KR960035786A - 웨이퍼 보다 더 큰 받침 전도체를 사용한 r.f.플라즈마 반응기 - Google Patents

웨이퍼 보다 더 큰 받침 전도체를 사용한 r.f.플라즈마 반응기 Download PDF

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Abstract

유도성 디스크의 남아있는 내부 부분이 기판을 통하여 플라즈마로부터 R.F 전력의 통로를 제공하는 동안에 상기 전도성 디스크 가압판의 외부 환형 부분이 플라즈마로부터 R.F 전력의 직접 통로를 제공하기 위하여 상기 기판의 직경을 초과하는 직경을 갖는 전도성 디스크 가압판을 포함하는 R.F.플라즈마 반응기에 반도체 기판을 지지하고, 에칭 저항체 덮개는 플라즈마로부터 전도성 가압판을 차폐하고, 에칭저항체 층의 부분이 기판 아래에 놓이고, 전도성 디스크 가압판의 중앙 부분 위에 놓이고, 기판 아래에 놓이고, 기판 주변부가 한 층 높은 디스크의 주변부를 확장하도록 기판의 직경보다 적은 직경을 갖는 한 층 높은 디스크를 포함하는 에칭 저항체 덮개, 전도성 디스크 가압판의 외부 부분에 놓이고, 상기 한 층 높은 디스크의 상부 표면 아래에 압축되는 상부 표면을 갖는 함몰된 환형 링, 함몰된 환형 링의 내부 부분은 상기 기판의 주변부 아래에 놓이고, 노출된 한 층 높은 디스크의 측면 벽의 상부 부분이 상기 플라즈마에 있게하는 받침대.

Description

웨이퍼보다 더 큰 받침 전도체를 사용한 R.F.플라즈마 반응기
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 따라서 R.F.플라즈마 반응기의 단순화된 부분 단면도.

Claims (29)

