KR19990000357A

KR19990000357A - Semiconductor manufacturing device

Info

Publication number: KR19990000357A
Application number: KR1019970023216A
Authority: KR
Inventors: 김학재
Original assignee: 윤종용; 삼성전자 주식회사
Priority date: 1997-06-05
Filing date: 1997-06-05
Publication date: 1999-01-15

Abstract

본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조장치는 습식 식각 공정전의 웨이퍼가 놓이는 로딩부와, 로딩부로부터 이송되는 웨이퍼에 습식 식각공정을 수행하는 습식 식각부와, 습식 식각부로부터 이송되는 웨이퍼에서 오염 물질을 습식으로 제거하는 오염 제거부와, 오염 제거부로부터 이송되는 웨이퍼를 세척하는 린스부와, 린스부로부터 이송되는 웨이퍼를 건조시키는 건조부 및 건조부로부터 이송되는 웨이퍼가 놓이는 언로딩부를 포함한다.According to an embodiment of the present invention, a semiconductor manufacturing apparatus includes a loading unit on which a wafer before a wet etching process is placed, a wet etching unit performing a wet etching process on a wafer transferred from the loading unit, and a wafer transferred from the wet etching unit. And a rinsing unit for cleaning the wafers transferred from the decontamination unit, a drying unit for drying the wafer transferred from the rinsing unit, and an unloading unit in which the wafers transferred from the drying unit are placed.

Description

반도체 제조장치Semiconductor manufacturing device

본 발명은 반도체 제조장치에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 금속 습식 식각 공정에 사용되는 반도체 제조장치에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly to a semiconductor manufacturing apparatus used in the metal wet etching process.

반도체 제조공정에서 웨이퍼 제조공정은 웨이퍼의 표면에 소정의 패턴을 형성하는 것이다. 상기 웨이퍼에 패턴을 형성하기 위하여 산화공정과 증착공정 및 세정공정과 식각공정 등의 여러 공정들이 복합적으로 수행되어 웨이퍼를 완성하게 된다. 각 공정에 사용되는 반도체장치에는 웨이퍼를 적당하게 이송하고 고정하는 등 웨이퍼를 공정이 수행될 수 있도록 하는 장치들이 필요하게 된다.In the semiconductor manufacturing process, the wafer manufacturing process is to form a predetermined pattern on the surface of the wafer. In order to form a pattern on the wafer, various processes such as an oxidation process, a deposition process, a cleaning process, and an etching process are performed in combination to complete the wafer. Semiconductor devices used in each process require devices that can process the wafer, such as appropriately transferring and fixing the wafer.

식각공정은 웨이퍼에 증착된 금속의 배선을 위한 공정으로 건식 식각공정과 습식 식각공정으로 분리되어 사용되고 있다.The etching process is a process for wiring metal deposited on a wafer, and is used by being separated into a dry etching process and a wet etching process.

도 1에서 도시한 바와 같이 일반적으로 웨이퍼에 습식 식각 공정을 수행하기 위하여 사용되는 반도체 제조장치는 습식 식각 공정전의 웨이퍼가 놓이는 로딩부(2)와 상기 로딩부(2)로부터 이송되는 웨이퍼에 습식 식각공정을 수행하는 습식 식각부(4) 그리고, 상기 습식 식각부(4)로부터 이송되는 웨이퍼를 세척하는 린스부(6)와 상기 린스부(6)로부터 이송되는 웨이퍼를 건조시키는 건조부(8) 및 상기 건조부(8)로부터 이송되는 웨이퍼가 놓이는 언로딩부(10)로 구성된다.As shown in FIG. 1, a semiconductor manufacturing apparatus generally used to perform a wet etching process on a wafer has a loading part 2 on which the wafer is placed before the wet etching process and a wet etching process on the wafer transferred from the loading part 2. The wet etching unit 4 performing the process and the rinse unit 6 for washing the wafer transferred from the wet etch unit 4 and the drying unit 8 for drying the wafer transferred from the rinse unit 6. And an unloading part 10 on which the wafer transferred from the drying part 8 is placed.

