JP3590078B2 - 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型薄膜ヘッド Download PDFInfo
- Publication number
- JP3590078B2 JP3590078B2 JP27996192A JP27996192A JP3590078B2 JP 3590078 B2 JP3590078 B2 JP 3590078B2 JP 27996192 A JP27996192 A JP 27996192A JP 27996192 A JP27996192 A JP 27996192A JP 3590078 B2 JP3590078 B2 JP 3590078B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- magnetic
- magnetic field
- head
- applying
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【産業上の利用分野】
本発明は磁気ディスク装置、或いは磁気テープ装置等に用いられる磁気抵抗効果型薄膜ヘッド(以下MRヘッドと略称する)に関するものである。
【0002】
近年、磁気ディスク装置等においては、小型、大容量化に伴って高密度記録化が進められ、その高密度記録化に対して再生出力の高い磁気ヘッドが要求されている。このため、再生専用の磁気ヘッドとして再生出力が記録媒体の速度に依存せず、小型な磁気ディスクにも対応でき、しかも高い再生出力が得られるMRヘッドが注目されているが、更に再生特性が良好で、信頼性の高いMRヘッドが必要とされている。
【0003】
【従来の技術】
従来のMRヘッドは図4の要部斜視図及び図5の要部側断面図に示すように、長さ方向に所定間隔をもってAu膜、Cu膜、或いはAl膜等からなる一対の引出し導体12a, 12bが接合され、その一対の引出し導体12a, 12b間に画定された信号検出領域11a を有する Ni−Fe膜からなる磁気抵抗効果素子 (以下、MR素子と略称する) 11の両側に、それぞれAl2O3 等からなる非磁性絶縁膜13を介して、例えばNiZnフェライト等からなるシールド磁性体14と Ni−Fe膜からなるシールド磁性膜15とが配設された構成からなっている。
【0004】
そしてかかるMRヘッドを矢印方向に移動する磁気記録媒体17上に所定間隙をもって浮上動作させた状態で、前記MR素子11にその各引出し導体12a, 12bよりセンス電流Isを供給することにより発生する磁界によって前記シールド磁性体14が磁化され、その磁化により該MR素子11にバイアス磁界が印加される。
【0005】
このMR素子11での信号検出領域11a の磁化は磁気記録媒体17からの磁界により変化され、磁気抵抗効果により生じる信号検出領域11a の電気抵抗値の変化を前記引出し導体12a, 12bより電圧の変化として再生信号を検出することによって再生を行なっている。
【0006】
このようなMRヘッドにおいては、記録媒体の高密度記録に伴う狭トラック化によりMR素子11の狭トラックに対応するコア幅が小さくなるにつれてそのコア幅方向の反磁界が増大して該MR素子11の磁区構造が多磁区化するようになり、再生時にそのMR素子11の磁壁の不規則な移動によってバルクハウゼン雑音が発生し、再生信号を著しく劣化させる傾向にある。
【0007】
従って、そのようなバルクハウゼン雑音の発生を防止する方法として、例えば前記MR素子11の全面にバイアス磁界印加用のFeMn等の反強磁性膜からなる磁性膜を接合し、それによって交換バイアス磁界を作用させ、該MR素子11の磁区構造を単磁区化していた。しかし、該MR素子11の全面に前記バイアス磁界印加用の磁性膜を接合するとそのMR素子11の透磁率が低下し、MRヘッドとしての再生感度が低下する問題があった。
【0008】
そこで、前記バルクハウゼン雑音の発生と透磁率の低下とを防止するために、図4に示すようにバイアス磁界印加用の例えば反強磁性膜からなる磁性膜16a,16b をMR素子11の両端部のみに接合した構成が採られている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、この様な構成のMRヘッドによって再生を行う記録媒体の高密度記録に伴う狭トラック化と共に線記録密度も高めて行くと、そのトラック方向への記録ピットが微小化し、それに対応して再生するMRヘッドにおけるMR素子の膜厚も薄層化する傾向にある。
【0010】
ところが、そのMR素子の膜厚の薄層化により該MR素子に対するその両端部に設けたバイアス磁界印加用の例えば反強磁性膜からなる磁性膜によるバイアス磁界強度が低下し、MR素子の磁化が不十分になって磁壁の不規則な移動によるバルクハウゼン雑音の発生を確実に防止することが難しくなるという欠点があった。
【0011】
本発明は上記した従来の問題点に鑑み、MR素子の膜厚を薄層化してもその両端部上に設けたバイアス磁界印加用の磁性膜により該MR素子を十分に磁化してバルクハウゼン雑音の発生を確実に防止するようにした磁気抵抗効果型薄膜ヘッドを提供することを目的とするものである。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記した目的を達成するため、中央部に一対の引出し導体により画定された信号検出領域を有した磁気抵抗効果素子の両端部にバイアス磁界印加用の磁性膜を有する磁気抵抗効果型薄膜ヘッドにおいて、前記磁気抵抗効果素子におけるバイアス磁界印加用の磁性膜を接合する前記引出し導体より外側に位置する両端部分の厚みが、前記引出し導体の接合部を含む信号検出領域の厚みよりも厚くなるように当該引出し導体の接合部を含む信号検出領域を均一な厚みに薄くした構成とする。
【0013】
また、前記バイアス磁界印加用の磁性膜は、フェリー磁性膜、若しくは永久磁石膜からなる構成とする。
【0014】
【作用】
