DE102006028977B4 - Sputterdepositions-Vorrichtung - Google Patents
Sputterdepositions-Vorrichtung Download PDFInfo
- Publication number
- DE102006028977B4 DE102006028977B4 DE102006028977A DE102006028977A DE102006028977B4 DE 102006028977 B4 DE102006028977 B4 DE 102006028977B4 DE 102006028977 A DE102006028977 A DE 102006028977A DE 102006028977 A DE102006028977 A DE 102006028977A DE 102006028977 B4 DE102006028977 B4 DE 102006028977B4
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- plasma
- sputter deposition
- substrate holder
- deposition apparatus
- dielectric layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title claims abstract description 82
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 72
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 13
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims description 9
- 230000036316 preload Effects 0.000 claims 2
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 52
- 239000000463 material Substances 0.000 description 35
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 25
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 22
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 11
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 description 10
- 229910005866 GeSe Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 8
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 8
- -1 chalcogenide compound Chemical class 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910005839 GeS 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100521334 Mus musculus Prom1 gene Proteins 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 229910017942 Ag—Ge Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000747 poly(lactic acid) Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/225—Oblique incidence of vaporised material on substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
- C23C14/352—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering using more than one target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
- C23C14/354—Introduction of auxiliary energy into the plasma
- C23C14/355—Introduction of auxiliary energy into the plasma using electrons, e.g. triode sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
- C23C14/354—Introduction of auxiliary energy into the plasma
- C23C14/357—Microwaves, e.g. electron cyclotron resonance enhanced sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3266—Magnetic control means
- H01J37/32678—Electron cyclotron resonance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32697—Electrostatic control
- H01J37/32706—Polarising the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3426—Material
- H01J37/3429—Plural materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3438—Electrodes other than cathode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3444—Associated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
- H10N70/021—Formation of switching materials, e.g. deposition of layers
- H10N70/026—Formation of switching materials, e.g. deposition of layers by physical vapor deposition, e.g. sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
- H10N70/041—Modification of switching materials after formation, e.g. doping
- H10N70/046—Modification of switching materials after formation, e.g. doping by diffusion, e.g. photo-dissolution
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
- H10N70/24—Multistable switching devices, e.g. memristors based on migration or redistribution of ionic species, e.g. anions, vacancies
- H10N70/245—Multistable switching devices, e.g. memristors based on migration or redistribution of ionic species, e.g. anions, vacancies the species being metal cations, e.g. programmable metallization cells
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/882—Compounds of sulfur, selenium or tellurium, e.g. chalcogenides
- H10N70/8822—Sulfides, e.g. CuS
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/882—Compounds of sulfur, selenium or tellurium, e.g. chalcogenides
- H10N70/8825—Selenides, e.g. GeSe
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/882—Compounds of sulfur, selenium or tellurium, e.g. chalcogenides
- H10N70/8828—Tellurides, e.g. GeSbTe
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
- H10N70/231—Multistable switching devices, e.g. memristors based on solid-state phase change, e.g. between amorphous and crystalline phases, Ovshinsky effect
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
Description
- HINTERGRUND DER ERFINDUNG
- Die Erfindung bezieht sich auf eine Sputterdepositions-Vorrichtung, insbesondere zur Verwendung bei der Herstellung von Speicherbauelementen, z. B. resistiv schaltenden Speicherbauelementen wie z. B. Phase Change Random Access Memories („PCRAMs”), Conductive Bridging Random Access Memories („CBRAMs”), etc.
- Bei herkömmlichen Speicherbauelementen, insbesondere herkömmlichen Halbleiter-Speicherbauelementen, unterscheidet man zwischen sog.. Funktionsspeicher-Bauelementen (z. B. PLAs, PALs, etc.) und sog. Tabellenspeicher-Bauelementen, z. B. ROM-Bauelementen (ROM = Read Only Memory – insbesondere PROMs, EPROMs, EEPROMs, Flash-Speicher, etc.) und RAM-Bauelementen (RAM = Random Access Memory – insbesondere z. B. DRAMs und SRAMs).
- Ein RAM-Bauelement ist ein Speicher, bei dem man nach Vorgabe einer Adresse Daten abspeichern und unter dieser Adresse später wieder auslesen kann. Bei SRAMs (SRAM = Static Random Access Memory) bestehen die einzelnen Speicherzellen z. B. aus wenigen, beispielsweise 6, Transistoren, und bei sog. DRAMs (DRAN = Dynamic Random Access Memory) im Allgemeinen nur aus einem einzigen, entsprechend angesteuerten kapazitiven Element.
- Des Weiteren sind seit neuerem auch sog. „resistive” bzw. „resistiv schaltende” Speicherbauelemente bekannt, z. B. sog. Phase Change Random Access Memories („PCRAMs”), Conductive Bridging Random Access Memories („CBRAMs”), etc.
-
4 zeigt eine schematische Darstellung des ECWR Plasmas und des zusätzlichen in der in1 gezeigten Sputterdepositions-Vorrichtung erzeugten Plasmas. - Bei „resistiven” bzw. „resistiv schaltenden” Speicherbauelementen wird ein – z. B. zwischen zwei entsprechenden Elektroden angeordnetes – „aktives” bzw. „schaltaktives” Material durch entsprechende Schaltvorgänge in einen mehr oder weniger leitfähigen Zustand versetzt (wobei z. B. der mehr leitfähige Zustand einer gespeicherten, logischen „eins” entspricht, und der weniger leitfähige Zustand einer gespeicherten, logischen „null”, oder umgekehrt).
- Bei Phase Change Random Access Memories (PCRAMs) kann als „schaltaktives” Material z. B. ein entsprechendes Chalkogenid- oder Chalkogenidverbindungs-Material verwendet werden (z. B. ein Ge-Sb-Te-(„GST”-) oder ein Ag-In-Sb-Te-Verbindungsmaterial, etc.). Das Chalkogenidverbindungs-Material kann durch entsprechende Schaltvorgänge in einen amorphen, d. h. relativ schwach leitfähigen, oder einen kristallinen, d. h. relativ stark leitfähigen, Zustand versetzt werden (wobei z. B. der relativ stark leitfähige Zustand einer gespeicherten, logischen „eins” entsprechen kann, und der relativ schwach leitfähige Zustand einer gespeicherten, logischen „null”, oder umgekehrt). Phasenwechsel-Speicherzellen sind z. B. aus G. Wicker, ”Nonvolatile, High Density, High Performance Phase Change Memory”, SPIE Conference an Electronics and Structures for MEMS, Band 3891, Queensland, 2, 1999 bekannt, sowie z. B. aus Y. N. Hwang et al., ”Completely CMOS Compatible Phase Change Nonvolatile RAM Using NMOS Cell Transistors”, IEEE Proceedings of the Nonvolatile Semiconductor Memory Workshop, Monterey, 91, 2003, S. Lai et al., ”OUM-a 180 nm nonvolatile memory cell element technology for stand alone and embedded applications”, IEDM 2001, Y. Ha et al., ”An edge contact type cell for phase change RAM featuring very low power consumption”, VLSI 2003, H. Horii et al., ”A novel cell technology using N-doped GeSbTe films for phase change RAM”, VLSI 2003, Y. Hwang et al., ”Full integration and reliability evaluation of phase-change RAM based on 0,24 μm-CMOS technologies”, VLSI 2003, und S. Ahn et al., ”Highly Manufacturable High Density Phase Change Memory of 64 Mb and beyond”, IEDM 2004, etc.
