KR970705920A - 중(重)동위원소 생산용 초전도성 사이클로트론 및 타겟(superconducting cyclotron and target for use in the production of heavy isotopes) - Google Patents

중(重)동위원소 생산용 초전도성 사이클로트론 및 타겟(superconducting cyclotron and target for use in the production of heavy isotopes)

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KR970705920A
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티모시 그레이-모건
에드거 로치
마크 골더 쉴튼
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애머샴 인터내셔널 피엘씨
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Abstract

초전도성 사이클로트론(1)은 챔버(10)를 둘러싸는 4개의초전도성 자기 코일(2,3,4,5)을 구비한다. 챔버 안에는 연철 폴 피스(11,12)의 상부 및 하부 세트가 이들 사이에 가속 입자 빔 공간(13)을 제공하도록 위치되어 있다. 폴 피스(11,12)는 초전도성 자기 코일(2,3,4,5)에 의하여 발생된 자계와 상호작용한다. 공동 공진기(14,15,16,17) 또한 빔 공간(13)을 가로질러 RF 오실레이팅 전압을 발생하도록 챔버(10)내에 위치된다. 선형 가속기(30)는 이온화 입자가 빔 공간(13)중으로 주입되기 전에 이온화 입자를 예비 가속하도록 초전도성 자기 코일의 자계와 축방향으로 일직선상에 놓이도록 제공된다. 이렇게 하여 한층 높은 빔 전류가 수득될 수 있다. 사이클로트론에 의해 발생된 고 빔 전류를 이용하여 중동위 원소 생산에 사용될 수 있는 타겟은 실질적으로 동위원소 생산 중의 복사 냉각에 좌우된다.

Description

중(重)동위원소 생산용 초전도성 사이클로트론 및 타겟(SUPERCONDUCTING CYCLOTRON AND TARGET FOR USE IN THE PRODUCTION OF HEAVY ISOTOPES)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 타겟의 제1실시에의개략도, 제4도는 본 발명에 따른 타겟의 제2실시예의 개략도, 제5도는 본 발명에 따른 타겟의 제3실시예의 개략도, 제6도는 본 발명에 따른 타겟의 제4실시예의 개략도, 제7도는 본 발명에 따른 타겟의 제5실시예의 개략도.

Claims (26)