  1. 반도체 기판 처리용 플라즈마 반응기에 있어서, 반응기 챔버와 : 처리 가스를 상기 챔버의 내부에 공급하기 위한 가스 소스와 : 상기 처리 가스와 플라즈마를 만들기 위해 전자기력을 상기 챔버의 내부에 결합하기 위한 전기력 공급장치와: 상기 반도체 기판을 지지하고 상기 전자기력용 리턴 통로를 제공하기 위하여 전기적으로 접속되는 상기 챔버 내의 받침대를 포함하는데, 상기 받침대는 상기 전도성 디스크의 남아있는 내부 부분이 상기 웨이퍼를 통하여 상기 전자기력용 통로를 제공하는 동안에 상기 전도성 디스크 가압판의 외부 환형 부분이 상기 플라즈마로부터 상기 전자기력을 위한 직접 통로를 제공하기 위하여 상기 기판의 상기 직경을 초과하는 직경을 갖는 전도성 디스크 가압판과 : 상기 에칭 저항체 층의 부분이 상기 기판 아래에 놓이고 상기 플라즈마로부터 상기 전도성 가압판을 차폐하는 에칭 저항체 덮개를 포함하는데, 상기 에칭 저항체 덮개는 상기 기판의 주변부 부분이 상기 한 층 높은 디스크의 원주를 확장하도록 상기 기판의 직경보다 적은 직경을 갖고, 상기 기판 아래에 놓이고, 상기 전도성 디스크 가압판의 중앙 부분 위에 놓이는 한 층 높은 디스크와 : 상기 유도성 디스크 가압판의 외부 부분 위에 놓이고, 상기 한 층 높은 디스크의 상부 표면 아래에 압축되는 상부 표면을 갖으며, 상기 함몰된 환모양 링의 내부 부분이 상기 기판의 주변부 아래에 있고, 노출된 상기 한층 높은 디스크의 측면 벽의 상부 부분이 상기 플라즈마 상태에 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
  2. 제1항에 잇어서, 상기 함몰된 환형 링의 상기 상부 표면와 상기 기판의 상기 주변부 부분 사이의 변위가 상기 플라즈마가 상기 함몰된 환형 링의 상기 상부 표면의 전체를 접촉하기에 충분하도록 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
  3. 제1항에 있어서, 상기 한 층 높은 상기 직경은 상기 받침대에 기판 대 기판의 변측 위치 변형이 가능한 큰 량에 의한 상기 웨이퍼의 상기 직경보다 적은 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
  4. 제1항에 있어서, 상기 한 층 높은 디스크와 상기 함몰된 링을 갖는 상기 에칭 저항체 덮개는 유전체 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
  5. 제4항에 있어서, 상기 에칭 저항체 덮개는 상기 전도성 가압판의 하부 표면을 덮고 상기 전도성 디스크 가압판의 원주를 넘어서 확장되는 환형의 주변부를 갖는 베이스 디스크를 포함하는데, 상기 함몰된 환형 링은 상기 전도성 디스크 가압판의 원주를 넘어서 확장되는 환형의 주변부를 갖으며 : 상기 베이스 디스크의 상기 환형의 주변부와 상기 함몰된 환형 링의 상기 환형 부분의 주변부사이에 위치하고 상기 전도성 디스크 가압판의 원통형 측면 벽을 덮는 외부 링을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
  6. 제5항에 있어서, 상기 베이스 디스크와 상기 외부 링은 단일 집적 수정 피이스를 구성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
  7. 제1항에 있어서, 상기 방사 소스는 상기 챔버의 부분 주위에 유도성 코일 안테나와 상기 유도성 코일 안테나에 접속된 R.F 플라즈마 전력 공급원을 포함하는데, 상기 웨이프 받침대의 전도성 가압판에 접속된 바이아스 R.F전력 공급원을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
  8. 반도체 기판을 처리하기위한 플라즈마 반응기에 있어서, 반응기 챔버와 : 처리 가스를 상기 챔버 내부에 공급하기위한 가스 공급원과 : 상기 반응체 가스의 플라즈마를 유지하기 위하여 전자기력을 상기 챔버 내무에 방상하기 위한 방사 소스와 : 상기 반도체 기판을 지지하고 상기 전자기 에너지용 리턴 통로를 제공하기 위하여 전기적으로 접속되고 상기 챔버 내부에 받침대를 포함하는데, 상기 받침대는 상기 기판의 직경을 확장하는 직경을 갖는 전도성 디스크 가압판을 포함하는데, 상기 전도성 디스크의 남아있는 내부 부분이 상기 가판을 통하여 상기 플라즈마로부터 R.F 전력의 통로를 제공하는 동안에 상기 전도성 디스크 가압판의 외부 환형 부분이 상기 플라즈마로부터 R.F전력의 직접 통로를 제공하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
  9. 제8항에 있어서, 상기 받침대는 상기 플라즈마로부터 상기 유도성 가압판을 차폐하는 에칭 저항체 덮개를 더 포함하는 것을 특징으로하는 플라즈마 반응기.
  10. 제9항에 있어서, 상기 에칭 저항체 층이 중앙 부분이 상기 기판 및 상기 가압판이 서로 용량적으로 결합되도록 상기 기판을 강조하는 플라즈마 반응기.
  11. 제9항에 있어서, 상기 에칭 저항체 덮개는 석영을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
  12. 제9항에 있어서, 상기 에칭 저항체 덮개는 상기 전도성 가압판의 하부 표면을 덮고 상기 전도성 디스크 가압판의 원주를 넘어서 확장하는 환형의 주변부를 갖는 베이스 디스크를 포함하는데, 상기 함몰된 환형 링은 상기 전도성 디스크 가압판의 원주를 넘어서 확장되는 환형 부분의 주변부를 갖으며 : 상기 베이스 디스크의 상기 환형의 주변부와 상기 함몰된 환형 링의 상기 환형 주변부사이에 위치하고 상기 전도성 디스크 가압판의 원통형 측면 벽을 덮는 외부 링을 더 포함하는 것을특징으로 하는 플라즈마 반응기.
  13. 제12항에 있어서, 상기 베이스 디스크 및 상기 외부 링은 석영을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
  14. 제8항에 있어서, 상기 챔버의 부분 주위에 유도성 코일 안테나 및 상기 유도성 코일 안테나에 접속된 R.F플라즈마 소스 전력 공급원을 포함하는 상기 방사 소스에 있어서, 상기 반응기는 상기 R.F 플라즈마 소스 전력 공급원의 각각 전력 레빌 및 상기 바이아스 R.F 전력 공급원에 따라서 플라즈마 D.C 바이아스 및 플라즈마 이온 밀도의 독립적인 제어를 위한 상기 받침대의 상기 유도성 가압판에 접속된 바이아스 R.F전력 공급원을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
  15. 인가된 R.F전력에 의해 처리 가스로부터 형성된 플라즈마를 포함하는 플라즈마 반응기 진공 챔버의 내부에 반도체 기판을 지지하기 위한 받침대에 있어서, 상기 전도성 디스크의 남아있는 내부 부분이 상기 기판을 통하여 상기 플라즈마로부터 R.F 전력 통로를 제공하는 동안에 상기 전도성 디스크 가압판의 외부 환형 부분이 상기 플라즈마로부터 R.F 전력의 직접 통로를 제공하도록 상기 기판의 직경을 초과하는 직경을 갖는 전도성 디스크 가압판과 : 상기 플라즈마로부터 전도성 가압판을 차폐하고 상기 에칭 저항체 층의 부분이 상기 기판아래에 놓이는 에칭 저항체 덮개를 포함하는데, 상기 에칭 저항체 덮개는 상기 전도성 디스크 가압판위에 놓이고 상기 기판 아래에 놓이고 상기 기판의 주변 부분이 상기 한 층 높은 디스크의 원주를 넘어 확장하도록 상기 기판의 직경보다 적은 직경을 갖는 한 층 높은 디스크와 : 상기 전도성 디스크 가압판의 외부 부분 위에 놓이고 상기 한 층 높은 디스크의 상부 표면 아래에 압축되는 상부 표면을 갖고, 상기 함몰된 환형 링의 내부 부분은 상기 기판의 상기 주변부 부분 아래에 놓이고 상기 플라즈마에 노출된 상기 한 층 높은 측면 벽의 상부 부분에 잇는 함몰된 환형링을 포함하는 것을 특징으로 하는 받침대.
  16. 재15항에 있어서, 상기 함몰된 환형 링의 상기 상부 표면과 상기 기판의 상기 주변부 부분 사이의 변위가 상기 플라즈마가 상기 함몰된 환형 링의 상기 상부 표면의 전체를 접촉하기에 충분하도록 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
  17. 제15항에 있어서, 상기 한층 높은 상기 직경은 상기 받침대에 기판대 기판의 변측 위치 변형이 가능한 큰 량에 의한 상기 웨이퍼의 상기 직경보다 적은 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
  18. 제15항에 있어서, 상기 한 층 높은 디스크와 상기 함몰된 링을 갖는 상기 에칭 저항체 덮개는 유전체 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
  19. 제18항에 있어서, 상기 에칭 저항체 덮개는 상기 전도성 가압판의 하부 표면을 덮고 상기 전도성 디스크 가압판의 원주를 넘어서 확장하는 환형의 주변부를 갖는 베이스 디스크를 포함하는데, 상기 함몰된 환형 링은 상기 전도성 디스크 가압판의 원주를 넘어서 확장되는 환형의 주변부를 갖으며 : 상기 베이스 디스크의 상기 환형의 주변부와 상기 함몰된 환형 링의 상기 환형 주변부사이에 위치하고 상기 전도성 디스크 가압판의 원통형 측면 벽을 덮는 외부 링을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
  20. 제19항에 있어서, 상기 베이스 디스크와 상기 외부 링은 단일 집적 수정 피이스를 구성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
  21. 제16항에 있어서 , 상기 변위는 적어도 약 1mm 정도 근처에 있는 것을 특징으로 하는 받침대.
  22. 제17항에 있어서 , 상기 량는 적어도 약 1mm 정도 근처에 있는 것을 특징으로 하는 받침대.
  23. 플라즈마 반응기에 있어서, 반응기 챔버와 : 방사체 가스를 상기 챔버의 내부에 공급하기 위한 방사체 가스 소스와 : 상기 방사세 가스의 플라즈마를 유지하기 위하여 전자기 에너지를 상기 챔버의 내부에 방사하기 위한 방사체 소스 및 : 기판을 지지하기 위한 상기 챔버 내부에 받침대를 포함하는데, 상기 받침대는 상기 전도성 디스크의 남아있는 내부 부분이 상기 기판을 통하여 상기플라즈마로부터 R.F 전력의 통로를 제공하는 동안에 상기 전도성 디스크 가압판의 외부 환형 부분이 상기 플라즈마로부터 R.F 전력의 직접 통로를 제공하기 위하여 상기기판의 직경을 초과하는 직경을 갖는 전도체 디스크 가압판을 포함하는데, 상기 전도성 디스크 가압판은 상기 기판의 주변부가 상기 한층 높은 디스크 부분의 원주를 넘어서 확장되도록 상기 기판의 직경 보다 적은 직경을 갖고, 상기 기판 아래로 놓이고, 상기 베이스 부분 위에 확장되는 베이스 부분과 한 층 높은 디스크 부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
  24. 제23항에 있어서, 상기 저항체 덮개는 상기 유도성 디스크 가압판의 외부 부분 위에 놓이고, 상기 한 층 놓은 디스크의 상부 표면 아래에 압축되는 상부 표면을 갖으며, 상기 함몰된 환모양 링의 내부 부분이 상기 기판의 주변부 아래에 있고, 상기 플라즈마에 노출된 상기 한층 높은 디스크의 측면 벽의 상부 부분에 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
  25. 제23항에 있어서, 상기 함몰된 환형 링의 상기 상부 표면과 상기 기판의 상기 주변부 부분 사이의 변위가 상기 플라즈마가 상기 함몰된 환형 링의 상기 상부 표면의 전체를 접촉하기에 충분하도록 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
  26. 제23항에 있어서, 상기 한층 높은 상기 직경은 상기 받침대에 기판 대 기판의 변측 위치 변형이 가능한 큰 량에 의한 상기 웨이퍼 상기 직경보다 적은 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
  27. 제23항에 있어서, 상기 함몰된 링을 갖는 상기 에칭 저항체 덮개는 석영을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
  28. 제23항에 있어서, 상기 에칭 저항체 덮개는 상기 전도성 가압판의 하부 표면을 덮고 상기 전도성 디스크 가압판의 원주를 넘어서 확장하는 환형의 주변부를 갖는 베이스 디스크를 포함하는데, 상기 함몰된 환형 링은 상기 전도성 디스크 가압판의 원주를 넘어서 확장되는 환형의 주변부를 갖으며 : 상기 베이스 디스크의 상기 환형의 주변부와 상기 함몰된 환형 링의 상기 환형 주변부 사이에 위치하고 상기 전도성 디스크 가압판의 원통형 측면 벽을 덮는 외부 링을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
  29. 제28항에 있어서, 상기 베이스 디스크 및 상기 외부 링은 석영을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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