KR970063046A - 자기저항 효과 헤드 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 전극 간격이 작아도 자구 제어층의 강도로부터 독립적으로 높은 재생 출력을 발생시키는 자기저항 효과 헤드, 및 이를 사용하는 자기 기록 및 재생 장치에 관한 것이다. 자기저항 효과막은 제1강자성 막, 비자성 전도막 및 제2강자성막의 적층 구조로 형성된다. 제2강자성 막은 반강자성 막에 적층되며, 자구 제어층은 자기 저항 효과 막의 가로방향 대향측부에 배치된다. 각 쌍의 전극은 각 자구 제어층에 배치되면서 전극 간격은 자기저항 효과 막의 폭보다 작게 형성되어, 전류가 자기저항 효과 막의 중앙 영역에만 흐르게 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 따른 스핀 밸브 헤드의 구성도.
제4도는 본 발명의 스핀 벨브 헤드 및 종래의 스핀 밸브 헤드의 재생된 파형의 특성도.
Claims (20)
- 복수의 적층 막을 구비하는 자기저항 효과 막, 상기 자기저항 효과 막의 대향측부에 배치되는 자구 제어층, 및 상기 자구 제어층에 적층되어 상기 자기저항 효과 막에 전기적으로 접속되는 한 쌍의 전극을 포함하여 이루어지고; 상기 자기저항 효과 막은, 자기 기록 미체로부터의 자장에 의하여 자화 방향이 변화되는 단일층 또는 다층 구조의 제1강자성 막, 자화 방향이 고정되는 단일층 또는 다층 구조의 제2강자성 막, 상기 제1강자성막 및 상기 제2강자성 막의 사이에 삽입되는 비자성 전도막, 및 상기 제2강자성 막의 자화 방향을 고정시키는 반강자성 막 또는 영구 자석 막을 포함하며; 상기 한 쌍의 전극의 일부는 상기 자기저항 효과 막에 적층되며; 상기 전극들의 간격은 상기 자기저항 효과 막의 폭보다 협소하게 설정되는 것을 특징으로 하는 자기저항 효과 헤드.
- 복수의 적층 막을 구비하는 자기저항 효과 막, 상기 자기저항 효과 막의 대향측부에 배치되는 자구 제어층, 및 상기 자구 제어층에 적충되어 상기 자기저항 효과 막에 전기적으로 접속되는 한 쌍의 전극을 포함하여 이루어지고; 상기 자기저항 효과 막은, 자기 기록 매체로부터의 자장에 의하여 자화 방향이 변화되는 단일층 또는 다층 구조의 제1강자성 막, 자화 방향이 고정되는 단일층 또는 다층 구조의 제2강자성 막, 상기 제1강자성막 및 상기 제2강자성 막의 사이에 삽입되는 비자성 전도막, 및 상기 제2강자성 막의 자화 방향을 고정시키는 반강자성 막 또는 영구 자석 막을 포함하며; 상기 한 쌍의 전극의 일부는 상기 반강자성 막 또는 영구 자석 막에 적층되며; 상기 전극들의 간격은 상기 자기저항 효과 막의 폭보다 협소하게 설정되는 것을 특징으로 하는 자기저항 효과 헤드.
