KR970029740A - 고전위 발생기 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 기억장치의 고전위 발생기에 관한 것으로, 외부전원과 내부전원을 사용하는 디바이스에서 동작전압구간내에서는 전하펌프회로를 동작시키지 않고 상기 외부전압으로 하여금 직접 고전위를 공급하도록 하고, 그외의 전압구간에서는 상기 전하펌프회로에서 생성된 고전위를 사용함으로써 파워소모를 줄이게 하였다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 제1실시예에 따른 고전위 발생기의 블럭도.
제3도는 제2도에 도시된 동작전압 검출부의 회로도.
제4도는 제2도에 도시된 번-인 테스트 전압 검출부의 회로도.
제5도는 제2도에 도시된 검출기 드라이버부의 회로도.
Claims (14)
- 고전위(Vpp) 전압레벨을 감지한 신호를 링 오실레이터부로 출력하는 고전위 검출수단과, 파워-업 신호가 액티브될 때 전위레벨을 감지한 상기 고전위 검출수단의 출력 신호에 의해 펄스 신호를 발생하는 링 오실레이터와, 상기 링 오실레이터로부터의 펄스 신호에 의해 고전위 펌프 수단의 전하 펌핑 동작을 제어하기 위한 펌프 제어수단과, 상기 펌프 제어수단으로부터 출력된 신호에 의하여 출력단자로 전하를 펌핑시켜 주기 위한 고전위 펌프 수단을 포함하는 반도체 기억창치의 고전위 발생기에 있어서, 외부전압(Vext)이 동작전압구간내에 진입하는 것을 감지한 신호를 출력하는 동작전압 검출수단과, 상기 외부전압이 동작전압구간 이상일때 이를 감지한 신호를 출력하는 번-인 테스트 전압 검출수단과, 상기 외부전압을 상기 출력단자로 전달시켜 주는 스위치 수단과, 상기 동작전압 검출수단 및 번-인 테스트 전압 검출수단으로부터의 출력신호에 따라 상기 고전위검출수단 또는 스위치 수단을 선택하여 동작시키는 검출기 드라이버 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 고전위 발생기.
- 제1항에 있어서, 상기 동작전압 검출수단은, 외부전압(Vext) 및 노드(N1) 사이에 접속되며 게이트가 전원전압(Vcc)에 연결된 PMOS트랜지스터(MP1)와, 전원전압 및 노드(N2) 사이에 접속되며 게이트가 접지전압에 연결된 PMOS트랜지스터(MP2)와, 상기 노드(N1,N2) 및 접지전압(Vss) 사이에 각각 접속되며 게이트가 공통으로 상기 노드(N1)에 연결된 NMOS트랜지스터(MN1,MN2)와, 상기 노드(N2) 및 츨력노드(N3) 사이에 짝수 개로 접속된 인버터로 구성됨을 특징으로 하는 고전위 발생기.
- 제2항에 있어서, 상기 인버터는 적어도 한개 이상의 홀수 개로 구성된 것을 특징으로 하는 고전위 밭생기.
- 제1항에 있어서, 상기 번-인 테스트 전압 검출수단은, 외부전압(Vext) 및 노드(N4) 사이에 접속되며 게이트가 전원전압에 연결된 PMOS트랜지스터(MP3)와, 전원전압 및 노드(N5) 사이에 접속되며 게이트가 접지전압에 연결된 PMOS트랜지스터(MP4)와, 상기 노드(N4,N5) 및 접지전압 사이에 각각 접속되며 게이트가 상기 노드(N4)에 공통으로 연결된 NMOS트랜지스터(MN3,MN4)와, 상기 노드(N5) 및 출력노드(N6) 사이에 적어도 한개 이상의 홀수 개로 접속된 인버터로 구성된 것을 특징으로 하는 고전위 발생기.
- 제4항에 있어서, 상기 인버터는 짝수 개로 구성된 것을 특징으로 하는 고전위 발생기.
- 제1항에 있어서, 상기 스위치 수단은, 상기 검출기 드라이버 수단으로부터의 출력신호(detecter)를 입력하는 노드(N9)와, 상기 노드(N9) 및 노드(N10) 사이에 접속된 인버터(G2)와, 전원전압 및 노드(N11) 사이에 접속되며 게이트가 노드(N12)에 연결된 PMOS트랜지스터(MP5)와, 전원전압 및 노드(N12) 사이에 접속되며 게이트가 상기 노드(N11)에 연결된 PMOS트랜지스터(MP6)와, 상기 노드(N11) 및 접지전압 사이에 접속되며 게이트가 상기 노드(N10)에 연결된 NMOS트랜지스터(MN5)와, 상기 노드(N12) 및 접지전압 사이에 접속되며 게이트에 상기 노드(N10)의 전위가 반전된 신호를 입력하는 NMOS트랜지스터(MN6)와, 전원전압 및 노드(N13) 사이에 접속되며 게이트가 상기 노드(N12)에 연결된 PMOS트랜지스터(MP7)와, 상기 노드(N13) 및 접지전압 사이에 접속되며 게이트가 상기 노드(N12)에 연결된 NMOS트랜지스터(MN7)와, 고전위(Vpp) 및 노드(N14) 사이에 접속되며 게이트에 상기 노드(N9)가 연결된 PMOS트랜지스터(MP8)와, 상기 노드(N14) 및 외부전압(Vext) 사이에 접속되며 게이트가 상기 노드(N13)에 연결된 PMOS트랜지스터(MP9)로 구성된 것을 특징으로 하는 고전위 발생기.
- 제1항에 있어서, 상기 검출기 드라이버 수단은, 상기 동작전압 검출부(22) 및 번-인 테스트 전압 검출부(23)로부터의 출력신호(N3,N6)를 입력으로 하여 NOR연산한 값을 노드(N7)로 출력하는 NOR게이트(G1)와, 상기 노드(N7) 및 출력노드(N8) 사이에 적어도 한개 이상의 홀수 개로 접속된 인버터로 구성된 것을 특징으로 하는 고전위 발생기.
- 제7항에 있어서, 상기 검출기 드라이버 수단은, 상기 NOR게이트(G1) 대신에 NAND게이트를 사용하고, 상기 인버터는 짝수 개로 구성된 것을 특징으로 하는 고전위 발생기.
- 제1항에 있어서, 상기 고전위 검출수단은, 상기 외부전압(Vext) 및 노드(N15) 사이에 접속되며 게이트에 전원전압이 인가되는 PMOS트랜지스터(MP10)와, 전원전압 및 노드(N17) 사이에 접속되며 게이트가 접지전압에 연결된 PMOS트랜지스터(MP11)와, 상기 노드(N15,N17) 및 노드(N16,N19) 사이에 각각 접속되며 게이트가 공통으로 상기 노드(N15)에 연결된 NMOS프랜지스터(MN18,MN19)와, 상기 노드(N16,N19) 및 접지전압 사이에 접속되며 게이트에 상기 검출기 드라이버 수단으로부터의 출력신호(detecter)가 인가되는 NMOS트랜지스터(MN10, MN11)와, 상기 노드(N17) 및 출력노드(N18) 사이에 접속된 짝수 개의 인버터로 구성된 것을 특징으로 하는 고전위 발생기.
- 제1항에 있어서, 상기 고전위 검출 수단은, 상기 외부전압(Vext) 및 노드(N21) 사이에 접속되며 게이트에 전원전압이 인가되는 PMOS트랜지스터(MP12)와, 전원전압 및 노드(N22) 사이에 접속되며 게이트가 접지전압에 연결된 PMOS트랜지스터(MP13)와, 상기 노드(N21,N22) 및 노드(N24) 사이에 접속되며 게이트가 공통으로 상기 노드(N21)에 연결된 NMOS트랜지스터(MN12,MNl3)와, 상기 노드(N24) 및 접지전압 사이에 접속되며 게이트에 상기 검출기 드라이버부(24)의 출력신호(detecter)가 인가되는 NMOS트랜지스터(MN4)와, 상기 노드(N22) 및 출력노드(N23) 사이에 짝수 개로 접속된 인버터로 구성된 것을 특징으로 하는 고전위 발생기.
