KR970017605A - 가변논리회로와 그것을 사용한 반도체집적회로장치 - Google Patents

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KR970017605A
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KR
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transistor
logic circuit
variable logic
transistors
memory cell
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KR1019960039703A
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노부오 단바
미츠구 구스노키
다케시 미야자키
아키라 마사키
아키라 야마기와
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가나이 쓰토무
가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼
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    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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    • H03K19/02—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
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Abstract

메모리셀과 이 메모리셀의 기억정보에 따라 “온” 상태 또는 “오프” 상태가 결정되는 트랜지스터와, 그 트랜지스터와 직렬로 접속되고 입력신호에 의해 “온” 또는 “오프”되는 트랜지스터와, 이들의 트랜지스터의 상태에 따른 전위를 발생하는 트랜지스터와, 발생된 전위를 선택신호에 따라 출력단자에 전달 또는 차단하는 전송수단에 의해 가변논리회로를 구성하도록 했기 때문에, 메모리셀의 기억정보에 따라 “온” 상태 또는 “오프” 상태가 되도록 결정되는 트랜지스터와 직렬로 접속된 트랜지스터를 설치하여 이것을 입력신호에 의해 “온” 상태 또는 “오프” 시키도록 된 가변논리회로.

Description

가변논리회로와 그것을 사용한 반도체집적회로장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 관한 가변논리회로의 제1실시예를 나타내는 회로도,
제4도는 본 발명에 관한 가변논리회로(2입력)의 제2실시예를 나타내는 회로도.

Claims (7)

  1. 메모리셀과, 이 메모리셀의 기억정보에 따라 “온” 상태 또는 “오프” 상태가 결정되는 1 또는 2 이상의 제1트랜지스터와, 상기 제1트랜지스터와 직렬로 접속되어 입력신호에 의해 “온” 또는 “오프”되는 제2트랜지스터와, 상기 제1 및 제2트랜지스터의 상태에 따른 전위를 발생하는 제3트랜지스터와, 발생된 전위를 선택신호에 따라서 출력단자에 전달 또는 차단하는 전송수단에 의해 구성되어 이뤄지는 것을 특징으로 하는 가변논리회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 메모리셀 및 제1트랜지스터를 각각 다수개 구비함과 동시에 상기 제3트랜지스터는 상기 제1트랜지스터의 반수(半數)로 되고, 제1트랜지스터는 2개씩 쌍을 이루어 상기 제3트랜지스터의 1개에 각각 공통으로 접속되어 이뤄지는 것을 특징으로 하는 가변논리회로.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1트랜지스터의 각각에 직렬접속된 제2트랜지스터 중 한쪽에는 입력신호가 또 다른쪽에는 입력신호의 반전신호가 공급되도록 구성되어 이뤄지는 것을 특징으로 하는 가변논리회로.
  4. 제1항 내지 제3항의 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 및 제2트랜지스터는 N채널 MOSFET로 이뤄지며, 상기 제3트랜지스터는 P채널 MOSFET로 이뤄지는 것을 특징으로 하는 가변논리회로.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제3트랜지스터의 게이트 단자에는 접지전위가 인가되어 부하저항으로 작용하도록 구성되어 이뤄지는 것을 특징으로 하는 가변논리회로.
  6. 제4항에 있어서, 상기 제3트랜지스터는 직렬형태의 2개의 P채널 MOSFET로 이뤄지며, 이들 MOSFET의 게이트 단자에는 대응하는 메모리 셀의 기억정보에 따른 전압이 인가되도록 구성되어 이뤄지는 것을 특징으로 하는 가변논리회로.
  7. 제1항 내지 제6항의 어느 한 항에 있어서, 상기 메모셀은 스태틱형 메모리 셀로 이뤄지며, 그 메모셀을 선택하기 위한 선택신호선과 메모리 셀에 써넣어야 할 데이타를 공급하기 위한 데이타 신호선이 서로 직교하는 방향으로 배열설치되어 이뤄지는 것을 특징으로 하는 가변논리회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960039703A 1995-09-14 1996-09-13 가변논리회로와 그것을 사용한 반도체집적회로장치 KR970017605A (ko)

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