KR970023800A - 폴리싱포의 드레싱방법 및 장치 - Google Patents
폴리싱포의 드레싱방법 및 장치 Download PDFInfo
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract 42
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- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims abstract 17
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims abstract 17
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract 11
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims 4
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Abstract
본 발명은 폴리싱포의 드레싱방법 및 장치에 관한 것으로서, 턴테이블에 장착된 폴리싱포는 드레서에 의해 드레싱되어 폴리싱포의 폴리싱능력이 복원된다. 드레서는 드레서몸체, 및 전착되는 다이아몬드입자로 만들어져 상기 드레서몸체에 제공되는 환상의 다이아몬드입자층을 포함한다. 교호적으로. 드레서는 드레서몸체 및 상기 드레서몸체에 제공되는 SiC층을 포함한다. 턴테이블 및 드레서가 회전하는 동안 다이아몬드입자층 또는 SiC층이 폴리싱포와 접촉하게 됨으로써 폴리싱포의 드레싱이 수행된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
도 2A는 본 발명의 제1실시예의 드레서를 도시한 저면도,
도 2B는 도 2A의 A-A선의 단면도,
도 2C는 도 2B의 B부분의 확대도.
Claims (24)
- 턴테이블에 장착된 폴리싱포를 드레싱하는 방법에 있어서; 드레서몸체, 및 전착되는 다이아몬드입자로 만들어져 상기 드레서몸체에 제공되는 환상의 다이아몬드입자층을 포함하는 드레서를 제공하는 단계; 및 상기 턴테이블 및 상기 드레서가 회전하는 동안 상기 환상의 다이아몬드입자층을 상기 폴리싱포에 대하여 가압함으로써 상기 폴리싱포를 드레싱하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱포의 드레싱방법.
- 제1항에 있어서, 상기 폴리싱포는 폴리우레탄 품을 포함하는 것을 특징으로 하는 플리싱포의 드레싱방법.
- 제1항에 있어서, 상기 환상의 다이아몬드입자층은 10내지 40㎛범위의 크기인 다수의 다이아몬드입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱포의 드레싱방법.
- 제1항에 있어서, 상기 폴리싱포는 10 내지 40㎛ 범위의 표면조도로 드레싱되는 것을 특징으로 하는 플리싱포의 드레싱방법.
- 제1항에 있어서. 상기 플리싱포는, 폴리싱처리시 작업물과 접촉하는표면을 가지며, 상기 환상의 다이아몬드입자층에 의하여 방사상 선형적으로 벗겨지는 것을 특징으로 하는 폴리싱포의 드레싱방법.
- 제1항에 있어서. 상기 다이아몬드입자층의 내경은 상기 폴리싱포에 의하여 폴리싱되는 작업물의 직경보다 큰 것을 특징으로 하는 폴리싱포의 드레싱방법.
- 턴테이블에 장착된 폴리싱포를 드레싱하는 방법에 있어서; 드레서몸체, 및 상기 드레서몸체에 제공되는 SiC층을 포함하는 드레서를 제공하는 단계; 및 상기 턴테이블 및 상기 드레서가 회전하는 동안 상기 SiC층을 상기 폴리싱포에 대하여 가압함으로써 상기 폴리싱포를 드레싱하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱포의 드레싱방법.
- 제7항에 있어서, 상기 SiC층은 환상인 것을 특징으로 하는 폴리싱포의 드레싱방법.
- 제8항에 있어서, 상기 SiC층의 내경은 상기 폴리싱포에 의하여 폴리싱되는 작업물의 직경 보다 큰 것을 특징으로 하는 플리싱포의 드레싱방법.
- 제7항에 있어서, 상기 폴리싱포는 플리우레탄 폼을 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱포의 드레싱방법.
- 제7항에 있어서, 상기 SiC층에는 복수의 돌출부가 형성되며, 상기 폴리싱포는 10내지 40㎛범위의 표면조도로 드레싱되는 것을 특징으로 하는 폴리싱포의 드레싱 방법.
- 제7항에 있어서, 상기 폴리싱포는, 폴리싱처리시 작업물과 접촉하는표면을 가지며, 상기 SiC층에 의하여 방사상 선형적으로 벗겨지는 것을 특징으로 하는 폴리싱포의 드레싱 방법.
- 제12항에 있어서, 상기 작업물은 장치패턴을 갖는 반도체웨이퍼를 포함하며, 상기 폴리싱포상에 산성 연마액을 공급함으로써 폴리싱되는 것을 특징으로 하는 폴리싱포의 드레싱 방법.