- Bei den oben genannten Conductive Bridging Random Access Memories (CBRAMs) erfolgt das Speichern von Daten unter Verwendung eines Schaltmechanismus, der auf dem statistischen Überbrücken mehrfacher metallreicher Ablagerungen in dem „schaltaktiven” Material basiert. Bei Anlegen eines Schreibimpulses (positiver Impuls) an zwei entsprechende Elektroden, die mit dem „schaltaktiven” Material in Kontakt stehen, wächst die Dichte der Ablagerungen an, bis sie einander schließlich berühren und so durch das „schaltaktive” Material eine leitende Brücke bilden, was zu einem stark leitfähigen Zustand der entsprechenden CBRAM-Speicherzelle führt. Durch Anlegen eines negativen Impulses an die entsprechenden Elektroden kann dieser Vorgang umgekehrt werden, wodurch die CBRAM Speicherzelle wieder in den schwach leitfähigen Zustand zurückversetzt wird. Derartige Speicherbauelemente sind z. B. in Y. Hirose, H. Hirose, J. Appl. Phys. 47, 2767 (1975), T. Kawaguchi et al., „Optical, electrical and structural properties of amorphous Ag-Ge-S and Ag-Ge-Se films and comparison of photoinduced and thermally induced phenomena of both systems”, J. Appl. Phys. 79 (12), 9096, 1996, M. Kawasaki et al., ”Ionic conductivity of Agx(GeSe3)1-x (0 < x0.571) glasses”, Solid State Ionics 123, 259, 1999, etc. offenbart.
- Entsprechend ähnlich wie bei den oben genannten PCRAMs kann für CBRAM Speicherzellen ein entsprechendes Chalkogenid oder eine Chalkogenidverbindung (z. B. GeSe, GeS, AgSe, CuS, etc.) als „schaltaktives” Material verwendet werden.
- Des Weiteren kann für die oben genannten Elektroden z. B. Cu, Ag, Au, Zn, etc. verwendet werden (oder z. B. Cu, Ag, Au, Zn, etc. für eine entsprechende erste und z. B. W, Ti, Ta, TiN, etc. für eine entsprechende zweite Elektrode, etc.).
- Für die Herstellung von Speicherzellen, z. B. zum Ablagern des oben genannten schaltaktiven Materials, von Elektroden, etc., werden so genannte Sputterdepositions-Verfahren verwendet.
- Sputtern ist ein physikalischer Vorgang, bei dem Atome in einem festen „Target-Material” durch Beschuss des Materials beispielsweise mit energiereichen Ionen in die Gasphase ausgestoßen werden. Die ausgestoßenen Atome werden dann auf einem entsprechenden Substrat abgelagert. Die Ionen zum Sputtern werden beispielsweise durch ein Plasma geliefert, das in der entsprechenden Sputtervorrichtung erzeugt wird. Die Ablagerung des gesputterten Materials erfolgt jedoch, auch an Seitenwandflächen der Sputtervorrichtung. Leichtere Bestandteile des gesputterten Materials unterliegen einer derartigen Ablagerung in höherem Maß, als schwerere Bestandteile des gesputterten Materials. Daher tendiert das schließlich auf dem Substrat abgelagerte Material dazu, nicht die gewünschte Zusammensetzung aufzuweisen, insbesondere nicht in den äußeren peripheren Randbereichen des Substrats. Folglich sind eine Sputterdepositions-Vorrichtung und ein Sputterdepositions-Verfahren erwünscht, mit denen eine gleichmäßige Ablagerung des gesputterten Materials erreicht werden kann. Aus diesem und weiteren Gründen gibt es einen Bedarf an der vorliegenden Erfindung.
- In
US 2006/00732283 A1 - In
JP 63-072875 A - In
JP 10-001772 A - In
DE 600 35 971 T2 wird eine Vorrichtung zum Verbessern der Gleichmäßigkeit von Wafern während der Plasmabearbeitung in einem Halbleiter-Plasmabearbeitirngssystem beschrieben. Dabei weist eine elektrostatische Spannvorrichtung eine spezifische Geometrie auf, um Ungleichmäßigkeitsmerkmale des Prozesses zu kompensieren. - In
DE 697 27 624 T2 wird ein Gerät zur Gasphasenabscheidung mit hochdichtem Plasma beschrieben. - Aus
EP 1 371 746 A1 ist eine Vorrichtung zum Ausbilden eines Films aus einem Material auf einer Fläche bekannt. Die Vorrichtung umfasst Mittel, mit deren Hilfe ein Winkel zwischen der Fläche und einem Quellkörper aus dem Material variierbar ist. - KURZE ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
- Gemäß einem Aspekt der Erfindung wird eine Sputterdepositions-Vorrichtung bereitgestellt, die aufweist: wenigstens ein Sputter-Target in einer ersten Ebene, ein Plasma, einen Substrathalter in einer zweiten Ebene, wobei der Winkel zwischen der ersten Ebene und der zweiten Ebene zwischen 15° und 35° beträgt und der Substrathalter eine dielektrische Schicht von variierender Stärke aufweist, die an einem Innenbereich des Substrathalters größer ist, als an einem Außenbereich des Substrathalters. Vorzugsweise weist die Anordnung ein weiteres Plasma auf. Vorzugsweise ist das weitere Plasma ein ECWR Plasma. Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung wird zwischen dem weiteren Plasma und dem Substrathalter eine Anode bereitgestellt.
- KURZE BESCHREIBUNG DER VERSCHIEDENEN ANSICHTEN DER ZEICHNUNGEN
- Die beigefügten Zeichnungen dienen dazu, die Erfindung besser verständlich zu machen, und werden in diese Beschreibung aufgenommen und sind ein Teil davon. Die Zeichnungen zeigen die Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung und dienen zusammen mit der Beschreibung dazu, die Grundlagen der Erfindung zu erläutern. Weitere Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung und viele der beabsichtigten Vorteile der vorliegenden Erfindung werden leicht ersichtlich, wenn sie unter Bezug auf die nachfolgende detaillierte Beschreibung besser verstanden werden.
-
1 zeigt eine schematische Querschnitt-Ansicht einer Sputterdepositions-Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. -
2 zeigt eine schematische Darstellung des in der Sputterdepositions-Vorrichtung der1 erzeugten ECWR Plasmas sowie entsprechende Schichten, die auf dem in der Vorrichtung vorgesehenen Substrat abgelagert sind. -
3a zeigt eine schematische Querschnitt-Ansicht des Anodenrings der in1 gezeigten Sputterdepositions-Vorrichtung, sowie entsprechender Dauermagnete. -
3b zeigt eine schematische Längsschnitt-Ansicht des Anodenrings der in1 gezeigten Sputterdepositions-Vorrichtung, sowie entsprechender Dauermagnete. -
3c zeigt eine detailliertere Längsschnitt-Ansicht des Anodenrings der in1 gezeigten Sputterdepositions-Vorrichtung, sowie entsprechender Dauermagnete. -
4 zeigt eine schematische Darstellung des ECWR Plasmas und des zusätzlichen in der in1 gezeigten Sputterdepositions-Vorrichtung erzeugten Plasmas. -
5 zeigt eine schematische Detail-Darstellung des ECWR Plasmas und des in der in1 gezeigten Sputterdepositions-Vorrichtung verwendeten Substrathalters. -
6 zeigt eine schematische Darstellung der mit dem Substrathalter der in1 gezeigten Sputterdepositions-Vorrichtung erzielbaren Vorspannungsverteilung. - DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
- In der folgenden detaillierten Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die einen Teil davon bilden, und in denen besondere Ausführungsformen, in denen die Erfindung praktiziert werden kann, bildlich dargestellt sind. In diesem Zusammenhang wird Terminologie, die eine Richtung bezeichnet, beispielsweise „oben”, „unten”, „vorne”, „hinten”, etc. im Hinblick auf die Orientierung der beschriebenen Figur(en) verwendet. Da Bestandteile der Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung in vielen verschiedenen Orientierungen positioniert werden können, wird die Terminologie, die eine Richtung bezeichnet, nur zu Zwecken der Illustration verwendet und ist in keiner Weise einschränkend.
