JPH02303084A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH02303084A JPH02303084A JP12359189A JP12359189A JPH02303084A JP H02303084 A JPH02303084 A JP H02303084A JP 12359189 A JP12359189 A JP 12359189A JP 12359189 A JP12359189 A JP 12359189A JP H02303084 A JPH02303084 A JP H02303084A
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- Japan
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- waveguide
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- semiconductor laser
- laser device
- edge face
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- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 3
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract 2
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- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
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- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
本発明は半導体レーザ装置に関し、特にプロニドエリア
レーザ装置に関する。
レーザ装置に関する。
(ロ)従来の技術
従来の半導体レーザの構造を第5図および第6図に示す
、第5図は斜視図、第6図は平面図である。
、第5図は斜視図、第6図は平面図である。
これらの図に示すように、半導体レーザ装置(10)は
、n型のGaAs基板(1)上にAtGaAsからなる
n型りラッドQ (2) 、活性層(3)およびP型ク
ラッド層(4)のダブルへテロ接合が設けられる。更に
、P型クラッド層(4)の上層にP型のキャップ層(5
)が設けられ、その上に電流注入部としての電極(6)
が形成され、リッジ導波路(7)が形成される。又。
、n型のGaAs基板(1)上にAtGaAsからなる
n型りラッドQ (2) 、活性層(3)およびP型ク
ラッド層(4)のダブルへテロ接合が設けられる。更に
、P型クラッド層(4)の上層にP型のキャップ層(5
)が設けられ、その上に電流注入部としての電極(6)
が形成され、リッジ導波路(7)が形成される。又。
その他の領域はSiOオ膜(8)で被すされる。
そして、レーザ光はダブルヘテロ接合の活性層(3)の
発振領域から放出される。
発振領域から放出される。
ところで、近年、半導体レーザの高出力化のため導波路
の幅を広くしたブロードエリアレーザの研究が盛んであ
る。
の幅を広くしたブロードエリアレーザの研究が盛んであ
る。
上述のブロードエリアレーザにおいては、光出力の増大
を(Q先させるため、光の質に関しては。
を(Q先させるため、光の質に関しては。
あまり考慮されていなかった。そのため、スベクルに多
数のピークが出現したり、ファーフィールドバクーンが
多峰性になるといった欠点があった。
数のピークが出現したり、ファーフィールドバクーンが
多峰性になるといった欠点があった。
そこで、上述の欠点を解消するため、半導体レーザ素子
の反射面の外部からレーザ光を照射し、屈折率を変化さ
せることで、水平横モードを制御しようとする試みがあ
る0例えば、Appl、 Phya、Lett、52(
4)、25 January 1988第260頁ない
し第262頁の論文r Mode control b
road−areadiode 1asers b
y ther+aally 1nduced 1
ateralindex tailoring Jに詳
しい。
の反射面の外部からレーザ光を照射し、屈折率を変化さ
せることで、水平横モードを制御しようとする試みがあ
る0例えば、Appl、 Phya、Lett、52(
4)、25 January 1988第260頁ない
し第262頁の論文r Mode control b
road−areadiode 1asers b
y ther+aally 1nduced 1
ateralindex tailoring Jに詳
しい。
(ハ)発明が解決しようとする課題
しかしながら、上述したものにおいては、外部からレー
ザ光を半導体レーザ素子に照射するため、別個レーザ装