- 턴테이블에 장착된 폴리싱포를 드레싱하는 장치에 있어서, 드레서몸체 및 전착되는 다이아몬드입자로 만들어져 상기 드레서몸체에 제공되는 환상의 다이아몬드입자층을 포함하는 드레서; 상기 드레서의 중심축선에 대하여 상기 드레서를 회전시키는 제1엑츄에이터; 및 상기 폴리싱포에 대하여 상기 드레서의 상기 환상의 다이아몬드입자층을 가압하는 제2엑츄에이터를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱포의 드레싱 장치.
- 제14항에 있어서, 상기 폴리싱포는 폴리우레탄 폼을 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱포의 드레싱 장치.
- 제14항에 있어서, 상기 환상의 다이아몬드입자층은 10 내지 40㎛ 범위의 크기인 다수의 다이아몬드입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱포의 드레싱장치.
- 제14항에 있어서, 상기 폴리싱포는 10내지 40㎛범위의 표면조도로 드레싱되는 것을 특징으로 하는 폴리싱포의 드레싱장치.
- 제14항에 있어서, 상기 폴리싱포는, 폴리싱처리시 작업물과 접촉하는표면을 가지며, 상기 환상의 다이아몬드입자층에 의하여 방사상 선형적으로 벗겨지는 것을 특징으로 하는 폴리싱포의 드레싱장치.
- 제14항에 있어서, 상기 다이아몬드입자층의 내경은 상기 폴리싱포에 의하여 폴리싱되는 작업물의 직경보다 큰 것을 특징으로 하는 폴리싱포의 드레싱장치.
- 턴테이블에 장착된 폴리싱포를 드레싱하는 장치에 있어서; 드레서몸체, 및 상기 드레서몸체에 제공되는 SiC층을 포함하는 드레서; 상기 드레서의 중심축선에 대하여 상기 드레서를 회전시키는 제1엑츄에이터; 및 상기 폴리싱포에 대하여 상기 드레서의 상기 SiC층을 가압하는 제2엑츄에이터를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱포의 드레싱장치.
- 제20항에 있어서, 상기 SiC층은 환상인 것을 특징으로 하는 폴리싱포의 드레싱 장치.
- 제21항에 있어서, 상기 Si층의 내경은 상기 폴리싱포에 의하여 폴리싱되는 작업물의 직경보다 큰 것을 특징으로 하는 폴리싱포의 드레싱장치.
- 제20항에 있어서, 상기 폴리싱포는 플리우레탄 폼을 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱포의 드레싱장치.
- 제29항에 있어서, 상기 SiC층에는 복수의 돌출부가 형성되며, 상기 플리싱포는 10 내지 40㎛ 범위의 표면조도로 드레싱 되는 것을 특징으로 하는 플리싱포의 드레싱장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7-296107 | 1995-10-19 | ||
JP7-296108 | 1995-10-19 | ||
JP29610795 | 1995-10-19 | ||
JP29610895 | 1995-10-19 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970023800A true KR970023800A (ko) | 1997-05-30 |
Family
ID=26560533
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019960046816A KR970023800A (ko) | 1995-10-19 | 1996-10-18 | 폴리싱포의 드레싱방법 및 장치 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0769350A1 (ko) |
KR (1) | KR970023800A (ko) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1007278A1 (de) * | 1997-08-29 | 2000-06-14 | Infineon Technologies AG | Vorrichtung und verfahren zum bearbeiten von polierpads, insbesondere poliertüchern |
US6551176B1 (en) * | 2000-10-05 | 2003-04-22 | Applied Materials, Inc. | Pad conditioning disk |
US6899612B2 (en) * | 2003-02-25 | 2005-05-31 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Polishing pad apparatus and methods |
US9802293B1 (en) | 2016-09-29 | 2017-10-31 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method to shape the surface of chemical mechanical polishing pads |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6368360A (ja) * | 1986-09-08 | 1988-03-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体ウエ−ハの研磨方法 |
JP3036348B2 (ja) * | 1994-03-23 | 2000-04-24 | 三菱マテリアル株式会社 | ウェーハ研磨パッドのツルーイング装置 |
US5486131A (en) * | 1994-01-04 | 1996-01-23 | Speedfam Corporation | Device for conditioning polishing pads |
JP2914166B2 (ja) * | 1994-03-16 | 1999-06-28 | 日本電気株式会社 | 研磨布の表面処理方法および研磨装置 |
-
1996
- 1996-10-18 KR KR1019960046816A patent/KR970023800A/ko not_active Application Discontinuation
- 1996-10-18 EP EP96116818A patent/EP0769350A1/en not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0769350A1 (en) | 1997-04-23 |
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