KR970072146A - Cleaning method of semiconductor device - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 소자의 제조에 관한 것으로써, 보다 구체적으로는 솔벤트의 최적 처리사간을 규정함으로써, 잔존 찌꺼기 및 폴리머를 효과적으로 제거함과 동시에, 솔벤트와 탈이온수와의 반응으로 야기되는 염의 발생을 없애고, 이에 따른 메탈의 부식을 막을 수 있는 폴리머 제거의 효과적 습식 방법에 관한 것이다.The present invention relates to the production of semiconductor devices, and more specifically, by defining the optimal treatment time of a solvent, effectively removing residual residues and polymers, eliminating the generation of salts caused by the reaction of solvent and deionized water, To an effective wet method of polymer removal that can prevent corrosion of the metal.

본 발명의 폴리머 제거의 효과적 습식 세정방법은, 메탈에칭된 웨이퍼위의 감광막을 스트립한 후에, 잔존 감광막 찌꺼기 및 폴리머의 제거와 과도한 솔벤트 처리시간으로 초래되는 염의 발생을 없애고, 염 발생에 기인된 메탈의 부식을 막기 위해 웨이퍼를 300초 동안 솔벤트처리하는 단계; 솔벤트 처리된 웨이퍼를 재차 300초 동안 솔벤트처리 하는 단계; 재차 솔벤트 처리된 웨이퍼를 급속세정하는 단계; 급속세정한 것을 최종 린스하는 단계; 최종 린스한 것을 스핀드라이 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.The effective wet cleaning method of polymer removal of the present invention eliminates the removal of residual photoresist remnants and polymer and the generation of salts caused by excessive solvent treatment time after stripping the photoresist film on the metal etched wafer, Treating the wafer for 300 seconds to prevent corrosion of the wafer; Treating the solvent-treated wafer again for 300 seconds; Rapidly rinsing the solvent-treated wafer again; Rinsing rapidly after rinsing; And spin-drying the final rinse.

Description

반도체 소자의 세정방법Cleaning method of semiconductor device

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음Since this is a trivial issue, I did not include the contents of the text.

제1도는 본 발명의 실시예에 따른 세정과정의 솔벤트 배스구조를 나타낸 도면.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a view of a solvent bath structure of a cleaning process according to an embodiment of the present invention. FIG.

Claims (3)

피식각층을 감광막 패턴에 의하여 식각하고, 감광막 패턴을 제거한 후, 감광막 패턴이 제거된 웨이퍼를 소정 시간동안 솔벤트처리하고, 급속 세정한 다음, 최종 린스 및 건조시키는 반도체 소자의 세정방법에 있어서, 상기 감광막이 제거된 웨이퍼를 300 내지 360초간 2회 솔벤트 처리하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 세정방법.A cleaning method of a semiconductor device in which a pattern layer is removed by a photoresist pattern, a photoresist pattern is removed, a wafer on which a photoresist pattern is removed is subjected to a solvent treatment for a predetermined period of time, followed by rapid rinsing and final rinsing and drying, And the removed wafer is subjected to a solvent treatment twice for 300 to 360 seconds. 제1항에 있어서, 첫번째와 두번째 솔벤트처리의 시간비가 1 : 1~1 : 1.2인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 세정방법.The cleaning method of claim 1, wherein the time ratio of the first and second solvent treatment is 1: 1 to 1: 1.2. 제1항에 있어서, 상기 급속세정은 솔벤트 처리직후, 탈이온수로 린스하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 세정방법.The cleaning method of claim 1, wherein the rapid cleaning is rinsed with deionized water immediately after the solvent treatment. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: It is disclosed by the contents of the first application.