置が必要となり、実用性に乏しい。
ザ光を半導体レーザ素子に照射するため、別個レーザ装
置が必要となり、実用性に乏しい。
本発明は上述した問題点に鑑みなされたものにして、光
の質の良好な高出力半導体レーザ装置を提供することを
その!!顕とする。
の質の良好な高出力半導体レーザ装置を提供することを
その!!顕とする。
(ニ)課題を解決するための手段
本発明は、導波路を有する半導体レーザ装置において、
少なくとも一方の反射面端面近傍に、導波路を挟んで電
流注入領域を付加したことを特徴とする。
少なくとも一方の反射面端面近傍に、導波路を挟んで電
流注入領域を付加したことを特徴とする。
(ホ)作用
導波路を挟む電流注入領域により、導波路の両側の反射
面端面の電流注入量が増加する。
面端面の電流注入量が増加する。
従って、反射面端面近傍における屈折率分布が導波路よ
り、その外部において大きくすることができる。そのた
め、横モードを基本モードに保持したまま高出力で動作
させることができる。
り、その外部において大きくすることができる。そのた
め、横モードを基本モードに保持したまま高出力で動作
させることができる。
(へ)実施例
以下1本発明の一実施例を図面に従い説明する。第1図
ないし第4図は本発明の一実施例を示し、第1図は斜視
図、第2図は平面図、第3図は第2図のa−a線断面図
、第4図は第2図のb−bilil断面図である。
ないし第4図は本発明の一実施例を示し、第1図は斜視
図、第2図は平面図、第3図は第2図のa−a線断面図
、第4図は第2図のb−bilil断面図である。
まず、n型GaAs基ff1(1)上に、 MOCVD
法により、 A I JI Ga+−x Asからなる
n型クラッド層(2)、A l 、Ga+−y Asか
らなる活性層(3)、 i3よびAl xGa+−x
Asからなるp型クラッド層(4)のダブルへテロ接合
を順次形成する。更に、p型りラッドP!!(4)上に
は、p型のキャップ層(5)右よび電極(6)が設けら
れる。
法により、 A I JI Ga+−x Asからなる
n型クラッド層(2)、A l 、Ga+−y Asか
らなる活性層(3)、 i3よびAl xGa+−x
Asからなるp型クラッド層(4)のダブルへテロ接合
を順次形成する。更に、p型りラッドP!!(4)上に
は、p型のキャップ層(5)右よび電極(6)が設けら
れる。
そして1本実施例では1両反射面端面から、各々25u
m離間して、中央部に幅5μm、長さ450μmのリッ
ジ導波路())が形成される。
m離間して、中央部に幅5μm、長さ450μmのリッ
ジ導波路())が形成される。
この5μm幅のりッジ導波路(7)が基本横モードを維
持する。
持する。
さて1本発明の特徴とするところは1反射面端面の近傍
に、夫々導波路を挟んで1幅7.5um、長さ25um
からなる一対の電流注入領域なけ加したことにある。即
ち、第1rAおよび第2図に示1°ように、電流注入領
域となるべく、キャップ層(4)上に、電極(9)(9
)が設けられる。
に、夫々導波路を挟んで1幅7.5um、長さ25um
からなる一対の電流注入領域なけ加したことにある。即
ち、第1rAおよび第2図に示1°ように、電流注入領
域となるべく、キャップ層(4)上に、電極(9)(9
)が設けられる。
尚、他の領域には、5ins膜(8)が形成きれる。
而して、第2図の斜線を施した領域がTL電流注入領域
なり1反射面端面の導波路(7)の両側の電流注入量が
増加する。そのため、屈折率分布が導波路よりその外部
において大きくすることができ、中央部のりッジ導波銘
(7)が基本モード維持し1両端部で、ビームが拡がる
。
なり1反射面端面の導波路(7)の両側の電流注入量が
増加する。そのため、屈折率分布が導波路よりその外部
において大きくすることができ、中央部のりッジ導波銘
(7)が基本モード維持し1両端部で、ビームが拡がる
。
第7図(イ)は第3図に示す断面に相当する箇所の屈折
率分布を示1°特性図、第7図(ロ)は第4図に示す断
面に相当する箇所の屈折率分布な示す特性図である。
率分布を示1°特性図、第7図(ロ)は第4図に示す断
面に相当する箇所の屈折率分布な示す特性図である。
第7図から明らかなように、キャリア注入による。¥7
i屈折率領域が、中央部で細く1両端部で幅広くなって
いる。そのため、ビームは前述したように、基本横モー
ドを維持し両端部で拡がる。
i屈折率領域が、中央部で細く1両端部で幅広くなって
いる。そのため、ビームは前述したように、基本横モー
ドを維持し両端部で拡がる。
次に、上述した本実施例と、第5図に示す従来例とを比
較した結果を第8図ないし第9図に示1°。
較した結果を第8図ないし第9図に示1°。
尚、従来例のりッジ導波路(7)の幅は10μmである
。
。
第8図は水平方向遠視野像を示す特性図で、第8図(イ
)は本発明、第8図(ロ)は従来例を示す。
)は本発明、第8図(ロ)は従来例を示す。
第8図から明らかなように、従来例のものでは水平方向
遠視野像が双峰であったのが1本発明のものでは、単峰
の3.8°と小さくなっていることで1反射端面部でビ
ームが拡大されていることが分かる。
遠視野像が双峰であったのが1本発明のものでは、単峰
の3.8°と小さくなっていることで1反射端面部でビ
ームが拡大されていることが分かる。
第9図は半導体レーザ装置の電流−光出力特性図であり
、第9図(イ)は本発明、第9図(ロ)は従来例を示す
。
、第9図(イ)は本発明、第9図(ロ)は従来例を示す
。
第9図から明らかなように1本発明においては、横モー
ドが安定したことで、電流特性の直線性も良好となり2
20mWまでキンクのない特性が11られる。
ドが安定したことで、電流特性の直線性も良好となり2
20mWまでキンクのない特性が11られる。
尚、上述した実施例においては、リッジ型導波路(7)
を備えた半導体レーザ装置について説明したが、本発明
はこれに限られるものではなく、どのような形態の導波
路を備λた半導体レーザ装置に適用できる。
を備えた半導体レーザ装置について説明したが、本発明
はこれに限られるものではなく、どのような形態の導波
路を備λた半導体レーザ装置に適用できる。
(ト)発明の詳細
な説明したように1本発明によれば、反射面端面近傍に
おける屈折率分布が導波路よりその外部において、太き
(することができ、水平方向遠視野像を単峰に保ったま
ま高出力で動作させることができる。
おける屈折率分布が導波路よりその外部において、太き
(することができ、水平方向遠視野像を単峰に保ったま
ま高出力で動作させることができる。
第1図ないし第4図は1本発明の一実施例を示し、第1
図は斜視図、第2図は平面図、第3図は第2図のa−a
線断面図、第4図は第2図のb −b li!断面図で
ある。 第5図および第6図は、従来例を示し、第5図は斜視図
、第6図は平面図である。 第7図は屈折率分布を示す特性図である。 第8図は半導体レーザ装置の水平方向遠視野像な示す特
性図で、第8図(イ)は本発明を、第8図(ロ)は従来
例を示1′。 第9図は半導体レーザ装置の電流−光出力特性図であり
、第9図(イ)は本発明を、第9図(ロ)は従来例を示
す。
図は斜視図、第2図は平面図、第3図は第2図のa−a
線断面図、第4図は第2図のb −b li!断面図で
ある。 第5図および第6図は、従来例を示し、第5図は斜視図
、第6図は平面図である。 第7図は屈折率分布を示す特性図である。 第8図は半導体レーザ装置の水平方向遠視野像な示す特
性図で、第8図(イ)は本発明を、第8図(ロ)は従来
例を示1′。 第9図は半導体レーザ装置の電流−光出力特性図であり
、第9図(イ)は本発明を、第9図(ロ)は従来例を示
す。
Claims (1)
- (1)導波路を有する半導体レーザ装置において、少な
くとも一方の反射面端面近傍に、導波路を挟んで電流注
入領域を付加したことを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12359189A JPH02303084A (ja) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12359189A JPH02303084A (ja) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02303084A true JPH02303084A (ja) | 1990-12-17 |
Family
ID=14864394
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12359189A Pending JPH02303084A (ja) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02303084A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04243216A (ja) * | 1991-01-17 | 1992-08-31 | Nec Corp | 光導波路の製造方法ならびに光集積素子及びその製造方法 |
JP2002329926A (ja) * | 2000-03-27 | 2002-11-15 | Tadashi Takano | 半導体レーザ装置およびそれを用いた通信システム |
-
1989
- 1989-05-17 JP JP12359189A patent/JPH02303084A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04243216A (ja) * | 1991-01-17 | 1992-08-31 | Nec Corp | 光導波路の製造方法ならびに光集積素子及びその製造方法 |
JP2002329926A (ja) * | 2000-03-27 | 2002-11-15 | Tadashi Takano | 半導体レーザ装置およびそれを用いた通信システム |
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