KR970029864A - 비휘발성 메모리 장치의 스냅 프로그래밍 프리콘디셔닝 공정 - Google Patents

비휘발성 메모리 장치의 스냅 프로그래밍 프리콘디셔닝 공정 Download PDF

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KR970029864A
KR970029864A KR1019960055542A KR19960055542A KR970029864A KR 970029864 A KR970029864 A KR 970029864A KR 1019960055542 A KR1019960055542 A KR 1019960055542A KR 19960055542 A KR19960055542 A KR 19960055542A KR 970029864 A KR970029864 A KR 970029864A
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memory cells
memory
array
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Application number
KR1019960055542A
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English (en)
Inventor
숭-웨이 린
팀 엠. 코프만
Original Assignee
윌리엄 이. 힐러
텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드
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Publication date
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    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory

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Abstract

플로팅-게이트형 메모리 셀(10)의 행 및 열을 가지는 비휘발성 메모리 장치를 이레이즈 하기 이전에 사용되고 프리콘디셔닝 공정은 적어도 하나의 프로그래밍 펄스로 메모리 셀의 어레이내의 모든 메모리 셀(10)을 연속적으로 프로그래밍하는 단계 및 연속 프로그래밍 단계 이후에 연속 프로그래밍 단계에서 메모리 셀(10)이 프로그램된지 여부를 검증하는 단계를 포함한다.

Description

비휘발성 메모리 장치의 스냅 프로그래밍 프리콘디셔닝 공정
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 비휘발성 메모리 셀 어레이의 부분 블록 형태를 전기적으로 도식화한 도면.

Claims (16)

  1. 플로팅-게이트형 (floating-gate type)메모리 셀의 행 및 열을 가지는 비휘발성 메모리 장치를 이레이즈(erase)하기 이전에 사용되는 프로콘디셔닝(preconditioning)공정에 있어서, 상기 공정은 적어도 하나의 프로그래밍 펄스로 상기 메모리 셀의 어레이내의 모든 메모리 셀을 연속적으로 프로그래밍하는 단계; 및 상기 연속 프로그래밍 단계 이후에, 상기 어레이내의 상기 메모리 셀이 상기 연속 프로그래밍 단계 동안 프로그램되는 지를 검증하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로콘디셔닝 공정.
  2. 제1항에 있어서, 상기 연속 프로그래밍 단계는 한 번에 8개의 메모리 셀에 대해 수행되는 것을 특징으로 하는 프로콘디셔닝 공정.
  3. 제1항에 있어서, 상기 프로그램 검증 단계 이후에, 프로그램된 것으로 검증되지 않은 메모리 셀을 재프로그램하도록 시도하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로콘디셔닝 공정.
  4. 제1항에 있어서, 각각의 상기 메모리 셀은 제어 게이트를 포함하며, 상기 프로그램 단계는 상기 제어 게이트에 프로그램이 전압을 결합하는 단계를 포함하며, 상기 프로그래밍 전압 소스는 메모리 장치 상의 전하 펌프 회로(charge pump circuit) 인 것을 특징으로 하는 프로콘디셔닝 공정.
  5. 제4항에 있어서, 상기 전하 펌프는 상기 프로그래밍 전압에 도달하기 이전의 시간에 시간 지연을 가지는 것을 특징으로 하는 프로콘디셔닝 공정.
  6. 제1항에 있어서, 각각의 상기 메모리 셀이 소스-드레인 경로를 가지고, 상기 열 내의 상기 소스-드레인 경로는 병렬로 연결되는 것을 특징으로 하는 프로콘디셔닝 공정.
  7. 제1항에 있어서, 상기 메모리 장치는 플래쉬-이레이즈 가능한 장치인 것을 특징으로 하는 프로콘디셔닝 공정.
  8. 제1항에 있어서, 상기 어레이는 메모리 셀의 한 열인 것을 특징으로 하는 프로콘디셔닝 공정.
  9. 메모리 셀의 행 및 열을 가지는 장치를 플레쉬 러에이즈하기 이전에 비휘발성 메모리 장치의 모든 셀을 프로그래밍하기 위한 방법에 있어서; 상기 메모리 셀의 어레이내의 모든 메모리 셀에 적어도 하나의 프로그래밍 펄스를 인가하는 단계; 및 다음으로 상기 어레이내의 각각의 상기 메모리가 상기 프로그래밍 펄스에 의해 프로그램 된지 여부를 결정하도록 검증하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 프로그래밍 펄스가 한 번에 8개의 메모리 셀에 인가되는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제9항에 있어서, 상기 프로그램 검증 단계 이후에 프로그램된 것으로 검증되진 않은 메모리 셀을 재프로그램하는 것을 시도하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제9항에 있어서, 각각의 상기 메모리 셀은 제어 게이트를 포함하고 상기 프로그래밍 단계는 프로그래밍 전압을 상기 제어 게이트에 결합하는 단계를 포함하며, 상기 프로그래밍 전압 소스는 상기 메모리 장치 상의 전압 펌프인 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 전하 펌프는 상기 프로그래밍 전압에 도달하기 이전의 시간에 시간 지연을 가지는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제9항에 있어서, 각각의 상기 메모리 셀은 소스-드레인 경로를 가지며, 상기 열내의 상기 메모리 셀의 소스-드레인 경로는 병렬로 결합되는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제9항에 있어서, 상기 메모리 장치는 플래쉬-이레이즈 가능한 장치인 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제9항에 있어서, 상기 어레이는 메모리 셀의 한 열인 것을 특징으로 하는 방법.
KR1019960055542A 1995-11-21 1996-11-20 비휘발성 메모리 장치의 스냅 프로그래밍 프리콘디셔닝 공정 KR970029864A (ko)

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