KR970031123A - 고출력 레이저 다이오드 - Google Patents
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/2202—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure by making a groove in the upper laser structure
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Abstract
본 발명은 고출력 레이저 다이오드에 관한 것으로서, 상부 및 하부 표면을 갖는 제 1 도전형의 반도체 기판과, 상기 반도체 기판의 상부 표면에 형성된 제 1 도전형의 제 1 클래드층과, 상기 제 1 클래드층의 상부에 불순물이 도핑되지 않고 형성된 제 1 광도파로층과, 상기 제 1 광도파로드층의 상부에 불순물이 도핑되지 않은 상기 제 1 광도파로층 보다 광굴절률이 큰 물질이 양자우물 구조로 형성된 활성층과, 상기 활성층의 상부에 불순물이 도핑되지 않은 상기 활성층 보다 광굴절률이 작은 상기 제 1 광도파로층과 동일한 물질로 형성된 제 2 클래드층과, 상기 제 2 광도파로층 상부에 소정 폭을 갖고 길이 방향으로 길게 형성되며 광굴절률이 제 2 광도파로 보다 작은 서브 릿지와, 상기 서브 릿지의 상부에 서브 릿지 보다 좁은 폭을 갖고 길이 방향으로 길게 형성된 제 2 도전형의 제 2 클래드층과, 상기 제 2 클래드층의 상부에 형성된 불순물이 고농도로 도핑된 제 2 도전형의 오믹접촉층과, 상기 반도체 기판의 하부 표면과 상기 릿지의 오믹접촉층에 형성된 제 1 및 제 2 도전형 전극을 포함한다. 따라서, 고출력 동작시 공진기 내의 광출력 밀도를 낮게하여 고차 모드 발생에 의한 방사 패턴의 변화를 방지하여 레이저 다이오드 모듈에서 출력되는 광량과 광출력의 안정도를 향상시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2 도는 본 발명에 따른 고출력 레이저 다이오드의 사시도.
Claims (5)
- 상부 및 하부 표면을 갖는 제 1 도전형의 반도체 기판과, 상기 반도체 기판의 상부 표면에 형성된 제 1 도전형의 제 1 클래드층과, 상기 제 1 클래드층의 상부에 불순물이 도핑되지 않고 형성된 제 1 광도파로층과, 상기 제 1 광도파로드층의 상부에 불순물이 도핑되지 않은 상기 제 1 광도파로층 보다 광굴절률이 큰 물질이 양자우물 구조로 형성된 활성층과, 상기 활성층의 상부에 불순물이 도핑되지 않은 상기 활성층 보다 광굴절률이 작은 상기 제 1 광도파로층과 동일한 물질로 형성된 제 2 클래드층과, 상기 제 2 광도파로층 상부에 소정 폭을 갖고 길이 방향으로 길게 형성되며 광굴절률이 제 2 광도파로 보다 작은 서브 릿지와, 상기 서브 릿지의 상부에 서브 릿지 보다 좁은 폭을 갖고 길이 방향으로 길게 형성된 제 2 도전형의 제 2 클래드층과, 상기 제 2 클래드층의 상부에 형성된 불순물이 고농도로 도핑된 제 2 도전형의 오믹접촉층과, 상기 반도체 기판의 하부 표면과 상기 릿지의 오믹접촉층에 형성된 제 1 및 제 2 도전형 전극을 포함하는 고출력 레이저 다이오드.
- 제 1 항에 있어서, 상기 반도체 기판 상부의 상기 서브 릿지와 대응하도록 동일한 폭을 가지며 길이 방향으로 길게 형성된 그루브를 더 포함하는 고출력 레이저 다이오드.
- 제 2 항에 있어서, 상기 그루브는 상기 서브 릿지와 동일한 폭을 갖는 고출력 레이저 다이오드.
- 제 1 항에 있어서, 상기 서브 릿지는 상기 제 2 광도파로층 보다 얇은 두께를 갖는 고출력 레이저 다이오드.
- 제 4 항에 있어서, 상기 서브 릿지는 광굴절률이 제 2 클래드층과 같거나 제 2 광도파로층 보다 작은 고출력 레이저 다이오드.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950042601A KR0155513B1 (ko) | 1995-11-21 | 1995-11-21 | 고출력 레이저 다이오드 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950042601A KR0155513B1 (ko) | 1995-11-21 | 1995-11-21 | 고출력 레이저 다이오드 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970031123A true KR970031123A (ko) | 1997-06-26 |
| KR0155513B1 KR0155513B1 (ko) | 1998-12-01 |
Family
ID=19435003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950042601A KR0155513B1 (ko) | 1995-11-21 | 1995-11-21 | 고출력 레이저 다이오드 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0155513B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101274206B1 (ko) * | 2006-02-21 | 2013-06-14 | 삼성전자주식회사 | 리지 구조를 가지는 반도체 레이저 다이오드 |
-
1995
- 1995-11-21 KR KR1019950042601A patent/KR0155513B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0155513B1 (ko) | 1998-12-01 |
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