  1. 방사상으로 연장하는 빔 공간(13)을 구비하는 챔버(10)를 통해 축 방향으로 연장하는 자계를 제공하도록 배치된 초전도성 자기 수단(2,3,4,5,6), 축 방향으로 연장하는 자계와 상호작용하도록 챔버(10)내에 위치한 상호작용수단(11,12) 및 빔 공간(13)내에서 순환하는 입자에 전압인가하는 RF 전압인가 수단(14,15,16,17)을 구비하는 초전도성 사이클로트론에 있어서, 출력이 빔 공간(13)에 대한 입력과 소통되고 이에 따라 빔 공간 (13)내 가속용 입자가 선형 가속기(30)에 의해 예비 가속되는 초전도성 사이클로트론의 자계내에 위치된 선형 가속기(30)가 추가로 제공됨을 특징으로 하는 초전도성 사이클로트론(1)
  2. 제1항에 있어서, 선형가속기(30)가 챔버(10)의 중심축(7)을 중심으로 챔버(10)내에 장착되는 초전도성 사이클로트론.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 선형가속기(30)가 와이드로우(Wideroe) 가속기인 초전도성 사이클로트론.
  4. 초전도성 자기수단(2,3,4,5,6)에 의해 챔버(10) 와 축 방향으로 일직선상에 있는 자계를 발생시키고; 챔버(10)내 자계를 상호작용수단(11,12)에 의하여 조정하여 챔버(10)의 방사상 방향에 대해 자계의 방위각 및 등시성 변화를 유도하며; RF 전압인가 수단(14,15,16,17)에 의해 챔버(10)내 방사상으로 연장하는 빔 공간(13)을 가로질러 RF 오실레이팅 전압을 인가하며; 이온화 입자를 빔 공간(13)중으로 주입하며; RF 오실레이팅 전압 인가를 통하여 빔 공간(13)내 이온화 입자를 가속하는 단계를 포함하는 고에너지 입자 생성 방법에 있어서, 이온화 입자를 빔 공간(13) 중으로 주입하기에 앞서 이온화 입자를 선형 가속기(30)를 통해 통과시킴으로써 이온화 입자를 에비 가속함을 특징으로 하는 방법.
  5. 가속 입자의 고 전류 빔(42)의 경로에 놓이도록 지지 장치(54)에 의해 지지된 충격 물질(40)및 저압 환경에서 충격 물질의 표면중 적어도 일부를 내포하기 위한 수납장치(44)를 포함하고, 상기 지지 장치(54)가 충격 물질(40)로부터 어떠한 열 전도도 실질적으로 제공하지 않고 이에 따라 충격 물질이 복사 냉각되는, 동위원소 생산에 사용하기 위한 타겟.
  6. 제5항에 있어서, 수납 장치(44)가 저압에서 적어도 하나의 기체상 반응 종을 함유하는 타겟.
  7. 제6항에 있어서, 기체상 반응 종이 할로겐인 타겟.
  8. 제5항 내지 7항 중 어느 한 항에 있어서, 충격 물질(40)이 중공 구조물 형태인 타겟.
  9. 제8항에 있어서, 중공 구조물의 외면이 이로부터의 증발 및/또는 휘발을 방지하는 코팅(43)을 갖는 타겟.
  10. 제9항에 있어서, 수납 장치가 구조물 내부 환경을 제어하도록 중공 구조물의 각 단부에 위치된 밸브수단 형태인 타겟.
  11. 제5항에 있어서, 충격 물질이 각각 가속 입자의 빔경로에 놓이도록 배치된 다수의 박막 시트로 이루어진타겟.
  12. 제11항에 있어서, 다수의 시트가 일체를 이루는 타겟.
  13. 제12항에 있어서, 일체형 시트가 콘서티나(CONCERTINAED) 형태인 타겟.
  14. 제11항 내지 13항중 어느 한 항에 있어서, 수납 장치(44)가 다수의 시트가 위치되어 있는 저압 챔버인 타겟.
  15. 제5항 내지 14항 중 어느 한 항에 있어서, 생성된 동위원소수집 수단이 추가로 제공되는 타겟.
  16. 제15항에 있어서, 수집 수단이 수납 장치의 저압 환경과 소통하는 냉각 핑거(45) 형태인 타겟.
  17. 제5항에 있어서, 충격 물질이 박막 시트 형태인 타겟.
  18. 제17항에 있어서, 시트가 위치되는 챔버내의 영역을 가로질러 실질적으로 일정한 자게를 생성하는 수단이 추가로 제공되는 타겟.
  19. 제18항에 있어서, 동위원소 수집기가 충격 물질에 인접하여 제공되는 타겟.
  20. 제19항에 있어서, 동위원소수집기가 글래스 울을 포함하는 타겟.
  21. 제5항 내지 20항 중 어느 한 항에 있어서, 충격 물질이 내화 물질인 타겟.
  22. 충격물질의 표면 중 적어도 일부가 저압 환경에 내포되는 지지 장치상에 충격물질로 제공하고; 가속 입자의 고 전류 빔을 충격 물질 부분에 초점을 맞추며; 동시에 또는 계속해서 기체상 반응 종을 저압 환경 중으로 도입한 다음; 동시에 또는 계속해서 생성된 동위원소를 수집하는 단계를 포함하고, 충격 물질이 빔에 노출되는 동안 실질적으로 어떠한 열도 지지 장치에 의하여 충격 물질로부터 전도되지 않으며 충격물질이 복사 냉각되는, 동위원소 생산방법.
  23. 제22항에 있어서, 충격 물질이 빔에 노출되는 동안 냉각 기체가 저압 환경에서 순환되는 방법.
  24. 제23항에 있어서, 냉각 기체가 헬륨인 방법.
  25. 제23항 또는 24항에 있어서, 생성된 동위원소가 냉각 기체에 의하여 충격 물질로 부터 운반되는 방법.
  26. 제25항에 있어서, 동위원소가 냉각 핑거에서 수집되는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970701055A 1994-08-19 1995-08-18 중(重)동위원소 생산용 초전도성 사이클로트론 및 타겟(superconducting cyclotron and target for use in the production of heavy isotopes) KR970705920A (ko)

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