenstemt.
Traditioneel bepaald een technicus of een operator de kwaliteit van de lichtbron gebaseerd op visuele inspectie en persoonlijke ervaring. Een bekwame technicus of operator kan 10 de pupilafbeelding van figuur IA onderscheiden van de pupilafbeelding van figuur 1B met betrekking tot vervorming, lege plekken of discontinuïteit van de pupilafbeelding in figuur 1B. de pupilafbeelding van figuur IA is aanvaardbaar, maar de pupilafbeelding van figuur 1B ia niet aanvaardbaar. De condi-15 ties van de lichtbron module, die de pupilafbeelding van figuur 1B genereert worden gewijzigd om een gewenste pupilaf-· beelding te creëren. Als vervormingen, en lege plekken en discontinuïteit van de pupilafbeelding substantieel zijn, maar niet zo ernstig dat het moeilijk is om de kwaliteit van de 20 lichtbron te bepalen, kunnen enkele pupilafbeeldingen onjuist zijn bepaald om acceptabele kwaliteit te hebben. De condities van de belichtingsstap van dergelijke pupilafbeeldingen worden dan gebruikt om een fotolithografisch proces uit te voeren. Dergelijke condities van de belichtingsstap zullen ongewenste 25 fotolithografische patronen genereren en daarop volgende processen beïnvloeden.
Uit het voorgaande zijn verbeterde werkwijzen voor het bepalen van de kwaliteit van een lichtbron gewenst.
30 Samenvatting van de uitvinding
In overeenstemming met enkele voorbeelden van uitvoeringsvormen, omvat een werkwijze de volgende stappen. Een beeldsensor rij wordt belicht met licht van een lichtbron. Adressen en bijbehorende intensiteiten die overeenkomen met 35 een veelvoud van posities op een pupilafbeelding vertegenwoordigen intensiteit van het licht van de beeldsensor rij. Tenminste één van een binnenste kromme en een buitenste kromme van de pupilafbeelding wordt gedefinieerd, gebaseerd op de verzamelde adressen en bijbehorende intensiteiten. De licht-40 bron wordt toegepast op een fotolithografisch proces als de - 3 - adressen een vooraf bepaald patroon hebben ten opzichte van de tenminste één van de binnenste kromme en buitenste kromme.
In overeenstemming met enkele voorbeelden van uitvoeringsvormen, omvat een werkwijze de volgende stappen. Een 5 beeldsensor rij wordt belicht door licht van een lichtbron. Adressen en bijbehorende intensiteiten die overeenkomen met een veelvoud van posities op een pupilafbeelding die de intensiteit vertegenwoordigen van het licht van de lichtbron op de beeldsensor rij worden verzameld. De verzamelde intensiteiten 10 worden opgeteld om een totale somintensiteit te berekenen.
Tenminste één van een binnenste kromme en een buitenste kromme van de pupilafbeelding wordt gedefinieerd gebaseerd op de verzamelde adressen en bijbehorende intensiteiten, waarbij de binnenste cirkel een veelvoud van adressen omvat die overeen-15 komen met ongeveer 10% van de totale somintensiteit, de buitenste cirkel omvat een veelvoud van adressen die overeenkomt met ongeveer 90% van de totale somintensiteit. De lichtbron wordt toegepast op een fotolithografisch proces als de adressen een vooraf bepaald patroon hebben ten opzichte van de bin-20 nenste kromme en de buitenste kromme.
In overeenstemming met enkele voorbeelden van uitvoeringsvormen, omvat een werkwijze de volgende stappen. Een beeldsensor rij wordt belicht door licht van een lichtbron. Adressen en bijbehorende intensiteiten die overeenkomen met 25 een veelvoud van posities op een pupilafbeelding die de intensiteit vertegenwoordigen van het licht van de lichtbron op de beeldsensor rij worden verzameld. Een veelvoud van segmenten wordt gedefinieerd op de pupilafbeelding, waarbij elk segment een veelvoud van adressen omvat en bijbehorende genormaliseer-30 de intensiteiten. Een buitenste kromme wordt gedefinieerd op de pupilafbeelding. Een effectief oppervlak van elk van de segmenten wordt berekend. Een aantal van de segmenten met effectieve oppervlakken die groter zijn dan een eerste vooraf bepaalde waarde wordt geteld. De lichtbron wordt toegepast op 35 een fotolithografisch proces, als het aantal segmenten met effectieve oppervlakken die groter zijn dan de eerste vooraf bepaalde waarde, groter is dan een tweede vooraf bepaalde waarde.
De bovenstaande en andere voorbeelden zullen beter 40 worden begrepen uit de volgende gedetailleerde beschrijving - 4 - van de voorkeursuitvoeringsvormen, die wordt verschaft in sa menhang met de bijgevoegde tekeningen.
Korte beschrijving van de tekeningen 5 Het volgende zijn korte beschrijvingen van karakte ristieke tekeningen. Het zijn slechts karakteristieke uitvoeringsvormen en de reikwijdte van de onderhavige uitvinding wordt daartoe niet beperkt.
Figuren IA en 1B zijn beelden van pupilafbeeldin- 10 gen.
Figuren 2A tot 2C zijn beelden van verschillende karakteristieke pupilafbeeldingen.
Figuur 3 is een stroomdiagram van een karakteristieke werkwijze voor het bepalen van een kwaliteit van een 15 lichtbron.
Figuur 4A is een tekening die een karakteristieke pupilafbeelding toont na een coördinatietransformatie.
Figuur 4B is een tekening die een karakteristieke pupilafbeelding toont met daarop een binnenste cirkel en een 20 buitenste cirkel.
Figuur 5A is een schematische tekening die een verhouding toont tussen de binnenste cirkel Cl en intensiteit contourlijn C3 van figuur 4B.
Figuur 5B is een schematische tekening die en ver-25 houding toont tussen de buitenste cirkel C2 en de intensiteit contourlijn C4 van figuur 4B.
Figuur 6A is een stroomdiagram dat een karakteristieke werkwijze toont om een kwaliteit van een lichtbron te bepalen.
30 Figuur 6B is een schematische tekening van een ka rakteristieke 3D pupilafbeelding.
Figuur 6C is een aanzicht in doorsnede langs snijlijn 6C-6C door het midden van pupilafbeelding van figuur 6B.
Figuur 7A is een stroomdiagram dat een karakteris-35 tieke werkwijze toont voor het bepalen van een kwaliteit van een lichtbron.
Figuur 7B is een schematische tekening die segmenten toont, verdeeld over de pupilafbeelding.
- 5 -
Figuur 7C is een schematische tekening die een karakteristiek vergroot eerste segment toont op de pupilafbeel-ding van figuur 7B.
Figuur 7D is een schematische tekening die een 5 transformatie toont die is beschreven in stap 730.
Figuur 7E is een schematische tekening die en transformatie toont die is beschreven in stap 730.
Beschrijving van de voorkeurs uitvoeringsvorm 10 De beschrijving van de karakteristieke uitvoe ringsvormen is bedoeld om te worden gelezen in samenhang met de bij gevoegde tekeningen, die moeten worden beschouwd als deel van de totale geschreven beschrijving. In de beschrijving moeten relatieve termen zoals "onderste", "bovenste", "hori-15 zontaai", "verticaal", "boven", "onder", "op", "neer", "bovenkant", "onderkant", als ook afgeleide daarvan worden geacht om te verwijzen naar de richting die dan wordt beschreven of getoond in de tekening die wordt besproken. Deze relatieve termen zijn voor het gemak van de beschrijving en vereisen niet 20 dat inrichting wordt geconstrueerd of bediend in een bepaalde oriëntatie.
Figuren 2A tot 2C zijn beelden van verschillende karakteristieke pupilafbeeldingen. Elke pupilafbeelding vertegenwoordigt een licht van een lichtbron dat is gedetecteerd 25 door een afbeeldingsrij, zoals een CCD rij, een CMOS afbeel-dingsensor rij, of dergelijke. In figuren 2A tot 2C omvatten de pupilafbeeldingen 200 een ronde pupilafbeelding in figuur 2A, een ring pupilafbeelding in figuur 2B en een pupilafbeelding met vier lichtsecties geplaatst onder 45° ten opzichte 30 van een horizontale as in figuur 2C. In andere uitvoeringsvormen (niet getoond), kan de pupilafbeelding bijvoorbeeld een ovale pupilafbeelding, een in wezen ronde pupilafbeelding of andere pupilafbeelding zijn met tenminste één lichtsectie geplaatst onder elke van verschillende hoeken ten opzichte van 35 een horizontale as. De pupilafbeelding in figuur 2A heeft een lichtsectie 210 en een cirkel 215. De cirkel 215 geeft de maximum afmeting aan tot waar de radius van de lichtsectie 210 kan rijken. De pupilafbeelding in figuur 2B heeft een lichtsectie 210, een maximumafmeting cirkel 215 en een afgeschermd 40 gebied 220. Het afgeschermde gebied 220 wordt gevormd wanneer - 6 - het licht gaat door een rond scherm dat is geplaatst tussen de lichtbron en een CCD rij. De lichtbron met de pupilafbeelding van het doughnut type verbetert de scherpte diepte (DOF) van het fotolithografische proces. De pupilafbeelding in figuur 2C 5 heeft vier lichtsectie 210 en een maximumafmeting cirkel 215. De pupilafbeelding in figuur 2C kan worden gevormd wanneer het licht gaat door een kruis met een centraal rond scherm geplaatst tussen de lichtbron en een CCD rij. De toepassing van de lichtbron met de pupilafbeelding van figuur 2C verbetert 10 ook de DOF van het fotolithografische proces. Uit het voorgaande kan een deskundige direct het type pupilafbeelding selecteren voor een gewenst fotolithografisch proces door het selecteren van een bijbehorend type scherm.
Figuur 3 is een stroomdiagram van een karakteris-15 tieke werkwijze voor het bepalen van de kwaliteit van een lichtbron.
In stap 300 wordt de beeldsensor rij belicht met licht van een lichtbron. Gedetailleerde beschrijvingen zijn soort gelijk aan de beschrijvingen die zijn uiteengezet in sa-20 menhang met figuren 2A tot 2C.
In stap 310 worden adressen en bijbehorende intensiteiten die overeenkomen met een veelvoud van posities op een pupilafbeelding, die intensiteit van het licht van de lichtbron vertegenwoordigen, verzameld. De adressen vertegenwoordi-25 gen posities van CCD's in de CCD rij met bijbehorende intensiteiten. De adressen kunnen bijvoorbeeld adressen omvatten in een Cartesiaans coördinaten systeem, adressen in een poolcoördinatensysteem of adressen in andere coördinatensystemen. In enkele uitvoeringsvormen zijn de adressen adressen in een Car-30 tesiaans coördinaten systeem, zoals wordt getoond in tabel I.
- 7 -Tabel I
X (mm) Y (mm) Intensiteit ___(I) (a.u. )_ _-O, 39851__-0, 971389__0, 000175_ _-O, 373611__-0, 971389__0,000296_ _-0, 348704__-O, 971389__0,004330_ _-0,323796__-O, 971389__0,009940_ _-0,298889__-O, 971389__O, 008340_ _-0,273982__-O, 971389__O, 002815__ _-0,249074__-O, 971389__0,006727_ _-0,224167 -0, 971389__O, 009749_
Tabel I toont een onderverzameling van de adressen 5 met bijbehorende intensiteiten langs de Y as van "-0,971389".
In enkele uitvoeringsvormen wordt het midden van de pupil gebruikt als de oorsprong van het Cartesiaanse coördinaten systeem. Dus zijn er negatieve adressen bevat in de verzamelde adressen. In enkele uitvoeringsvormen worden intensiteiten be-10 horend bij de adressen genormaliseerd tijdens of na stap 310 die de adressen verzamelt. Er wordt opgemerkt dat het aantal adressen kan worden gewijzigd gebaseerd op de resolutie van de pupilafbeelding. In een pupilafbeelding met een hoge resolutie is het gewenst dat meer adressen en een CCD rij met een groot 15 aantal pixels worden gebruikt.
Figuur 4A is een tekening die karakteristieke pupilafbeelding toont na een coördinatentransformatie.
Met verwijzing naar figuur 3, in stap 320 worden adressen in een Cartesiaans coördinatensysteem getransformeerd 20 naar adressen in een poolcoördinatensysteem. De pupilafbeelding 400 omvat een veelvoud van adressen met bijbehorende intensiteiten. In sommige uitvoeringsvormen zijn de adressen die zijn verzameld in stap 310 adressen in een Cartesiaans coördinatensysteem. Voor dergelijke uitvoeringsvormen transformeert 25 stap 320 de adressen van het Cartesiaans coördinatensysteem, met bijbehorende intensiteiten I (x,y) naar adressen in een poolcoördinatensysteem met bijbehorende intensiteit I (r,9) door een werkwijze van coördinatentransformatie. Bijvoorbeeld wordt I (0.5,0.5) getransformeerd naar I (0.707,Π/4). De - 8 - • transformatiewerkwijze Jean bijvoorbeeld een algemene werkwijze zijn voor coördinaten transformaties zoals r=(x2+y2)1/2 en 0=tan"1 (y/x) .
In sommige uitvoeringsvormen wordt de stap 320 van 5 coördinatentransformatie die hierboven uiteen is gezet niet gebruikt, als de adressen met de bijbehorende intensiteiten die zijn verzameld in stap 310, reeds in het poolcoördinaten systeem zijn. Met de adresverzameling in een poolcoördinaten systeem kunnen de volgende stappen 330 en 340 worden uitge-10 voerd.
Figuur 4B is een tekening die een karakteristieke pupilafbeelding toont met daarop een binnenste cirkel en een buitenste cirkel.
Met verwijzing naar figuur 3, na de adrestransfor-15 matie definieert stap 330 een binnenste kromme Cl en een buitenste kromme C2 van de pupilafbeelding 400. In enkele uitvoeringsvormen, zijn de binnenste kromme Cl en de buitenste kromme C2 cirkels, zoals is getoond in figuur 4B. De binnenste cirkel Cl heeft een radius Rl, en de buitenste cirkel C2 heeft 20 een radius R2. De radius Rl is de afstand van het middelpunt "O" van pupilafbeelding 400 naar een adres in het poolcoördinaten systeem dat een waarde heeft die van ongeveer 7,5% totale somintensiteit (Isum) tot ongeveer 12,5% ISUm kan zijn. De buitenste cirkel C2 heeft een radius R2. De radius R2is de af-25 stand van het middelpunt "O" van de pupilafbeelding naar een adres in het poolcoördinaten systeem dat een waard heeft van ongeveer 87,5% Isum tot ongeveer 92,5% ISUm· Isum kan worden bepaald door de vergelijking (1) hieronder:
Isum= Σ Σ^,β) (ï) 3 0 0=0 r=0
Door het verkrijgen van de totale somintensiteit Isum, kan een adres, bijvoorbeeld met 10% totale somintensiteit Isum worden gevonden. Het adres van I (r,9) kan worden bepaald zodat het voldoet aan vergelijking (2) hieronder: 35 2π ΛΙ ^ I(r, Θ) = Isum /10 (2) 0=0 r=0
Bijvoorbeeld, als vergelijking (2) oplevert dat 40 het adres van 10% Isum is (0.55061, 3/4Π) , is de radius Rl - 9 - 0,55061. De binnenste cirkel Cl wordt dan al pupilafbeelding gedefinieerd gebaseerd op de radius R1 zoals getoond in figuur 4B.
Door het verkrijgen van de totale somintensiteit 5 Isum, kan bijvoorbeeld het adres met 90% totale somintensiteit I sum worden gevonden. Het adres van l(r,0) kan worden bepaald gebaseerd op de vergelijking (3) hieronder: in Σ = 0.9*!sum (3)
Θ-0 rsO
Als vergelijking (3) oplevert dat het adres van de 90% Isum is (0.88428, 7/8Π), dan is de radius R2 0, 88428. De binnenste cirkel Cl en de buitenste cirkel C2 zijn dan op de 15 pupilafbeelding 400 gedefinieerd, gebaseerd op de radii Rl en R2, zoals is getoond in figuur 4B.
In figuur 4B toont de pupilafbeelding 400 ook een veelvoud van intensiteit contourlijnen C3 en C4, die respectievelijk naburige zijn aan de binnenste cirkel Cl en de bui-20 tenste cirkel C2. De intensiteit contourlijnen C3 en C4 worden verschaft om de kwaliteit van de lichtbron te bepalen.
Figuur 5A is een schematische tekening die ene verhouding toont tussen de binnenste cirkel Cl en de intensiteit contourlijn C3 van figuur 4B.