- 복수의 적층 막을 구비하는 자기저항 효과 막, 상기 자기저항 효과 막의 대향측부에 배치되는 자구 제어층, 및 상기 자구 제어층에 적층되어 상기 자기저항 효과 막에 전기적으로 접속되는 한 쌍의 전극을 포함하여 이루어지고; 상기 자기저항 효과 막은, 자기 기록 매체로부터의 자장에 의하여 자화 방향이 변화되는 단일층 또는 다층 구조의 제1강자성 막, 자화 방향이 고정되는 단일층 또는 다층 구조의 제2 및 제3강자성 막, 상기 제1강자성 막과 상기 제2강자성 막의 사이에 삽입되는 제1비자성 전도막, 및 상기 제1강자성 막과 상기 제3강자성 막의 사이에 삽입되는 제2비자성 전도막을 포함하며; 상기 제1강자성 막은 상기 제2강자성 막에 적층되고; 상기 제3강자성 막은 상기 제1강자성 막에 적층되며; 상기 제2 및 제3강자성 막의 자화 방향을 고정시키는 반강자성 막 또는 영구자석 막이 제공되고; 상기 한 쌍의 전극의 일부는 상기 반강자성 막 또는 영구 자석막에 적충되어 상기 제3강자성 막의 자화 방향을 고정시키며; 상기 전극들의 간격은 상기 자기저항 효과 막의 폭보다 협소하게 설정되는 것을 특징으로 하는 자기저항 효과 헤드.
- 복수의 적층 막을 구비하는 자기저항 효과 막, 상기 자기저항 효과 막의 대향측부에 배치되는 자구 제어층, 및 상기 자구 제어층에 적충되어 상기 자기저항 효과 막에 전기적으로 접속되는 한 쌍의 전극을 포함하여 이루어지고; 상기 자기저항 효과 막은, 자기 기록 매체로부터의 자장에 의하여 자화 방향이 변화되는 단일층 또는 다층 구조의 제1강자성 막, 자화 방향이 고정되는 단일층 또는 다층 구조의 제2강자성 막, 상기 제1강자성막 및 상기 제2강자성 막의 사이에 삽입되는 비자성 전도막, 및 상기 제2강자성 막이 적충되며 상기 제2강자성막의 자화 방향을 고정시키는 반강자성 막 또는 영구 자석 막을 포함하며; 상기 한 쌍의 전극은, 상기 자기저항 효과 막의 중앙 영역에만 전류를 흐르게 하는 위치들에 배치되는 것을 특징으로 하는 자기저항 효과 헤드.
- 복수의 적층 막을 구비하는 자기저항 효과 막, 상기 자기저항 효과 막의 대향측부에 배치되는 자구 제어층, 및 상기 자구 제어층에 적충되어 상기 자기저항 효과 막에 전기적으로 접속되는 한 쌍의 전극을 포함하여 이루어지고; 상기 자기저항 효과 막은, 자기 기록 매체로부터의 자장에 의하여 자화 방향이 변화되는 단일층 또는 다층구조의 제1강자성 막, 자화 방향이 고정되는 단일층 또는 다층 구조의 제2강자성 막, 상기 제1강자성막 및 상기 제2강자성 막의 사이에 삽입되는 비자성 전도막, 및 상기 제2강자성 충에 적충되어 상기 제2강자성막의 자화 방향을 고정시키는 반강자성 막 또는 영구 자석 막을 포함하며; 상기 한 쌍의 전극은, 상기 자기저항 효과 막의 중앙 영역에만 전류를 흐르게 하는 위치들에 배치되는 것을 특징으로 하는 자기저항 효과 헤드.
- 복수의 적충 막을 구비하는 자기저항 효과 막, 상기 자기저항 효과 막의 대항측부에 배치되는 자구 제어층, 및 상기 자구 제어층에 적충되어 상기 자기저항 효과 막에 전기적으로 접속되는 한 쌍의 전극을 포함하여 이루어지고; 상기 자기저항 효과 막은, 자기 기록 매체로부터의 자장에 의하여 자화 방향이 변화되는 단일층 또는 다충 구조의 제1강자성 막, 자화 방향이 고정되는 단일층 또는 다충 구조의 제2 및 제3강자성 막, 상기 제1강자성 막과 상기 제2강자성 막의 사이에 삽입되는 제1비자성 전도막, 및 상기 제1강자성 막과 상기 제3강자성 막의 사이에 삽입되는 제2비자성 전도막을 포함하며; 상기 제1강자성 막은 상기 제2강자성 막에 적충되고; 상기 제3강자성 막은 상기 제1강자성 막에 적충되며; 상기 제2 및 제3강자성 막의 자화 방향을 고정시키는 반강자성 막 또는 영구자석 막이 제공되고; 상기 한 쌍의 전극은 상기 자기저항 효과 막의 중앙 영역에만 전류를 흐르게 하는 위치들에 배치되는 것을 특징으로 하는 자기저항 효과 헤드.
