KR970054446A - 반도체소자 및 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체소자 및 제조방법에 관한 것으로, 소오스/드레인 접합의 모서리부분에 불순물영역을 형성하여 펀치스루우 전압을 향상시키므로써 고내압특성을 갖도록 한 것이다.
본 발명에 따른 반도체소자는 반도체기판; 상기 반도체기판에 형성되고 활성영역과 필드영역을 정의해 주는 필드산화막; 상기 활성영역의 반도체기판에 형성된 게이트 절연막과 상기 게이트 절연막상에 형성된 게이트전극; 상기 게이트전극 양측의 반도체기판에 형성되는 제 1 불순물영역들; 상기 제 1 불순물영역들의 서로 대향되는 각 측면에 형성된 제 2 및 제 3 불순물영역들; 상기 제 1 불순물영역들이 형성된 반도체기판상에 형성된 제 4 불순물영역들을 포함하여 구성된다.
또한 본 발명에 따른 반도체소자의 제조방법은 반도체기판을 준비하는 단계; 상기 반도체기판에 활성영역과 필드영역을 정의해주는 필드산화막을 형성하는 단계; 상기 활성영역상에 절연막을 증착하는 단계; 상기 절연막위에 제 1 불순물이온을 주입하여 반도체기판에 제 1 불순물영역들을 격리형성하는 단계; 상기 절연막위에 금속층을 증착하고, 상기 금속층과 상기 절연막을 선택적으로 제거하여 게이트전극과 게이트절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트전극을 마스크로 하여 상기 반도체기판에 제 2 불순물이온을 주입하여 제 2 불순물영역들을 형성하는 단계; 상기 게이트전극 및 게이트 절연막 측면에 측벽을 형성하는 단계; 상기 측벽 및 게이트전극을 마스크로 하여 상기 반도체기판에 제 3 불순물이온을 주입하여 제 3 불순물영역들을 형성하는 단계; 상기 측벽 양측의 반도체기판에 제 4 불순물이온을 주입하여 제 4 불순물영역들을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.

Description

반도체소자 및 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 반도체소자의 단면도.

Claims (14)

  1. 반도체기판; 상기 반도체기판에 형성되고 활성영역과 필드영역을 정의해주는 필드산화막; 상기 활성영역의 반도체기판에 형성된 게이트 절연막과 상기 게이트 절연막상에 형성된 게이트전극; 상기 게이트전극 양측의 반도체기판에 형성되는 제 1 불순물영역들; 상기 제 1 불순물영역들의 서로 대향되는 각 측면에 형성된 제 2 및 제 3 불순물영역들; 상기 제 1 불순물영역들이 형성된 반도체기판상에 형성된 제 4 불순물영역들을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제 2 및 제 3 불순물영역들은 서로 연결된 것을 특징으로 하는 반도체소자.
  3. 반도체기판을 준비하는 단계; 상기 반도체기판에 활성영역과 필드영역을 격리형성하는 필드산화막을 형성하는 단계; 상기 활성영역상에 절연막을 증착하는 단계; 상기 절연막위에 제 1 불순물이온을 주입하여 반도체기판에 제 1 불순물영역들을 격리형성하는 단계; 상기 절연막위에 금속층을 증착하고 상기 금속층과 상기 절연막을 선택적으로 제거하여 게이트전극과 게이트절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트전극을 마스크로 하여 상기 반도체기판에 제 2 불순물이온을 주입하여 제 2 불순물영역들을 형성하는 단계; 상기 게이트전극 및 게이트 절연막 측면에 측벽을 형성하는 단계; 상기 측벽 및 게이트전극을 마스크로 하여 상기 반도체기판에 제 3 불순물이온을 주입하여 제 3 불순물영역들을 형성하는 단계; 상기 측벽 양측의 반도체기판에 제 4 불순물이온을 주입하여 제 4 불순물영역들을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
  4. 제3항에 있어서, 제 2 및 제 3 불순물영역들은 동일 도전성을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
  5. 제3항에 있어서, 상기 제 2 및 제 3 불순물영역들은 상기 제 1 불순물영역들과 반대도전성을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
  6. 제3항에 있어서, 상기 제 2 불순물영역들은 제 3 불순물영역들보다 불순물농도가 낮은 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
  7. 제3항에 있어서, 상기 제 4 불순물영역들은 제 1 불순물영역들과 동일 도전성을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
  8. 제3항에 있어서, 상기 제 4 불순물영역들은 제 1 불순물영역들보다 불순물농도가 높은 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
  9. 제3항에 있어서, 상기 제 1 불순물이온주입시에 인(P)을 약 150KeV 이온주입에너지와 2.0e12/㎠ 도우즈량으로 주입하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
  10. 제3항에 있어서, 상기 제 2 불순물이온주입시에 보론(B)을 약 150KeV의 이온주입에너지와 6.5e11/㎠ 도우즈량으로 주입하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
  11. 제3항에 있어서, 상기 제 2 불순물이온은 약 250°틸트각도로 주입하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
  12. 제3항에 있어서, 상기 제 3 불순물이온주입시에 보론(B)을 약 150KeV의 이온주입에너지와 6.0e11/㎠ 도우즈량으로 주입하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
  13. 제3항에 있어서, 상기 제 3 불순물이온은 약 30°틸트각도로 주입하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
  14. 제3항에 있어서, 상기 제 4 불순물이온주입시에 인(P)을 약 65KeV의 이온주입에너지와 2.0e13/㎠ 도우즈량으로 주입하고, As를 다시 약 80KeV의 이온주입에너지와 4.5e15/㎠ 도우즈량으로 주입하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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