- 고전위(Vpp) 전압레벨을 감지한 신호를 링 오실레이터로 출력하는 고전위 검출수단과, 파워-업 신호가 액티브될 때 전위레벨을 감지한 상기 고전위 검출수단의 출력 신호에 의해 펄스 신호를 발생하는 링 오실레이터와, 상기 링 오실레이터로부터의 펄스 신호에 의해 고전위 펌프 수단의 전하 펌핑 동작을 제어하기 위한 펌프 제어수단과, 상기 펌프 제어수단으로부터 출력된 신호에 의하여 출력단자로 전하를 펌핑시켜 주기위한 고전위 펌프 수단을 포함하는 반도체 기억장치의 고전위 발생기에 있어서, 외부전압(Vext)이 동작전압구간내에 진입하는 것을 감지한 신호를 출력하는 번-인 테스트 전압 검출수단과, 상기 외부전압을 상기 출력단자로 전달시켜주는 스위치 수단과, 상기 동작전압 검출수단 및 번-인 테스트 전압 검출수단으로부터의 출력신호에 따라 상기 링 오실레이터 또는 스위치 수단을 선택하여 동작시키는 오실레이터 드라이버 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 고전위 발생기.
- 제11항에 있어서, 상기 스위치 수단은, 상기 오실레이터 드라이버 수단으로부터의 출력신호(in)를 입력하는 노드(N33)와, 전원전압 및 노드(N34) 사이에 접속되며 게이트가 노드(N35)에 연결된 PMOS트랜지스터(MP18)와, 상기 전원전압 및 노드(N35) 사이에 접속되며 게이트가 상기 노드(N34)에 연결된 PMOS트랜지스터(MP19)와, 상기 노드(N34) 및 접지전압 사이에 접속되며 게이트가 상기 노드(N33)에 연결된 NMOS트랜지스터(MNl9)와, 상기 노드(N35) 및 접지전압 사이에 접속되며 게이트에 상기 노드(N33)의 전위가 반진된 신호를 입력하는 NMOS트랜지스터(MN20)와, 전원전압 및 노드(N36) 사이에 접속되며 게이트가 상기 노드(N35)에 연결된 PMOS트랜지스터(MP20)와, 상기 노드(N36) 및 접지전압사이에 접속되며 게이트가 상기 노드(N35)에 연결된 NMOS트랜지스터(MN21)와, 고전위(Vpp) 및 노드(N37) 사이에 접속되며 게이트에 상기 노드(N33)의 전위가 반전된 신호를 입력하는 PMOS트랜지스터(MP21)와, 상기 노드(N37) 및 외부전압(Vext) 사이에 접속되며 게이트가 상기 노드(N36)에 연결된 PMOS트랜지스터(MP22)로 구성된 것을 특징으로 하는 고전위 발생기.
- 제11항에 있어서, 상기 오실레이터 드라이버 수단은, 상기 동작전압 검출수단 및 번-인 테스트 전압검출수단으로터의 츨력신호(N27,N30)를 입력으로 하여 NAND연산한 값을 노드(N31)로 출력하는 MOR게이트(G4)와, 상기 노드(N31) 및 출력노드(N32) 사이에 적어도 한개 이상의 홀수 개로 접속된 인버터로 구성된 것을 특징으로 하는 고전위 발생기.
- 제11항에 있어서, 상기 링 오실레이터는, 상기 오실레이터 드라이버 수단으로부터의 출력신호(N32)와 상기 고전위 검출수단으로부터의 출력신호(ose_in) 및 노드(N39)를 입력으로 하여 NOR연산한 값을 노드(N40)으로 출력하는 NOR게이트(G7)와, 상기 노드(N40) 및 노드(N39) 사이에 홀수 개로 접속된 인버터와, 상기 노드(N40) 및 제1출력노드(N41) 사이에 접속된 인버터(G8)와, 상기 제1출력노드(N41) 및 제2출력노드(N42) 사이에 접속된 인버터(G9)로 구성된 것을 특징으로 하는 고전위 발생기.※ 참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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