KR970060447A - 반도체 소자의 아이솔레이션 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 아이솔레이션 방법을 개시한다. 개시된 본 발명은 반도체 기판상에 패드 산화막, 폴리실리콘막, 질화막을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 질화막 상부에 소정 크기의 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴에 의하여 상기 질화막과 폴리실리콘막의 소정 깊이만큼 식각하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계; 상기 질화막이 존재하지 않는 부분을 산화하여 필드 산화막을 형성하는 단계; 상기 질화막을 마스크로 하여 성장된 필드 산화막의 소정 부분을 식각하는 단계; 상기 구조물 상부에 제1산화막을 형성하는 단계; 상기 제1산화막을 이방성 식각하여 식각이 이루어진 필드 산화막의 측벽부에 스페이서를 형성하는 단계; 상기 스페이서를 마스크로 하여 기판 영역을 소정 깊이만큼 식각하는 단계; 전체 구조 상부에 제2산화막을 형성하는 단계; 상기 제2산화막을 하부의 질화막이 노출될 때 까지 제거하는 단계; 및 상기 잔존하는 질화막과 폴리실리콘막 및 패드 산화막의 소정 부분을 제거하는 단계를 포함한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 (a) 내지 (e)는 본 발명에 따른 반도체 소자의 아이솔레이션 방법을 설명하기 위한 도면.
Claims (10)
- 반도체 기판상에 패드 산화막, 폴리실리콘막, 질화막을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 질화막 상부에 소정 크기의 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴에 의하여 상기 질화막과 폴리실리콘막의 소정 깊이만큼 식각하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계; 상기 질화막이 존재하지 않는 부분을 산화하여 필드 산화막을 형성하는 단계; 상기 질화막을 마스크로 하여 성장된 필드 산화막의 소정 부분을 식각하는 단계; 상기 구조를 상부에 제1산화막을 형성하는 단계; 상기 제1산화막을 이방성 식각하여 식각이 이루어진 필드 산화막의 측벽부에 스페이서를 형성하는 단계; 상기 스페이서를 마스크로 하여 하부의 기판 영역을 소정 깊이 만큼 식각하는 단계; 전체 구조 상부에 제2산화막을 형성하는 단계; 상기 제2산화막을 하부의 질화막이 노출될 때까지 제거하는 단계; 및 상기 잔존하는 질화막과 폴리실리콘막 및 패드 산화막의 소정 부분을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 아이솔레이션 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 포토레지스트 패턴에 의하여 상기 질화막과 폴리실리콘막의 제거단계에서, 상기 질화막은 포토레지스트 패턴에 의하여 노출된 부분 모두 제거하고, 폴리실리콘막은 하부의 패드 산화막으로부터 200 내지 300A 정도 잔존하도록 식각하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 아이솔레이션 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 필드 산화막은 1800 내지 2200A의 높이를 갖도록 산화하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 아이솔레이션 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1산화막은 저압 화학 기상 중착법에 의한 TEOS 산화막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 아이솔레이션 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 제1산화막의 두께는 1800 내지 2200A인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 아이솔레이션 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 필드 산화막 측벽의 스페이서의 폭은 0.1 내지 0.2㎛인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 아이솔레이션 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 스페이서를 마스크로 하여 식각되는 기판의 깊이는 0.1 내지 0.3㎛인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 아이솔레이션 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2산화막은 저압 화학 기상 중착방법에 의한 IITO막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 아이솔레이션 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 제2산화막은 두께는 6000 내지 7000A인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 아이솔레이션 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2산화막을 질화막이 노출될때 까지 제거하는 방법은 CMP 방법에 의하여 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 아이솔레이션 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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