KR920020631A - 반도체 장치의 다결정 실리콘층 식각방법 - Google Patents
반도체 장치의 다결정 실리콘층 식각방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR920020631A KR920020631A KR1019910005469A KR910005469A KR920020631A KR 920020631 A KR920020631 A KR 920020631A KR 1019910005469 A KR1019910005469 A KR 1019910005469A KR 910005469 A KR910005469 A KR 910005469A KR 920020631 A KR920020631 A KR 920020631A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- silicon layer
- polycrystalline silicon
- gas
- etching method
- plasma state
- Prior art date
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 (가)-(다)는 본 발명의 식각방법을 보인 공정도.
Claims (10)
- 기판(11)에 실리콘 산화막(12)이 형성되고, 그 실리콘 산화막(12)에 형성된 다결정 실리콘층(13)의 표면에 포토 레지스트(14)를 도포한 후 다결정 실리콘층(13)을 식각하는 반도체 장치의 다결정 실리콘층 식각방법에 있어서, 플라즈마 상태에서 다결정 실리콘층(13)을 초벌식각하여 표면의 일부를 제거하고, 메인식각을 수행하여 나머지 다결정 실리콘층(13)을 모두 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 다결정 실리콘층 식각방법.
- 제1항에 있어서, 초벌식각시 플라즈마 상태는, Cl2가스, SF6가스 및 He가스를 베이스로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 다결정 실리콘층 식각방법.
- 제2항에 있어서, 초벌식각시 플라즈마 상태는, Cl2가스를 10∼20 sccm, SF6가스를 150∼200 sccm 및 He 0∼50sccm로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 다결정 실리콘층 식각방법.
- 제1항에 있어서, 초벌식각시 플라즈마 상태는, Cl2가스 및 SF6가스를 베이스로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 다결정 실리콘층 식각방법.
- 제1항에 있어서, 초벌식각시 플라즈마 상태는, HCl2가스, SF6가스 및 He가스를 베이스로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 다결정 실리콘층 식각방법.
- 제1항에 있어서, 초벌식각시 플라즈마 상태는, HCl2가스 및 SF6가스를 베이스로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 다결정 실리콘층 식각방법.
- 제1항에 있어서, 초벌식각시 플라즈마 상태는, SF6가스 및 HE가스를 베이스로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 다결정 실리콘층 식각방법.
- 제1항에 있어서, 초벌식각시 플라즈마 상태에서의 식각률이 5000∼7000Å/min인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 다결정 실리콘층 식각방법.
- 제1항에 있어서, 초벌식각은, 500∼1500Å정도 식각하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 다결정 실리콘층 식각방법.
- 제1항에 있어서, 초벌식각시 플라즈마 상태는, 전극간격을 0.6∼1.5㎝로 하고, 고주파 전력을 100∼400W로 하며, 진공압력을 250×10-3∼550×10-3Torr가 되게하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 다결정 실리콘층 식각방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910005469A KR100194653B1 (ko) | 1991-04-04 | 1991-04-04 | 반도체 장치의 다결정 실리콘층 식각방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910005469A KR100194653B1 (ko) | 1991-04-04 | 1991-04-04 | 반도체 장치의 다결정 실리콘층 식각방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920020631A true KR920020631A (ko) | 1992-11-21 |
| KR100194653B1 KR100194653B1 (ko) | 1999-06-15 |
Family
ID=67400533
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910005469A KR100194653B1 (ko) | 1991-04-04 | 1991-04-04 | 반도체 장치의 다결정 실리콘층 식각방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100194653B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100596537B1 (ko) * | 2004-12-28 | 2006-07-06 | 정인용 | 가정용 자연 건조기 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI490943B (zh) * | 2010-01-26 | 2015-07-01 | Ulvac Inc | 乾式蝕刻方法 |
-
1991
- 1991-04-04 KR KR1019910005469A patent/KR100194653B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100596537B1 (ko) * | 2004-12-28 | 2006-07-06 | 정인용 | 가정용 자연 건조기 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100194653B1 (ko) | 1999-06-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR890015378A (ko) | 다결정 실리콘층 에칭방법 | |
| KR950020974A (ko) | 집적회로장치 제조방법 | |
| AU1602299A (en) | High selectivity etching process for oxides | |
| KR930014829A (ko) | 에칭방법 | |
| KR920020631A (ko) | 반도체 장치의 다결정 실리콘층 식각방법 | |
| KR970077353A (ko) | 반도체 디바이스의 제조 방법 | |
| KR19990063182A (ko) | 에칭방법 | |
| TW374203B (en) | A method for forming a fine contact hole in a semiconductor device | |
| KR970077209A (ko) | 반도체 소자의 콘택 홀 형성 방법 | |
| KR920018858A (ko) | 실리콘 함유층의 에칭방법 | |
| KR960035829A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR970005674B1 (en) | Amorphous silicon mask for porous silicon selective growth | |
| KR980005550A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법 | |
| KR920005300A (ko) | 다면구조 금속배선 형성방법 | |
| KR930024106A (ko) | 반도체 소자의 콘택형성방법 | |
| KR940016508A (ko) | 경사면을 갖는 반도체 소자의 콘택 제조 방법 | |
| KR960005865A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR940016470A (ko) | 경사면을 갖는 콘택홀 형성방법 | |
| KR980005587A (ko) | 반도체 소자의 콘택 홀 형성 방법 | |
| KR970053822A (ko) | 반도체소자의 커패시터 제조방법 | |
| KR960002573A (ko) | 반도체소자의 금속배선 제조방법 | |
| KR940015709A (ko) | 반도체 소자의 알루미늄 배선 식각 방법 | |
| KR950015779A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 표면 가공방법 | |
| KR970003488A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR900003976A (ko) | 반도체장치의 금속배선막 형성방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20080201 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |