NL189738B - Werkwijze voor het vervaardigen van een voorwerp, omvattende het door plasma-etsen vormen van geselecteerde gebieden in een oppervlak van een aluminiumrijk materiaal. - Google Patents
Werkwijze voor het vervaardigen van een voorwerp, omvattende het door plasma-etsen vormen van geselecteerde gebieden in een oppervlak van een aluminiumrijk materiaal.Info
- Publication number
- NL189738B NL189738B NLAANVRAGE7905867,A NL7905867A NL189738B NL 189738 B NL189738 B NL 189738B NL 7905867 A NL7905867 A NL 7905867A NL 189738 B NL189738 B NL 189738B
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- etching
- article
- aluminum
- manufacturing
- selected areas
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
- H01L21/02068—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
- H01L21/02071—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers the processing being a delineation, e.g. RIE, of conductive layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F4/00—Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US92956778 | 1978-07-31 | ||
US05/929,567 US4256534A (en) | 1978-07-31 | 1978-07-31 | Device fabrication by plasma etching |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL7905867A NL7905867A (nl) | 1980-02-04 |
NL189738B true NL189738B (nl) | 1993-02-01 |
Family
ID=25458063
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NLAANVRAGE7905867,A NL189738B (nl) | 1978-07-31 | 1979-07-30 | Werkwijze voor het vervaardigen van een voorwerp, omvattende het door plasma-etsen vormen van geselecteerde gebieden in een oppervlak van een aluminiumrijk materiaal. |
Country Status (14)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4256534A (nl) |
JP (1) | JPS5914111B2 (nl) |
AU (1) | AU524453B2 (nl) |
BE (1) | BE877895A (nl) |
CA (1) | CA1121306A (nl) |
DE (1) | DE2930291A1 (nl) |
ES (1) | ES482959A1 (nl) |
FR (1) | FR2445622A1 (nl) |
GB (1) | GB2026393B (nl) |
IE (1) | IE48605B1 (nl) |
IL (1) | IL57890A (nl) |
IT (1) | IT1123506B (nl) |
NL (1) | NL189738B (nl) |
SE (1) | SE442357B (nl) |
Families Citing this family (53)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4569718A (en) * | 1980-08-22 | 1986-02-11 | At&T Bell Laboratories | Method for plasma etching III-V semiconductors with a BCl3 -Cl2 gas |
JPS5747876A (en) * | 1980-09-03 | 1982-03-18 | Toshiba Corp | Plasma etching apparatus and method |
US4380488A (en) * | 1980-10-14 | 1983-04-19 | Branson International Plasma Corporation | Process and gas mixture for etching aluminum |
DE3140675A1 (de) * | 1980-10-14 | 1982-06-16 | Branson International Plasma Corp., 94544 Hayward, Calif. | Verfahren und gasgemisch zum aetzen von aluminium |
US4373990A (en) * | 1981-01-08 | 1983-02-15 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Dry etching aluminum |
US4343677A (en) * | 1981-03-23 | 1982-08-10 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Method for patterning films using reactive ion etching thereof |
US4351696A (en) * | 1981-10-28 | 1982-09-28 | Fairchild Camera & Instrument Corp. | Corrosion inhibition of aluminum or aluminum alloy film utilizing bromine-containing plasma |
US4372806A (en) * | 1981-12-30 | 1983-02-08 | Rca Corporation | Plasma etching technique |
US4370196A (en) * | 1982-03-25 | 1983-01-25 | Rca Corporation | Anisotropic etching of aluminum |
DE3215410A1 (de) * | 1982-04-24 | 1983-10-27 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Verfahren zum herstellen von oeffnungen mit hilfe einer maske in einer auf einer unterlage befindlichen schicht |
US4426246A (en) * | 1982-07-26 | 1984-01-17 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Plasma pretreatment with BCl3 to remove passivation formed by fluorine-etch |
US4412885A (en) * | 1982-11-03 | 1983-11-01 | Applied Materials, Inc. | Materials and methods for plasma etching of aluminum and aluminum alloys |
DE3371734D1 (en) * | 1983-02-23 | 1987-06-25 | Ibm Deutschland | Process for the production of metallic layers adhering to plastic supports |
US4505782A (en) * | 1983-03-25 | 1985-03-19 | Lfe Corporation | Plasma reactive ion etching of aluminum and aluminum alloys |
US4778562A (en) * | 1984-08-13 | 1988-10-18 | General Motors Corporation | Reactive ion etching of tin oxide films using neutral reactant gas containing hydrogen |
US4544444A (en) * | 1984-08-15 | 1985-10-01 | General Motors Corporation | Reactive ion etching of tin oxide films using silicon tetrachloride reactant gas |
JPS6184835A (ja) * | 1984-10-02 | 1986-04-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | アルミニウムおよびアルミニウム―シリコン合金の反応性イオンエッチング方法 |
US4917586A (en) * | 1987-02-25 | 1990-04-17 | Adir Jacob | Process for dry sterilization of medical devices and materials |
US5087418A (en) * | 1987-02-25 | 1992-02-11 | Adir Jacob | Process for dry sterilization of medical devices and materials |
US5171525A (en) * | 1987-02-25 | 1992-12-15 | Adir Jacob | Process and apparatus for dry sterilization of medical devices and materials |
US4976920A (en) * | 1987-07-14 | 1990-12-11 | Adir Jacob | Process for dry sterilization of medical devices and materials |
US4931261A (en) * | 1987-02-25 | 1990-06-05 | Adir Jacob | Apparatus for dry sterilization of medical devices and materials |
US4943417A (en) * | 1987-02-25 | 1990-07-24 | Adir Jacob | Apparatus for dry sterilization of medical devices and materials |
US5200158A (en) * | 1987-02-25 | 1993-04-06 | Adir Jacob | Process and apparatus for dry sterilization of medical devices and materials |
US4801427A (en) * | 1987-02-25 | 1989-01-31 | Adir Jacob | Process and apparatus for dry sterilization of medical devices and materials |
US4818488A (en) * | 1987-02-25 | 1989-04-04 | Adir Jacob | Process and apparatus for dry sterilization of medical devices and materials |
US4828649A (en) * | 1987-07-16 | 1989-05-09 | Texas Instruments Incorporated | Method for etching an aluminum film doped with silicon |
US4919748A (en) * | 1989-06-30 | 1990-04-24 | At&T Bell Laboratories | Method for tapered etching |
JPH03156927A (ja) * | 1989-10-24 | 1991-07-04 | Hewlett Packard Co <Hp> | アルミ・メタライゼーションのパターン形成方法 |
US5318664A (en) * | 1990-06-25 | 1994-06-07 | General Electric Company | Patterning of indium-tin oxide via selective reactive ion etching |
US5211804A (en) * | 1990-10-16 | 1993-05-18 | Oki Electric Industry, Co., Ltd. | Method for dry etching |
US5413966A (en) * | 1990-12-20 | 1995-05-09 | Lsi Logic Corporation | Shallow trench etch |
US5290396A (en) * | 1991-06-06 | 1994-03-01 | Lsi Logic Corporation | Trench planarization techniques |
DE4107006A1 (de) * | 1991-03-05 | 1992-09-10 | Siemens Ag | Verfahren zum anisotropen trockenaetzen von aluminium bzw. aluminiumlegierungen enthaltenden leiterbahnebenen in integrierten halbleiterschaltungen |
US5252503A (en) * | 1991-06-06 | 1993-10-12 | Lsi Logic Corporation | Techniques for forming isolation structures |
US5225358A (en) * | 1991-06-06 | 1993-07-06 | Lsi Logic Corporation | Method of forming late isolation with polishing |
US5248625A (en) * | 1991-06-06 | 1993-09-28 | Lsi Logic Corporation | Techniques for forming isolation structures |
US5286337A (en) * | 1993-01-25 | 1994-02-15 | North American Philips Corporation | Reactive ion etching or indium tin oxide |
US5779926A (en) * | 1994-09-16 | 1998-07-14 | Applied Materials, Inc. | Plasma process for etching multicomponent alloys |
JPH08130206A (ja) * | 1994-10-31 | 1996-05-21 | Sony Corp | Al系金属層のプラズマエッチング方法 |
JPH07169756A (ja) * | 1994-11-07 | 1995-07-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマエッチング方法 |
US7294578B1 (en) * | 1995-06-02 | 2007-11-13 | Micron Technology, Inc. | Use of a plasma source to form a layer during the formation of a semiconductor device |
JPH08306675A (ja) * | 1996-05-13 | 1996-11-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマエッチング方法 |
US6008140A (en) * | 1997-08-13 | 1999-12-28 | Applied Materials, Inc. | Copper etch using HCI and HBr chemistry |
US6165375A (en) * | 1997-09-23 | 2000-12-26 | Cypress Semiconductor Corporation | Plasma etching method |
TW505984B (en) | 1997-12-12 | 2002-10-11 | Applied Materials Inc | Method of etching patterned layers useful as masking during subsequent etching or for damascene structures |
US6143476A (en) * | 1997-12-12 | 2000-11-07 | Applied Materials Inc | Method for high temperature etching of patterned layers using an organic mask stack |
US5994235A (en) * | 1998-06-24 | 1999-11-30 | Lam Research Corporation | Methods for etching an aluminum-containing layer |
EP1394835A1 (en) * | 2002-08-29 | 2004-03-03 | STMicroelectronics S.r.l. | A method and apparatus for detecting a leak of external air into a plasma reactor |
US20040192059A1 (en) * | 2003-03-28 | 2004-09-30 | Mosel Vitelic, Inc. | Method for etching a titanium-containing layer prior to etching an aluminum layer in a metal stack |
DE10324570A1 (de) * | 2003-05-30 | 2004-12-23 | Daimlerchrysler Ag | Vorrichtung und Verfahren zur Oberflächenbehandlung einer metallischen Laufbahn einer Maschine mittels Plasmatechnologie |
US9051655B2 (en) | 2013-09-16 | 2015-06-09 | Applied Materials, Inc. | Boron ionization for aluminum oxide etch enhancement |
US9484216B1 (en) | 2015-06-02 | 2016-11-01 | Sandia Corporation | Methods for dry etching semiconductor devices |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3615956A (en) * | 1969-03-27 | 1971-10-26 | Signetics Corp | Gas plasma vapor etching process |
US3994793A (en) * | 1975-05-22 | 1976-11-30 | International Business Machines Corporation | Reactive ion etching of aluminum |
US4030967A (en) * | 1976-08-16 | 1977-06-21 | Northern Telecom Limited | Gaseous plasma etching of aluminum and aluminum oxide |
CA1059882A (en) * | 1976-08-16 | 1979-08-07 | Northern Telecom Limited | Gaseous plasma etching of aluminum and aluminum oxide |
-
1978
- 1978-07-31 US US05/929,567 patent/US4256534A/en not_active Expired - Lifetime
-
1979
- 1979-07-19 CA CA000332162A patent/CA1121306A/en not_active Expired
- 1979-07-23 SE SE7906298A patent/SE442357B/sv unknown
- 1979-07-25 BE BE0/196455A patent/BE877895A/xx not_active IP Right Cessation
- 1979-07-25 AU AU49236/79A patent/AU524453B2/en not_active Expired
- 1979-07-25 IL IL57890A patent/IL57890A/xx unknown
- 1979-07-25 FR FR7919157A patent/FR2445622A1/fr active Granted
- 1979-07-26 DE DE19792930291 patent/DE2930291A1/de not_active Ceased
- 1979-07-26 GB GB7926036A patent/GB2026393B/en not_active Expired
- 1979-07-30 IT IT24774/79A patent/IT1123506B/it active
- 1979-07-30 NL NLAANVRAGE7905867,A patent/NL189738B/nl not_active IP Right Cessation
- 1979-07-30 ES ES482959A patent/ES482959A1/es not_active Expired
- 1979-07-31 JP JP54096878A patent/JPS5914111B2/ja not_active Expired
- 1979-08-08 IE IE1447/79A patent/IE48605B1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2026393A (en) | 1980-02-06 |
NL7905867A (nl) | 1980-02-04 |
FR2445622A1 (fr) | 1980-07-25 |
FR2445622B1 (nl) | 1984-08-10 |
IL57890A (en) | 1981-12-31 |
IT7924774A0 (it) | 1979-07-30 |
JPS5914111B2 (ja) | 1984-04-03 |
AU524453B2 (en) | 1982-09-16 |
IL57890A0 (en) | 1979-11-30 |
CA1121306A (en) | 1982-04-06 |
IT1123506B (it) | 1986-04-30 |
SE442357B (sv) | 1985-12-16 |
IE48605B1 (en) | 1985-03-20 |
GB2026393B (en) | 1982-11-03 |
DE2930291A1 (de) | 1980-02-21 |
SE7906298L (sv) | 1980-02-01 |
ES482959A1 (es) | 1980-03-01 |
IE791447L (en) | 1980-01-31 |
US4256534A (en) | 1981-03-17 |
AU4923679A (en) | 1980-02-07 |
BE877895A (fr) | 1979-11-16 |
JPS5521594A (en) | 1980-02-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NL189738B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een voorwerp, omvattende het door plasma-etsen vormen van geselecteerde gebieden in een oppervlak van een aluminiumrijk materiaal. | |
NL190619C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van tapijttegels. | |
NL185043C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een voorwerp onder toepassing van een plasma-etsing. | |
NL189915C (nl) | Werkwijze voor het behandelen van een polyvinylideenfluoride-oppervlak. | |
NL185332C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een bekleed voorwerp. | |
NL7900906A (nl) | Werkwijze voor het metalliseren van een substraat. | |
NL7607664A (nl) | Mat en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. | |
NL184444C (nl) | Werkwijze voor het vormen van een patroon in een laag. | |
NL7708689A (nl) | Werkwijze en machine voor het stapelen van tegels. | |
NL7902338A (nl) | Werkwijze voor het vormen van een klep en daarmede gevormde klep. | |
NL7808613A (nl) | Micro-bollen en werkwijze voor het vervaardigen van de- ze micro-bollen. | |
NL7904393A (nl) | Werkwijze voor het behandelen van oppervlakken. | |
NL7612299A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van hydraulische produkten. | |
NL7800101A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van verpakkingen. | |
NL7904832A (nl) | Absorberende bekleding en werkwijze voor het vervaar- digen ervan. | |
NL185126C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van afzonderlijke ritssluitingen. | |
NL7707654A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van massieve vormstukken. | |
NL7708690A (nl) | Werkwijze en machine voor het stapelen van tegels. | |
NL183491C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van afzonderlijke ritssluitingen. | |
NL7801003A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van reservoirslui- tingen en op deze wijze vervaardigde reservoir- sluitingen. | |
NL185661C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een in het bijzonder plaatvormig bouwelement. | |
NL185578C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een synthetisch crepegaren. | |
NL184732C (nl) | Werkwijze voor het wijzigen van een glasoppervlak. | |
NL7611151A (nl) | Gereedschap en werkwijze voor het vervaardigen hiervan. | |
NL7900764A (nl) | Werkwijze voor het verkrijgen van metalen decoratie- patronen op metaaloppervlakken. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A1A | A request for search or an international-type search has been filed | ||
BB | A search report has been drawn up | ||
BC | A request for examination has been filed | ||
A85 | Still pending on 85-01-01 | ||
V4 | Discontinued because of reaching the maximum lifetime of a patent |
Free format text: 19990730 |