KR970017665A - 가변 기록 및 소거 시간 주기를 갖는 비휘발성 반도체 메모리 장치 - Google Patents

가변 기록 및 소거 시간 주기를 갖는 비휘발성 반도체 메모리 장치 Download PDF

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Abstract

비휘발성 반도체 메모리 장치에서, 비휘발성 계수기(10)이 소거 동작의 수(CNT)를 저장하기 위해 제공된다. 메모리 셀(M00)에 따른 기록 동작의 시간 주기(T1,T2)는 소거 동작의 수에 따라 변화된다. 또한, 메몰 셀(M00,M01,…)에 따른 소거 동작의 시간 주기(T1′,T2′)는 소거 동작의 수에 따라 변화된다.

Description

가변 기록 및 소거 기간 주기를 갖는 비휘발성 반도체 메모리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명에 따른 비휘발성 반도체 메모리 장치의 실시예를 나타내는 회로도,
제6도, 제7도, 제9도, 제11도 및 제13도는 제5도의 제어 회로의 동작을 나타내는 흐름도,
제10A, 10B, 10C도는 제5도의 제어 회로의 동작을 나타내는 타이밍도이다.

Claims (10)

  1. 소거 동작의 수(CNT)를 저장하기 위한 비휘발성 계수기(10); 및 상기 비휘발성 계수기 내에 저장된 소거 동작의 수에 따라 변화된 시간 주기 동안 메모리 셀(M00)상에서 기록 동작을 수행하기 위한 수단을 포함하는 비휘발성 반도체 메모리 장치
  2. 소거 동작의 수(CNT)를 저장하기 위한 비휘발성 계수기(10); 및 상기 비휘발성 계수기 내에 저장된 소거 동작의 수가 특정 값(CNTO)에 도달하였는지 여부를 측정하기 위한 수단; 상기 비휘발성 계수기 내에 저장된 소거 동작의 수가 상기 특정 값에 도달하기 전에, 제1시간 주기(T1) 동안 메모리 셀(M00) 상에서 제1기록 동작을 수행하기 위한 수단; 및 상기 비휘발성 계수기 내에 저장된 소거 동작의 수가 상기 특정 값에 도달한 후에, 제2시간 주기(T2)동안 상기 메모리 셀 상에서 제2기록 동작을 수행하기 위한 수단을 포함하고, 상기 제2시간 주기는 상기 제1시간 주기보다 더 큰 비휘발성 반도체 메모리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1 및 제2 기록 동작 중의 하나가 완료된 후에, 상기 메모리 셀의 임계 전압이 하한 값 (VL)보다 더 큰지 여부를 검증하기 위해 상기 메모리 셀 상에서 기록 검증 동작을 수행하기 위한 수단; 및 상기 메모리 셀의 임계 전압이 상기 하한 값보다 더 크지 않을 때, 상기 제1기록 동작 및 상기 기록 검증 동작을 반복하기 위한 수단을 추가로 포함하는 장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 제1 및 제2 기록 동작 중의 하나가 완료된 후에, 상기 메모리 셀의 임계 전압이 하한 값(VL)보다 더 큰지 여부를 검증하기 위해 상기 메모리 셀 상에서 기록 검증 동작을 수행하기 위한 수단; 상기 메모리 셀의 임계 전압이 상기 하한 값보다 더 크지 않을 때, 상기 제1시간 주기보다 더 작은 제3시간 주기(T3) 동안 상기 메모리 셀 상에서 제3기록 동작을 수행하기 위한 수단; 및 상기 제3기록 동작이 완료된 후, 상기 기록 검증 동작을 반복하기 위한 수단을 추가로 포함하는 장치.
  5. 소거 동작의 수(CNT)를 저장하기 위한 비휘발성 계수기(10); 및 상기 비휘발성 계수기 내에 저장된 소거 동작의 수에 따라 변화된 시간 주기 동안 메모리 셀(M00,M01,…) 상에서 소거 동작을 수행하기 위한 수단을 포함하는 비휘발성 반도체 메모리 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 소거 동작이 상기 메모리 셀 상에서 수행되기 전에, 상기 메모리 셀 상에서 프로그래밍 동작을 수행하기 위한 수단을 추가로 포함하는 장치.
  7. 소거 동작의 수(CNT)를 저장하기 위한 비휘발성 계수기(10); 및 상기 비휘발성 계수기 내에 저장된 소거 동작의 수가 특정 값(CNTO)에 도달하였는지 여부를 측정하기 위한 수단; 상기 비휘발성 계수기 내에 저장된 소거 동작의 수가 상기 특정 값에 도달하기 전에, 제1시간 주기(T1′) 동안 메모리 셀(M00,M00,…) 상에서 제1소거 동작을 수행하기 위한 수단; 및 상기 비휘발성 계수기 내에 저장된 소거 동작의 수가 상기 특정 값에 도달한 후에, 제2시간 주기(T2′) 동안 상기 메모리 셀 상에서 제2소거 동작을 수행하기 위한 수단을 포함하고, 상기 제2시간 주기는 상기 제1시간 주기보다 더 큰 비휘발성 반도체 메모리 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 소거 동작이 상기 메모리 셀 상에서 수행되기 전에, 상기 메모리 셀 상에서 프로그래밍 동작을 수행하기 위한 수단을 추가로 포함하는 장치.
  9. 제7항에 있어서, 상기 제1 및 제2 소거 동작 증의 하나가 완료된 후에, 상기 메모리 셀의 임계 전압이 상한 값(VU)보다 더 작은지 여부를 검증하기 위해 상기 메모리 셀 상에서 소거 검증 동작을 수행하기 위한 수단, 및 상기 메모리 셀의 임계 전압 중의 적어도 하나가 상기 상한 값보다 더 작지 않을 때, 상기 제1소거 동작 및 상기 소거 검증 동작을 반복하기 위한 수단을 추가로 포함하는 장치.
  10. 제7항에 있어서, 상기 제1 및 제2 기록 동작 중의 하나가 완료된 후에, 상기 메모리 셀의 임계 전압이 상한 값(VU)보다 더 큰지 여부를 검증하기 위해 상기 메모리 셀 상에서 소거 검증 동작을 수행하기 위한 수단; 상기 메모리 셀의 임계 전압 중의 적어도 하나가 상기 상한 값보다 더 작지 않을 때, 상기 제1시간 주기보다 더 작은 제3시간 주기(T3′) 동안 상기 메모리 셀 상에서 제3소거 동작을 수행하기 위한 수단 및, 상기 제3소거 동작이완료된후, 상기 소거 검증 동작을 반복하기 위한 수단을 추가로 포함하는 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960042329A 1995-09-27 1996-09-25 가변 기록 및 소거 시간 주기를 갖는 비휘발성 반도체 메모리 장치 KR100215351B1 (ko)

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