KR960042218A - 포토레지스트 조성물 - Google Patents

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KR960042218A
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sulfonate
polyvinylphenol
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KR1019960015168A
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노부히토 후쿠이
유코 야코
유지 우에다
나오키 다케야마
다케히로 구스모토
시게키 야마모토
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고사이 아키오
스미토모가가쿠고교 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 페놀성 하이드록실 그룹이 부분 알킬에테르화되고 부분 보호된 폴리비닐페놀 및/또는 이의 부분 수소화 생성물인 폴리비닐페놀 수지를 포함하는 알칼리 가용성 수지와 산 발생제로서 N-하이드록시이미드 화합물의 설포네이트를 포함하고 내열성, 필름 잔막율, 도포성 및 프로필과 같은 탁월한 특성 이외에, 고감도 및 우수한 해상도를 나타내는 포지티브형 포토레지스트 조성물에 관한 것이다.

Description

포토레지스트 조성물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (10)

  1. 페놀성 하이드록실 그룹이 부분 알킬에테르화되고 부분 보호된 폴리비닐페놀 및/또는 이의 부분 수소화 생성물인 폴리비닐페놀 수지를 포함하는 알칼리 가용성 수지와 산발생제로서의 N-하이드록시이미드 화합물의 설포네이트를 포함하는 포지티브형 포토레지스트 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 페놀성 하이드록실 그룹이 3급-부톡시카보닐메틸 그룹에 의해 보호되는 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 하이드록실 그룹의 0.1 내지 35%가 알킬에테르화되고 하이드록실 그룹의 1 내지 40%가 보호되는 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 겔 투과 크로마토그래피로 측정한 폴리비닐페놀 수지의 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량이 3,000 내지 35,000이고 분자량 분산도가 1.01 내지 1.5인 조성물.
  5. 제1항에 있어서, N-하이드록시이미드 화합물의 설포네이트가 일반식(Ⅰ)의 설포네이트인 조성물.
    상기 식에서, R1은 아릴렌 그룹, 임의로 치환된 알킬렌 그룹 또는 임의로 치환된 알케닐렌 그룹이고, R2는 불소원자 이외의 치환체에 의해 치환될 수 있는 알킬그룹이거나, 불소원자를 함유하지 않는 아릴 그룹이다.
  6. 제1항에 있어서, 조성물 중의 총 고체 함량을 기준으로 하여, 알칼리 가용성 수지 20 내지 95중량%와 산 발생제 0.1 내지 20중량%를 포함하는 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 산화-환원 전위가 1.7eV 이하인 전자 공여체를 추가로 포함하는 조성물.
  8. 제7항에 있어서, 조성물 중의 총 고체 중량을 기준으로 하여, 공자공여체를 0.001 내지 10중량%의 양으로 포함하는 조성물.
  9. 제1항 또는 제7항에 있어서, 페놀성 하이드록실 그룹의 수소원자가 산의 작용에 의해 제거될 수 있는 그룹에 의해 치환된 페놀 화합물을 용해 억제제로서 추가로 포함하는 조성물.
  10. 제9항에 있어서, 조성물 중의 고체 중량을 기준으로 하여, 용해 억제제를 5 내지 50중량%의 양으로 포함하는 조성물.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960015168A 1995-05-12 1996-05-09 포토레지스트 조성물 KR960042218A (ko)

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