KR960034339A - 내오염성이 우수한 필름-형성 피복 조성물 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 히드록실기-함유 폴리에스테르 수지(A) 30 내지 90중량부, 및 트리아진 핵 하나당 평균 3개 이상의 메틸 에테르화 메틸올기를 가지며 수평균 분자량이 1,000이하인 멜라민 수지와 메틸 에테르화 멜라민 수지 및 부틸 에테르화 멜라민 수지의 혼합물로 구성되는 군에서 선택되는 멜라민 수지 경화제(B) 10 내지 70중량부로 구성되는 수지 조성물 100중량부; 설폰산 화합물과 아민간의 중화 생성물로 구성되는 경화 촉매(C) 0.2 내지 3.0중량부(설폰산 화합물의 양을 기준으로 하여 계산함); 및 폴리디메틸실록산 쇄로주로 구성되며, 작용기로서 히드록실기, 카르복실기, 에폭시기 및 메르캅토기로 구성되는 군에서 선택되는 기를 하나 이상 갖는 실리콘 화합물(D) 1내지 20중량부를 함유하는 피복 조성물에 관한 것이다.

Description

내오염성이 우수한 필름-형성 조성물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (11)

  1. 히드록실기-함유 폴리에스테르 수지(A) 30 내지 90중량부, 및 메틸 에테르화 멜라민 수지와 부틸 에테르화 멜라민 수지의 혼합물로 구성되는 멜라민 수지 경화제(B) 10 내지 70중량부로 구성되는 수지 조성물 100중량부; 설폰산 화합물과 아민간의 중화 생성물로 구성되는 경화 촉매(C) 0.2 내지 3.0중량부(설폰산 화합물의 양을 기준으로 하여 계산함); 및 하기 일반식(I)로 표시되는 실리콘 화합물(D) 1 내지 20중량부를 함유하는 피복 조성물:
    상기 식중에서, X1, X2및 X3은 히드록실기, 카르복실기, 에폭시기 및 메르캅토기로 구성되는 군에서 선택되는 작용기를 하나 이상 함유하는 C1-8의 유기 기 또는 메틸기로서, 단, 이들중 하나 이상은 히드록실기, 카르복실기, 에폭시기 및 메르캅토기로 구성되는 군에서 선택되는 작용기를 하나 이상 함유하는 C1-8의 유기기이고; m은 10 내지 300의 정수이며, n은 0 내지 290의 정수로서, 이들의 합은 10 내지 300범위이고; 반복단위체,의 배열 순서는 랜덤 또는 블록 배열 형태일 수 있다.
  2. 히드록실기-함유 폴리에스테르 수지(A) 30 내지 90중량부, 및 트리아진 핵 하나당 평균 3개 이상의 메틸 에테르화 메티올기를 가지며, 수 평균 분자량이 1,000이하인 멜라민 수지로 구성되는 멜라민 수지 경화제(B) 10 내지 70중량부로 구성되는 수지 조성물 100중량부; 설폰산 화합물과 아민간의 중화 생성물로 구성되는 경화 촉매(C) 내지 0.2 내지 3.0중량부(설폰산 화합물의 양을 기준으로 하여 계산함); 및 하기 일반식(I)로 표시되는 실리콘 화합물(D) 1 내지 20중량부를 함유하는 피복 조성물:
    상기 식중에서, X1, X2및 X3은 히드록실기, 카르복실기, 에폭시기 및 메르캅토기로 구성되는 군에서 선택되는 작용기를 하나 이상 함유하는 C1-8의 유기 기 또는 메틸기로서, 단, 이들중 하나 이상은 히드록실기, 카르복실기, 에폭시기 및 메르캅토기로 구성되는 군에서 선택되는 작용기를 하나 이상 함유하는 C1-8의 유기기이고; m은 10 내지 300의 정수이며, n은 0 내지 290의 정수로서, 이들의 합은 10 내지 300범위이고; 반복단위체,의 배열 순서는 랜덤 또는 블록 배열 형태일 수 있다.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 폴리에스테르 수지(A)가 수 평균 분자량이 1,000 내지 35,000이고, 유리 전이 온도가 -10 내지 80℃이며, 히드록실 수가 3 내지 160mg KOH/g인 피복 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 상기 멜라민 수지 경화제(B) 중의 메틸 에테르화 멜라민 수지가 트리아진 핵 하나당 평균 3개 이상의 메틸 에테르화 메틸올기를 가지며 수 평균 분자량이 1,000이하인 메틸 에테르화 멜라민 수지인 피복 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 상기 멜라민 수지 경화제(B)가 메틸 에테르화 멜라민 수지 및 부틸 에테르화 멜라민 수지를 함유하며, 상기 2개의 수지의 고체 함량비(중량ㅂ비)는 95/5 내지 25/75인 피복 조성물.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 경화 촉매(C)가 p-톨루엔설폰산과 아민간의 중화 생성물, 및 도데실 벤젠설폰산과 아민간의 중화 생성물로 구성되는 군에서 선택되는 하나 이상의 생성물인 피복 조성물.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 일반식[1]로 표시되는 상기 실리콘 화합물(D)중의 X1,X2및 X3이 히드록실기 또는 카르복실기를 갖는 C1-8의 탄화수소기 또는 메틸기이되, 단 이들중 하나 이상은 히드록실기 또는 카르복실기를 갖는 C1-8의 탄화수소기인 피복 조성물.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 실리콘 화합물(D)중의 작용기의 당량이 300 내지 5,000 범위인 피복 조성물.
  9. 제4항에 있어서, 상기 피복 조성물이, 수 평균 분자량이 4,000 내지 30,000이고, 유리 전이 온도가 -5 내지 35℃이며, 히드록실 수가 3 내지 25mg KOH/g인 히드록실기-함유 폴리에스테르 수지(A) 60 내지 85중량부, 및 메틸 에테르화 멜라민 수지/부틸 에테르화 멜라민 수지의 고체 함량비(중량비)가 85/15 내지 30/70인 멜라민 수지 경화제(B) 15 내지 40중량부로 구성되는 수지 조성물 100중량부; p-톨루엔설폰산과 아민간의 중화 생성물, 및 도데실벤젠설폰산과 아민간의 중화 생성물로 구성되는 군에서 선택되는 하나 이상의 상기 생서물로 구성되는 경화 촉매(C) 0.3 내지 2.0 중량부(설폰산 화합물의 양을 기준으로 하여 계산함); 및 실리콘 화합물(D) 1 내지 20중량부를 함유하는 피복 조성물.
  10. 제2항에 있어서, 상기 피복 조성물이, 수 평균 분자량이 4,000 내지 30,000이고, 유리 전이 온도가 -5 내지 35℃이며, 히드록실 수가 3내지 25ng KOH/g인 히드록실기-함유 폴리에스테르 수지(A) 60 내지 85중량부, 및 멜라민 수지 경화제(B) 15 내지 40중량부로 구성되는 수지 조성물 100중량부; p-톨루엔설포산과 아민간의 중화 생성물, 및 도데실벤젤설폰산과 아민간의 중화 생성물로 구성되는 군에서 선택되는 하나 이상의 상기 생성물로 구성되는 경화 촉매(C) 0.3 내지 2.0중량부(설폰산 화합물의 양을 기준으로 하여 계산함); 및 실리콘 화합물(D) 1 내지 20중량부를 함유하는 피복 조성물.
  11. 제1항, 제2항, 제9항 또는 제10항에 의한 피복 조성물로부터 직접, 또는 금속판상에 피복된 하도제를 개재하여 경화 필름을 형성시킴으로서 제조된, 내오염성이 우수한 피복 금속판.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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