- 복수의 적층 막을 구비하는 자기저항 효과 막, 상기 자기저항 효과 막의 대향측부에 배치되는 자구 제어층, 및 상기 자구 제어층에 적층되어 상기 자기저항 효과 막에 전기적으로 접속되는 한 쌍의 전극을 포함하여 이루어지고; 상기 자기저항 효과 막은, 자기 기록 매체로부터의 자장에 의하여 자화 방향이 변화되며 상기 전극에 인접하여 배치되는 단일층 또는 다층 구조의 제1강자성 막, 자화 방향이 고정되는 단일층 또는 다층 구조의 제2강자성 막 상기 제1강자성 막 및 상기 제2강자성 막의 사이에 삽입되는 비자성 전도막, 및 상기 제2강자성 막의 자화 방향을 고정시키는 반강자성 막 또는 영구 자석 막을 포함하며; 상기 한 쌍의 전극의 일부는 상기 자기저항 효과 막에 적층되며; 상기 전극들의 간격은 상기 자기저항 효과 막의 폭보다 협소하게 설정되는 것을 특징으로 하는 자기저항 효과 헤드.
- 복수의 적층 막을 구비하는 자기저항 효과 막, 상기 자기저항 효과 막의 대향측부에 배치되는 자구 제어층, 및 상기 자구 제어층에 적층되어 상기 자기저항 효과 막에 전기적으로 접속되는 한쌍의 전극을 포함하여 이루어지고; 상기 자기저항 효과 막은, 자기 기록 매체로부터의 자장에 의하여 자화 방향이 변화되는 단일층 또는 다층 구조의 제1강자성 막, 자화 방향이 고정되는 단일층 또는 다층 구조의 제2강자성 막, 상기 제1강자성막 및 상기 제2강자성 막의 사이에 삽입되는 비자성 전도막, 및 상기 제2강자성 막의 자화 방향을 고정시키는 반강자성 막 또는 영구 자석 막을 포함하며; 상기 반강자성 막 또는 영구 자석 막은 상기 전극에 인접하여 배치되고; 상기 한쌍의 전극의 일부는 상기 자기저항 효과 막에 적층되며; 상기 전극들의 간격은 상기 자기저항 효과 막의 폭보다 협소하게 설정되는 것을 특징으로 하는 자기저항 효과 헤드.
- 복수의 적층 막을 구비하는 자기저항 효과 막, 상기 자기저항 효과 막의 대향측부에 배치되는 자구 제어층, 및 상기 자구 제어층에 적층되어 상기 자기저항 효과 막에 전기적으로 접속되는 한 쌍의 전극을 포함하여 이루어지고; 상기 자기저항 효과 막은, 자기 기록 매체로부터의 자장에 의하여 자화 방향이 변화되는 단일층 또는 다층 구조의 제1강자성 막, 자화방향이 고정되는 단일층 또는 다층 구조의 제2 및 제3강자성 막, 상기 제1강자성 막과 상기 제2강자성 막의 사이에 삽입되는 제1비자성 전도막, 및 상기 제1강자성 막과 상기 제3강자성 막의 사이에 삽입되는 제2비자성 전도막을 포함하며; 상기 제1강자성 막은 상기 제2강자성 막에 적층되고; 상기 제3강자성 막은 상기 제1강자성 막에 적층되며; 상기 제2 및 제3강자성 막의 자화 방향을 고정시키는 반강자성 막 또는 영구 자석 막이 제공되고; 상기 제1, 제2 및 제3강자성 막은 상기 반강자성 막 또는 영구 자석 막의 각 쌍들 사이에 배치되며; 상기 한쌍의 전극의 일부는 상기 반강자성 막 또는 영구 자석 막에 적층 되어 상기 제3강자성 막의 자화 방향을 고정시키며; 상기 전극들의 간격은 상기 자기저형 효과 막의 폭보다 협소하게 설정되는 것을 특징으로 하는 자기저항 효과 헤드.