그러나, 반도체에서 전기적인 신호전달을 위한 금속막으로 실리콘이 함유된 알루미늄 등을 사용하는데 습식 식각(wet etching)을 진행할 경우 식각된 웨이퍼의 표면은 알루미늄에 포함된 실리콘에 의한 실리콘 오염물이 남게 된다. 따라서, 상기 실리콘 오염물을 제거하기 위하여 후 공정으로 실리콘 오염물 제거를 위한 공정을 진행해야 하는 문제점이 있다.However, when a silicon-containing aluminum is used as a metal film for electric signal transmission in a semiconductor, when wet etching is performed, the surface of the etched wafer leaves silicon contaminants due to silicon included in aluminum. Therefore, in order to remove the silicon contaminants, there is a problem in that a process for removing the silicon contaminants is performed as a post process.

본 발명은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 금속 습식 식각공정이 완료된 후 습식방식을 사용하여 연속으로 실리콘 오염물을 제거할 수 있는 새로운 형태의 반도체 제조장치를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve such a conventional problem, and an object thereof is to provide a new type of semiconductor manufacturing apparatus capable of continuously removing silicon contaminants using a wet method after a metal wet etching process is completed.

도 1은 종래 반도체 제조장치의 공정 흐름을 도시한 구성도,1 is a block diagram showing a process flow of a conventional semiconductor manufacturing apparatus,

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조장치의 공정 흐름을 도시한 구성도이다.2 is a block diagram showing a process flow of a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings

20 : 로딩부 22 : 습식 식각부20: loading part 22: wet etching part

24 : 오염 제거부 26 : 노즐24: decontamination unit 26: nozzle

28 : 스핀척 30 : 컨베이어28: spin chuck 30: conveyor

32 : 린스부 34 : 건조부32: rinse section 34: drying section

36 : 언로딩부36: unloading unit

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 의하면, 반도체 제조장치는 습식 식각 공정전의 웨이퍼가 놓이는 로딩부와; 상기 로딩부로부터 이송되는 웨이퍼에 습식 식각공정을 수행하는 습식 식각부와; 상기 습식 식각부로부터 이송되는 웨이퍼에서 오염 물질을 습식으로 제거하는 오염 제거부와; 상기 오염 제거부로부터 이송되는 웨이퍼를 세척하는 린스부와; 상기 린스부로부터 이송되는 웨이퍼를 건조시키는 건조부 및 상기 건조부로부터 이송되는 웨이퍼가 놓이는 언로딩부를 포함한다.According to a feature of the present invention for achieving the above object, the semiconductor manufacturing apparatus includes a loading unit on which the wafer before the wet etching process is placed; A wet etching unit performing a wet etching process on the wafer transferred from the loading unit; A decontamination unit for wetly removing contaminants from the wafer transferred from the wet etching unit; A rinse unit for washing the wafer transferred from the decontamination unit; And a drying unit for drying the wafer transferred from the rinse unit and an unloading unit in which the wafer transferred from the drying unit is placed.

이와 같은 본 발명에서 상기 습식 식각부는 실리콘이 함유된 알루미늄을 사용하여 상기 웨이퍼를 습식 식각하고, 상기 오염 제거부는 실리콘 오염물을 제거한다.In the present invention, the wet etching unit wet-etches the wafer using aluminum containing silicon, and the contamination removing unit removes silicon contaminants.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부도면 도 2에 의거하여 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2에서 도시한 바와 같이 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조장치는 습식 식각 공정전의 웨이퍼가 놓이는 로딩부(20)와, 상기 로딩부(20)로부터 이송되는 웨이퍼에 습식 식각공정을 수행하는 습식 식각부(22)와, 상기 습식 식각부(22)로부터 이송되는 웨이퍼에서 오염 물질을 습식으로 제거하는 오염 제거부(24)와, 상기 오염 제거부(24)로부터 이송되는 웨이퍼를 세척하는 린스부(32)와, 상기 린스부(32)로부터 이송되는 웨이퍼를 건조시키는 건조부(34) 및 상기 건조부(34)로부터 이송되는 웨이퍼가 놓이는 언로딩부(36)를 포함하도록 구성된다.As shown in FIG. 2, in the semiconductor manufacturing apparatus according to the embodiment of the present invention, a wet process for performing a wet etching process on a loading unit 20 on which a wafer before a wet etching process is placed and a wafer transferred from the loading unit 20 is performed. An etching unit 22, a decontamination unit 24 for wetly removing contaminants from the wafer transferred from the wet etching unit 22, and a rinsing unit for washing the wafer transferred from the decontamination unit 24 And a drying unit 34 for drying the wafer transferred from the rinsing unit 32 and an unloading unit 36 in which the wafer transferred from the drying unit 34 is placed.

이때, 본 발명의 실시예에서는 상기 습식 식각부(22)는 실리콘이 함유된 알루미늄을 사용하여 상기 웨이퍼를 습식 식각하고, 상기 오염 제거부(24)는 실리콘 오염물을 제거하는 것으로 한다.At this time, in the exemplary embodiment of the present invention, the wet etching unit 22 wet-etches the wafer using aluminum containing silicon, and the contamination removing unit 24 removes silicon contaminants.

이와 같은 구성을 갖는 반도체 제조장치는 상기 습식 식각부(22)에서 척에 올려진 웨이퍼는 척이 회전을 하면서 동시에 알루미늄과 같은 식각되는 재료가 분사되어 식각이 이루어진다. 그리고, 식각이 완료된 후 웨이퍼는 상기 습식 식각부(22)로부터 컨베이어(30)와 같은 이송장치에 의해서 상기 오염물 제거부(24)로 이동한다. 이때, 상기 웨이퍼는 척에 의하여 상기 컨베이어(30)로부터 올려져 상기 오염물 제거부(24)의 노즐(26)로부터 분사되는 실리콘 오염물 제거 재료에 의해서 실리콘 오염물이 제거된 후 상기 오염물 제거부(24)로부터 상기 린스조(32)로 이동되어 탈이온수와 같은 세정액으로 세정되며, 상기 건조부(34)에서 건조되어 상기 언로딩부(36)로 이송되어 반도체 제조장치에서의 공정을 완료하게 된다.In the semiconductor manufacturing apparatus having such a configuration, the wafer placed on the chuck by the wet etching unit 22 is etched by spraying the etched material such as aluminum while the chuck rotates. After the etching is completed, the wafer is moved from the wet etching unit 22 to the contaminant removing unit 24 by a transfer device such as the conveyor 30. In this case, the wafer is lifted from the conveyor 30 by the chuck to remove the silicon contaminants by the silicon contaminant removal material sprayed from the nozzle 26 of the contaminant remover 24 and then the contaminant remover 24. The rinsing tank 32 is moved to the rinse bath 32 and washed with a cleaning solution such as deionized water, dried in the drying unit 34 and transferred to the unloading unit 36 to complete the process in the semiconductor manufacturing apparatus.

이와 같은 본 발명을 적용하면 화학 약품을 이용한 습식방식이므로 건식방법으로 실리콘 오염물을 제거하는 방법보다 생산성의 향상을 이룰 수 있으며, 연속적인 공정에 의해서 이루어지므로 제조시간의 단축을 이룰 수 있다.When the present invention is applied to the wet method using chemicals, it is possible to achieve higher productivity than the method of removing silicon contaminants by the dry method, and the manufacturing time can be shortened because it is made by a continuous process.

Claims

습식 식각 공정전의 웨이퍼가 놓이는 로딩부(20)와;A loading unit 20 on which the wafer before the wet etching process is placed;

상기 로딩부(20)로부터 이송되는 웨이퍼에 습식 식각공정을 수행하는 습식 식각부(22)와;A wet etching unit 22 performing a wet etching process on the wafer transferred from the loading unit 20;

상기 습식 식각부(22)로부터 이송되는 웨이퍼에서 오염 물질을 습식으로 제거하는 오염 제거부(24)와;A decontamination unit 24 for wetly removing contaminants from the wafer transferred from the wet etching unit 22;

상기 오염 제거부(24)로부터 이송되는 웨이퍼를 세척하는 린스부(32)와;A rinse unit 32 for cleaning the wafer transferred from the decontamination unit 24;

상기 린스부(32)로부터 이송되는 웨이퍼를 건조시키는 건조부(34) 및Drying unit 34 for drying the wafer transferred from the rinse portion 32 and

상기 건조부(34)로부터 이송되는 웨이퍼가 놓이는 언로딩부(36)를 포함하는 반도체 제조장치.And an unloading portion (36) on which the wafer transferred from the drying portion (34) is placed.

제 1 항에 있어서,The method of claim 1,

상기 습식 식각부(22)는 실리콘이 함유된 알루미늄을 사용하여 상기 웨이퍼를 습식 식각하고, 상기 오염 제거부(24)는 실리콘 오염물을 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.The wet etching unit 22 wet-etches the wafer using aluminum containing silicon, and the contamination removing unit 24 removes silicon contaminants.