-
1 zeigt eine schematische Querschnitt-Ansicht einer Sputterdepositions-Vorrichtung1 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. - Die Sputterdepositions-Vorrichtung
1 kann für jede Art von Ablagerungsverfahren verwendet werden und ist besonders nützlich für die Herstellung von Halbleiterbauelementen und/oder Speicherbauelementen wie beispielsweise ROMs, PROMs, EPROMs, EEPROMs, Flash-Speicher, RAMs (z. B. DRAMS, SRAMs, etc.), insbesondere für die Herstellung so genannter „resistiver” bzw. „resistiv schaltender” Speicherbauelemente, z. B. Phase Change Random Access Memories („PCRAMs”), Conductive Bridging Random Access Memories („CBRAMs”), etc. Insbesondere kann die Depositions-Vorrichtung1 für die Herstellung des entsprechenden „schaltaktiven” Materials eines „resistiven” bzw. „resistiv schaltenden” Speicherbauelements (z. B. eines entsprechenden Chalkogenid- oder Chalkogenidverbindungs-Materials, z. B. eines Ge-Sb-Te („GST”) oder eines Ag-In-Sb-Te Vebindungsmaterials (oder GeSe, GeS, GeS2, AgSe, CuS, etc.)) verwendet werden. Alternativ oder zusätzlich kann die Depositions-Vorrichtung1 z. B. für die Herstellung einer entsprechenden (ersten und/oder zweiten) Elektrode eines „resistiven” bzw. „resistiv schaltenden” Speicherbauelements verwendet werden, z. B. einer entsprechenden Cu-, Ag-, Au- oder Zn-Elektrode, etc., oder z. B. einer W-, Ti-, Ta-, TiN-Elektrode, etc., und/oder zum Durchführen entsprechender Dotiervorgänge, z. B. eines Dotierens mit Stickstoff, etc. Beispielsweise kann, wie in2 gezeigt ist, die Sputterdepositions-Vorrichtung1 verwendet werden, um z. B. zunächst eine entsprechende W-Schicht14a herzustellen, die als erste Elektrode eines entsprechenden „resistiven” bzw. „resistiv schaltenden” Speicherbauelements verwendet wird, und/oder eine entsprechende GeSe-Matrixschicht14b , die als „schaltaktives” Material des Speicherbauelements verwendet wird, und/oder – danach – eine entsprechende Ag-Dotierschicht14c , die als zweite Elektrode des Speicherbauelements verwendet wird. - Bei der vorliegenden Ausführungsform ist die Depositions-Vorrichtung
1 vorteilhaft in Form einer HF-, DC-Magnetron-Co-Sputterdepositions-Vorrichtung aufgebaut, z. B. in Form einer HF-, DC-Co-Sputterdepositions-Vorrichtung mit einer Erregungsfrequenz HF von z. B. 13,56 MHz (oder z. B. 27,12 MHz, etc.). - Wie in
1 gezeigt ist, werden bei der Sputterdepositions-Vorrichtung1 Atome/Moleküle in einem festen „Target-Material”2 (hier: z. B. in entsprechenden Co-Sputter-Targets vorgesehen, die oben in der Vorrichtung1 bereitgestellt sind) durch Beschuss des Materials2 z. B. mit energiereichen Ionen in die Gasphase ausgestoßen und dann auf einem Substrat/Wafer (hier: einem Substrat/Wafer, das/der auf einem Substrathalter4 unten in der Vorrichtung1 vorgesehen ist) abgelagert. Die Ionen zum Sputtern werden beispielsweise von einem Plasma3 geliefert, das in der Sputterdepositions-Vorrichtung1 erzeugt wird. - Bei der vorliegenden Ausführungsform ist die Sputterdepositions-Vorrichtung
1 „von oben nach unten” aufgebaut, wobei das „Target-Material”2 und entsprechende Sputter-Kathoden oberhalb des Substrathalters4 angeordnet sind. - Wie aus
1 ersichtlich ist, liegt zwischen einer Ebene A, auf der das Target-Material2 /Sputter-Target vorgesehen ist, und einer Ebene B, auf der das Substrat4 vorgesehen ist, ein Winkel α von beispielsweise zwischen 15° und 35°, z. B. zwischen 20° und 30°, z. B. von ca. 25°. - Der Abstand zwischen dem Target-Material
2 /Sputter-Target und dem Substrathalter4 beträgt z. B. zwischen 15 cm und 30 cm, vorzugsweise z. B. zwischen 20 cm und 25 cm. - Des Weiteren ist der Abstand zwischen dem Plasma
3 und dem Target-Material2 /Sputter-Target (oder der Abstand zwischen entsprechenden Gaseinlässen für das Plasma3 , die in der Wand7 der Sputterdepositions-Vorrichtung1 ausgebildet sind, und dem Target-Material2 /Sputter-Target) relativ gering, z. B. zwischen 3 cm und 15 cm, vorzugsweise z. B. zwischen 5 cm und 10 cm. - Die Wand
7 der Sputterdepositions-Vorrichtung1 hat im Wesentlichen die Form eines Zylinders. Der Innendurchmesser des Zylinders beträgt ungefähr zwischen 45 cm und 70 cm, bevorzugt z. B. zwischen 55 cm und 60 cm. - Als Substrat kann ein relativ großer Wafer verwendet werden, z. B. ein Wafer mit einem Durchmesser von beispielsweise mehr als 15 cm oder 25 cm, z. B. zwischen 20 cm und 60 cm, vorzugsweise z. B. zwischen 30 cm und 50 cm.
- Wie weiter unten im Einzelnen beschrieben werden wird, ist in der Sputterdepositions-Vorrichtung
1 ein zusätzliches – vorzugsweise induktiv gekoppeltes – Plasma5 (oder mehrere zusätzliche Plasmen) vorgesehen. - Der Abstand zwischen dem zusätzlichen Plasma
5 und dem Substrathalter4 (oder genauer gesagt der Abstand zwischen entsprechenden zusätzlichen Gaseinlässen für das zusätzliche Plasma5 , die z. B. in der Wand7 der Sputterdepositions-Vorrichtung1 ausgebildet sind, und dem Substrathalter4 ) ist relativ gering, z. B. zwischen 2 cm und 15 cm, vorzugsweise z. B. zwischen 3 cm und 10 cm, z. B. zwischen 5 cm und 8 cm. - Die zusätzlichen Gaseinlässe in der Wand
7 der Sputterdepositions-Vorrichtung1 (und/oder optionale weitere Gaseinlässe8 in der Wand7 der Sputterdepositions-Vorrichtung1 , wie unten anhand von3a detaillierter beschrieben werden wird) können einen entsprechenden Ring um die Wand7 der Sputterdepositions-Vorrichtung1 herum bilden. Wie aus1 ersichtlich ist, liegt zwischen einer Ebene D, auf der die zusätzlichen Gaseinlässe/die Hauptachse des zusätzlichen Plasmas5 vorgesehen sind/ist (und auch einer Ebene C, auf der der Ring weiterer Gaseinlässe8 vorgesehen ist) und der Ebene B, auf der das Substrat/der Wafer vorgesehen ist, ein Winkel β von zwischen 15° und 35°, z. B. zwischen 20° und 30°, beispielsweise von ca. 25°. Der Winkel β ist vorzugsweise im Wesentlichen identisch zu dem oben genannten Winkel α zwischen der Ebene A, auf der das Sputter-Target vorgesehen ist, und der Ebene B, auf der der Substrathalter4 vorgesehen ist. - Das zusätzliche Plasma
5 ist vorzugsweise ein so genanntes „ECWR” Plasma (ECWR Plasma = Electron Cyclotron Wave Resonance Plasma), wie es z. B. in H. Neuert, Z. Naturforschung 3a, 1948, Seite 310, O. Sager, Z. Angew, Phys. 31, 1971, Seite 282, oder H. Oechsner, Z. Phys. 238, 1970, Seite 433, beschrieben ist. - Wie weiter unten im Einzelnen beschrieben werden wird, können die (optionalen) weiteren Gaseinlässe
8 in der Wand7 der Sputterdepositions-Vorrichtung1 mit einem entsprechenden zusätzlichen Anodenring6 gekoppelt sein, der sich zwischen dem zusätzlichen Plasma5 und dem Substrathalter4 befindet. - Das zusätzliche ECWR Plasma
5 kann einem (vorzugsweise variabel einstellbaren) Druck unterliegen, beispielsweise einem „normalen” oder relativ geringen Druck von ca. 0,1–0,8 Pa (z. B. 0,3–0,6 Pa), oder einem relativ hohen Druck von ca. 0,8–10 Pa (z. B. 1–10 Pa), etc. - Das ECWR Plasma
5 kann dazu dienen, die Beimischung z. B. von Ag Dotierungen beispielsweise in die GeSe/GeS Matrix zu unterstützen, und/oder von N2 in die GST Matrix, etc., z. B. mittels: - (a) Ionenstrahlen; und/oder
- (b) Elektronen/Thermalheizung; und/oder
- (c) Fotoauflösung, z. B. über UV-Strahlung.
