KR970017665A - 가변 기록 및 소거 시간 주기를 갖는 비휘발성 반도체 메모리 장치 - Google Patents
가변 기록 및 소거 시간 주기를 갖는 비휘발성 반도체 메모리 장치 Download PDFInfo
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Abstract
비휘발성 반도체 메모리 장치에서, 비휘발성 계수기(10)이 소거 동작의 수(CNT)를 저장하기 위해 제공된다. 메모리 셀(M00)에 따른 기록 동작의 시간 주기(T1,T2)는 소거 동작의 수에 따라 변화된다. 또한, 메몰 셀(M00,M01,…)에 따른 소거 동작의 시간 주기(T1′,T2′)는 소거 동작의 수에 따라 변화된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명에 따른 비휘발성 반도체 메모리 장치의 실시예를 나타내는 회로도,
제6도, 제7도, 제9도, 제11도 및 제13도는 제5도의 제어 회로의 동작을 나타내는 흐름도,
제10A, 10B, 10C도는 제5도의 제어 회로의 동작을 나타내는 타이밍도이다.
Claims (10)
- 소거 동작의 수(CNT)를 저장하기 위한 비휘발성 계수기(10); 및 상기 비휘발성 계수기 내에 저장된 소거 동작의 수에 따라 변화된 시간 주기 동안 메모리 셀(M00)상에서 기록 동작을 수행하기 위한 수단을 포함하는 비휘발성 반도체 메모리 장치
- 소거 동작의 수(CNT)를 저장하기 위한 비휘발성 계수기(10); 및 상기 비휘발성 계수기 내에 저장된 소거 동작의 수가 특정 값(CNTO)에 도달하였는지 여부를 측정하기 위한 수단; 상기 비휘발성 계수기 내에 저장된 소거 동작의 수가 상기 특정 값에 도달하기 전에, 제1시간 주기(T1) 동안 메모리 셀(M00) 상에서 제1기록 동작을 수행하기 위한 수단; 및 상기 비휘발성 계수기 내에 저장된 소거 동작의 수가 상기 특정 값에 도달한 후에, 제2시간 주기(T2)동안 상기 메모리 셀 상에서 제2기록 동작을 수행하기 위한 수단을 포함하고, 상기 제2시간 주기는 상기 제1시간 주기보다 더 큰 비휘발성 반도체 메모리 장치.
- 제2항에 있어서, 상기 제1 및 제2 기록 동작 중의 하나가 완료된 후에, 상기 메모리 셀의 임계 전압이 하한 값 (VL)보다 더 큰지 여부를 검증하기 위해 상기 메모리 셀 상에서 기록 검증 동작을 수행하기 위한 수단; 및 상기 메모리 셀의 임계 전압이 상기 하한 값보다 더 크지 않을 때, 상기 제1기록 동작 및 상기 기록 검증 동작을 반복하기 위한 수단을 추가로 포함하는 장치.
- 제2항에 있어서, 상기 제1 및 제2 기록 동작 중의 하나가 완료된 후에, 상기 메모리 셀의 임계 전압이 하한 값(VL)보다 더 큰지 여부를 검증하기 위해 상기 메모리 셀 상에서 기록 검증 동작을 수행하기 위한 수단; 상기 메모리 셀의 임계 전압이 상기 하한 값보다 더 크지 않을 때, 상기 제1시간 주기보다 더 작은 제3시간 주기(T3) 동안 상기 메모리 셀 상에서 제3기록 동작을 수행하기 위한 수단; 및 상기 제3기록 동작이 완료된 후, 상기 기록 검증 동작을 반복하기 위한 수단을 추가로 포함하는 장치.
- 소거 동작의 수(CNT)를 저장하기 위한 비휘발성 계수기(10); 및 상기 비휘발성 계수기 내에 저장된 소거 동작의 수에 따라 변화된 시간 주기 동안 메모리 셀(M00,M01,…) 상에서 소거 동작을 수행하기 위한 수단을 포함하는 비휘발성 반도체 메모리 장치.
- 제5항에 있어서, 상기 소거 동작이 상기 메모리 셀 상에서 수행되기 전에, 상기 메모리 셀 상에서 프로그래밍 동작을 수행하기 위한 수단을 추가로 포함하는 장치.
- 소거 동작의 수(CNT)를 저장하기 위한 비휘발성 계수기(10); 및 상기 비휘발성 계수기 내에 저장된 소거 동작의 수가 특정 값(CNTO)에 도달하였는지 여부를 측정하기 위한 수단; 상기 비휘발성 계수기 내에 저장된 소거 동작의 수가 상기 특정 값에 도달하기 전에, 제1시간 주기(T1′) 동안 메모리 셀(M00,M00,…) 상에서 제1소거 동작을 수행하기 위한 수단; 및 상기 비휘발성 계수기 내에 저장된 소거 동작의 수가 상기 특정 값에 도달한 후에, 제2시간 주기(T2′) 동안 상기 메모리 셀 상에서 제2소거 동작을 수행하기 위한 수단을 포함하고, 상기 제2시간 주기는 상기 제1시간 주기보다 더 큰 비휘발성 반도체 메모리 장치.