- 복수의 적층 막을 구비하는 자기저항 효과 막, 상기 자기저항 효과 막의 대향측부에 배치되는 영구 자석으로 형성되는 자구 제어층, 및 상기 자구 제어층에 적층되어 상기 자기저항 효과 막에 전기적으로 접속되는 한 쌍의 전극을 포함하여 이루어지고; 상기 자기저항 효과 막은, 자기 기록 매체로부터의 자장에 의하여 자화 방향이 변화되는 단일층 또는 다층 구조의 제1강자성 막, 자화 방향이 고정되는 단일층 또는 다층 구조의 제2강자성 막, 상기 제1강자성 막 및 상기 제2강자성 막의 사이에 삽입되는 비자성 전도막, 및 상기 제2강자성 막의 자화 방향을 고정시키는 반강자성 막을 포함하며; 상기 한쌍의 전극의 일부는 상기 자기저항 효과 막에 적층되며; 상기 전극들의 간격은 상기 자기저항 효과 막의 폭보다 협소하게 설정되는 것을 특징으로 하는 자기저항 효과 헤드.
- 복수의 적층 막을 구비하는 자기저항 효과 막, 상기 자기저항 효과 막의 대향측부에 배치되는 반강자성막과 연질 자성 막의 적층 구조로 형성되는 자구 제어층, 및 상기 자구 제어층에 적층되어 상기 자기저항 효과막에 전기적으로 접속되는 한 쌍의 전극을 포함하여 이루어지고; 상기 자기저항 효과 막은, 자기 기록 매체로부터의 자장에 의하여 자화 방향이 변화되는 단일층 또는 다층 구조의 제1강자성 막, 자화 방향이 고정되는 단일층 또는 다층 구조의 제2강자성 막, 상기 제1강자성 막 및 상기 제2강자성 막의 사이에 삽입되는 비자성 전도막, 및 상기 제2강자성 막의 자화 방향을 고정시키는 반강자성 막을 포함하며; 상기 한쌍의 전극의 일부는 상기 자기저항 효과 막에 적층되며; 상기 전극들의 간격은 상기 자기저항 효과 막의 폭보다 협소하게 설정되는 것을 특징으로 하는 자기저항 효과 헤드.
- 복수의 적층 막을 구비하는 자기저항 효과 막, 상기 자기저항 효과 막의 대향측부에 배치되는 영구 자석으로 형성되는 자구 제어층, 및 상기 자구 제어층에 적층되어 상기 자기저항 효과 막에 전기적으로 접속되는 한 쌍의 전극을 포함하여 이루어지고; 상기 자기저항 효과 막은, 자기 기록 매체로부터의 자장에 의하여 자화 방향이 변화되는 단일층 또는 다층 구조의 제1강자성 막, 자화 방향이 고정되는 단일층 또는 다층 구조의 제2강자성 막, 상기 제1강자성 막 및 상기 제2강자성 막의 사이에 삽입되는 비자성 전도막, 및 상기 제2강자성 막의 자화 방향을 고정시키는 반강자성 막을 포함하며; 상기 한 쌍의 전극의 일부는 상기 반강자성 막에 적충되며; 상기 한 쌍의 전극의 일부는 상기 반강자성 막에 적층되며; 상기 전극들의 간격은 상기 자기저항 효과 막의 폭보다 협소하게 설정되는 것을 특징으로 하는 자기저항 효과 헤드.