- Vorzugsweise ist die Sputterdepositions-Vorrichtung
1 so ausgelegt, dass jedes der oben genannten Verfahren (a), (b) oder (c) zur Verwendung ausgewählt werden kann, oder beliebige mögliche Kombinationen hieraus. Die Sputterdepositions-Vorrichtung1 ist beispielsweise bevorzugt so ausgelegt, dass – alternativ – z. B. das Verfahren (a) oder das Verfahren (b) oder das Verfahren (c), oder eine Kombination aus den Verfahren (b) und (c) (oder eine Kombination aus den Verfahren (a) und (b), oder (a) und (c), oder eine Kombination aus den Verfahren (a), (b) und (c)) zur Verwendung ausgewählt werden kann, wobei bevorzugt auch im Fall einer kombinierten Verwendung der Verfahren (b) und (c) oder (a) und (b) oder (a) und (c) oder (a) und (b) und (c) das Ausmaß, in dem ein entsprechendes Verfahren verwendet wird, variabel angepasst werden kann. - Durch das ECWR Plasma
5 kann, wie in2 gezeigt, das entsprechende Sputter-Material – z. B. Ag und/oder N2 etc. – zusätzlich erregt oder dissoziiert oder ionisiert werden (beispielsweise durch die oben genannten ECWR Plasmaionen und/oder -elektronen und/oder -photonen). Dadurch kann beispielsweise ein dichteres Sputter-Material und/oder eine gleichmäßigere Ablagerung des Sputter-Materials in dem entsprechenden Substratmaterial, z. B. GeSe, GeS, etc. erreicht werden. - Durch die Verwendung des oben genannten Anodenrings
6 – der vorzugsweise selektiv einer variabel einstellbaren positiven Spannung unterliegen kann – können Plasmaelektronen von beispielsweise bevorzugt dem ECWR Plasma5 auf den Anodenring6 zu getrieben werden. Dadurch kann die geringere Intensität der Plasmastrahlung in Bereichen nahe der Wand7 der Sputterdepositions-Vorrichtung1 (d. h. in Umfangsbereichen) ausgeglichen werden (um beispielsweise einen gleichmäßigen Beschuss des Substrats mit Elektronen zu erzielen). Des Weiteren kann, insbesondere falls der Anodenring6 relativ nahe an dem Substrathalter4 positioniert ist (z. B. näher als beispielsweise 6 cm, vorzugsweise näher als 5 cm oder 3 cm an dem Substrathalter4 ), durch Anlegen einer entsprechend gewählten positiven Spannung an den Anodenring6 der Beschuss des Substrats mit Elektronen aus dem zusätzlichen Plasma5 insgesamt variabel modifiziert, z. B. reduziert, werden – beispielsweise auf beinahe 0, wenn eine relativ hohe positive Spannung an den Anodenring6 angelegt wird. Daher kann in diesem Fall erreicht werden, dass die Dotierung von Material, z. B. Ag in das Substrat (z. B. GeSe, GeS, etc.) hauptsächlich auf Plasmaphotonen basiert. - Wie weiter unten im Einzelnen beschrieben werden wird, kann durch die Verwendung der oben genannten (optionalen) weiteren Gaseinlässe
8 , die mit dem Anodenring6 gekoppelt sind, selektiv ein weiteres zusätzliches Plasma13 (Hilfsplasma) erzeugt werden (wodurch wiederum die Sputterdepositions-Vorrichtung1 z. B. so ausgelegt werden kann, dass jedes der oben genannten Verfahren (a), (b) oder (c) zur Verwendung ausgewählt werden kann, oder jede mögliche Kombination hieraus (wobei das Ausmaß, mit dem ein entsprechendes Verfahren verwendet wird, variabel anpassbar ist)). - Zur Unterstützung des oben genannten Hilfsplasmas
13 kann ein entsprechendes Edelgas/Reaktionsgas, z. B. N2, durch die weiteren Gaseinlässe8 , die mit dem Anodenring5 gekoppelt sind, in die Sputterdepositions-Vorrichtung1 eingelassen werden, das entsprechend dissoziiert/erregt wird. Das oben genannte Hilfsplasma13 kann z. B. zum Ausgleich der oben genannten geringeren Plasmaintensität in Bereichen nahe der Wand7 der Sputterdepositions-Vorrichtung1 (d. h. in Umfangsbereichen) verwendet werden. - Des Weiteren kann durch Verwendung eines geeigneten Reaktionsgases, z. B. eines entsprechenden schwefelhaltigen Reaktionsgases, beispielsweise die folgende Wirkung erzielt werden: In dem oben genannten Sputter-Target kann das Target-Material
2 mehrere verschiedene Bestandteile aufweisen. Die entsprechenden verschiedenen Bestandteile des Target-Materials2 können jedoch auf ihrem Weg zu dem Substrat – in unterschiedlichem Ausmaß – einer entsprechenden Streuung unterworfen sein. Streuungsverluste von Bestandteilen, die in relativ hohem Ausmaß gestreut werden (z. B. Schwefel) sind größer, als Streuungsverluste von Bestandteilen, die in relativ geringem Ausmaß gestreut werden (z. B. Germanium). Daher kann sich die Zusammensetzung des in dem Substrat abgelagerten Materials von der Zusammensetzung des Target-Materials2 und daher von der gewünschten Zusammensetzung unterscheiden. Deshalb können durch das oben genannte Reaktionsgas, das durch die oben genannten weiteren Gaseinlässe8 eingelassen wird, die mit dem Anodenring6 gekoppelt sind, der einen oder mehrere der oben genannten Bestandteile des Target-Materials2 enthält, der in einem relativ hohen Ausmaß Streuung unterliegt, die oben genannten unterschiedlichen Streuungsverluste ausgeglichen werden. Dadurch kann erreicht werden, dass die Zusammensetzung des in dem Substrat abgelagerten Materials im Wesentlichen gleich der Zusammensetzung des Target-Materials2 und/oder im Wesentlichen gleich der entsprechenden gewünschten Zusammensetzung ist. - Zusätzlich kann es sein, dass das Target-Material
2 selbst von Anfang an nicht die gewünschte Zusammensetzung (oder genauer gesagt die Zusammensetzung, die für das in dem Substrat abzulagernde Material erwünscht ist) aufweist – beispielsweise, weil ein entsprechendes Target-Material2 zu teuer wäre oder überhaupt nicht hergestellt wird. GeS kann beispielsweise als Target-Material2 verfügbar sein, nicht aber GeS2. Ein Bestandteil, der in dem Target-Material vollständig fehlt, und/oder ein Bestandteil, der in dem Target-Material2 nicht in ausreichendem Maß vorhanden ist (z. B. Schwefel) kann „hinzugefügt” werden durch Verwendung des oben genannten Reaktionsgases, das durch die oben genannten weiteren Gaseinlässe8 , die mit dem Anodenring6 gekoppelt sind, eingelassen wird. Wenn das entsprechende Reaktionsgas einen oder mehrere Bestandteile aufweist, die nicht in dem Target-Material2 enthalten sind, aber in dem Substrat abzulagern sind, und/oder einen oder mehrere Bestandteile, die in dem Target-Material2 nicht in ausreichendem Maß enthalten sind, kann erreicht werden, dass die Zusammensetzung des in dem Substrat abgelagerten Materials im Wesentlichen gleich der entsprechenden gewünschten Zusammensetzung ist (GeS2 kann beispielsweise abgelagert werden, obwohl GeS als Target-Material2 verwendet wird). - Als Target-Material
