KR970017668A - 반도체 불휘발성 기억장치 및 그것을 사용한 컴퓨터시스템 - Google Patents
반도체 불휘발성 기억장치 및 그것을 사용한 컴퓨터시스템 Download PDFInfo
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Abstract
임계값전압을 전기적으로 리라이트하는 것이 가능한 트랜지스터로 이루어지는 반도체 불휘발성 기억장치에 관한 것으로서, 전기적 리라이트가 가능한 반도체 불휘발성 기억장치에 있어서 장치내부에서 2개의 기억정보에 대응하는 메모리셀의 임계값전압의 분포를 억제하고 리라이트 내성을 향상시킨 반도체 불휘발성 기억장치 및 그것을 사용한 컴퓨터시스템을 제공하기 위해, 반도체 불휘발성 기억장치의 리라이트(라이트 또는 소거) 동작 후에 있어서 반도체 불휘발성 기억장치의 메모리셀 중 임계값전압이 검증워드선전압에 도달하고 있지 않은 메모리셀에 대해서 리라이트동작이 계속되고, 그것에 따라서 반도체 불휘발성 기억장치의 리라이트 내성이 향상한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 1실시예에 의한 반도체 블휘발성 기억장치의 라이트 동작의 흐름도,
제21도는 본 발명의 1실시예에 의한 반도체 불휘발성 기억장치를 사용한 PC(퍼스널 컴퓨터)카드를 도시한 블럭도.
Claims (5)
- 각각이 제어게이트, 드레인 및 소오스를 갖는 여러개의 불휘발성 반도체 메모리셀, 상기 여러개의 불휘발성 반고체 메모리셀의 제어게이트가 공통으로 접속된 워드선 및 상기 여러개의 불휘발성 반도체 메모리셀의 드레인이 각각 접속된 여러개의 비트선을 갖고, 상기 여러개의 불휘발성 반도체 메모리셀에 대해서 라이트를 실행했을 때 상기 라이트가 불충분한 불휘발성 반도체 메모리셀에 대해서만 상기 라이트가 계속되도록 제어하는 반도체 불휘발성 기억장치에 있어서, 상기 여러개의 불휘발성 반도체 메모리셀에 대해서 소거를 실행했을 때, 상기 소거가 불충분한 불휘발성 반도체 메모리셀에 대해서만 상기 소거가 계속되도록 제어하는 수단을 구비하는 반도체 불휘발성 기억장치.
- 각각이 제어게이트, 드레인 및 소오스를 갖는 여러개의 불휘발성 반도체 메모리셀, 상기 여러개의 불휘발성 반도체 메모리셀의 제어게이트가 공통으로 접속된 워드선, 상기 여러개의 불휘발성 반도체 메모리셀의 드레인이 각각 접속된 여러개의 비트선 및 상기 여러개의 1비트선에 각각 접속되고 각각이 상기 여러개의 불휘발성 반도체 메모리셀의 각 불휘발성 반도체 메모리셀의 리라이트데이타를 유지하는 여러개의 래치회로를 갖고, 상기 여러개의 래치회로에 상기 리라이트데이타가 설정되고 상기 여러개의 불휘발성 반도체 메모리셀에 대해서 라이트동작을 실행했을 때 상기 여러개의 불휘발성 반도체 메모리셀의 각 불휘발성 반도체 메모리셀의 상태에 따라서 상기 여러개의 래치회로의 상기 리라이트데이타가 재설정되고, 상기 재설정된 상기 리라이트데이타에 따라서 상기 여러개의 불휘발성 반도체 메모리셀의 각 불휘발성 반도체 메모리셀마다 상기 라이트동작의 계속 또는 정지를 제어하는 반도체 불휘발성 기억장치에 있어서, 상기 여러개의 래치회로에 상기 리라이트데이타가 설정되고, 상기 여러개의 불휘발성 반도체 메모리셀에 대해서 소거동작을 실행했을 때 상기 여러개의 불휘발성 반도체 메모리셀의 각 불휘발성 반도체 메모리셀의 상태에 따라서 상기 리라이트데이타가 재설정되고, 상기 재설정된 상기 리라이트데이타에 따라서 상기 여러개의 불휘발성 반도체 메모리셀의 각 불휘발성 반도체 메모리셀마다 상기 소거동작의 계속 또는 정지를 제어하는 수단을 구비하는 반도체 불휘발성 기억장치.
- 제2항에 있어서, 상기 여러개의 래치회로에 유지된 상기 리라이트데이타는 상기 여러개의 불휘발성 반도체 메모리셀의 정보를 각각 상기 여러개의 비트선에 일괄해서 리드했을 때의 상기 여러개의 비트선의 각 비트선의 전위의 변화에 따라서 상기 장치내부에서 재설정되는 반도체 불휘발성 기억장치.
- 제1항에 있어서, 상기 여러개의 불휘발성 반도체 메모리셀은 제1임계값전압과 상기 제1임계값전압과는 다른 제2임계값전압을 갖고, 상기 제1임계값전압 및 상기 제2임계값전압의 편차는 1V 이하인 반도체 불휘발성 기억장치.
- 청구항1에 기재된 반도체 불휘발성 기억장치와 중앙처리장치를 갖는 컴퓨터시스템에 있어서, 상기 반도체 불휘발성 기억장치의 상기 재라이트 또는 상기 재소거는 중앙처리장치의 명령에 관계없이 실행되는 컴퓨터시스템.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP95-252400 | 1995-09-29 | ||
| JP25240095A JPH0991978A (ja) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 半導体不揮発性記憶装置およびそれを用いたコンピュータシステム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970017668A true KR970017668A (ko) | 1997-04-30 |
Family
ID=17236815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960041545A KR970017668A (ko) | 1995-09-29 | 1996-09-23 | 반도체 불휘발성 기억장치 및 그것을 사용한 컴퓨터시스템 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0991978A (ko) |
| KR (1) | KR970017668A (ko) |
| TW (1) | TW310432B (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100839700B1 (ko) * | 2001-07-06 | 2008-06-19 | 가부시끼가이샤 도시바 | 불휘발성 반도체 기억 장치 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2954165B1 (ja) | 1998-05-20 | 1999-09-27 | 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 | 半導体装置 |
| JP2000228094A (ja) | 1999-02-04 | 2000-08-15 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
| JP2007257829A (ja) * | 2001-10-24 | 2007-10-04 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその動作方法 |
| KR100766241B1 (ko) | 2006-05-10 | 2007-10-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래쉬 메모리 소자의 프로그램 방법 |
| JP2010231887A (ja) * | 2010-07-20 | 2010-10-14 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体メモリ |
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| JPH0793979A (ja) * | 1993-09-21 | 1995-04-07 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
| KR950020749A (ko) * | 1993-12-15 | 1995-07-24 | 가나이 쓰토무 | 반도체 불휘발성 기억장치 |
| KR0120549B1 (ko) * | 1993-12-31 | 1997-10-20 | 김주용 | 불휘발성 메모리 소자의 이레이즈 검증장치 |
-
1995
- 1995-09-29 JP JP25240095A patent/JPH0991978A/ja active Pending
-
1996
- 1996-09-23 KR KR1019960041545A patent/KR970017668A/ko not_active Application Discontinuation
- 1996-09-24 TW TW085111684A patent/TW310432B/zh active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0991978A (ja) | 1997-04-04 |
| TW310432B (ko) | 1997-07-11 |
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