- 복수의 적층 막을 구비하는 자기저항 효과 막, 상기 자기저항 효과 막의 대향측부에 배치되는 반강자성막과 연질 자성 막의 적층 구조로 형성되는 자구 제어층, 및 상기 자구 제어층에 적층되어 상기 자기저항 효과막에 전기적으로 접속되는 한 쌍의 전극을 포함하여 이루어지고; 상기 자기저항 효과 막은, 상기 자기 기록 매체로부터의 자장에 의하여 자화 방향이 변화되는 단일층 또는 다층 구조의 제1강자성 막, 자화 방향이 고정되는 단일층 또는 다층 구조의 제2강자성 막, 상기 제1강자성 막 및 상기 제2강자성 막의 사이에 삽입되는 비자성 전도막, 및 상기 제2강자성 막의 자화 방향을 고정시키는 반강자성 막을 포함하며; 상기 한 쌍의 전극의 일부는 상기 반강자성 막 또는 영구 자석 막에 적층되며; 상기 전극들의 간격은 상기 자기저항 효과 막의 폭보다 협소하게 설정되는 것을 특징으로 하는 자기저항 효과 헤드.
- 복수의 적층 막을 구비하는 자기저항 효과 막, 상기 자기저항 효과 막의 대향측부에 배치되는 영구 자석으로 형성되는 자구 제어층, 및 상기 자구 제어층에 적층되어 상기 자기저항 효과 막에 전기적으로 접속되는 한 쌍의 전극을 포함하여 이루어지고; 상기 자기저항 효과 막은, 자기 기록 매체로부터의 자장에 의하여 자화 방향이 변화되는 단일층 또는 다층 구조의 제1강자성 막, 자화 방향이 고정되는 단일층 또는 다층 구조의 제2 및 제3강자성 막, 상기 제1강자성 막과 상기 제2강자성 막의 사이에 삽입되는 제1비자성 전도막, 및 상기 제1강자성 막과 상기 제3강자성 막의 사이에 삽입되는 제2비자성 전도막을 포함하며; 상기 제1강자성 막은 상기 제2강자성 막에 적층되고; 상기 제3강자성 막은 상기 제1강자성 막에 적층되며; 상기 제2 및 제3강자성 막의 자화 방향을 고정시키는 반강자성 막이 제공되고; 상기 제1, 제2 및 제3강자성 막은 상기 반강자성 막의 각 쌍들 사이에 배치되며; 상기 한 쌍의 전극의 일부는 상기 반강자성 막에 적층되어 상기 제3강자성 막의 자화 방향을 고정시키며; 상기 전극들의 간격은 상기 자기저항 효과 막의 폭보다 협소하게 설정되는 것을 특징으로하는 자기저항 효과 헤드.
- 복수의 적층 막을 구비하는 자기저항 효과 막, 상기 자기저항 효과 막의 대향측부에 배치되는 반강자성막과 연질 자성 막의 적층 구조로 형성되는 자구 제어층, 및 상기 자구 제어층에 적층되어 상기 자기저항 효과 막에 전기적으로 접속되는 한 쌍의 전극을 포함하여 이루어지고; 상기 자기저항 효과 막은, 자기 기록 매체로 부터의 자장에 의하여 자화 방향이 변화되는 단일층 또는 다층 구조의 제1강자성 막, 자화 방향이 고정되는 단일층 또는 다층 구조의 제2 및 제3강자성 막, 상기 제1강자성 막과 상기 제2강자성 막의 사이에 삽입되는 제1비자성 전도막, 및 상기 제1강자성 막과 상기 제3강자성 막의 사이에 삽입되는 제2비자성 전도막을 포함하며; 상기 제1강자성 막은 상기 제2강자성 막에 적층되고; 상기 제3강자성 막은 상기 제1강자성 막에 적층되며; 상기 제2 및 제3강자성 막의 자화 방향을 고정시키는 반강자성 막 또는 영구 자석 막이 제공되고; 상기 제1, 제2 및 제3강자성막은 상기 반강자성 막 또는 영구 자석 막의 각 쌍들 사이에 배치되며; 상기 한 쌍의 전극의 일부는 상기 반강자성 막 또는 영구 자석 막에 적층되어 상기 제3강자성 막의 자화 방향을 고정시키며;상기 전극들의 간격은 상기 자기저항 효과 막의 폭보다 협소하게 설정되는 것을 특징으로 하는 자기저항 효과 헤드.