2 kann jedes geeignete Material verwendet werden, z. B. ein entsprechendes Chalkogenid- oder Chalkogenidverbindungs-Material, beispielsweise ein Ge-Sb-Te-(„GST”-) oder ein Ag-In-Sb-Te-Verbindungsmaterial (oder GeSe, GeS, AgSe, CuS, etc.) (und/oder z. B. Cu, Ag, Au, Zn, W, Ti, Ta, TiN, etc.). Insbesondere können, falls ein entsprechendes Co-Sputterverfahren durchgeführt wird, zwei unterschiedliche Target-Materialien gleichzeitig verwendet werden, z. B. GeS (oder z. B. Se) und Ag2S (oder AgSe), etc. -
3a zeigt eine schematische Querschnitt-Ansicht des Anodenrings6 der in1 gezeigten Sputterdepositions-Vorrichtung1 , sowie der oben genannten (optionalen) weiteren Gaseinlässe8 in der Wand7 der Sputterdepositions-Vorrichtung1 . - Die Wand
7 der Sputterdepositions-Vorrichtung1 ist bevorzugt nichtmagnetisch und kann zu diesem Zweck z. B. ein entsprechendes nichtmetallisches Material, z. B. ein entsprechendes keramisches Material aufweisen. - Wie bereits oben erwähnt wurde, kann durch die weiteren Gaseinlässe
8 ein entsprechendes Edelgas/Reaktionsgas, z. B. N2, in die Sputterdepositions-Vorrichtung1 eingelassen werden. - Die oben genannte positive Spannung, der der oben genannte Anodenring
6 unterliegen kann, kann von einer entsprechenden Spannungsquelle10 , die mit dem Anodenring6 elektrisch in Kontakt steht, geliefert werden. Wie aus3a ersichtlich ist, können zwischen dem Anodenring6 (oder einer Innenwand5a des Anodenring, falls der Anodenring, wie in3a gezeigt, in Form einer Box ausgebildet ist) und der Wand7 der Sputterdepositions-Vorrichtung1 mehrere Dauermagnete9 vorgesehen sein. Die Dauermagnete9 können z. B. jeweils einen rechteckigen Querschnitt aufweisen und/oder einen rechteckigen Längsschnitt, und können jeweils im Wesentlichen gleich groß sein. Vorzugsweise ist der Anodenring6 oder die oben genannte Innenwand6a des Anodenrings aus einem entsprechenden nichtmagnetischen Material hergestellt und ist, wie in3b gezeigt, perforiert, um zu ermöglichen, dass das Edelgas/Reaktionsgas, das durch die weiteren Gaseinlässe8 eingelassen wird, in Innenbereiche der Sputterdepositions-Vorrichtung1 eintreten kann. - Wie aus
3a ersichtlich ist, sind die weiteren Gaseinlässe8 in der Wand7 der Sputterdepositions-Vorrichtung1 in einem Abstand von dem Substrathalter4 vorgesehen, der im Wesentlichen identisch zu dem Abstand zwischen den Dauermagneten9 und/oder dem Anodenring6 und dem Substrathalter4 ist. - Wie in
3b gezeigt, können die Dauermagnete9 durch einen entsprechenden zusätzlichen Ring11 oder eine Metallplatte11 , die in der Sputterdepositions-Vorrichtung1 zwischen den Dauermagneten9 und der Wand7 der Sputterdepositions-Vorrichtung1 vorgesehen ist, gekoppelt sein. Vorzugsweise kann der zusätzliche Ring11 aus einem entsprechenden magnetischen Material, z. B. Nickel oder Eisen, hergestellt sein. Daher kann ein magnetischer Kurzschluss zwischen benachbarten Dauermagneten9 erreicht werden – genauer gesagt, ein magnetischer Kurzschluss zwischen dem Südpol (S) eines ersten Dauermagneten9 und dem Nordpol (N) eines zweiten Dauermagneten9 nahe einer Seite des ersten Dauermagneten9 , und zusätzlich ein magnetischer Kurzschluss zwischen dem Nordpol (N) des ersten Dauermagneten9 und dem Südpol (S) eines dritten Dauermagneten9 nahe der anderen Seite des ersten Dauermagneten9 , etc. - Durch Verwendung der Dauermagnete
9 kann ein entsprechendes konstantes Magnetfeld erzeugt werden, z. B. ein konstantes Magnetfeld mit einer Feldstärke zwischen z. B. 1.500 und 15.000 A/m, insbesondere zwischen 3.000 und 10.000 A/m (z. B. ca. 7.000 A/m). -
3c zeigt eine detailliertere Längsschnitt-Ansicht des Anodenrings6 der Sputterdepositions-Vorrichtung1 sowie der Dauermagnete9 . Insbesondere zeigt3c entsprechende Linien9a ,9b ,9c , die den Magnetfluss zwischen benachbarten Dauermagneten9 zeigen, sowie das Anodenplasma (Hilfeplasma)13 , das durch Verwendung des Anodenrings6 mit den oben genannten weiteren Gaseinlässen8 erzeugt wird. Wie aus4 ersichtlich ist, weist das Hilfsplasma13 im Wesentlichen eine zylindersymmetrische Form auf und hat in Bereichen nahe der Wand7 der Sputterdepositions-Vorrichtung1 (d. h. in Umfangsbereichen) eine höhere Intensität, als in Innenbereichen der Vorrichtung1 . Im Gegensatz dazu hat das ECWR Plasma5 in Bereichen nahe der Wand7 der Sputterdepositions-Vorrichtung1 , d. h. in Umfangsbereichen, eine niedrigere Intensität, als in Innenbereichen der Vorrichtung1 . Mit anderen Worten wird das ECWR Plasma5 durch das Hilfsplasma13 so modifiziert, dass z. B. ein gleichmäßigerer Beschuss des Substrate4 mit Elektronen/Ionen/Photonen erreicht wird. - Der Substrathalter
4 kann drehbar und schwebend sein, oder kann über ein entsprechendes Abgleichnetzwerk16 mit einem HF-Sender15 mit einer (z. B. variablen) Erregungsfrequenz HF zwischen 5 und 40 MHz, z. B. 13,56 MHz (oder z. B. 27,12 MHz, etc.) und/oder einer (z. B. variabel einstellbaren) Energie kapazitiv gekoppelt sein, so dass an dem Substrathalter4 z. B. eine effektive Vorspannung Veff zwischen z. B. 5 V und 70 V erzielt werden kann, beispielsweise eine relativ niedrige effektive Spannung z. B. zwischen 10 V und 20 V, oder eine relativ hohe effektive Spannung z. B. zwischen 40 V und 60 V, etc. - Durch Verwendung einer relativ hohen Erregungsfrequenz, z. B. 27,12 MHz anstelle von 13,56 MHz, kann der Beschuss des Substrats mit Ionen gegenüber dem Beschuss mit z. B. Elektronen verringert werden; die Auflösung kann dann z. B. hauptsächlich auf Beschuss mit Elektronen basieren. Entsprechend ähnlich kann durch Verwendung einer relativ niedrigen Erregungsfrequenz, z. B. 13,56 MHz anstelle von 27,12 MHz, der Beschuss des Substrats
