KR960702148A - 자성재료의 몸체에서 자화방향의 국부적 변화를 위한 장치 및 방법 (A method and a device for locally altering the magnetization) - Google Patents
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Abstract
발명은 자성 재료의 몸체에서 자화 방향을 국부적으로 제어가능하게 변화시키는 장치 및 방법에 관한것으로서, 비금속 재료의 층은 몸체의 표면상에 침착되고, 상기 층은 고정된 자화 방향을 갖는 자성 재료의 몸체에 제공되므로써, 자성 재료의 양몸체는 중첩된 비금속 재료층을 횡단하여 자성적으로 결합되며, 상기 자성 결합의 특성인 비금속 재료의 층을 제어가능한 전기장에 국부적으로 노출시키므로써 국부적으로 변화시킬수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 장치의 부분 단면도.
제2도는 자화방향을 제어가능하게 변화시키는 본 발명의 방법의 실시후 제1도의 장치를 도시한 도면.
제3도는 제1도의 상태를 포함하는 전기 밴드 구조의 개략도.
Claims (15)
- 자성 재료의 몸체에서 자화 방향을 국부적으로 제어 가능하게 변화시키는 방법에 있어서, 비금속 재료의 층이 몸체의 표면상에 침착되고, 상기 층은 고정된 자화 방향을 갖는 자성 재료의 몸체상에 제공되므로써 자성재료의 양 몸체는 중첩된 비금속층을 횡단하여 자성적으로 결합되며, 상기 자성 결합의 특성은 비금속 재료의 층을 제어 가능한 전기장에 국부적으로 제어가능하게 노출시키므로써 국부적으로 변화될 수 있는 것을 특징으로 하는 자성 몸체의 자화 방향 국부적 변화 방법.
- 제1항에 있어서, 설정된 비금속 재료는 반도체 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 자성 몸체의 자화방향 국부적 변화 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 반도체 재료는 Si로 설정되는 것을 특징으로 하는 자성 몸체의 자화 방향 국부적변화 방법.
- 제1항에 있어서, 설징된 비금속 재료는 반금속성 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 자성 몸체의 자화방향 국부적 변화 방법.
- 제4항에 있어서, 반금속성 재료는 FeSi 성분으로 설정되는 것을 특징으로 하는 자성 몸체의 자화 방향국부적 변화 방법.
- 제1항에 있어서, 설정된 비금속 재료는 절연체 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 자성 몸체의 자화방향 국부적 변화 방법.
- 제6항에 있어서, 절연체 재료는 Si의 산화물로 설징되는 것을 특징으로 하는 자성 몸체의 자화 방향 국부적 변화 방법.
- 제1항 내지 재7항 중 어느 한 항에 있어서, 비금속 재료의 층 두께는 10nm을 초과하지 않는 것을 특징으로 하는 자성 몸체의 자화 방향 국부적 변화 방법.
- 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 방법에 사용하기 적합한 장치에 있어서, 비금속 재료의 중첩된 층을 힁단하여 자성적으로 결합된 적어도 2개의 자성 재료의 몸체와, 상기 자성 결합의 특성을 국부적으로 제어가능하게 변화시키기 위하여 비금속 재료를 제어가능한 전기장에 노출시키는 수단을 포함하며, 상기 자성몸체중의 하나는 고정된 자화 방향을 갖는 것을 특징으로 하는 자성 몸체의 자화 방향 국부적 변화 장치.
- 제9항에 있어서, 자성 재료의 몸체중 적어도 하나는 비산화성 금속 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 자성 몸체의 자화 방향 국부적 변화 장치.
- 제10항에 있어서, 비산화성 금속 재료는 Fe인 것을 특징으로 하는 자성 몸체의 자화 방향 국부적 변화장치.
- 제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 자성 재료의 몸체중 적어도 하나는 자성 다층 구조인 것을 특징으로 하는 자성 몸체의 자화 방향 국부적 변화 장치.
- 제12항에 있어서, 자성 다층 구조는 스괸 밸브 자기 저항 효과(spin-valve magneto-resistive effect)를 나타내는 것을 특징으로 하는 자성 몸체의 자화 방향 국부적 변화 장치.
- 제9항 내지 제13항 중 어느 한 항에 따른 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기헤드.
- 제9항 내지 제13항 중 어느 한 항에 따른 장치에 국부적인 2중 정보를 제어가능하게 제공하는 방법에 있어서, 첫번째 2중 심볼은 2개의 자성 몸체에서 서로 거의 평행한 자화 배열을 제어가능하게 도출하기 위하여비 금속 재료의 중간층을 힁단하는 강자성 결함을 국부적으로 실행하므로써 제공되며, 두번째 2중 심볼은 2개의 자성 몸체에서 서로 거의 평행한 자화 배열을 국부적으로 추출하기 위하여 비금슥 재료의 중간층을 힁단하는 반 강자성 결합올 국부적으로 실행하므로써 제공되는 것을 특징으로 하는 2중 정보 제공 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP94200453 | 1994-02-21 | ||
EP94200453.2 | 1994-02-21 | ||
PCT/IB1995/000077 WO1995022820A1 (en) | 1994-02-21 | 1995-02-03 | A method and a device for locally altering the magnetization direction in a body of magnetic material |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR960702148A true KR960702148A (ko) | 1996-03-28 |
Family
ID=8216662
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950704646A KR960702148A (ko) | 1994-02-21 | 1995-02-03 | 자성재료의 몸체에서 자화방향의 국부적 변화를 위한 장치 및 방법 (A method and a device for locally altering the magnetization) |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5691865A (ko) |
EP (1) | EP0700564B1 (ko) |
JP (1) | JPH08510095A (ko) |
KR (1) | KR960702148A (ko) |
DE (1) | DE69511017T2 (ko) |
MY (1) | MY130152A (ko) |
SG (1) | SG52781A1 (ko) |
TW (1) | TW256921B (ko) |
WO (1) | WO1995022820A1 (ko) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0843827A2 (en) * | 1996-06-12 | 1998-05-27 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | A magneto-resistive magnetic field sensor |
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-
1995
- 1995-02-03 SG SG1996009422A patent/SG52781A1/en unknown
- 1995-02-03 KR KR1019950704646A patent/KR960702148A/ko not_active Application Discontinuation
- 1995-02-03 DE DE69511017T patent/DE69511017T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-02-03 WO PCT/IB1995/000077 patent/WO1995022820A1/en active IP Right Grant
- 1995-02-03 EP EP95906458A patent/EP0700564B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-02-03 JP JP7521695A patent/JPH08510095A/ja active Pending
- 1995-02-13 TW TW084101265A patent/TW256921B/zh active
- 1995-02-20 MY MYPI95000418A patent/MY130152A/en unknown
-
1996
- 1996-12-16 US US08/767,461 patent/US5691865A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0700564B1 (en) | 1999-07-28 |
JPH08510095A (ja) | 1996-10-22 |
DE69511017T2 (de) | 2000-02-24 |
MY130152A (en) | 2007-06-29 |
TW256921B (ko) | 1995-09-11 |
SG52781A1 (en) | 1998-09-28 |
EP0700564A1 (en) | 1996-03-13 |
WO1995022820A1 (en) | 1995-08-24 |
US5691865A (en) | 1997-11-25 |
DE69511017D1 (de) | 1999-09-02 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E601 | Decision to refuse application |