- 제7항에 있어서, 상기 소거 동작이 상기 메모리 셀 상에서 수행되기 전에, 상기 메모리 셀 상에서 프로그래밍 동작을 수행하기 위한 수단을 추가로 포함하는 장치.
- 제7항에 있어서, 상기 제1 및 제2 소거 동작 증의 하나가 완료된 후에, 상기 메모리 셀의 임계 전압이 상한 값(VU)보다 더 작은지 여부를 검증하기 위해 상기 메모리 셀 상에서 소거 검증 동작을 수행하기 위한 수단, 및 상기 메모리 셀의 임계 전압 중의 적어도 하나가 상기 상한 값보다 더 작지 않을 때, 상기 제1소거 동작 및 상기 소거 검증 동작을 반복하기 위한 수단을 추가로 포함하는 장치.
- 제7항에 있어서, 상기 제1 및 제2 기록 동작 중의 하나가 완료된 후에, 상기 메모리 셀의 임계 전압이 상한 값(VU)보다 더 큰지 여부를 검증하기 위해 상기 메모리 셀 상에서 소거 검증 동작을 수행하기 위한 수단; 상기 메모리 셀의 임계 전압 중의 적어도 하나가 상기 상한 값보다 더 작지 않을 때, 상기 제1시간 주기보다 더 작은 제3시간 주기(T3′) 동안 상기 메모리 셀 상에서 제3소거 동작을 수행하기 위한 수단 및, 상기 제3소거 동작이완료된후, 상기 소거 검증 동작을 반복하기 위한 수단을 추가로 포함하는 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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US6081453A (en) * | 1997-04-15 | 2000-06-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nonvolatile semiconductor memory device |
JP3098486B2 (ja) * | 1998-03-31 | 2000-10-16 | 山形日本電気株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置 |
US6005810A (en) * | 1998-08-10 | 1999-12-21 | Integrated Silicon Solution, Inc. | Byte-programmable flash memory having counters and secondary storage for disturb control during program and erase operations |
US6141260A (en) * | 1998-08-27 | 2000-10-31 | Micron Technology, Inc. | Single electron resistor memory device and method for use thereof |
TW439029B (en) * | 1998-11-27 | 2001-06-07 | Acer Peripherals Inc | Method for preventing flash memory data from being lost or miswritten |
KR100311042B1 (ko) * | 1999-06-26 | 2001-11-02 | 윤종용 | 기입 주기의 프로그래밍이 가능한 동기식 메모리 장치 및 이를 이용한 데이터 기입 방법 |
TWI220031B (en) * | 2003-07-01 | 2004-08-01 | Delta Electronics Inc | Method and apparatus for time-relevant accessing a non-volatile memory in an electrical equipment |
US7120220B2 (en) | 2004-12-23 | 2006-10-10 | Ramtron International Corporation | Non-volatile counter |
US7142627B2 (en) | 2004-12-23 | 2006-11-28 | Ramtron International Corporation | Counting scheme with automatic point-of-reference generation |
US7257046B2 (en) * | 2005-06-13 | 2007-08-14 | Atmel Corporation | Memory data access scheme |
US9594679B2 (en) * | 2008-05-01 | 2017-03-14 | Sandisk Il Ltd. | Flash cache flushing method and system |
KR101075504B1 (ko) * | 2009-01-29 | 2011-10-21 | 주식회사 하이닉스반도체 | 불휘발성 메모리 소자의 소거 동작 방법 |
US8004884B2 (en) * | 2009-07-31 | 2011-08-23 | International Business Machines Corporation | Iterative write pausing techniques to improve read latency of memory systems |
US9009547B2 (en) | 2011-01-27 | 2015-04-14 | Apple Inc. | Advanced programming verification schemes for analog memory cells |
US9293194B2 (en) | 2011-01-27 | 2016-03-22 | Apple Inc. | Programming and erasure schemes for analog memory cells |
JP5404670B2 (ja) | 2011-02-10 | 2014-02-05 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
US8374040B2 (en) | 2011-02-25 | 2013-02-12 | International Business Machines Corporation | Write bandwidth in a memory characterized by a variable write time |
Family Cites Families (9)
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---|---|---|---|---|
JPH03250496A (ja) * | 1990-02-27 | 1991-11-08 | Nec Corp | 電気的書込み消去可能な不揮発性半導体記憶装置 |
JP3248928B2 (ja) * | 1991-08-23 | 2002-01-21 | 富士通株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置およびデータ消去方法 |
JPH0581881A (ja) * | 1991-09-20 | 1993-04-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
JP3348466B2 (ja) * | 1992-06-09 | 2002-11-20 | セイコーエプソン株式会社 | 不揮発性半導体装置 |
JPH06251593A (ja) * | 1993-02-24 | 1994-09-09 | Matsushita Electron Corp | フラッシュメモリの消去あるいは書き込み制御方法 |
US5463586A (en) * | 1993-05-28 | 1995-10-31 | Macronix International Co., Ltd. | Erase and program verification circuit for non-volatile memory |
JPH0737395A (ja) * | 1993-07-19 | 1995-02-07 | Sony Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP3448365B2 (ja) * | 1994-09-20 | 2003-09-22 | 三菱電機株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置 |
US5621687A (en) * | 1995-05-31 | 1997-04-15 | Intel Corporation | Programmable erasure and programming time for a flash memory |
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