本発明では、中央部に一対の引出し導体により画定された信号検出領域を有した磁気抵抗効果素子の両端部にバイアス磁界印加用の磁性膜を有する磁気抵抗効果型薄膜ヘッドにおいて、前記磁気抵抗効果素子におけるバイアス磁界印加用の磁性膜を接合する前記引出し導体より外側に位置する両端部分の厚みが、前記引出し導体の接合部を含む信号検出領域の厚みよりも厚くなるように当該引出し導体の接合部を含む信号検出領域を均一な厚みに薄くした構成とすることにより、前記バイアス磁界印加用の磁性膜が接合されたMR素子の両端部分に多くのN, S極が生じ、中央部に対して印加されるバイアス磁界強度が大きくなって該中央部が十分に磁化されて確実に単磁区化される。その結果、MR素子を薄層化しても再生時のMR素子の磁壁の不規則な移動によるバルクハウゼン雑音の発生を確実に防止することができる。
【0015】
【実施例】
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明する。
図1は本発明の磁気抵抗効果型薄膜ヘッドの一実施例を示す要部斜視図である。
【0016】
図において、24はNiZnフェライト等からなるシールド磁性体、25はNiFe膜からなるシールド磁性膜であり、このシールド磁性体24とシールド磁性層25との間にSiO2膜、或いは Al2O3膜等からなる図示しない非磁性絶縁膜をそれぞれ介在して、中央部に信号検出領域21a を画定するようにAu膜、或いはCu膜等からなる一対の引出し導体22a, 22bが接合され、その一対の引出し導体22a, 22bの両外側にFeMnからなるバイアス磁界印加用の磁性膜23a と23b が接合されたMR素子21が配設されている。
【0017】
この場合、前記MR素子21としては、例えば中央部の膜厚が 400Åと薄層化され、その中央部の両側のバイアス磁界印加用の磁性膜23a と23b が接合された両端部の膜厚が 500Åと厚く形成されている。
【0018】
このようなMR素子21を形成するには、 500Åの膜厚のMR素子形成用のNiFe膜とそのNiFe膜上にバイアス磁界印加用のFeMnからなる磁性膜をスパッタリング法等により連続的に積層形成し、これらを一括して素子パターン形状にパターニングした後、パターニングされた前記磁性膜の所定両端部上をレジスト膜によりマスクした状態でそのマスクより露出する磁性膜の中央部分をイオンミリング法等により除去し、更にその直下の前記MR素子の中央部分を 100Å程度イオンミリングすることにより、図2の拡大斜視図に示すように中央部分に 400ÅのNiFe膜が露出し、その両側の厚い 500Åの膜厚の両端部にそれぞれバイアス磁界印加用の磁性膜23a と23b が接合された形状に形成される。
【0019】
そして中央部上に信号検出領域21a を画定するようにAu膜、或いはCu膜等からなる一対の引出し導体22a, 22bを接合した構成としている。
従って、このようなヘッド構成によりMR素子の薄層化、即ち、MR素子の中央部を薄層化してもバイアス磁界印加用の磁性膜23a と23b が接合された両端部の膜厚を厚くすることによって前記中央部に対する磁化が十分になされ、バルクハウゼン雑音の発生を確実に防止することができるので、再生信号のS/Nが向上し、信頼性良く情報を再生することが可能となる。
【0020】
なお、上記した実施例のヘッド構成では、MR素子21の先端部と共に、該MR素子21の両端部に接合されたFeMnからなるバイアス磁界印加用の磁性膜23a と23b の一部が記録媒体対向面に露出しており、腐食し易いFeMn膜からなるバイアス磁界印加用の磁性膜23a と23b が空気等と接触して腐食する問題がある。
【0021】
そのような腐食を防止するために例えば図3の斜視図に示すようにMR素子31の中央部を下方に突出させて該MR素子31をT字型にしてそのMR素子31の突出部31b の先端を記録媒体対向面に露出させた構成とし、前記バイアス磁界印加用の磁性膜23a, 23bを記録媒体対向面より後退させることによりその腐食を防止することができる。従って、バイアス磁界印加用の磁性膜23a, 23bにFeMn膜以外の腐食し易い磁性材料も適用することが可能となる。
【0022】
また、以上の各実施例ではバイアス磁界印加用の磁性膜としてFeMnからなる磁性膜を用いた場合の例について説明したが、この例に限定されるものではなく、例えばα−Fe2O3等からなるフェリ磁性膜、或いはSmCo等からなる永久磁石膜などを用いることもでき、同様な効果が得られる。
【0023】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明に係る磁気抵抗効果型薄膜ヘッドによれば、バイアス磁界印加用の磁性膜を接合する前記引出し導体より外側に位置する両端部分の厚みが、前記引出し導体の接合部を含む信号検出領域の厚みよりも厚くなるように当該引出し導体の接合部を含む信号検出領域を均一な厚みに薄くしたした構成としているので、両端部上のバイアス磁界印加用の磁性膜がMR素子の中央部に作用する静磁界が大きくなり、該中央部が十分に磁化されて確実に単磁区化することができるのでバルクハウゼン雑音の発生が防止され、再生信号のS/Nが向上し、信頼性良く情報を再生することが可能となる優れた利点を有する。
【0024】
従って、磁気ディスク装置の大容量化、高密度記録化に寄与するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の磁気抵抗効果型薄膜ヘッド(MRヘッド)の一実施例を示す要部斜視図である。
【図2】本発明の磁気抵抗効果型薄膜ヘッド(MRヘッド)の一実施例におけるMR素子を示す拡大斜視図である。
【図3】本発明の磁気抵抗効果型薄膜ヘッド(MRヘッド)の一実施例の変形例を示す要部斜視図である。
【図4】従来の磁気抵抗効果型薄膜ヘッド(MRヘッド)を説明するための要部斜視図である。
【図5】従来の磁気抵抗効果型薄膜ヘッド(MRヘッド)を説明するための要部側断面図である。
【符号の説明】
21,31 MR素子
21a,31a 信号検出領域
22a,22b 引出し導体
23a,23b 磁性膜
24 シールド磁性体
25 シールド磁性膜
31b 突出部
Claims (2)
- 中央部に一対の引出し導体により画定された信号検出領域を有した磁気抵抗効果素子の両端部にバイアス磁界印加用の磁性膜を有する磁気抵抗効果型薄膜ヘッドにおいて、