- 제1항 내지 제15항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 자기저항 효과 막은 폭은 상기 한 쌍의 전극들의 간격 +0.5~4㎛와 동일한 것을 특징으로 하는 자기저항 효과 헤드.
- 제1항 내지 제15항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 각 쌍의 전극은 상기 자기저항 효과 막의 가로방향 단부에 대하여 0.25~2㎛ 만큼 상기 자기저항 효과 중첩되는 것을 특징으로 하는 자기저항 효과 헤드.
- 제1항 내지 제15항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 한 쌍의 전극들의 간격은 2㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 자기저항 효과 헤드.
- 정보를 자기적으로 기록하는 자기 기록 매체, 상기 자기 기록 매체로부터 누출되는 자장의 변화를 전기적 신호로 변환시키는 재생 헤드, 및 상기 재생 헤드로부터의 전기적 신호를 처리하는 재생 회로를 포함하여 이루어지며; 상기 재생 헤드는 제1항 내지 제15항 중의 어느 한 항에 따른 자기저항 효과 헤드인 것을 특징으로 하는 자기 재생 장치.
- 정보를 자기적으로 기록하는 자기 기록 매체, 전기적 신호를 나타내는 자장을 발생시키며 상기 자장을 나타내는 정보를 상기 자기 기록 매체에 기록하는 기록 헤드, 상기 자기 기록 매체로부터 누출되는 자장의 변화를 전기적 신호로 변환시키는 재생 헤드, 및 상기 재생 헤드로부터의 전기적 신호를 처리하는 재생 회로를 포함하여 이루어지며; 상기 재생 헤드는 제1항 내지 제15항 중의 어느 한 항에 따른 자기저항 효과 헤드인 것을 특징으로 하는 자기 기록 및 재생 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2655296 | 1996-02-14 | ||
JP96-026552 | 1996-02-14 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970063046A true KR970063046A (ko) | 1997-09-12 |
KR100426768B1 KR100426768B1 (ko) | 2004-07-14 |
Family
ID=12196696
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019970004261A KR100426768B1 (ko) | 1996-02-14 | 1997-02-13 | 자기저항효과헤드 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US5936810A (ko) |
EP (1) | EP0790600B1 (ko) |
KR (1) | KR100426768B1 (ko) |
DE (1) | DE69728920T2 (ko) |
SG (1) | SG45531A1 (ko) |
Families Citing this family (52)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
1997
- 1997-02-06 US US08/795,646 patent/US5936810A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-02-13 SG SG1997000313A patent/SG45531A1/en unknown
- 1997-02-13 KR KR1019970004261A patent/KR100426768B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-02-14 DE DE69728920T patent/DE69728920T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1997-02-14 EP EP97102424A patent/EP0790600B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-06-15 US US09/333,005 patent/US6141190A/en not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-10-04 US US09/679,416 patent/US6507465B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6141190A (en) | 2000-10-31 |
EP0790600A2 (en) | 1997-08-20 |
EP0790600B1 (en) | 2004-05-06 |
US5936810A (en) | 1999-08-10 |
DE69728920T2 (de) | 2005-01-05 |
US6507465B1 (en) | 2003-01-14 |
KR100426768B1 (ko) | 2004-07-14 |
SG45531A1 (en) | 1998-01-16 |
EP0790600A3 (en) | 1998-03-04 |
DE69728920D1 (de) | 2004-06-09 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20090317 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |