KR970077595A - 반도체 리드프레임 - Google Patents

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KR970077595A
KR970077595A KR1019960018750A KR19960018750A KR970077595A KR 970077595 A KR970077595 A KR 970077595A KR 1019960018750 A KR1019960018750 A KR 1019960018750A KR 19960018750 A KR19960018750 A KR 19960018750A KR 970077595 A KR970077595 A KR 970077595A
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박세철
이규한
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이대원
삼성항공산업 주식회사
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads

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Abstract

본 발명은 금속 소재의 베어프레임상에 형성된 다층도금층을 구비하고 있는 반도체 리드프레임에 있어서, 상기 다층 도금층이 제1니켈도금층; 상기 제1니켈 도금층 상부에 형성된 Cu도금층; 상기 Cu도금층 상부에 형성된 제2니켈 도금층; 상기 제2니켈 도금층 위에 형성된 Pd도금층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 리드프레임을 제공한다. 본 발명에 따르면, 알로이 42소재의 베어프레임상에 팔라듐을 이용한 선도금공정시, 알로이 42소재내의 철과 팔라듐의 유전계열상 차이가 큰데서 기인되는 부식성 문제를 해결하여 내부식성과 납땜성이 우수한 리드프레임을 얻을 수 있다.

Description

반도체 리드프레임
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도 및 제5도는 본 발명에 따른 리드프레임에 적용된 도금층의 구조를 나타낸 단면도이다.

Claims (7)

  1. 금속 소재의 베어프레임상에 형성된 다층 도금층을 구비하고 있는 반도체 리드프레임에 있어서, 상기 다층 도금층이 제1니켈 도금층; 상기 제1니켈 도금층 상부에 형성된 Cu도금층; 상기 Cu도금층 상부에 형성된 제2니켈 도금층; 상기 제2니켈 도금층 위에 형성된 Pd도금층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 리드프레임.
  2. 제1항에 있어서, 상기 Pd도금층 상부에 Pd-X합금 도금층이 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 리드프레임.
  3. 제2항에 있어서, 상기 Pd-X합금 도금층이 주성분인 Pd과, 금(Au), 코발트(Co), 텅스텐(W), 은(Ag), 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo) 및 주석(Sn)으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 금속으로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 반도체 리드프레임.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1니켈 도금층이 니켈 스트라이크 도금층인 것을 특징으로 하는 반도체 리드프레임.
  5. 제1항에 있어서, 상기 Cu도금층이 Cu스트라이크 도금층인 것을 특징으로 하는 반도체 리드프레임.
  6. 제1항에 있어서, 상기 베어프레임이 구리(Cu), 니켈(Ni), 철(Fe) 및 이들의 합금중에서 선택된 금속으로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 리드프레임.
  7. 제1항에 있어서, 상기 베어프레임이 니켈과 철의 합금으로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 리드프레임.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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KR100450090B1 (ko) * 1999-10-01 2004-09-30 삼성테크윈 주식회사 반도체 팩키지의 리드프레임과 이 리드 프레임의 도금방법

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