25 In enkele uitvoeringsvormen heeft de binnenste cirkel Cl radius Rl, die de afstand is van het middelpunt "O" van de pupilafbeelding naar het adres in het poolcoördinaten systeem met een waarde van ongeveer 10% ISum· De intensiteit contourlijn C3 vertegenwoordigt een kromme die wordt gevormd 30 door de plaats van adressen met ongeveer 10% van de genormaliseerde intensiteit. De radii Rlmax en Rlmin zijn afstanden van het middelpunt "O" van de pupilafbeelding naar de adressen in het poolcoördinatensysteem die overeenkomen met respectievelijk ongeveer 7,5% Isurn en ongeveer 12,5% Isum. De cirkels Clmax 35 en Clmin zijn gedefinieerd overeenkomstig respectievelijk de radii Rlmax en de Rlmin. De cirkel Clmin omsluit een veelvoud van adressen met ongeveer 7,5% Isuin. De cirkel Clmax omsluit een veelvoud van de adressen met ongeveer 12,5% lsum. Als de adressen die overeenstemmen met ongeveer 10% van de genormali-40 seerde intensiteit in wezen vallen binnen het gebied dat wordt - 10 - gedefinieerd tussen de cirkels Clmax en Clmin, is vastgesteld dat de kwaliteit van de lichtbronnen acceptabel is. Onder deze omstandigheid, is voldaan aan stap 335 en de lichtbron wordt toegepast op een fotolithografisch proces in stap 340 zoals is 5 getoond in figuur 3. Een halfgeleiderwafel wordt gefabriceerd door het fotolithografische proces. Daarentegen als de adressen die overeenkomen met ongeveer 10% van de genormaliseerde intensiteit niet in wezen vallen binnen het gebied dat wordt bepaald door de cirkels Clmax en Clmin, moet de kwaliteit van 10 de lichtbron worden verbeterd en is niet voldaan aan stap 335 zoals is getoond in figuur 3. Onder deze omstandigheid moet een gewijzigde lichtbron worden toegepast en stappen 300 tot 335 worden herhaald om de kwaliteit van de lichtbron vast te stellen, zoals is getoond in figuur 3.
15 In sommige uitvoeringsvormen is het niet noodza kelijk om beide cirkels Clmax en Clmin te verkrijgen om de kwaliteit van de lichtbron vast te stellen. Bijvoorbeeld, als adressen op de binnenste cirkel Cl overeenkomen met intensiteiten met gelijke of ongeveer gelijke genormaliseerde inten-20 siteiten, wordt de kwaliteit van de lichtbron bepaald als acceptabel en kunnen de stappen 335 en 340, die zijn getoond in figuur 3, worden uitgevoerd zoals hierboven uiteen is gezet.
In sommige uitvoeringsvormen wordt slechts één van de cirkels Clmax en Clmin gebruikt om de kwaliteit van de 25 lichtbron vast te stellen. In enkele uitvoeringsvormen, als de adressen die overeenkomen met ongeveer 10% van de genormaliseerde intensiteit binnen de cirkel Clmax vallen, wordt de kwaliteit van de lichtbron bepaald als acceptabel en stappen 335 en 340 die zijn getoond in figuur 3 kunnen worden uitge-30 voerd zoals hierboven uiteen is gezet. In enkele uitvoeringsvormen, als de adressen die overeenkomen met ongeveer 10% van de genormaliseerde intensiteit buiten de cirkel Clmin vallen, wordt de kwaliteit van de lichtbron bepaald als acceptabel en stappen 335 en 340 die zijn getoond in figuur 3 kunnen worden 35 uitgevoerd zoals hierboven uiteen is gezet.
Figuur 5B is een schematische tekening die een verhouding toont tussen de buitenste cirkel C2 en de intensiteit contourlijn C4 van figuur 4B.
In enkele uitvoeringsvormen heeft de buitenste 40 cirkel C2 de radius R2, die de afstand is van het middelpunt - η - "Ο" van de pupilafbeelding naar het adres in het poolcoördinatensysteem dat overeenkomt met ongeveer 90% ISUIn. De intensiteit contourlijn C4 wordt gevormd door het adres dat overeenkomt met ongeveer 90% genormaliseerde intensiteit. De radii 5 R2max en Rlmax zijn afstanden ven het middelpunt "O" van de pupilafbeelding naar de adressen in het poolcoördinaten systeem die respectievelijk overeenkomen met ongeveer 87,5% Isuro en ongeveer 92,5% Ι5ωη* De cirkels C2max en C2min komen overeen met respectievelijk de radii R2max en R2min. De cirkel C2min 10 omsluit een veelvoud van adressen met ongeveer 87,5% Isuin. De cirkel C2max omsluit een veelvoud van adressen met ongeveer 92,5% Isum. Als de adressen die overeenkomen met ongeveer 90% van de genormaliseerde intensiteit in wezen vallen binnen het gebied dat wordt bepaald tussen de cirkels C2max en C2min, is 15 de kwaliteit van de lichtbron bepaald als acceptabel. Onder deze omstandigheid is voldaan aan stap 335 en de lichtbron wordt toegepast op het fotolithografisch proces in stap 340 zoals is getoond in figuur 3. Als daarentegen de adressen die overeenkomen met ongeveer 90% van de genormaliseerde intensi-20 teit niet in wezen vallen binnen het gebied dat is bepaald tussen de cirkels C2max en C2min, dan moet de kwaliteit van de lichtbron worden verbeterd en is niet voldaan aan stap 335 zoals is getoond in figuur 3. Onder deze omstandigheid wordt een gewijzigde lichtbron toegepast en stappen 300 tot 335 worden 25 herhaald om de kwaliteit van de lichtbron, zoals is getoond in figuur 3, te bepalen.
In enkele uitvoeringsvormen is het niet noodzakelijk om beide cirkels C2max en C2min te verkrijgen om de kwaliteit van de lichtbron te bepalen. Bijvoorbeeld, als adressen 30 op de buitenste cirkel C2 overeenkomen met intensiteiten met een gelijke of in wezen soort gelijke genormaliseerde intensiteiten, dan wordt bepaald dat de kwaliteit van de lichtbron acceptabel is en stappen 335 en 340, die zijn getoond in figuur 3, kunnen worden uitgevoerd zoals hierboven uiteen is ge-35 zet.
In enkele uitvoeringen, wordt slechts één van de cirkels C2max en C2min gebruikt om de kwaliteit van de lichtbron te bepalen. In enkele uitvoeringen, als de adressen die overeenkomen met ongeveer 90% van de genormaliseerde intensi-40 teit vallen binnen de cirkel C2max, dan wordt bepaald dat de - 12 - kwaliteit van de lichtbron acceptabel is, en stappen 335 en 340 die zijn getoond in figuur 3 kunnen worden uitgevoerd, zoals hierboven uiteen is gezet. In enkele uitvoeringsvormen, als de adressen die overeenkomen met ongeveer 90% van de ge-5 normaliseerde intensiteit vallen buiten de cirkels C2min, dan wordt bepaald dat de kwaliteit van de lichtbron acceptabel is en kunnen de stappen 335 en 340, die zijn getoond in figuur 3, worden uitgevoerd zoals hierboven uiteen is gezet.
De cirkels Cl en C2, die overeenkomen met gebie-10 den die respectievelijk 10% Isum en 90% Isum omsluiten, zijn slechts karakteristieke waarden. De onderhavige uitvinding is daartoe niet beperkt. Een deskundige kan direct de cirkels Cl en C2 selecteren overeenkomstig verschillende percentages van de totale som intensiteit (ISum) gebaseerd op een gewenste kwa-15 liteit van de lichtbron.
Er wordt opgemerkt dat de binnencirkel Cl, de buitencirkel C2 of beide worden gebruikt, als een gewenste kwaliteit van een lichtbron kan worden vastgesteld. Bijvoorbeeld, de kwaliteit van de lichtbron die de pupilafbeeldingen 20 van figuren 2A en 2C genereert, kan worden bepaald door gebruik te maken van elke of van beide cirkels Cl en C2. De kwaliteit van de lichtbron die de pupilafbeelding van figuur 2B genereert, kan worden bepaald door de buitenste cirkel C2 alleen te gebruiken, zonder dat de binnenste cirkel nodig is. 25 Gebaseerd op de bovenstaande beschrijving, kan een deskundige direct de binnenste cirkel Cl gebruiken, de buitenste cirkel C2 of beide om een gewenste kwaliteit van de lichtbron te verkrijgen .