4 mit Elektronen gegenüber dem Beschuss mit z. B. Ionen verringert werden; die Auflösung kann dann z. B. in einem im Wesentlichen entsprechenden Maß sowohl auf einem Beschuss mit Ionen als auch auf einem Beschuss mit Elektronen basieren (oder z. B. primär auf einem Beschuss mit Ionen, etc.). Durch Anlegen der oben genannten relativ niedrigen effektiven Spannung Veff (z. B. zwischen 10 V und 20 V) an den Substrathalter4 (was zu einem relativ hohen Maß an Beschuss des Substrats mit Elektronen gegenüber dem Beschuss mit z. B. Ionen führt) kann zusätzlich zu einem entsprechenden Sputtern ein Ätzen mit einer relativ hohen Ätzgeschwindigkeit erreicht werden. Entsprechend ähnlich kann durch Anlegen der oben genannten relativ hohen effektiven Spannung Veff (z. B. zwischen 40 V und 50 V) an den Substrathalter4 (was zu einem relativ hohen Maß von Beschuss des Substrats mit Ionen gegenüber dem Beschuss mit z. B. Elektronen führt) zusätzlich zu einem entsprechenden Sputtern ein Ätzen mit einer relativ niedrigen Ätzgeschwindigkeit und/oder ein Ätzen, das hauptsächlich auf Ionen basiert, erreicht werden. - Wie in den
5 und6 gezeigt ist, weist der Substrathalter4 eine entsprechende Metallplatte4a (d. h. eine Schicht, auf der das entsprechende Sputtern/Ablagern/Dotieren/Ätzen, etc. stattfinden soll), einen geformten Metallkörper4c und – wie im Einzelnen weiter unten beschrieben werden wird – eine dielektrische Schicht4b auf, die zwischen dem Metallkörper4c und der Platte4a vorgesehen ist. - Der Metallkörper
4c kann bei Bedarf mit dem oben genannten HF-Sender15 kapazitiv gekoppelt werden. Zu diesem Zweck ist eine entsprechende Kopplungsstelle des Körpers4c über eine Leitung16a mit dem oben genannten Abgleichnetzwerk16 verbunden, das über eine Leitung16b mit dem HF-Sender15 verbunden ist. Wie aus6 hervorgeht, kann sich die Kopplungsstelle des Metallkörpers4c beispielsweise in der Mitte des Körpers4c befinden. - Die dielektrische Schicht
4b kann aus einem entsprechenden homogenen keramischen Material, z. B. einem entsprechenden Titanat, bestehen. - Wie in den
5 und6 gezeigt ist, ist die dielektrische Schicht4b an Umfangsbereichen des Substrathalters4 dünner, als an Innenbereichen des Substrathalters4 , Die maximale Stärke d1 der dielektrischen Schicht4b kann beispielsweise unterhalb der Mitte der Platte4a mehr als 10%, insbesondere mehr als 20%, z. B. mehr als 30% größer sein (z. B. zwischen 15% und 40% größer), als die minimale Stärke der dielektrischen Schicht4b an Bereichen unterhalb des äußeren Rands der Platte4a . Dadurch können beispielsweise Ungleichmäßigkeiten der Vorspannung Ub an der Platte4a ausgeglichen werden. Derartige Ungleichmäßigkeiten können beispielsweise auftreten, wenn die Wellenlänge, die der oben genannten HF-Erregungsfrequenz entspricht (oder die Hälfte oder ein Viertel der Wellenlänge) im Wesentlichen von gleicher Größe oder im Wesentlichen gleich der Länge L des Substrathalters4 ist. Wenn dies der Fall ist – ohne die oben genannten Unterschiede in der Stärke der dielektrischen Schicht4b kann in einem Bereich nahe der Kopplungsstelle des Körpers4c eine andere Vorspannung auftreten, als z. B. in Umfangsbereichen des Substrathalters4 . Daher können die Unterschiede in der Stärke der dielektrischen Schicht4b z. B. so gewählt werden, dass sie solche Unregelmäßigkeiten von Ub an der Platte4a im Wesentlichen ausgleichen. Alternativ können, wie in6 gezeigt ist, die Unterschiede in der Stärke der dielektrischen Schicht4b beispielsweise so gewählt werden, dass an Umfangsbereichen des Substrathalters4 eine höhere Vorspannung Ub erzielt werden kann, als an Innenbereichen des Substrathalters4 . Die Unterschiede in der Stärke der dielektrischen Schicht4b können z. B. so gewählt werden, dass die maximale Vorspannung Ub2 an äußeren Randbereichen der Platte4a mehr als 10%, insbesondere mehr als 20%, z. B. mehr als 30% (z. B. zwischen 15% und 40%) größer ist, als die minimale Vorspannung Ub1 in der Mitte der Platte4a . Aufgrund der größeren Vorspannung Ub an den Umfangsbereichen der Platte4a ist die auf entsprechende Plasmaionen, Plasmaelektronen, etc. ausgeübte Anziehungskraft an den Umfangsbereichen der Platte4a größer, als in den Innenbereichen der Platte4a . Daher kann die oben genannte niedrigere Intensität der Plasmastrahlung in Bereichen nahe der Wand7 der Sputterdepositions-Vorrichtung1 (d. h. in Umfangsbereichen) ausgeglichen werden. Deshalb kann wiederum ein im Wesentlichen gleichmäßiger Beschuss (mit Elektronen, Ionen) des Substrats, d. h. beispielsweise der GeSe/GeS oder GST Matrix erreicht werden, was zu einem entsprechenden Dotieren/Ätzen der Matrix führt.
Claims (16)
- Sputterdepositions-Vorrichtung mit: wenigstens einem Sputter-Target in einer ersten Ebene; einem Plasma; einem Substrathalter in einer zweiten Ebene; wobei der Winkel zwischen der ersten Ebene und der zweiten Ebene zwischen 15° und 35° beträgt und der Substrathalter eine dielektrische Schicht von variierender Stärke aufweist, die an einem Innenbereich des Substrathalters größer ist, als an einem Außenbereich des Substrathalters.
- Sputterdepositions-Vorrichtung nach Anspruch 1, welche ein weiteres Plasma aufweist.
- Sputterdepositions-Vorrichtung nach Anspruch 2, wobei das weitere Plasma ein ECWR Plasma ist.
- Sputterdepositions-Vorrichtung nach Anspruch 3, wobei das ECWR Plasma sich näher an dem Substrathalter befindet, als das erste Plasma.
- Sputterdepositions-Vorrichtung nach Anspruch 3, wobei der Abstand zwischen dem ECWR Plasma und dem Substrathalter weniger als 15 cm beträgt.
- Sputterdepositions-Vorrichtung nach Anspruch 3, wobei der Abstand zwischen dem ECWR Plasma und dem Substrathalter weniger als 10 cm beträgt.
- Sputterdepositions-Vorrichtung nach Anspruch 4, die zusätzlich ein Hilfsplasma aufweist.
- Sputterdepositions-Vorrichtung nach Anspruch 7, wobei das Hilfsplasma sich näher an dem Substrathalter befindet, als das ECWR Plasma.
- Sputterdepositions-Vorrichtung nach Anspruch 4, die des Weiteren eine Anode aufweist, die zwischen dem ECWR Plasma und dem Substrathalter vorgesehen ist.
- Sputterdepositions-Vorrichtung nach Anspruch 7, wobei das Hilfsplasma in Umfangsbereichen der Sputterdepositions-Vorrichtung eine größere Intensität aufweist, als in Innenbereichen der Sputterdepositions-Vorrichtung.
- Sputterdepositions-Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die maximale Stärke der dielektrischen Schicht mehr als 15% größer ist, als die minimale Stärke der dielektrischen Schicht.
- Sputterdepositions-Vorrichtung nach Anspruch 11, wobei ein Bereich der dielektrischen Schicht, der die maximale Stärke aufweist, sich in der Mitte der dielektrischen Schicht befindet.
- Sputterdepositions-Vorrichtung nach Anspruch 12, wobei ein Bereich der dielektrischen Schicht, der die minimale Stärke aufweist, sich am Umfang der dielektrischen Schicht befindet.
- Sputterdepositions-Vorrichtung nach Anspruch 1, die des Weiteren einen Sender aufweist, der mit dem Substrathalter gekoppelt ist.
- Sputterdepositions-Vorrichtung nach Anspruch 14, wobei der Sender und ein Abgleichungsnetzwerk an den Substrathalter eine Vorspannung induzieren, die aufgrund der variierenden Stärke der dielektrischen Schicht an einem Umfangsbereich des Substrathalters größer ist, als in einem Innenbereich des Substrathalters.
- Sputterdepositions-Vorrichtung nach Anspruch 15, wobei eine maximale Vorspannung an dem Umfangsbereich mehr als 15% größer ist, als eine minimale Vorspannung in dem Innenbereich.
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102006028977A DE102006028977B4 (de) | 2006-06-23 | 2006-06-23 | Sputterdepositions-Vorrichtung |
US11/473,441 US8038850B2 (en) | 2006-06-23 | 2006-06-23 | Sputter deposition method for forming integrated circuit |
EP07011896A EP1870924A3 (de) | 2006-06-23 | 2007-06-18 | Abscheidungsvorrichtung und -verfahren mittels Kathodenzerstäubung |
JP2007165010A JP2008001989A (ja) | 2006-06-23 | 2007-06-22 | スパッタ堆積装置およびスパッタ堆積方法 |
KR1020070061646A KR20070122165A (ko) | 2006-06-23 | 2007-06-22 | 스퍼터 증착 장치 및 방법 |
CNA2007101464018A CN101158027A (zh) | 2006-06-23 | 2007-06-22 | 溅射沉积装置和方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102006028977A DE102006028977B4 (de) | 2006-06-23 | 2006-06-23 | Sputterdepositions-Vorrichtung |
US11/473,441 US8038850B2 (en) | 2006-06-23 | 2006-06-23 | Sputter deposition method for forming integrated circuit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102006028977A1 DE102006028977A1 (de) | 2007-12-27 |
DE102006028977B4 true DE102006028977B4 (de) | 2012-04-12 |
Family
ID=38442582
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102006028977A Expired - Fee Related DE102006028977B4 (de) | 2006-06-23 | 2006-06-23 | Sputterdepositions-Vorrichtung |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8038850B2 (de) |
EP (1) | EP1870924A3 (de) |
JP (1) | JP2008001989A (de) |
KR (1) | KR20070122165A (de) |
CN (1) | CN101158027A (de) |
DE (1) | DE102006028977B4 (de) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8268664B2 (en) * | 2007-03-05 | 2012-09-18 | Altis Semiconductor | Methods of manufacturing a semiconductor device; method of manufacturing a memory cell; semiconductor device; semiconductor processing device; integrated circuit having a memory cell |
KR101706192B1 (ko) * | 2007-11-28 | 2017-02-13 | 가부시키가이샤 아루박 | 스퍼터 장치 및 성막방법 |
JP5429771B2 (ja) * | 2008-05-26 | 2014-02-26 | 株式会社アルバック | スパッタリング方法 |
US8679914B2 (en) | 2010-11-02 | 2014-03-25 | Micron Technology, Inc. | Method of forming a chalcogenide material and methods of forming a resistive random access memory device including a chalcogenide material |
RU2543023C2 (ru) * | 2012-10-01 | 2015-02-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Владимирский государственный университет имени Александра Григорьевича и Николая Григорьевича Столетовых" (ВлГУ) | Роторный подложкодержатель |
CN110534426B (zh) * | 2018-09-18 | 2023-10-13 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 深硅刻蚀方法、深硅槽结构及半导体器件 |
CN115110048B (zh) * | 2022-06-20 | 2023-05-02 | 肇庆市科润真空设备有限公司 | 基于磁控溅射的pecvd镀膜装置及方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6372875A (ja) * | 1986-09-17 | 1988-04-02 | Hitachi Ltd | スパツタリング装置 |
JPH101772A (ja) * | 1996-06-12 | 1998-01-06 | Ulvac Japan Ltd | ウェハートレーと真空装置、及び熱電性ウェハーの真空処理方法 |
EP1371746A1 (de) * | 2001-02-08 | 2003-12-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von filmen |
DE69727624T2 (de) * | 1996-07-15 | 2004-10-14 | Applied Materials, Inc., Santa Clara | Induktiv gekoppelter HDP-CVD-Reaktor |
US20060073283A1 (en) * | 2004-10-05 | 2006-04-06 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for metal plasma vapor deposition and re-sputter with source and bias power frequencies applied through the workpiece |
DE60035971T2 (de) * | 1999-03-31 | 2008-05-08 | Lam Research Corp., Fremont | Verfahren und gerät zur kompensierung ungleichmässiger behandlung in plasma-behandlungskammern |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS577129A (en) * | 1980-06-17 | 1982-01-14 | Fujitsu Ltd | Treating method and device for sputtering |
NL8202092A (nl) * | 1982-05-21 | 1983-12-16 | Philips Nv | Magnetronkathodesputtersysteem. |
JPS59179630A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-12 | Pentel Kk | プラスチツクへの被膜形成方法 |
JPH0697676B2 (ja) * | 1985-11-26 | 1994-11-30 | 忠弘 大見 | ウエハサセプタ装置 |
DE3709175A1 (de) * | 1987-03-20 | 1988-09-29 | Leybold Ag | Verfahren und vorrichtung zum aufstaeuben hochohmiger schichten durch katodenzerstaeubung |
US4931158A (en) | 1988-03-22 | 1990-06-05 | The Regents Of The Univ. Of Calif. | Deposition of films onto large area substrates using modified reactive magnetron sputtering |
DE3920834A1 (de) * | 1989-06-24 | 1991-02-21 | Leybold Ag | Mikrowellen-kathodenzerstaeubungseinrichtung |
US5234560A (en) * | 1989-08-14 | 1993-08-10 | Hauzer Holdings Bv | Method and device for sputtering of films |
US5298720A (en) * | 1990-04-25 | 1994-03-29 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for contamination control in processing apparatus containing voltage driven electrode |
US5178739A (en) * | 1990-10-31 | 1993-01-12 | International Business Machines Corporation | Apparatus for depositing material into high aspect ratio holes |
JPH05226462A (ja) * | 1992-02-18 | 1993-09-03 | Fujitsu Ltd | 静電チャック |
JP2973058B2 (ja) * | 1992-07-27 | 1999-11-08 | 日本真空技術株式会社 | 高真空・高速イオン処理装置 |
US6296743B1 (en) | 1993-04-02 | 2001-10-02 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for DC reactive plasma vapor deposition of an electrically insulating material using a shielded secondary anode |
JP3562595B2 (ja) * | 1994-08-26 | 2004-09-08 | アネルバ株式会社 | スパッタ装置 |
US5688358A (en) | 1995-03-08 | 1997-11-18 | Applied Materials, Inc. | R.F. plasma reactor with larger-than-wafer pedestal conductor |
JP3847363B2 (ja) * | 1996-02-02 | 2006-11-22 | 富士通株式会社 | 半導体ウェハ処理装置及び半導体ウェハ処理方法 |
WO1997045855A1 (en) * | 1996-05-31 | 1997-12-04 | Akashic Memories Corporation | Highly tetrahedral amorphous carbon films and methods for their production |
JP4355036B2 (ja) * | 1997-03-18 | 2009-10-28 | キヤノンアネルバ株式会社 | イオン化スパッタリング装置 |
US6238527B1 (en) * | 1997-10-08 | 2001-05-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Thin film forming apparatus and method of forming thin film of compound by using the same |
