KR960043385A - 반도체 레이저 다이오드 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 매립-헤테로형의 굴절율-도파 구조를 가지는 고출력 단일 횡모드의 반도체 레이저 다이오드에 관한 것이다.
즉, 본 발명에 따른 반도체 레이저 다이오드는, 수평적으로 활성층의 발진면 쪽을 나팔 모양으로 상대적으로 넓게 형성한 메사 리지 구조로 형성하고, 이 리지의 측면부에 두개의 p-전류 차단층 및 n-전류 차단층을 형성하여 수평 방향의 광 제한(confinement) 폭을 제어하여 줌으로써, 단일 횡모드의 단점인 저출력을 해소하고 안정된 단일 횡모드 발진의 고출력 동작을 시킬 수 있는 장점이 있다.

Description

반도체 레이저 다이오드
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도 내지 제8도는 본 발명에 따른 반도체 레이저 다이오드의 제조 공정 단계별 수직 단면도.

Claims (7)

  1. 기판; 상기 기판 상에 그 상부의 메사형 리지가 수평 방향으로 나팔관 모양의 스트라이프 상으로 형성된 제1크래드층; 상기 제1크래드층의 상기 리지 정상면 상에 수평 방향으로 상기 나팔관 모양의 스트라이프 상으로 형성된 제1광 도파층; 상기 제1광 도파층 상에 수평 방향으로 상기 나팔관 모양의 스트라이프 상으로 형성된 활성층; 상기 활성층 상에 수평 방향으로 상기 나팔관 모양의 스트라이프 상으로 형성된 제2광 도파층; 상기 제2광 도파층 상에 그 역메사형의 리지 구조의 하단부가 수평 방향으로 상기 나팔관 모양의 스트라이프 상으로 형성된 제2크래드층; 상기 역메사형의 리지 구조의 제2크래드층 상부에 수평 방향으로 테이퍼 형의 스트라이프 상으로 증착된 금속층; 상기 제1크래드층 상에서 활성층의 측면까지 선택적으로 적층되고, 상기 제1크래드층에 도핑된 불순물과 반대 형의 불순물로 도핑된 제1전류 차단층; 상기 제1전류 차단층 상에 상기 제2크래드층 정상면까지 선택적으로 적층되고, 상기 제1전류 차단층에 도핑된 불순물 및 상기 제2크래드층에 도핑된 불순물과 반대 형의 불순물로 도핑된 제2전류 차단층; 그리고 상기 제2전류 차단층 상에 상기 금속층과 나란하도록 적층된 절연층을 구비하여 된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1, 제2광 도파층 및 활성층의 나팔관 쪽의 공진기 경면의 반사율 보다 그 반대쪽 경면의 반사율이 소정의 크기 만큼 더 큰 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1, 제2광 도파층 및 활성층의 나팔관쪽 가장자리의 폭이 10~20㎛이고 그 반대쪽 가장자리의 폭은 1㎛인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 활성층에 의해 형성된 상기 공진기에서 발진되는 광의 세기는 상기 나팔관 쪽의 경면에서 가장 센 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 활성층에 의해 형성된 공진기에서 주입 캐리어의 농도가 균일한 분포를 보이도록 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 활성층에 의해 형성된 공진기에서 이득이 균일한 분포를 보이도록 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 활성층에 의해 형성된 공진기에서 전류 밀도가 균일한 분포를 보이도록 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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