In enkele uitvoeringsvormen, kunnen krommen zoals 30 een cirkel, een ovaal, een deel van een cirkel of een andere kromme die geschikt is om een grens te definiëren om de'kwaliteit van de lichtbron te bepalen, worden gebruikt. Bijvoorbeeld heeft de pupilafbeelding van figuur 2C vier lichtsec-ties. Delen van de cirkels Cl en C2 zijn voldoende om de kwa-35 liteit van de lichtbron te bepalen. Een deskundige kan dus direct de vorm van de kromme wijzigen of selecteren om de kwaliteit van de lichtbron te bepalen.
Het volgende is een beschrijving van een andere karakteristieke werkwijze om een kwaliteit van een lichtbron 40 te bepalen.
- 13 -
Figuur 6A is een stroomdiagram dat een karakteristieke werkwijze toont om een kwaliteit van een lichtbron te bepalen.
Een halfgeleiderwafel wordt gefabriceerd door het 5 fotolithografische proces. In figuur 6Δ zijn stappen 600, 610, 630, 635 en 640 soortgelijke onderdelen als die zijn aangeduid door de verwijzingscijfers met dezelfde waarde in figuur 3, verhoogd met 300. Dus kunnen deze onderdelen in figuur 6A dezelfde zijn als overeenkomstig onderdelen die hierboven zijn 10 beschreven met verwijzing naar figuur 3A, en een beschrijving van deze onderdelen wordt niet herhaald.
Na stap 610 converteert stap 620 de adressen en intensiteiten naar een 3D tekening zoals is getoond in figuur 6B. In figuur 6B omvat de 3D tekening adrescoördinaten X en Y, 15 en de intensiteitcoördinaat Z.
De adrescoördinaten X en Y kunnen bijvoorbeeld Cartesiaanse coördinaten of poolcoördinaten zijn. In enkele uitvoeringsvormen zijn de intensiteiten bij de verschillende adressen genormaliseerd in de 3D pupilafbeelding 650. In enke-20 le uitvoeringsvormen, worden de adressen en bijbehorende intensiteiten van de pupilafbeelding in figuur 2B gebruikt om de 3D pupilafbeelding 650 te genereren. De 3D pupilafbeelding 650 omvat aldus een hol gebied 660, dat het schermgebied 220 vertegenwoordigd dat is getoond in 2B.
25 Na stap 630, vormt stap 633 een aanzicht in door snede van de 3D pupilafbeelding 650 en creëert de tekening zoals is getoond in figuur 6C. Figuur 6C is een aanzicht in doorsnede langs de snijlijn 6C-6C door het middelpunt "C" van de 3D pupilafbeelding 650 van figuur 6B. In figuur 6C, verte-30 genwoordigen Cl en C2 de cirkels die uiteen zijn gezet in samenhang met figuren 5A en 5B. Punten 670 tonen de genormaliseerde intensiteiten van de adressen van de 3D pupilafbeelding 650 langs snijlijn 6C-6C. De kromme 680 is vormgegeven om te gaan door of nabij de punten 670 door middel van een regressie 35 methode met een polynoom. In enkele uitvoeringsvormen is de kromme 680 bijvoorbeeld een parabool. Als in wezen alle punten 670 op of nabij de kromme 680 vallen, dan heeft de lichtbron tenminste de gewenste kwaliteit. Zoals is getoond in figuur 6C, vallen de punten hetzij op de kromme 680 of wijken daar 40 licht vanaf. Bij deze omstandigheid is voldaan aan stap 635 en - 14 - de lichtbron wordt toegepast op een fotolithografisch proces in stap 640 zoals wordt getoond in figuur 6A. Daarentegen als een aanzienlijk aantal punten 670 niet op of nabij de kromme 680 vallen, moet de kwaliteit van de lichtbron worden verbe-5 terd en is niet voldaan aan stap 635 zoals is getoond in figuur 6A. Onder deze omstandigheid wordt een gewijzigde lichtbron toegepast en stappen 600 tot 635 worden herhaald om de kwaliteit van de lichtbron te bepalen zoals is getoond in figuur 6A.
10 Figuur 7A is een stroomdiagram dat een karakte ristieke werkwijze toont voor het bepalen van de kwaliteit van een lichtbron. Figuur 7B is een schematische tekening die de pupilafbeelding toont verdeeld in segmenten. Figuur 7C is een schematische tekening die een karakteristiek vergroot segment 15 toont van de pupilafbeelding van figuur 7B.
Het volgende is een beschrijving van een karakteristieke werkwijze voor het bepalen van de kwaliteit van een lichtbron.
Een halfgeleiderwafel wordt gefabriceerd door het 20 fotolithografische proces. In figuur 7A zijn stappen 700, 710 en 770 soortgelijke onderdelen als aangeduid door respectievelijke verwijzingcijfers 300, 310 en 340 in figuur 3. Dus kunnen deze onderdelen in figuur 7A dezelfde zijn als de overeenkomstige onderdelen die hierboven zijn beschreven met verwij-25 zing naar figuur 3, en een beschrijving van deze onderdelen wordt niet herhaald.
Stap 770 bepaalt een veelvoud van segmenten op de pupilafbeelding 705 zoals is getoond in figuur 7B. De pupilafbeelding 705 is verdeeld in een veelvoud van segmenten 715, 30 die worden gescheiden door grenslijnen 711. De segmenten 715 hebben in wezen dezelfde breedte "d". Stappen voor het definiëren van een segment zijn hieronder beschreven en er wordt verwezen naar figuur 7C.
Figuur 7C is een schematische tekening die het 35 eerste segment 715 toont van de pupilafbeelding 705 van figuur 7B. Het grijsniveau van de pupilafbeelding 705 wordt vertegenwoordigd door intensiteiten bij de adressen van de pupilafbeelding 705. In figuur 7C vertegenwoordigt "x" eerste adressen 701 die overeenkomen met genormaliseerde intensiteiten 40 meer dan ongeveer 0,3; "a" vertegenwoordigt tweede adressen - 15 - 703 die overeenkomen met genormaliseerde intensiteiten minder dan ongeveer 0,3, ”0" vertegenwoordigt de adressen 706 die overeenkomen met een genormaliseerde intensiteit die nul is, en "z" vertegenwoordigt de adressen 707 die overeenkomen met 5 genormaliseerde intensiteit meer dan ongeveer 0,9. In enkele uitvoeringsvormen omvat het segment 715 een centraal gebied 721 en grensgebieden 723. Het centrale gebied 721 heeft meer eerste adressen 701, dat wil zeggen, "x" dan het aantal eerste adressen 701 van elk van de grensgebieden 723. De grenslijnen 10 711 zijn gedefinieerd gebaseerd op een periodiek profiel van verdeling van de eerste adressen 701, "x". In enkele uitvoeringsvormen zijn de grenslijnen 711 gedefinieerd bij de plaats waar de grensgebieden zijn van de 723 de minste eerste adressen 701 "x" hebben. In andere uitvoeringsvormen zijn de grens-15 lijnen 711 gedefinieerd bij het centrale gebied 721 dat overeenkomt met de meeste eerste adressen 701 "x". Dienovereenkomstig kan een deskundige gebaseerd op deze uitvoeringsvormen direct begrijpen dat de grenslijnen 711 geplaatst kunnen zijn bij de plaats waar een vooraf bepaald segment van het perio-20 dieke profiel van de verdeling van de eerste adressen is gevonden .
Er wordt ook opgemerkt dat figuur 7C slechts een schematische tekening is. Het centrale gebied 721 hoeft niet noodzakelijkerwijs vijf kolommen adressen te omvatten, en elk 25 van de grensgebieden 723 omvat niet noodzakelijker wijs drie kolommen adressen. Het aantal kolommen kan worden geselecteerd voor elke gegeven uitvoeringsvorm. In enkele uitvoeringsvormen kan het centrale gebied 721 de centrale kolom adressen zijn, en de grensgebieden 723 kunnen de kolommen adressen zijn die 30 direct naast de grenslijnen 711 liggen.
Figuur 7D is een schematische tekening die en karakteristieke transformatie toont van een segment van een pu-pilafbeelding beschreven in stap 730. In deze stap worden buitenste krommen 733 van de pupilafbeelding 705 gedefinieerd.