JPH11269643A (ja) * | 1998-03-20 | 1999-10-05 | Toshiba Corp | 成膜装置およびそれを用いた成膜方法 |
US6228438B1 (en) * | 1999-08-10 | 2001-05-08 | Unakis Balzers Aktiengesellschaft | Plasma reactor for the treatment of large size substrates |
JP2002090978A (ja) * | 2000-09-12 | 2002-03-27 | Hoya Corp | 位相シフトマスクブランクの製造方法、及び位相シフトマスクブランクの製造装置 |
US7109056B2 (en) | 2001-09-20 | 2006-09-19 | Micron Technology, Inc. | Electro-and electroless plating of metal in the manufacture of PCRAM devices |
US6802949B2 (en) | 2001-10-15 | 2004-10-12 | Hanyang Hak Won Co., Ltd. | Method for manufacturing half-metallic magnetic oxide and plasma sputtering apparatus used in the same |
US7326979B2 (en) * | 2002-08-02 | 2008-02-05 | Unity Semiconductor Corporation | Resistive memory device with a treated interface |
JP5697829B2 (ja) * | 2002-12-04 | 2015-04-08 | ライボルト オプティクス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングLeybold Optics GmbH | 多層膜を製造する方法および前記方法を実施するための装置 |
US7075771B2 (en) | 2003-05-21 | 2006-07-11 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and methods for compensating plasma sheath non-uniformities at the substrate in a plasma processing system |
US7190048B2 (en) * | 2004-07-19 | 2007-03-13 | Micron Technology, Inc. | Resistance variable memory device and method of fabrication |
DE102004046804B4 (de) * | 2004-09-27 | 2006-10-05 | Infineon Technologies Ag | Resistiv schaltender Halbleiterspeicher |
DE102004047630A1 (de) | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung eines CBRAM-Halbleiterspeichers |
-
2006
- 2006-06-23 DE DE102006028977A patent/DE102006028977B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2006-06-23 US US11/473,441 patent/US8038850B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-06-18 EP EP07011896A patent/EP1870924A3/de not_active Withdrawn
- 2007-06-22 CN CNA2007101464018A patent/CN101158027A/zh active Pending
- 2007-06-22 JP JP2007165010A patent/JP2008001989A/ja active Pending
- 2007-06-22 KR KR1020070061646A patent/KR20070122165A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6372875A (ja) * | 1986-09-17 | 1988-04-02 | Hitachi Ltd | スパツタリング装置 |
JPH101772A (ja) * | 1996-06-12 | 1998-01-06 | Ulvac Japan Ltd | ウェハートレーと真空装置、及び熱電性ウェハーの真空処理方法 |
DE69727624T2 (de) * | 1996-07-15 | 2004-10-14 | Applied Materials, Inc., Santa Clara | Induktiv gekoppelter HDP-CVD-Reaktor |
DE60035971T2 (de) * | 1999-03-31 | 2008-05-08 | Lam Research Corp., Fremont | Verfahren und gerät zur kompensierung ungleichmässiger behandlung in plasma-behandlungskammern |
EP1371746A1 (de) * | 2001-02-08 | 2003-12-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von filmen |
US20060073283A1 (en) * | 2004-10-05 | 2006-04-06 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for metal plasma vapor deposition and re-sputter with source and bias power frequencies applied through the workpiece |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1870924A3 (de) | 2008-02-13 |
EP1870924A2 (de) | 2007-12-26 |
CN101158027A (zh) | 2008-04-09 |
US8038850B2 (en) | 2011-10-18 |
KR20070122165A (ko) | 2007-12-28 |
US20070295597A1 (en) | 2007-12-27 |
DE102006028977A1 (de) | 2007-12-27 |
JP2008001989A (ja) | 2008-01-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102006028977B4 (de) | Sputterdepositions-Vorrichtung | |
DE69723252T2 (de) | Multibiteinzelzellenspeicher mit spitz zulaufendem kontakt | |
DE3107914C2 (de) | ||
DE102005005325B4 (de) | Verfahren zur Herstellung einer resistiv schaltenden nicht-flüchtigen Speicherzelle | |
DE60201147T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines organischen Dünnfilmbauelements unter Verwendung einer Sputtervorrichtung des Typs der einander gegenüberliegenden Targets | |
DE102004020297B4 (de) | Verfahren zur Herstellung resistiv schaltender Speicherbauelemente | |
DE4117518C2 (de) | Vorrichtung zum Sputtern mit bewegtem, insbesondere rotierendem Target | |
DE2513034C2 (de) | Vorrichtung zur Herstellung von dotierten dünnen Halbleiterschichten | |
DE102004046392A1 (de) | Halbleiterspeicher | |
DE102005012047A1 (de) | Festkörperelektrolyt-Speicherelement und Verfahren zur Herstellung eines solchen Speicherlements | |
DE3506227A1 (de) | Anordnung zur beschichtung von substraten mittels kathodenzerstaeubung | |
EP1685569A1 (de) | Phasenwechselspeicher, phasenwechselspeicheranordnung, phasenwechselspeicherzelle, 2d-phasenwechselspeicherzellen-array, 3d-phasenwechselspeicherzellen-array und elektronikbaustein | |
DE3606959A1 (de) | Vorrichtung zur plasmabehandlung von substraten in einer durch hochfrequenz angeregten plasmaentladung | |
DE102004007633A1 (de) | Speicherbauelement-Elektrode mit Oberflächen-Struktur | |
TWI689094B (zh) | 層疊擴散障壁層及相關裝置與方法 | |
DE112004001728T5 (de) | Rechteckige gefilterte Dampfplasmaquelle und Verfahren zur Steuerung eines Dampfplasmaflusses | |
DE19860474A1 (de) | Verfahren und Einrichtung zum Beschichten von Substraten mittels bipolarer Puls-Magnetron-Zerstäubung | |
EP1476891B1 (de) | Vorrichtung und verfahren zum beschichten eines substrates mit magnetischen oder magnetisierbaren werkstoffen | |
DE102006038077A1 (de) | Speicherzellen mit einer Anode aufweisend Interkalationsmaterial und Metall-Spezies, die darin aufgelöst sind | |
WO2006034946A1 (de) | Resistiv schaltender halbleiterspeicher | |
DE10356285A1 (de) | Integrierter Halbleiterspeicher und Verfahren zum Herstellen eines integrierten Halbleiterspeichers | |
DE112018003217B4 (de) | Memristives Bauelement auf Grundlage eines reversiblen Transfers interkalierter Ionen zwischen zwei metastabilen Phasen und Verfahren zum Betreiben desselben | |
DE1515300A1 (de) | Vorrichtung zur Herstellung hochwertiger duenner Schichten durch Kathodenzerstaeubung | |
DE10196150B4 (de) | Magnetron-Sputtervorrichtung und Verfahren zum Steuern einer solchen Vorrichtung | |
DE102006048384A1 (de) | Schichtstrukturen mit Chalkogenid-Materialien |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: QIMONDA AG, 81739 MUENCHEN, DE |
|
R016 | Response to examination communication | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R082 | Change of representative |
Representative=s name: , |
|
R020 | Patent grant now final |
Effective date: 20120713 |
|
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: INFINEON TECHNOLOGIES AG, DE Free format text: FORMER OWNER: QIMONDA AG, 81739 MUENCHEN, DE Owner name: POLARIS INNOVATIONS LTD., IE Free format text: FORMER OWNER: QIMONDA AG, 81739 MUENCHEN, DE |
|
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: POLARIS INNOVATIONS LTD., IE Free format text: FORMER OWNER: INFINEON TECHNOLOGIES AG, 85579 NEUBIBERG, DE |
|
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |