KR960026847A - 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 - Google Patents
반도체 소자의 캐패시터 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 캐패시터 제조방법에 관한 것으로, 반도체 기판 상부에 소자분리절연막, 게이트전극 및 불순물 확산영역을 순차적으로 형성하고 그 상부에 하부절연층을 형성한 다음, 마스크를 이용하여 다수의 홈을 형성하고 단차피복비가 우수한 도전층을 전체표면상부에 형성한 다음, 저장전극마스크를 이용한 식각공정으로 상기 도전층을 식각함으로써 표면적이 증가된 저장전극을 형성하고, 후공정에서 전체표면상부에 유전체막과 플레이트전극을 순차적으로 형성하여 고집적화에 충분한 정전용량을 갖는 캐패시터를 형성함으로써 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하고 이에 따른 반도체소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 및 제2B도는 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체소자의 캐패시터 제조공정을 도시한 단면도, 제3A도 및 제3B도는 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체소자의 캐패시터 제조공정을 도시한 단면도.
Claims (8)
- 반도체기판 상부에 하부절연층을 형성하는 공정과 마스크를 이용하여 상기 반도체기판의 예정된 부분을 노출시키는 콘택홀과, 다수의 홈을 형성하는 공정과, 전체표면상부에 도전층을 형성하는 공정과, 저장전극마스크를 이용하여 상기 도전층을 식각함으로써 표면적이 증가된 저장전극을 형성하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 마스크는 콘택홀을 형성하는 콘택마스크와 홈을 형성하는 별도의 마스크가 사용된 것을 그 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 홈은 상기 하부절연층에 형성된 구조물이 노출되지 않도록 형성된 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 도전층은 다결정실리콘막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 게이트전극이 형성된 반도체기판 상부에 층간절연막을 형성하는 공정과, 상기 층간절연막 상부에 하부절연층을 형성하는 공정과, 마스크를 이용한 식각공정으로 콘택홀과 다수의 홈을 형성하는 공정과, 전체표면상부에 도전층을 형성하는 공정과, 저장전극마스크를 이용한 식각공정을 실시함으로써 표면적이 증가된저장전극을 형성하는 고정을 포함한 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제5항에 있어서, 상기 마스크는 콘택홀을 형성하는 콘택마스크와 홈을 형성하는 별도의 마스크가 사용된 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제5항에 있어서, 상기 홈은 상기 층간절연막이 노출시키는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제5항에 있어서, 상기 도전층은 다결정실리콘막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940039023A KR960026847A (ko) | 1994-12-29 | 1994-12-29 | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940039023A KR960026847A (ko) | 1994-12-29 | 1994-12-29 | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960026847A true KR960026847A (ko) | 1996-07-22 |
Family
ID=66647479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940039023A KR960026847A (ko) | 1994-12-29 | 1994-12-29 | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960026847A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040050630A (ko) * | 2002-12-10 | 2004-06-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 제조방법 |
-
1994
- 1994-12-29 KR KR1019940039023A patent/KR960026847A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040050630A (ko) * | 2002-12-10 | 2004-06-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 제조방법 |
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