KR970003225A - 비트라인 분리신호 발생장치 - Google Patents

비트라인 분리신호 발생장치 Download PDF

Info

Publication number
KR970003225A
KR970003225A KR1019950018872A KR19950018872A KR970003225A KR 970003225 A KR970003225 A KR 970003225A KR 1019950018872 A KR1019950018872 A KR 1019950018872A KR 19950018872 A KR19950018872 A KR 19950018872A KR 970003225 A KR970003225 A KR 970003225A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
signal
input
output
bit line
logic
Prior art date
Application number
KR1019950018872A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0179099B1 (ko
Inventor
나병철
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019950018872A priority Critical patent/KR0179099B1/ko
Publication of KR970003225A publication Critical patent/KR970003225A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0179099B1 publication Critical patent/KR0179099B1/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/12Bit line control circuits, e.g. drivers, boosters, pull-up circuits, pull-down circuits, precharging circuits, equalising circuits, for bit lines
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/409Read-write [R-W] circuits 
    • G11C11/4094Bit-line management or control circuits

Landscapes

  • Dram (AREA)

Abstract

본 발명은 비트라인 분리신호 발생장치에 관한 것으로, 두개의 셀 블럭을 공유하는 하나의 감지 증폭기로 하여금 선택된 셀 블럭만을 센싱할 수 있도록 해주기 위해 선택되지 않은 다른 셀 블럭과 감지 증폭기의 사이에 연결된 비트라인을 끊어주기 위한 비트라인 분리신호를 블럭선택 어드레스 신호에 의해 논리적으로 제어되도록 구현하여 상기 셀 블럭을 선택할때 생기는 누설전류 및 노이즈를 줄인 비트라인 분리신호 발생장치에 관한 것이다.

Description

비트라인 분리신호 발생장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명의 제1실시예에 따른 비트라인 분리신호 발생장치의 회로도, 제5도는 제4도에 도시된 제3제어 회로부의 회로도.

Claims (13)

  1. 셀 블럭 및 비트라인 감지 증폭기 사이에 접속되어 상기 감지 증폭기가 센싱할때 선택되지 않은 상기 셀 블럭과의 데이타 전송을 차단시키는 제1, 제2비트라인 분리 수단을 포함하는 반도체 기억장치의 비트라인 분리신호 발생장치에 있어서, 상기 셀 블럭을 선택하는 두개의 로오 어드레스 신호를 각각 입력하는 제1, 제2입력단자와, 상기 제1, 제2비트라인 분리 수단의 동작을 제어하는 제어 신호를 출력하는 제1, 제2출력단자와, 상기 제1, 제2출력단자 및 프리차지 전압 사이에 접속 되며 상기 제1, 제2출력단자의 전위를 상기 프리차지 전압으로 프리차지 시키기 위한 제1, 제2스위치 수단과, 상기 제1출력단자 및 제2출력단자 사이에 접속되며 상기 제1 및 제2출력단자의 전위를 상기 프리차지 전압으로 프리차지 시키기 위한 제3스위치 수단과 상기 제1, 제2입력단자로부터의 입력신호를 입력하여 제1논리의 신호를 상기 제1 내지 제3스위치 수단으로 출력하는 제1제어 수단과, 상기 제1, 제2입력단자로부터의 입력신호 및 상기 제1제어 수단으로부터의 출력신호를 입력하여 제2논리의 신호를 상기 제1, 제2출력단자로 각각 출력하는 제2제어 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 비트라인 분리신호 발생장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1, 제2비트라인 분리 수단이 MOS 트랜지스터로 구성된 것을 특징으로 하는 비트라인 분리신호 발생장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1, 제2비트라인 분리 수단이 NMOS 트랜지스터로 구성된 것을 특징으로 하는 비트라인 분리신호 발생장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1 내지 제3스위치 수단이 MOS 트랜지스터로 이루어진 것을 특징으로 하는 비트라인 분리신호 발생장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1 내지 제3스위치 수단이 NMOS 트랜지스터로 이루어진 것을 특징으로 하는 비트라인 분리신호 발생장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1논리는, 상기 제1, 제2입력단자로부터의 입력신호가 모두 로우일때 상기 제1 내지 제3스위치 수단으로 하이 논리의 신호를 전달하는 것을 특징으로 하는 비트라인 분리신호 발생장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제2논리는, 상기 제2제어 수단으로부터의 출력된 신호가 로우일때 상기 제1, 제2입력단자로부터 입력된 신호에 의해 제3논리의 신호를 각각 제1, 제2출력단자로 출력하는 것을 특징으로 하는 비트라인 분리신호 발생장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1입력단자로부터 입력된 신호가 하이이고, 상기 제1입력단자로부터의 입력된 신호가 로우일때, 상기 출력단자로 '하이'논리의 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 비트라인 분리신호 발생장치.
  9. 셀 블럭 및 비트라인 감지 증폭기 사이에 접속되어 상기 감지 증폭기가 센싱할때 선택되지 않은 상기 셀 블럭과의 데이타 전송을 차단시키는 제1, 제2비트라인 분리 수단을 포함하는 반도체 기억장치의 비트라인 분리신호 발생장치에 있어서, 상기 셀 블럭을 선택하는 두개의 로오 어드레스 신호를 각각 입력하는 제1, 제2입력단자와, 상기 제1, 제2비트라인 분리 수단의 동작을 제어하는 제어 신호를 출력하는 제1, 제2출력단자와,상기 제1, 제2출력단자 및 프리차지 전압 사이에 접속 되며 상기 제1, 제2출력단자의 전위를 상기 프리차지 전압으로 프리차지 시키기 위한 제1, 제2스위치 수단과, 상기 제1출력단자 및 제2출력단자 사이에 접속되며 상기 제1 및 제2출력단자의 전위를 상기 프리차지 전압으로 프리차지 시키기 위한 제3스위치 수단과, 상기 제1, 제2입력단자로부터의 입력신호를 입력하여 제1논리의 신호를 출력하기 위한 제1제어 수단과, 상기 제1제어 수단으로부터의 출력신호를 입력하여 제2논리의 신호를 상기 제1 내지 제3스위치 수단으로 출력하기 위한 제2제어 수단과, 상기 제1, 제2입력단자로부터의 입력신호 및 상기 제2제어 수단으로부터의 출력신호를 입력으로 하여 제3논리의 신호를 상기 제1, 제2출력단자로 각각 출력하는 제3제어수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 비트라인 분리신호 발생장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제1논리는, 상기 제1, 제2입력단자로부터의 입력신호가 모두 로우일때 하이를 출력하는 것을 특징으로 하는 비트라인 분리신호 발생장치.
  11. 제9항에 있어서, 상기 제2논리는, 상기 제1제어수단으로부터의 출력신호에 반전되는 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 비트라인 분리신호 발생장치.
  12. 제9항에 있어서, 상기 제3논리는, 상기 제3제어수단으로부터의 출력된 신호가 로우일때 상기 제1, 제2입력단자로부터 입력된 신호에 의해 제4논리의 신호를 각각 제1, 제2출력단자로 출력하는 것을 특징으로 하는 비트라인 분리신호 발생장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 제4논리는, 상기 제1입력단자로부터 입력된 신호가 하이이고, 상기 제2입력단자로부터 입력된 신호가 로우일때, 상기 출력단자로 '하이'논리의 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 비트라인 분리신호 발생장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950018872A 1995-06-30 1995-06-30 비트라인 분리신호 발생장치 KR0179099B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950018872A KR0179099B1 (ko) 1995-06-30 1995-06-30 비트라인 분리신호 발생장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950018872A KR0179099B1 (ko) 1995-06-30 1995-06-30 비트라인 분리신호 발생장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970003225A true KR970003225A (ko) 1997-01-28
KR0179099B1 KR0179099B1 (ko) 1999-04-15