35 Met verwijzing naar figuur 7B, verzamelt stap 730 de adressen van het eerste segment 715 van de pupilafbeelding 705 binnen het randgebied 731 met bijbehorende intensiteiten. De adressen binnen het randgebied 731 omvatten adressen met intensiteiten met weergegeven door "x", "a", "o" en "z", die 40 dezelfde definities hebben als hierboven is besproken, zoals - 16 - is getoond in figuur 7D(1). In enkele uitvoeringsvormen worden alle adressen binnen pupilafbeelding 705 verzameld. Echter in andere uitvoeringsvormen worden slechts adressen binnen het randgebied 731 verzameld om de procestijd van stap 730 te ver-5 minderen.
Stap 730 definieert dan genormaliseerde intensiteiten bij de adressen als nul wanneer de adressen buiten een gebied liggen dat wordt gevormd door de eerste adressen 701, "x" en genormaliseerde intensiteiten hebben groter dan onge-10 veer 90%. Zoals hierboven is vermeld, vertegenwoordigd "z" de adressen 707 die overeenkomen met intensiteiten meer dan ongeveer 90%. De intensiteiten bij de adressen 707 "z" getoond in figuur 7D(1) zijn het gevolg van ruis en moeten worden geëlimineerd om verwarring te voorkomen op de pupilafbeelding 705. 15 De intensiteiten van de adressen 707 worden dus gedefinieerd als nul, en "z" wordt vervangen door "o" zoals is getoond in figuur 7D(2).
Met verwijzing naar figuur7D(2), na de transformatie worden de buitenste krommen 733 gevormd door lijnen te 20 vormen van adressen met intensiteiten tussen "0" en die direct zijn gelegen naast adressen 703 dat wil zeggen "a" van de pupilafbeelding 705.
In enkele uitvoeringsvormen bepaald stap 730 ook een binnenste kromme 743 op de pupilafbeelding 705. Figuur 7E 25 is een schematische tekening die een transformatie toont van een segment van een pupilafbeelding beschreven in stap 730.
In stap 730 worden de adressen van de pupilafbeelding 705 verzameld binnen een ander randgebied 741 met bijbehorende intensiteiten getoond in figuur 7B. De adressen 30 binnen het randgebied 741 omvatten adressen met intensiteiten weergegeven door "x", "a", "o" en "z", die dezelfde definitie hebben als hierboven is besproken, zoals is getoond in figuur 7E(1). Gedetailleerde beschrijvingen van deze onderdelen worden niet herhaald. In enkele uitvoeringsvormen worden alle 35 adressen binnen de pupilafbeelding 705 verzameld. Echter in andere uitvoeringsvormen worden slechts adressen binnen het randgebied 741 verzameld, om de proces tijd van stap 730 te verminderen.
Stap 730 definieert dan bijbehorende intensitei-40 ten bij de adressen met een waarde van nul wanneer de adressen - 17 - buiten een gebied liggen dat wordt gevormd door de eerste adressen 701 "x" en met genormaliseerde intensiteiten groter dan ongeveer 90%. Zoals hierboven is vermeld, vertegenwoordigt "z" de adressen 707 die overeenkomen met intensiteiten meer 5 dan ongeveer 90%. De intensiteitwaarden bij de adressen 707 die zijn getoond in figuur 7E(1) zijn het gevolg van ruis en moeten worden geëlimineerd om verwarring op de pupilafbeelding 705 te voorkomen. De intensiteiten bij adressen 707 worden dus gedefinieerd als nul, en "z" wordt vervangen "o" zoals wordt 10 getoond in figuur 7E(2).
Na de transformatie wordt de binnenste kromme 743 gevormd door een lijn die gaat door adressen met intensiteiten "0" en die direct zijn gelegen naast 703, dat wil zeggen "a" van de pupilafbeelding 705.
15 In enkele uitvoeringsvormen wordt het proces om de binnenste kromme 743 in stap 730 te bepalen niet gebruikt. Bijvoorbeeld ligt het eerste segment 715, dat is getoond in figuur 7B, bij de rand van de pupilafbeelding 705. Het eerste segmentgebied 715 omvat het randgebied 731, en omvat niet het 20 randgebied 741. Dus wordt het proces om de binnenste kromme 743 in stap 730 te bepalen, niet uitgevoerd voor het segment 715. In enkele uitvoeringsvormen, als de ronde pupilafbeelding die is getoond in figuur 2A wordt gebruikt in plaats van de doughnut pupilafbeelding 705 zoals is getoond in figuur 2B, 25 kan het proces om de binnenste kromme 743 te bepalen in stap 730 ook worden verwijderd uit de processtroom, omdat de ronde pupilafbeelding die is getoond in figuur 2A niet het randgebied 741 omvat. Een deskundige kan direct bepalen of stap 730, gebaseerd op de vorm van de pupilafbeelding, moet worden om-30 vat.
Stap 740 is dan verschaft om het effectieve oppervlak te berekenen van één van de segmenten 715. Met verwijzing naar figuur 7D(2), wordt het aantal eerste adressen 701 en tweede adressen 703 binnen het randgebied 731 en de grens-35 lijn 711 geteld als een eerste getal "T". Het getal van de eerste adressen 701 binnen het randgebied 731 en de grenslij nen 711 wordt geteld als een tweede getal "N". Het effectieve oppervlak van het segment 715 wordt bepaald als de verhouding van het tweede getal "N" gedeeld door het eerste getal "T", 40 dat wil zeggen, N/T.
- 18 -
Stap 750 telt de segmenten 715 waarvan de effectieve oppervlakken groter zijn dan een eerste vooraf bepaalde waarde. In enkele uitvoeringsvormen is de eerste vooraf bepaalde waarde ongeveer 0,3. Bijvoorbeeld in figuur 7D(2) is 5 het eerste getal "T" 144 en het tweede "N" is 94. Het effectieve oppervlak is ongeveer 0,65 (94/144), wat groter is dan 0,3. Aldus is het eerste segment 715 geteld. Als het effectieve oppervlak van andere segmenten 715 kleiner is dan de vooraf bepaalde waarde, bijvoorbeeld 0,3, zouden de segmenten 715 10 niet worden geteld.
Stap 760 bepaalt of de volgende proces stap 770 uitgevoerd zou moeten worden. In stap 760, als het aantal van de getelde segmenten 715 groter is dan een tweede vooraf bepaalde waarde, wordt stap 770 uitgevoerd om de lichtbron toe 15 te passen in een fotolithografisch proces. De kwaliteit van de lichtbron hangt af van het aantal getelde segmenten. In sommige uitvoeringsvormen ligt de tweede vooraf bepaalde waarde van ongeveer 16 tot ongeveer 18. In dergelijke uitvoeringsvormen, wanneer het aantal getelde segmenten 715 valt binnen het ge-20 bied van 16 tot 18, is voldaan aan stap 760 en de lichtbron wordt toegepast op een fotografisch proces in stap 770 zoals is getoond in figuur 7A. Daarentegen als het aantal getelde segmenten 715 niet valt binnen het gebied van 16 tot 18, is voldaan aan stap 760 en de kwaliteit van de lichtbron moet 25 worden verbeterd zoals is getoond in figuur 3. Onder deze omstandigheid, wordt een gewijzigde lichtbron toegepast en stappen 700 tot 760 worden herhaald om de kwaliteit van de lichtbron te bepalen zoals is getoond in figuur 7A.
De onderhavige uitvinding kan worden uitgevoerd 30 in de vorm van computer geïmplementeerde processen en inrichtingen voor het uitvoeren van deze processen. De onderhavige uitvinding kan ook worden uitgevoerd in de vorm van een compu-terprogrammacode, belichaamd in tastbare media, zoals floppy diskettes, leesgeheugens (ROM's), CD-ROM's, harde schijven, 35 "ZIP™" hoge dichtheid schijfeenheden, flitsgeheugen eenheden, of enig ander computerleesbaar opslagmedium, waarbij, wanneer de code van een computerprogramma in de computer is geladen en wordt uitgevoerd door een computer, de computer een inrichting wordt voor het uitvoeren van de uitvinding. De onderhavige 40 uitvinding kan ook zijn uitgevoerd in de vorm van computerpro- - 19 - grammacode bijvoorbeeld, wanneer opgeslagen in een opslagmedium, geladen in en/of uitgevoerd door een computer, of verzonden over enige transmissie medium, zoals via elektrische bedrading of bekabeling, via vezeloptica, of via elektromagneti-5 sche straling, waarbij de computerprogrammacode wordt geladen in en uitgevoerd door een computer, wordt de computer een inrichting voor het uitvoeren van de uitvinding. Wanneer geïmplementeerd op een algemene processor, configureren de computerprogrammacode segmenten de processor om specifieke logische 10 schakelingen te creëren.