前記磁気抵抗効果素子におけるバイアス磁界印加用の磁性膜を接合する前記引出し導体より外側に位置する両端部分の厚みが、前記引出し導体の接合部を含む信号検出領域の厚みよりも厚くなるように当該引出し導体の接合部を含む信号検出領域を均一な厚みに薄くしたことを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜ヘッド。 - 前記バイアス磁界印加用の磁性膜は、フェリー磁性膜、反強磁性膜若しくは永久磁石膜からなることを特徴とする請求項1の磁気抵抗効果型薄膜ヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27996192A JP3590078B2 (ja) | 1992-10-19 | 1992-10-19 | 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27996192A JP3590078B2 (ja) | 1992-10-19 | 1992-10-19 | 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06131634A JPH06131634A (ja) | 1994-05-13 |
JP3590078B2 true JP3590078B2 (ja) | 2004-11-17 |
Family
ID=17618346
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27996192A Expired - Fee Related JP3590078B2 (ja) | 1992-10-19 | 1992-10-19 | 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3590078B2 (ja) |
-
1992
- 1992-10-19 JP JP27996192A patent/JP3590078B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06131634A (ja) | 1994-05-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR19990013962A (ko) | 자기 저항 효과형 재생 헤드 및 그 재생 헤드를 탑재한 자기 디스크 장치 | |
JP2000113421A (ja) | 磁気トンネル接合磁気抵抗ヘッド | |
JPH1091920A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
JP3590078B2 (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド | |
US6031691A (en) | Magnetoresistance effect magnetic head and manufacturing method therefor | |
JPH06203333A (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド | |
JPH0845027A (ja) | 磁気抵抗効果素子及びその製造方法 | |
JP2664677B2 (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツド | |
JP3609104B2 (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド | |
JPH0719343B2 (ja) | 磁気抵抗型磁気ヘツドの製造方法 | |
JP3082003B2 (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法 | |
JPH08212521A (ja) | 磁気ヘッド | |
JP2861714B2 (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド及び磁気ディスク装置 | |
JPH061533B2 (ja) | マルチトラツク磁気抵抗型磁気ヘツド | |
JP3565925B2 (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
JP2583851B2 (ja) | 磁気抵抗型磁気ヘツド | |
JPS61287025A (ja) | 磁気抵抗効果型再生ヘツド | |
JPS62102411A (ja) | 磁気抵抗効果ヘツド | |
JPH06203332A (ja) | 複合型薄膜磁気ヘッド | |
JPH07110921A (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド | |
JPH08249617A (ja) | スピンバルブ磁気抵抗効果素子 | |
JPH0256713A (ja) | 磁気抵抗効果型再生ヘッド | |
JP3578777B2 (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法 | |
JP2863543B2 (ja) | 磁気ヘッド | |
JPS6371914A (ja) | 再生ヘツド |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20021217 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040714 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040819 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080827 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090827 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |