KR980005291A - 먼지 제거 장치 및 먼지 제거 방법 - Google Patents
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Abstract
역 세정 기구를 구비한 먼지 제거 장치 및 압력 손실의 증가와 압력 변동에 의한 문제점이 발생하지 않는 단일 웨이퍼 처리 대기압 CVD 장치의 반도체 제조 단계에서 방출되는 가스에 함유된 고체 실리카 미세 분말을 제거하는 방법에서, 여과부재는 각각 여과 부재의 일차측의 면적에 대한 상기 여과 부재의 겉보기 외부 표면적의 비가 1 내지 5인 것이 사용되고, 역 세정용 가스 분사 노즐은 여과 부제의 이차측에 형성되고, 여과 부재에서 여과가 진행중일 때 또는 D 장치에서 웨이퍼 처리를 처리하고 교환하는 단계 이후에는 역 세정이 수행되지 않으며, 일차측 여과막 상에 축적된 실리카 미세 분말을 방출하기 위해 역세정이 수행된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 먼지 제거 장치의 한 실시예를 도시한 개념도.
Claims (6)
- 단일 웨이퍼 처리 대기압 CVD 장치를 사용하는 반도체 제조 단계에서 방출되는 배출 가스에 함유된 미세 분말 제거용 먼지 제거 장치에 있어서, 여과 부재의 이차측에 배치된 역 세정용 가스의 여과부재와 펄스 분사 노즐을 각각 구비한 여과기와, 가스 흡입 송풍기와, 가스 분사 노즐에 연결된 가스 탱크를 구비하며, 여과막의 일차측에서의 표면적 (S2)에 대한 상기 여과 부재의 겉보기 외부 표면적 (S1)의 비 (S2/S1)는 1 내지 5이며, 역 세정용 가스 분사량은 매 펄스당 부피를 분사 시간과 분사될 부분의 여과막의 면적으로 나눈 값이 0.03 내지 0.3㎥ /㎡ㆍsec인 것을 특징으로 하는 먼지 제거 장치.
- 제1항에 있어서, 두 개 이상의 라인이 전환 밸브를 통해서 단일 웨이퍼 처리 대기압 CVD 장치의 각 라인에 평행하게 형성되며, 상기 장치는 여과기의 한쪽 라인에서 여과가 수행되는 반면에 여과기의 다른 라인에서는 역세정용 가스가 분사되며, 상기 여과기에서의 배출 가스는 다른 라인으로 도는 송풍기의 하류측으로 흐르도록 구성되는 것을 특징으로 하는먼지 제거 장치.
- 제1항에 있어서, 실란 계열 가스 제거용 세정단은 여과기에서 여과된 가스를 배출측에 연결된 것을 특징으로 하는 먼지 제거 장치.
- 단일 웨이퍼 처리 대기압 CVD 장치를 사용하는 반도체 제조 단계에서 방출되는 배출 가스에 함유된 미세 분말 제거용 먼지 제거 방법에 있어서, 여과막의 일차측에서의 표면적 (S2)에 대한 여과 부재의 겉보기 외부 표면적 (S1)의 비 (S2/S1)는 1내지 5 이고 상기 여과 부재의 이차측에서 공기 챔버 내에 배치된 역 세정용 가스 펄스 분사 기구를 구비하는 여과기를 사용하여 여과를 연속적으로 수행하는 단계와, CVD 장치에서 웨이퍼 급송이 완료되기전까지는 역 세정을 수행하지 않고 웨이퍼 처리가 완료된 이후에 역 세정을 수행하는 단계를 포함하고, 상기 역 세정용 가스의 분사량은 각 펄스당 부피를 분사 시간과 분사될 부분에서의 여과막의 면적으로 나눈 값이 0.03 내지 0.3 ㎥/㎡ ㆍsec인 것을 특징으로 하는 먼지 제거 방법.
- 제4항에 있어서, 두 개 이상의 여과기 라인은 전환 밸브를 통해서 단일 웨이퍼 처리 대기압 CVD 장치의 각 라인에 평행하게 형성되며, 여과기 라인 중의 하나에서 여과가 수행되는 동안 여과기의 다른 라인에서 역 세정용 가스사 분사되고, 상기 여과기에서의 배출 가스는 다른 라인 또는 송풍기의 하류측으로 흐르도록 하는 것을 특징으로 하는 먼지 제거 방법.
- 제4항에 있어서, 실란 계열 가스 제거용 세정단은 여과기에서 여과된 가스의 배출측에 연결된 것을 특징으로 하는 먼지 제거 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내요에 의하여 공개하는 것임.
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