Hoewel de onderhavige uitvinding is beschreven in termen van karakteristieke uitvoeringsvormen is zij daar niet toe beperkt. In plaats daarvan moeten de bijgevoegde conclusies ruim worden geconstrueerd om andere varianten en uitvoe-15 ringsvormen van de uitvinding te omvatten die door deskundigen kunnen worden gedaan zonder af te wijken van de reikwijdte van de equivalenten van de uitvinding.
2000410
Claims (18)
1. Werkwijze voor het bepalen van een kwaliteit van een lichtbron toegepast op een fotolithografisch proces, de stappen omvattend van: het belichten van een beeldsensor rij met licht van 5 een lichtbron; het verzamelen van adressen en bijbehorende intensiteiten die overeenkomen met een veelvoud van posities op een pupilafbeelding die intensiteit vertegenwoordigen van het licht van de lichtbron op de beeldsensor rij; 10 het definiëren van tenminste één van een binnenste kromme en een buitenste kromme van de pupilafbeelding gebaseerd op de verzamelde adressen en bijbehorende intensiteiten; en het toepassen van een lichtbron op een fotolithogra-15 fisch proces als de adressen een vooraf bepaald patroon hebben ten opzichte van tenminste van één van de binnenste kromme en de buitenste kromme, waarbij een radius van de binnenste kromme een afstand is, die is bepaald van een middelpunt van de pupilafbeelding tot een adres dat overeenkomt met ongeveer 20 7,5% van een totale som intensiteit tot ongeveer 12,5% van de totale som intensiteit, waarbij de totale som intensiteit is berekend als een som van de verzamelde intensiteiten.
2. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij de binnenste kromme en buitenste kromme tenminste één omvatten geselec- 25 teerd uit de groep bestaande uit een cirkel, een ovaal, en een deel van een cirkel.
3. Werkwijze voor het bepalen van een kwaliteit van een lichtbron toegepast op een fotolithografisch proces, de stappen omvattend van: 30 het belichten van een beeldsensor rij met licht van een lichtbron; het verzamelen van adressen en bijbehorende intensiteiten die overeenkomen met een veelvoud van posities op een pupilafbeelding die intensiteit vertegenwoordigen van het 35 licht van de lichtbron op de beeldsensor rij; 2000410 - 21 - het definiëren van tenminste één van een binnenste kromme en een buitenste kromme van de pupilafbeelding gebaseerd op de verzamelde adressen en bijbehorende intensiteiten; en 5 het toepassen van een lichtbron op een fotolithogra- fisch proces als de adressen een vooraf bepaald patroon hebben ten opzichte van tenminste van één van de binnenste kromme en de buitenste kromme, waarbij adressen op de binnenste cirkel overeenkomen met intensiteiten met gelijke of ongeveer gelijke 10 genormaliseerde intensiteiten en in wezen alle adressen die overeenkomen met een genormaliseerde intensiteit van ongeveer 10% vallen binnen een gebied tussen een eerste cirkel en een tweede cirkel, waarbij de eerste cirkel een veelvoud van adressen omsluit die overeenkomen met ongeveer 7,5% van de to-15 tale som intensiteit, en de tweede cirkel omvat een veelvoud van adressen die overeenkomen met ongeveer 12,5% van de totale som intensiteit.
4. Werkwijze voor het bepalen van een kwaliteit van een lichtbron toegepast op een fotolithografisch proces, de 20 stappen omvattend van; het belichten van een beeldsensor rij met licht van een lichtbron; het verzamelen van adressen en bijbehorende intensiteiten die overeenkomen met een veelvoud van posities op een 25 pupilafbeelding die intensiteit vertegenwoordigen van het licht van de lichtbron op de beeldsensor rij; het definiëren van tenminste één van een binnenste kromme en een buitenste kromme van de pupilafbeelding gebaseerd op de verzamelde adressen en bijbehorende intensiteiten; 30 en het toepassen van een lichtbron op een fotolithogra-fisch proces als de adressen een vooraf bepaald patroon hebben ten opzichte van tenminste van één van de binnenste kromme en de buitenste kromme, waarbij, waarbij de buitenste kromme pun-35 ten omsluit die overeenkomen met adressen met tussen ongeveer 87,5% van de totale somintensiteit en ongeveer 92,5% van de totale somintensiteit. - 22 -
5. Werkwijze volgens conclusie 4, waarbij adressen op de buitenste cirkel overeenkomen met intensiteiten gelijk aan of in wezen soortgelijk aan genormaliseerde intensiteiten.
6. Werkwijze volgens conclusie 5, waarbij in wezen 5 alle adressen overeenkomstig genormaliseerde intensiteitwaar-den van ongeveer 90% vallen binnen een gebied tussen een eerste cirkel en een tweede cirkel, waarbij de eerste cirkel een veelvoud van adressen omsluit die overeenkomen met ongeveer 87,5% van de totale som intensiteit, en de tweede cirkel om-10 sluit een veelvoud van adressen die overeenkomen met ongeveer 92,5% van de totale som intensiteit.
7. Werkwijze volgens conclusie 1, verder omvattend: het omzetten van adressen en de intensiteiten naar een driedimensionale (3D) tekening; 15 het definiëren van de binnenste kromme die adressen omsluit waarvoor een som van de intensiteiten ongeveer 10% van de totale som intensiteit is; het definiëren van de buitenste kromme die adressen omsluit waarvoor een som van de intensiteiten ongeveer 90% van 20 de totale som intensiteit is; en het doorsnijden van de 3D tekening om een intensiteit verdelingspatroon te genèreren tussen de binnenste kromme en de buitenste kromme.
8. Werkwijze volgens conclusie 7, waarbij het inten-25 siteit verdelingspatroon is gegenereerd door een regressie werkwijze met een polynoom.
9. Werkwijze volgens conclusie 1, verder omvattend: het omzetten van de adressen en de intensiteiten naar een driedimensionale (3D) tekening; 30 het definiëren van de binnenste kromme die adressen omsluit waarvoor een som van de intensiteit ongeveer 7,5% tot ongeveer 12,5% van de totale somintensiteit is; het definiëren van de buitenste kromme die adressen omsluit waarvoor een som van de intensiteit ongeveer 87,5% tot 35 ongeveer 92,5% van de totale somintensiteit is; en het doorsnijden van de 3D tekening om een patroon van intensiteitverdeling te genereren tussen de binnenste kromme en buitenste kromme. - 23 -
10. Werkwijze voor het bepalen van een kwaliteit van een lichtbron toegepast op een fotolithografisch proces, omvattend de stappen van: het belichten van een beeldsensor rij met licht van 5 een lichtbron; het verzamelen van adressen en bijbehorende intensiteiten die overeenkomen met een veelvoud van posities op een pupilafbeelding die de intensiteit vertegenwoordigen van het licht van de lichtbron op de beeldsensor rij; 10 het optellen van de verzamelde intensiteiten om een totale somintensiteit te berekenen; het definiëren van tenminste één van een binnenste kromme en een buitenste kromme van de pupilafbeelding, gebaseerd op de verzamelde adressen en de bijbehorende intensitei- 15 ten, waarbij de binnenste cirkel een veelvoud van adressen omsluit die overeenkomen met ongeveer 10% van de totale som intensiteit en de buitenste cirkel omsluit een veelvoud van adressen die overeenkomen met ongeveer 90% van de totale som intensiteit; en 20 het toepassen van de lichtbron op een fotolithogra- fisch proces als de adressen een vooraf bepaald patroon hebben ten opzichte van de binnenste kromme en de buitenste kromme.
11. Werkwijze volgens conclusie 10, waarbij adressen op de binnenste cirkel overeenkomen met intensiteiten gelijk 25 een of ongeveer gelijk aan genormaliseerde intensiteiten.
12. Werkwijze volgens conclusie 11, waarbij in wezen alle adressen die overeenkomen met genormaliseerde intensi-teitwaarden van ongeveer 10% vallen binnen een gebied tussen een eerste cirkel en een tweede cirkel, waarbij de eerste cir- 30 kei een veelvoud van adressen omsluit overeenkomstig ongeveer 7,5% van de totale som intensiteit, en de tweede cirkel een veelvoud van adressen omsluit overeenkomstig ongeveer 12,5% van de totale som intensiteit.