Family

ID=19419299

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950018872A KR0179099B1 (ko) 1995-06-30 1995-06-30 비트라인 분리신호 발생장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR0179099B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100574950B1 (ko) 2003-10-15 2006-04-28 삼성전자주식회사 고속 반도체 메모리에서의 빠른 데이터 기록을 위한 감지증폭기 회로

Also Published As

Publication number Publication date
KR0179099B1 (ko) 1999-04-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR930001220A (ko) 반도체 메모리 장치
KR0146387B1 (ko) 플립플롭형 증폭 회로
KR920013923A (ko) 레벨 변환 회로
GB2261088A (en) Address input buffer
KR930018582A (ko) 반도체 메모리장치의 비트라인 분리클럭 저너레이터
KR920000177A (ko) 반도체 집적회로장치
KR970060217A (ko) 출력회로, 누설전류를 감소시키기 위한 회로, 트랜지스터를 선택적으로 스위치하기 위한 방법 및 반도체메모리
KR910013279A (ko) 감지 증폭기 및 이에 의한 방법
KR970051355A (ko) 동기형 반도체 메모리 장치의 컬럼 리던던시 회로
KR970063278A (ko) 반도체 메모리
KR850003045A (ko) 라인 절환 회로 및 그를 사용한 반도체 메모리
KR970078002A (ko) 전류 스파이크 억제 회로를 갖는 차분 신호 발생 회로
KR100344865B1 (ko) 센스증폭기
KR970016535A (ko) 어드레스 디코더
KR960012017A (ko) 반도체 메모리장치의 워드라인드라이버
KR970029788A (ko) 반도체메모리장치의 내부전원공급장치
KR970003225A (ko) 비트라인 분리신호 발생장치
KR950024213A (ko) 반도체 기억회로
KR920022300A (ko) 개선된 라이트 동작을 가지는 반도체 메모리 장치
KR950001773A (ko) 반도체 메모리 장치
JPH04259995A (ja) 書き込み電圧発生回路
KR100271653B1 (ko) 입력버퍼회로
JPH0223592A (ja) 半導体装置
KR960035645A (ko) 전력 감소형 메모리 차동 전압 감지 증폭기 및 전력 감소 방법
KR950012459A (ko) 다(多)비트 출력 메모리 회로용 출력 회로

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20091028

Year of fee payment: 12

LAPS Lapse due to unpaid annual fee