13. Werkwijze volgens conclusie 10, waarbij adressen 35 op de buitenste cirkel overeenkomen met intensiteiten gelijk aan of ongeveer gelijk aan genormaliseerde intensiteiten.
14. Werkwijze volgens conclusie 13, waarbij in wezen alle adressen die overeenkomen met genormaliseerde intensi-teitwaarden van ongeveer 90%, vallen binnen een gebied tussen - 24 - een eerste cirkel en een tweede cirkel, waarbij de eerste cirkel een veelvoud van adressen omsluit overeenkomstig ongeveer 87,5% van de totale som intensiteit, en de tweede cirkel een veelvoud van adressen omsluit overeenkomstig ongeveer 92,5% 5 van de totale som intensiteit.
15. Werkwijze volgens conclusie 10, verder omvattend: het omzetten van adressen in de intensiteiten naar een driedimensionale (3D) tekening; het definiëren van een binnenste kromme die adressen 10 omsluit waarvoor een som van de intensiteiten ongeveer 10% van de totale somintensiteit is; het definiëren van de buitenste kromme die adressen omsluit waarvoor een som van de intensiteit ongeveer 90% van de totale som intensiteit is; en 15 het doorsnijden van de 3D tekening om een patroon van intensiteitverdeling te genereren tussen de binnenste kromme en de buitenste kromme door een regressie werkwijze met een polynoom.
16. Werkwijze volgens conclusie 10, waarbij een half-20 geleiderwafel wordt gefabriceerd door het fotolithografische proces.
17. Werkwijze voor het bepalen van een kwaliteit van een lichtbron toegepast op een fotolithografisch proces, omvattend de stappen van: 25 het belichten van een beeldsensor rij met licht van een lichtbron; het verzamelen van adressen en bijbehorende intensiteiten die overeenkomen met een veelvoud van posities op een pupilafbeelding, die de intensiteit vertegenwoordigen van het 30 licht van de lichtbron op de beeldsensor rij; het definiëren van een veelvoud van segmenten op de pupilafbeelding, waarbij elk segment een veelvoud van adressen omvat en bijbehorende genormaliseerde intensiteiten; het definiëren van de buitenste kromme op de pupilaf- 35 beelding; het berekenen van een effectief oppervlak van elk van de segmenten; - 25 - het tellen van het aantal van de segmenten met effectieve oppervlakken die groter zijn dan een eerste vooraf bepaalde waarde; en het toepassen van de lichtbron op een fotolithogra-5 fisch proces als het aantal van de segmenten met effectieve oppervlakken die groter zijn dan de eerste vooraf bepaalde waarde, groter is dan een tweede vooraf bepaalde waarde.
18. Werkwijze volgens conclusie 17, waarbij een half-geleiderwafel wordt gefabriceerd door het fotolithografische 10 proces. 2000410
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/458,915 US7738692B2 (en) | 2006-07-20 | 2006-07-20 | Methods of determining quality of a light source |
US45891506 | 2006-07-20 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL2000410A1 NL2000410A1 (nl) | 2008-01-22 |
NL2000410C2 true NL2000410C2 (nl) | 2008-05-06 |
Family
ID=38626284
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL2000410A NL2000410C2 (nl) | 2006-07-20 | 2006-12-28 | Werkwijzen voor het bepalen van de kwaliteit van een lichtbron. |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US7738692B2 (nl) |
JP (1) | JP2008028356A (nl) |
KR (1) | KR100859186B1 (nl) |
CN (1) | CN101109906B (nl) |
DE (1) | DE102007020033B4 (nl) |
NL (1) | NL2000410C2 (nl) |
TW (1) | TWI327024B (nl) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7738692B2 (en) * | 2006-07-20 | 2010-06-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Methods of determining quality of a light source |
DE102008002753B4 (de) * | 2007-12-19 | 2010-03-25 | Vistec Semiconductor Systems Gmbh | Verfahren zur optischen Inspektion, Detektion und Visualisierung von Defekten auf scheibenförmigen Objekten |
DE102012205181B4 (de) * | 2012-03-30 | 2015-09-24 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Messvorrichtung zum Vermessen einer Beleuchtungseigenschaft |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6198793B1 (en) * | 1998-05-05 | 2001-03-06 | Carl-Zeiss-Stiftung Trading As Carl Zeiss | Illumination system particularly for EUV lithography |
US20020126267A1 (en) * | 1998-10-22 | 2002-09-12 | Asm Lithography B.V. | Illumination device for projection system and method for fabricating |
EP1420297A2 (en) * | 2002-11-13 | 2004-05-19 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method to determine beam size and divergence |
US20060114440A1 (en) * | 2004-11-30 | 2006-06-01 | Kazunari Sekigawa | Direct exposure apparatus and direct exposure method |
Family Cites Families (47)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2523351B1 (fr) * | 1982-03-09 | 1989-07-13 | Thomson Csf | Tete optique dans un dispositif d'enregistrement-lecture d'un support d'information |
US4545683A (en) * | 1983-02-28 | 1985-10-08 | The Perkin-Elmer Corporation | Wafer alignment device |
US4701050A (en) * | 1984-08-10 | 1987-10-20 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor exposure apparatus and alignment method therefor |
JP2571054B2 (ja) * | 1987-04-28 | 1997-01-16 | キヤノン株式会社 | 露光装置及び素子製造方法 |
JP2691406B2 (ja) * | 1988-01-14 | 1997-12-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | 画像再構成装置 |
US5263099A (en) * | 1989-11-17 | 1993-11-16 | Picker International, Inc. | High speed window and level function modification for real time video processing |
US5541026A (en) * | 1991-06-13 | 1996-07-30 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and photo mask |
EP0540833B1 (de) * | 1991-08-12 | 1997-04-23 | KOENIG & BAUER-ALBERT AKTIENGESELLSCHAFT | Qualitätskontrolle einer Bildvorlage z. B. eines gedruckten Musters |
JP3194155B2 (ja) * | 1992-01-31 | 2001-07-30 | キヤノン株式会社 | 半導体デバイスの製造方法及びそれを用いた投影露光装置 |
US5537260A (en) * | 1993-01-26 | 1996-07-16 | Svg Lithography Systems, Inc. | Catadioptric optical reduction system with high numerical aperture |
US5432588A (en) * | 1993-02-08 | 1995-07-11 | Mitsubishi Denk Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method of making the semiconductor device |
US5406543A (en) * | 1993-04-07 | 1995-04-11 | Olympus Optical Co., Ltd. | Optical head with semiconductor laser |
JPH07120326A (ja) * | 1993-10-22 | 1995-05-12 | Komatsu Ltd | 波長検出装置 |
KR0166612B1 (ko) * | 1993-10-29 | 1999-02-01 | 가나이 쓰토무 | 패턴노광방법 및 그 장치와 그것에 이용되는 마스크와 그것을 이용하여 만들어진 반도체 집적회로 |
US5477057A (en) * | 1994-08-17 | 1995-12-19 | Svg Lithography Systems, Inc. | Off axis alignment system for scanning photolithography |
US5774222A (en) * | 1994-10-07 | 1998-06-30 | Hitachi, Ltd. | Manufacturing method of semiconductor substrative and method and apparatus for inspecting defects of patterns on an object to be inspected |
US5706091A (en) * | 1995-04-28 | 1998-01-06 | Nikon Corporation | Apparatus for detecting a mark pattern on a substrate |
JP3303595B2 (ja) * | 1995-03-24 | 2002-07-22 | キヤノン株式会社 | 照明装置及びそれを用いた観察装置 |
JPH09199390A (ja) * | 1996-01-16 | 1997-07-31 | Hitachi Ltd | パターン形成方法、投影露光装置および半導体装置の製造方法 |
US5818571A (en) * | 1996-05-06 | 1998-10-06 | Photometrics, Ltd. | Apparatus with off-axis light path for characterizing the luminous intensity of lamp |
JPH10105707A (ja) * | 1996-09-25 | 1998-04-24 | Sony Corp | 画像照合装置 |
JP3588212B2 (ja) * | 1996-12-20 | 2004-11-10 | 株式会社ルネサステクノロジ | 露光用マスク及びその作製方法並びに半導体装置の製造方法 |
US5859891A (en) * | 1997-03-07 | 1999-01-12 | Hibbard; Lyn | Autosegmentation/autocontouring system and method for use with three-dimensional radiation therapy treatment planning |
JP2000205966A (ja) * | 1999-01-20 | 2000-07-28 | Komatsu Ltd | 真空紫外レ―ザの波長測定装置 |
US6281967B1 (en) * | 2000-03-15 | 2001-08-28 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, exposure apparatus and exposure method |
JP2001189359A (ja) * | 2000-01-04 | 2001-07-10 | Toshiba Corp | パターン検査装置 |
US6549272B1 (en) * | 2000-03-16 | 2003-04-15 | Intel Corporation | Method for improved resolution of patterning using binary masks with pupil filters |
US6567155B1 (en) * | 2000-03-16 | 2003-05-20 | Intel Corporation | Method for improved resolution of patterning using binary masks with pupil filters |
US6398368B2 (en) * | 2000-06-09 | 2002-06-04 | Acer Communications And Multimedia Inc. | Light pipe for a projector system |
JP4640688B2 (ja) | 2000-07-10 | 2011-03-02 | 株式会社ニコン | 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置 |
CA2352639A1 (en) * | 2000-07-14 | 2002-01-14 | John Joseph Cullen | A method and apparatus for monitoring a condition in chlorophyll containing matter |
JP4266082B2 (ja) * | 2001-04-26 | 2009-05-20 | 株式会社東芝 | 露光用マスクパターンの検査方法 |
US6744505B1 (en) * | 2001-09-06 | 2004-06-01 | Therma-Wave, Inc. | Compact imaging spectrometer |
US6846617B2 (en) * | 2002-05-15 | 2005-01-25 | Numerical Technologies | Facilitating optical proximity effect correction through pupil filtering |
JP4169573B2 (ja) * | 2002-10-23 | 2008-10-22 | 株式会社東京精密 | パターン検査方法及び検査装置 |
WO2004066371A1 (ja) * | 2003-01-23 | 2004-08-05 | Nikon Corporation | 露光装置 |
US6839125B2 (en) * | 2003-02-11 | 2005-01-04 | Asml Netherlands B.V. | Method for optimizing an illumination source using full resist simulation and process window response metric |
US7030966B2 (en) | 2003-02-11 | 2006-04-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method for optimizing an illumination source using photolithographic simulations |
EP1687829B1 (en) * | 2003-05-30 | 2012-08-08 | CDM Optics, Inc. | Lithographic systems and methods with extended depth of focus |
KR20050025927A (ko) * | 2003-09-08 | 2005-03-14 | 유웅덕 | 홍채인식을 위한 동공 검출 방법 및 형상기술자 추출방법과 그를 이용한 홍채 특징 추출 장치 및 그 방법과홍채인식 시스템 및 그 방법 |
JP2005353869A (ja) | 2004-06-11 | 2005-12-22 | Nikon Corp | 光強度分布の評価方法、調整方法、照明光学装置、露光装置、および露光方法 |
JP2006098217A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Fujitsu Ltd | 画像検査装置、画像検査方法及び画像検査プログラム |
US20060072097A1 (en) * | 2004-10-06 | 2006-04-06 | Zach Franz X | Method for characterization of the illuminator in a lithographic system |
US20060131505A1 (en) * | 2004-12-17 | 2006-06-22 | Eastman Kodak Company | Imaging element |
US7420146B1 (en) * | 2005-03-08 | 2008-09-02 | Spawr Walter J | Laser beam monitor and control method |
US7224437B2 (en) * | 2005-05-31 | 2007-05-29 | Invarium, Inc | Method for measuring and verifying stepper illumination |
US7738692B2 (en) * | 2006-07-20 | 2010-06-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Methods of determining quality of a light source |
-
2006
- 2006-07-20 US US11/458,915 patent/US7738692B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-11-29 TW TW095144201A patent/TWI327024B/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-12-26 JP JP2006348790A patent/JP2008028356A/ja active Pending
- 2006-12-28 NL NL2000410A patent/NL2000410C2/nl active Search and Examination
-
2007
- 2007-01-05 CN CN200710000117XA patent/CN101109906B/zh active Active
- 2007-01-22 KR KR1020070006747A patent/KR100859186B1/ko active IP Right Grant
- 2007-04-27 DE DE102007020033.3A patent/DE102007020033B4/de active Active
-
2010
- 2010-05-04 US US12/773,143 patent/US8184896B2/en not_active Ceased
-
2014
- 2014-05-21 US US14/284,117 patent/USRE47197E1/en not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-05-24 US US15/162,702 patent/USRE47272E1/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6198793B1 (en) * | 1998-05-05 | 2001-03-06 | Carl-Zeiss-Stiftung Trading As Carl Zeiss | Illumination system particularly for EUV lithography |
US20020126267A1 (en) * | 1998-10-22 | 2002-09-12 | Asm Lithography B.V. | Illumination device for projection system and method for fabricating |
EP1420297A2 (en) * | 2002-11-13 | 2004-05-19 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method to determine beam size and divergence |
US20060114440A1 (en) * | 2004-11-30 | 2006-06-01 | Kazunari Sekigawa | Direct exposure apparatus and direct exposure method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080019586A1 (en) | 2008-01-24 |
NL2000410A1 (nl) | 2008-01-22 |
KR100859186B1 (ko) | 2008-09-18 |
US8184896B2 (en) | 2012-05-22 |
CN101109906B (zh) | 2010-12-08 |
CN101109906A (zh) | 2008-01-23 |
KR20080008936A (ko) | 2008-01-24 |
DE102007020033A1 (de) | 2008-01-31 |
US7738692B2 (en) | 2010-06-15 |
JP2008028356A (ja) | 2008-02-07 |
TWI327024B (en) | 2010-07-01 |
TW200808033A (en) | 2008-02-01 |
DE102007020033B4 (de) | 2014-03-13 |
US20100214547A1 (en) | 2010-08-26 |
USRE47197E1 (en) | 2019-01-08 |
USRE47272E1 (en) | 2019-03-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW202029071A (zh) | 用於判定空白光罩上之缺陷之類型及尺寸之系統及方法 | |
JP2009145285A (ja) | 欠陥検出方法および欠陥検出装置 | |
JPH11304453A (ja) | 多階調丸め補正処理方法およびパターン検査装置 | |
NL2000410C2 (nl) | Werkwijzen voor het bepalen van de kwaliteit van een lichtbron. | |
JP6786377B2 (ja) | 光学部品およびそれを用いた撮像システム | |
JP2007334892A (ja) | デジタルグレー値画像の処理方法 | |
JP2008235575A (ja) | パターン測定方法、パターン測定装置およびプログラム | |
JP5878756B2 (ja) | 画像処理装置、撮像装置、顕微鏡装置、画像処理方法、及び画像処理プログラム | |
TWI829980B (zh) | 半導體晶圓檢測之方法及系統,以及非暫時性電腦可讀媒體 | |
JP2015087389A (ja) | 試料の視認性評価方法、視認性評価用ドットパターン及び金属張積層体 | |
JP2010087849A (ja) | 情報読取用撮像装置 | |
JP6195253B2 (ja) | 検査装置、検査方法、及びプログラム | |
US20190147575A1 (en) | Appearance inspecting apparatus for article and appearance inspecting method for article using the same | |
EP3938178A1 (en) | Techniques for optimizing photopolymer cure energy in additive fabrication | |
JPWO2018011928A1 (ja) | 画像処理装置、画像処理装置の作動方法及び画像処理装置の作動プログラム | |
JP6758929B2 (ja) | 検査方法 | |
TWI810545B (zh) | 圖案檢查裝置以及圖案檢查方法 | |
JP2002175520A (ja) | 基板面の不良検出装置、不良検出方法、及び不良検出のためのプログラムを記録した記録媒体 | |
US7971159B2 (en) | Data generating method, data generating device, and program in an exposure system for irradiating multigradation-controllable spotlights | |
JP3803677B2 (ja) | 欠陥分類装置及び欠陥分類方法 | |
CN110895667B (zh) | 一种光学图像处理方法及存储介质 | |
JP2010129800A (ja) | 干渉光学系撮像画像を用いた干渉縞によるアライメントマーク検出方法およびそれを用いた装置 | |
JP4249453B2 (ja) | Sem画像における特徴量算出方法 | |
US20210200077A1 (en) | Method of fast surface particle and scratch detection for euv mask backside | |
WO2020241844A1 (ja) | 画像処理装置及び画像処理プログラム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
AD1A | A request for search or an international type search has been filed | ||
RD2N | Patents in respect of which a decision has been taken or a report has been made (novelty report) |
Effective date: 20080220 |
|
PD2B | A search report has been drawn up |